专利名称：光电子半导体芯片的制作方法
技术领域：
提出了一种光电子半导体芯片、一种光电子半导体构件以及一种用于制造光电子半导体构件的方法。
发明内容
要实现的目的在于，提出一种尤其紧凑并且可低成本制造的半导体芯片。本申请要求德国专利申请102010013494.5的优先权，其公开内容通过引用并入本文。根据至少一个实施形式，光电子半导体芯片包括具有η型导电区域和ρ型导电区域的半导体本体。η型和ρ型的导电区域能够至少局部地通过半导体本体的外延生长的半·导体层序列形成。根据至少一个实施形式，光电子半导体芯片包括单个的η型接触元件，η型导电区域能够经由所述η型接触元件穿过ρ型导电区域来被电接触。换而言之，η型导电区域被穿过P型导电区域、即从P型侧起电接触。在此，“单个的η型接触元件“表示η型接触元件没有通过多个单个的η型接触元件来形成、例如通过半导体本体的半导体材料形成彼此分离的η型接触元件。相反地，单个的η型接触元件为下述接触元件，所述接触元件连续地并且连贯地在半导体本体之内延伸并且侧向至少局部直接地邻接于半导体本体的半导体材料。为了提出在结构上尤其简单的以及老化稳定的和低成本的光电子半导体构件，在此描述的光电子半导体芯片尤其运用下述思想半导体芯片的半导体本体的η型导电区域能够经由单个的η型接触元件被电接触,所述单个的η型接触元件穿过半导体本体的ρ型导电区域。因此有利的是，能够省去将接触部施加到η侧区域的外表面上或者施加到多个单个的接触元件上，因为η型导电区域被经由单个的η型接触元件从P型侧起接触。根据至少一个实施形式，光电子半导体芯片包括具有η型导电区域和ρ型导电区域的半导体本体。此外，光电子半导体芯片包括单个的η接触元件，η型导电区域能够经由所述单个的η型接触元件穿过ρ型导电区域来被电接触。根据至少一个实施形式，η型接触元件包括在ρ型导电区域中的凹处。“凹处”在该上下文中表示，在该凹处的区域中，P型导电区域的半导体材料被局部移除。因此，凹处在横向方向上、即在平行于半导体本体的主延伸平面的方向上至少局部地被P型导电区域限界。能够考虑的是，凹处通过至少一个侧面、底面以及与底面相对置的开口形成。于是，底面和开口通过至少一个侧面彼此连接。至少一个侧面能够完全地通过P型导电区域的半导体材料形成。此外，凹处的底面能够完全地通过η型导电区域的半导体材料形成。换而言之，竖直的伸展、即凹处在垂直于半导体本体的主延伸平面的方向上的伸展至少局部地为P型导电区域的竖直的伸展、即P型导电区域的厚度。于是，凹处是在P型导电区域中的孔，所述孔完全地穿透所述P导电区域。根据光电子半导体芯片的至少一个实施形式，η型接触元件、尤其是凹处至少局部地对P型导电区域横向限界。因此，例如，凹处至少局部地为P型导电区域加边。同样能够考虑的是，凹处在横向方向上的所有侧对P型导电区域限界。于是，凹处在半导体芯片的俯视图中是“环绕的”并且构成连续的区域。根据至少一个实施形式，η型接触元件具有通过η型导电区域的半导体材料形成的η型连接面，其中η型连接面垂直于半导体本体的生长方向。如果单个的η型接触元件在P型导电区域中包括凹处，那么能够考虑的是，η型连接面完全地通过凹处的底面形成。如果凹处例如是环绕的，那么能够考虑的是，η型连接面同样是环绕的、例如在俯视图中是圆形的、矩形的和/或椭圆形的，以便围绕P型导电区域。根据光电子半导体芯片的至少一个实施形式，半导体本体具有有源区，其中η型接触元件的η型连接面为有源区的横截面的至少1%并且至多为10%、优选至少为2%和至多为5%。有源区能够为下述层，所述层在半导体芯片的运行中发射在电磁辐射的紫外至红外光谱范围之内的波长范围内的电磁辐射。有源区设置在η型导电区域和ρ型导电区域之 间。在此，有源区的横截面是垂直于半导体本体的生长方向的面。证实了，η型接触元件相对于有源区横截面的这种面积范围形成特别良好的接触电阻。例如，借助如此实现的η型连接面而能够避免在电接触时在连接面的区域中的尤其高的热量形成。根据至少一个实施形式，有源区的最大横向伸展和η型导电区域的η型横向电导率的比为最小2 μ m/ ( Ω/sq)和最大为8 μ m/ ( Ω/sq)、优选最小为3 μ m/ (Ω/sq)和最大为5μπι/( Ω/sq)。如果有源区在俯视图中例如是圆形的，那么最大的横向伸展能够是有源区的直径。对于有源区例如是矩形的情况，最大的横向伸展能够是有源区的两个角点的对角线距离。在此，有源区的几何尺寸选择成，使得η型导电区域的η型横向电导率足够于，以便在光电子半导体芯片的运行中在η型导电区域中产生基本上均匀的电流分布，使得有源区本身沿着其横截面发射尽可能均匀的电磁辐射。在此，“基本上”表示，沿着η型导电区域的电流分布至最少80%、优选最少90%是恒定的。根据至少一个实施形式，半导体本体具有设置在η型导电区域的背离P型导电区域的一侧上的辐射耦合输出面。例如，辐射耦合输出面完全地通过η型导电区域的背离ρ型导电区域的一侧来形成。同样可能的是，将一个或多个层施加到η型导电区域的暴露部位上。因此，例如，将钝化层施加到η型导电区域的暴露部位上。因此，钝化层的背离ρ型导电区域的一侧能够形成辐射耦合输出面。根据至少一个实施形式，η型接触元件具有至少局部地邻接于η型连接面的η型接触金属化部。借助于η型接触金属化部，η型导电区域可以通过η型接触元件的η型连接面来电接触。如果η型接触元件例如包括凹处，那么能够考虑，η型接触金属化部在η型连接面的整个横向伸展上与所述η型连接面直接地接触,其中在η型接触金属化部和ρ型导电区域之间设置中有例如电绝缘层的钝化层。因此，例如，凹处至少部分地借助金属填充。根据光电子半导体芯片的至少一个实施形式，P型导电区域具有与辐射耦合输出面相对置的P型连接面，其中P型连接面与P型接触金属化部导电连接。例如，P型接触金属化部与P型连接面直接地接触。同样能够考虑，在P型接触金属化部和P型连接面之间至少局部地设置有一个或多个导电层、例如镜层。根据光电子芯片的至少一个实施形式，η型接触金属化部和P型接触金属化部在横向方向上从半导体本体中引出并且没有在垂直方向上彼此交叠。换而言之，η型接触金属化部和P型接触金属化部在横向方向上彼此错移地设置。例如，这能够尤其有利地如下来实现，即η型接触金属化部和P型接触金属化部通过结构化的接触层来制成，使得在垂直方向上η型接触金属化部和ρ型接触金属化部没有相交。因此，η型导电区域和ρ型导电区域经由η型接触金属化部和ρ型接触金属化部从外部“侧向地”来电接触。根据至少一个实施形式，在P型导电区域和η型接触金属化部之间，在凹处的区域中设置有绝缘层。优选地，绝缘层不仅与P型接触金属化部直接地接触而且与η型导电区域直接地接触，并且将η型导电区域和ρ型接触金属化部彼此电绝缘。根据至少一个实施形式，P型导电区域局部地由名义上未掺杂的半导体区域横向地限界，其中名义上未掺杂的半导体区域和P型导电区域通过连贯的并且连续的半导体层来形成。“名义上未掺杂”在该上下文中表示半导体区域与直接地邻接于半导体区域的P型导电区域和/或η型导电区域相比具有可忽略的有效掺杂。例如，名义上未掺杂的半导体区域为下述半导体区域所述半导体区域的半导体材料具有与η型导电区域和/或ρ型导电区域相比高的电阻。优选 地，名义上未掺杂的半导体区域由P型导电区域的半导体材料形成。为此例如，P型导电区域在稍后名义上未掺杂的半导体区域的区域中借助于离子注入或者等离子处理而变化成名义上未掺杂的半导体区域。有利的是，名义上未掺杂的区域能够用作为绝缘层，使得能够有利地省去将绝缘层附加地引入在η型导电区域和ρ型接触金属化部之间。根据至少一个实施形式，η型接触元件至少局部地通过ρ型导电区域的过掺杂的η型导电半导体材料形成。例如，ρ型导电区域在过掺杂的半导体材料的部位借助于离子注入或者等离子处理方法例如在其掺杂中如此变化，使得借助该方法使P型导电区域的半导体材料在所述部位是η型导电的。因此有利的是，η型接触元件至少部分地通过过掺杂的半导体材料形成，使得例如能够至少部分地省去在η型接触元件的区域中的接触金属化部。过掺杂的η型导电半导体材料因此能够部分地替代η型接触金属化部。此外，提出一种光电子半导体构件。根据至少一个实施形式，光电子半导体构件包括至少两个根据前述权利要求之一所述的光电子半导体芯片。这就是说，针于在此描述的光电子半导体芯片所详述的特征也针对在此描述的光电子半导体构件来公开。根据至少一个实施形式，光电子半导体芯片串联地彼此电接触。由此实现，光电子半导体构件在以可预设的亮度运行时具有明显更低的电流通量。因此，光电子半导体构件能够在同时低电流的情况下以电压驱动的方式来馈电。由此，例如能够通过能够容易制造的相应的高电压源替代昂贵的驱动器级以及高电流源。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，一个半导体芯片的η型导电区域与相邻半导体芯片的P型导电区域经由连贯的中间金属化部电连接。根据光电子半导体构件的至少一个实施形式，中间金属化部至少局部地通过一个半导体芯片的η型接触金属化部和相邻的半导体芯片的ρ型金属化部形成。换而言之，横向地分别从半导体本体中朝着彼此引出的相应的接触金属化部共同地“连接”成中间金属化部，使得借助于中间金属化部使一个半导体芯片的η导电区域置于如相邻的半导体芯片的P型导电区域相同的电势上。根据至少一个实施形式，光电子半导体构件包括根据前述权利要求之一所述的至少两个光电子半导体芯片，其中光电子半导体芯片串联地彼此电接触。一个半导体芯片的η型导电区域与相邻的半导体芯片的ρ型导电区域经由连贯的中间金属化部电连接。中间金属化部至少局部地通过一个半导体芯片的η型接触金属化部和相邻的半导体芯片的ρ型接触金属化部形成。尤其有利的是，串联刚好如此多的半导体芯片，使得光电子半导体构件能够在可预设的供电水平的情况下借助优选外部地施加到半导体构件处的下述电压水平的来运行55V、53WV、110V、110 W V、220V.200V2 V0根据至少一个实施形式，将由光电子半导体芯片和金属化部组成的复合物施加在辅助载体上。这能够表示，复合物与辅助载体直接地接触。同样能够考虑，在复合物和辅助载体之间设置有一个或多个层。辅助载体不同于生长衬底。例如，辅助载体为例如借助金属形成的板或者机械稳定的层。同样地，辅助载体能够是半导体晶圆。此外，提出一种用于制造光电子构件的方法。例如，能够借助于该方法制造如结合一个或多个上述实施形式描述的半导体构件。这就是说，针对在此描述的光电子半导体构件所详述的特征也针对在此描述的方法来公开并且反之亦然。
在第一步骤中提供生长载体。生长载体例如能够根据盘或者板的类型构成。例如，生长载体为借助半导体材料或者绝缘材料形成的单晶晶圆。在下一步骤中将半导体层序列外延地沉积到生长载体上，其中半导体层序列具有η型导电区域和ρ型导电区域。在另一步骤中，在半导体层序列中产生至少两个η型接触元件，其中η型接触元件穿过P型导电区域延伸直到η型导电区域中。例如，两个η型接触元件包括凹处。因此能够考虑，借助于干法或者湿法化学刻蚀工艺将凹处引入到半导体层序列中。“延伸进入”在该上下文中表示η型接触元件具有至少一个竖直伸展，所述竖直伸展至少局部地最少相当于P型导电区域的竖直伸展。因此，换而言之，η型接触元件局部直接地邻接于η型导电区域的半导体材料。但是，接触元件也能够具有大于η型导电区域的竖直伸展的竖直伸展。在下一步骤中，辅助载体施加到半导体层序列的与生长载体相对置的面上。在此，辅助载体不必强制地与半导体层序列直接地接触。例如，在辅助载体和半导体层序列之间能够设置有例如金属化部的一个或多个层。在此，金属化部能够用于稍后电接触光电子半导体构件。辅助载体又能够为根据盘或者板的类型构成的半导体晶圆。在下一步骤中，在横向方向上相邻的η型接触元件之间经由η型导电区域引入至少两个沟槽来产生各个半导体本体。在沟槽的区域中至少局部完全地移除半导体层序列的一部分。例如，至少一个沟槽借助于至少一种干法和/或湿法化学刻蚀工艺或者其他形式的材料去除引入到半导体层序列中。这就是说，至少一个沟槽至少局部侧向地通过半导体层序列限界。在该上下文中能够考虑的是，至少一个沟槽具有与沟槽的开口相对置的底面以及通过底面彼此连接的两个侧面。因此，侧面能够完全地通过半导体层序列来形成，其中沟槽的底面例如通过辅助载体的表面来形成，因此，沟槽为在半导体层序列中的凹处。根据至少一个实施形式，借助于所述方法制造在此描述的光电子半导体构件。
下面，根据实施例和所属的附图详细阐明在此描述的光电子半导体芯片、在此描述的光电子半导体构件以及在此描述的方法。图IA和IB示出在此描述的光电子半导体芯片的一个实施例的侧视图和俯视图。
图2、3、4和5示出在此描述的光电子半导体构件的各个实施例的示意剖面图。图6A至6E根据示意剖面图示出用于制造在此描述的光电子半导体构件的实施例的各个制造步骤。
具体实施方式
在实施例和附图中，相同的或者起相同作用的组成部分分别设有相同的附图标记。所示出的元件不能够视为是按照比例的，相反地，为了更好的理解能够夸张大地示出各个元件。在图IA中根据示意的剖面图示出具有半导体本体I的在此描述的光电子半导体芯片100。半导体本体I具有η型导电区域12和ρ型导电区域13，以及在半导体芯片100的工作中发射电磁辐射的有源区11。有源区11设置在η型导电区域12和ρ型导电区域13之间。钝化层6直接地施加在η型导电区域12的与有源区11相对置的面12Α上，其中面12Α的结构化部至少局部地传递到钝化层6上。换而言之，半导体芯片100的辐射耦合输出面10通过钝化层6的背离半导体本体I的面来形成。此外，光电子半导体芯片100具有单个的η型接触元件2。η型导电区域12经由η型接触元件2穿过ρ型导电区域13被电接触。η型接触元件2在ρ型导电区域中包括凹处21，其中凹处21局部地对ρ型导电区域13横向限界。此外，η型接触元件2具有η型连接面211。η型连接面211仅仅通过η型导电区域12的半导体材料形成。凹处21当前具有侧面21Α和底面21Β。侧面21Α完全地通过ρ型导电区域13的半导体材料形成，其中凹处21的最大竖直伸展至少为ρ型导电区域13的竖直伸展、即ρ型导电区域13的厚度。此夕卜，底面21Β完全地通过η型导电区域的半导体材料形成。因此，换而言之，η型连接面211完全地通过底面21Β形成。此外，η型连接面211垂直于半导体本体I的生长方向W，其中η型接触元件2的η型连接面211为有源区11的横截面111的最少1%和最多10%、优选最少2%和最多5%。η型接触金属化部31局部地设置在凹处21中并且局部地与凹处21的连接面211直接地接触。此外，有源区11的最大横向伸展Lniax与η型导电区域12的η型横向电导率的比例如为4 μ m/ ( Ω /sq)。η型接触金属化部31从凹处21起在横向方向上从半导体本体I中引出。换而言之，η型导电区域12通过η型接触金属化部31从外部“侧向地”来电接触。绝缘层7局部直接地施加到η型接触金属化部31上以及钝化层6直接地施加到绝缘层7上，其中接触金属化部31的没有钝化层6和绝缘层7的部位构成电接触区域5。如此形成的接触区域5为η型接触区域51。ρ型接触金属化部32经由ρ型导电区域12的与辐射耦合输出面10相对置的ρ型连接面131接触半导体本体I的ρ型导电区域13。如在图IA中示出，ρ型接触金属化部32同样从ρ型连接面131起在横向方向上从半导体本体I中引出，其中η型接触金属化部31和ρ型接触金属化部32在垂直方向上没有彼此交叠。换而言之,两个接触金属化部31和32在不同的方向上从半导体本体I中引出。没有绝缘层7和钝化层6的部位构成ρ型接触区域52形式的另一接触区域5。因此，光电子半导体芯片100能够“侧向地”通过两个接触区域51和52外部地电接触。此外，光电子半导体芯片100包括辅助载体9，其中辅助载体尤其不是生长衬底。辅助载体9能够为根据盘或者板的类型构成的半导体晶圆或者为例如借助金属形成的机械稳定的层或者板。在辅助载体9和半导体本体I之间，在辅助载体9上首先设置有连接层8。例如，连接层8为例如焊料的导电材料。载体绝缘层4设置到连接层8的背离辅助载体9的面上。载体绝缘层4和连接层8将接触金属化部31、32和半导体本体I机械固定地与辅助载体9连接。此外，载体绝缘层4不仅使η型接触金属化部31和ρ型接触金属化部32彼此完全地绝缘而且还使其与连接层8和/或辅助载体9绝缘。此外，载体绝缘层4局部地同样设置在η型接触元件2的凹处21中。换而言之，载体绝缘层4完全地施加在半导体本体I和接触金属化部31和32的与辐射耦合输出面10相对置的面上。图IB示出根据图IA的实施例的示意俯视图。从俯视图中能够看出，光电子半导体芯片100具有矩形的基本形状，其中凹处21形成矩形的条形区域，所述区域沿着一侧在横向方向上对P型导电区域限界。同样能够考虑，半导体芯片100具有不同于图IB中示出的基本形状，例如，半导体芯片100在俯视图中能够成形为圆形、卵形或者椭圆形。同样能够考虑，凹处21具有不同于图IB中的形状。
在图2中示出在此描述的光电子半导体构件1000的实施例的示意侧视图。光电子半导体构件1000包括根据至少一个在此描述的实施形式的两个光电子半导体芯片100。为了更好的理解，左侧示出的光电子半导体芯片100在下面描述为光电子半导体芯片100Α并且右侧示出的半导体芯片100在下面描述为光电子半导体芯片100Β。两个光电子半导体芯片100Α和100Β串联地彼此电接触并且通过沟槽1003彼此分离。半导体芯片100Α的η型导电区域12与半导体芯片100Β的ρ型导电区域13经由连贯的中间金属化部33电连接。中间金属化部当前完全地通过半导体芯片100Α的η型接触金属化部31和半导体芯片100Β的ρ型接触金属化部32形成。换而言之，两个接触金属化部31和32彼此“连接”成共同的中间金属化部33。η型接触金属化部31、ρ型接触金属化部32和中间金属化部33在垂直方向上没有交叠。沟槽1003通过两个侧面1003C和底面1003Α形成。此外，沟槽1003具有与底面1003Α相对置的开口 1003D。沟槽1003的底面1003Α通过在半导体芯片100Α和100Β之间延伸的中间金属化部33形成。绝缘层7局部地直接施加到沟槽1003的底面1003Α上。此外，除了 η型接触部位和ρ型接触部位51和52之外，将钝化层6直接地施加到半导体本体I的、沟槽1003的以及绝缘层7的露出的部位上。图3示出在此描述的光电子半导体构件1000的另一实施例。不同于图2中示出的实施例，半导体芯片100Α和半导体芯片100Β的凹处21在横向方向上环绕ρ型导电区域13并且在横向方向上的所有侧对ρ型导电区域13限界。通过凹处21，有源区11在横向方向上与η型导电区域12相比全方位地“后退”。在金属化部31、32及33和η型导电区域12及ρ型导电区域13之间，在凹处21的区域中局部地设置有绝缘层7以避免电短路。有利地，绝缘层7还避免有源区11的氧化，由此例如能够省去将钝化层6施加在有源区的区域中。此外，在图2中示出的实施例中，辐射耦合出射面10完全地通过η型导电区域12的面12Α形成，其中在所述实施例中也对辐射耦合输出面10进行结构化。图4示出在此描述的光电子半导体构件1000的另一实施例。不同于在图2中示出的实施例，光电子半导体构件1000具有η型镜层30和P型镜层40。例如，两个镜层30和40借助导电材料形成。η型镜层30分别局部地设置在η型接触元件2的凹处21中并且至少局部地与η型连接面211直接地接触。ρ型镜层40至少局部地直接施加到ρ型连接面131上。由有源区11朝ρ型连接面131发射的电磁辐射能够有利地通过η型镜层30和ρ型镜层40朝着辐射耦合输出面10向回反射。因此有利的是，镜层30和40提高各个半导体芯片100的耦合输出效率。“耦合输出效率”在该上下文中表示起初在半导体芯片100Α和100Β中产生的发光能量与从半导体芯片100Α和100Β中耦合输出的发光能量的比。在此处描述的光电子半导体构件1000的图5中示出的实施例中，不同于在图4中不出的实施例，P型导电区域在横向方向上的所有侧被名义上未掺杂的半导体区域60横向限界。名义上未掺杂的半导体区域60和ρ型导电区域13通过连贯的并且连续的半导体层形成。名义上未掺杂的半导体区域60当前是电绝缘的。因此有利的是，能够省去尤其在金属化部31、32及33和η型导电区域12及ρ型导电区域13之间的区域中的绝缘层7。在该上下文中也能够考虑，η型接触元件2至少局部地通过ρ型导电区域13的相应过掺杂的半导体材料形成。因此换而言之,相应过掺杂的半导体材料能够电接触η型导电区域，使得能够有利部分地省去在凹处的区域中的η型接触金属化部31。 图6Α至6Ε示出用于制造在此描述的光电子半导体构件1000的各个制造步骤。在图6Α中，在第一步骤中首先提供生长载体1001。例如，生长载体为根据盘或者板的类型构成的半导体晶圆。半导体层序列1002外延地沉积到生长载体1001上。半导体层序列1002具有η型导电区域12和ρ型导电区域13。此外，绝缘层7完全地施加到η型导电区域13的背离生长衬底I的面上。图6Β示出下一步骤，其中将两个η型接触元件2产生到半导体层序列1002中。为此，首先至少在稍后的η型接触元件2的区域中移除绝缘层7。在下一步骤中，例如借助于干法或者湿法化学刻蚀工艺将凹处21引入到ρ型导电区域13中，其中凹处21穿过ρ型导电区域13延伸至η型导电区域12中。在下一步骤中，绝缘层7局部地从ρ型导电区域13中移除并且在由此暴露的部位处施加η型接触金属化部31和ρ型接触金属化部32以及中间金属化部33。在下一步骤中，将载体绝缘层4完全地施加到金属化部31、32、33的、绝缘层7的以及半导体本体I的露出的面上。然后在另一步骤中，将例如金属焊料的连接层8施加到载体绝缘层4的背离半导体层序列1002的面上。在下一步骤中，将辅助载体9施加到连接层8的与生长载体1001相对置的面上。接下来，将生长载体1001从半导体层序列1002中移除(也见图6C)。在图6D中示出，如何在下一步骤中将沟槽1003在横向方向上相邻的η型接触元件2之间经由η型导电区域12引入到半导体层序列1002中以产生各个半导体本体I。沟槽1003例如借助于干法或者湿法化学刻蚀工艺形成，沟槽1003的底面1003Α当前局部地通过绝缘层7形成，其中沟槽1003的侧面1003C部分地通过半导体层序列1002形成。换而言之，局部地完全移除在沟槽1003的区域中的半导体层序列1002。在图6Ε中示出，如何部分地移除在区域BI和Β2中的半导体层序列1002。换而言之，半导体本体I从ρ型连接面131起朝着辐射耦合输出面10逐渐变细。例如，能够将一个或多个钝化层6施加到半导体本体I的、绝缘层7的和/或接触金属化部31、32和33的暴露部位上，其中接触金属化部31和32局部地具有没有绝缘层7和钝化层6的区域，以外部地进行电接触。例如，因此接触金属化部31和32的所述区域构成η型接触区域51和ρ型接触区域52。 本发明不限于通过根据实施例进行的描述。相反地，本发明包括任意新的特征以及特征的任意的组合，这尤其是包含在权利要求中的特征的任意的组合，即使这些特征或者这些组合本身没有明确地在权利要求或者实施例中说明。
权利要求
1.光电子半导体芯片(100)，包括 -半导体本体(1)，所述半导体本体具有η型导电区域(12)和P型导电区域(13)，和-单个的η型接触元件(2)，所述η型导电区域(12)能够经由所述η型接触元件穿过所述P型导电区域(13)被电接触。
2.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述η型接触元件(2)包括在所述P型导电区域(13)中的凹处(21)。
3.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述η型接触元件(2)、 其所述凹处(21)对所述P型导电区域(13)至少局部地横向限界。
4.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述η型接触元件(2) 具有η型连接面(211 )，所述η型连接面通过所述η型导电区域(13)的半导体材料形成，其中所述η型连接面(211)垂直于所述半导体本体(I)的生长方向(W)。
5.根据上一项权利要求所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述半导体本体(I)具有有源区(11)，其中所述η型接触元件(2)的所述η型连接面(211)为所述有源区(11)的横截面(111)的最少1%并且最多10%。
6.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述半导体本体(I)具有辐射耦合输出面(10)，所述辐射耦合输出面设置在所述η型导电区域(12)的背离所述P型导电区域(13)的一侧上。
7.根据权利要求4至6之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述η型接触元件(2)具有η型接触金属化部(31)，所述η型接触金属化部至少局部地直接邻接于所述η型连接面(211)。
8.根据权利要求6至7之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述P型导电区域(12)具有与所述辐射耦合输出面(10)相对置的P型连接面(131)，其中所述P型连接面(131)与P型接触金属化部(32)导电连接。
9.根据权利要求8所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述η型接触金属化部(31)和所述P型接触金属化部(32 )在横向方向上从所述半导体本体(I)中引出并且在竖直方向上未彼此交叠。
10.根据权利要求8至9之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中在所述P型导电区域(13)和所述η型接触金属化部(31)之间在所述凹处(21)的区域中设置有绝缘层(7)。
11.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述P型导电区域 13)局部地被名义上未掺杂的半导体区域(60)横向限界,其中所述名义上未掺杂的半导体区域(60)和所述P型导电区域(13)通过连贯的并且连续的半导体层来形成。
12.根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中所述η型接触元件(2)至少局部地通过所述P型导电区域(13)的过掺杂的η型导电半导体材料形成。
13.光电子半导体构件(1000)，包括 -至少两个根据上述权利要求之一所述的光电子半导体芯片(100)，其中 -所述光电子半导体芯片(100)串联地彼此电接触， -半导体芯片(100)的η型导电区域(12)与相邻的半导体芯片(100)的ρ型导电区域(13)经由连贯的中间金属化部(33)电连接， -所述中间金属化部(33)至少局部地通过半导体芯片(100)的η型接触金属化部(31)和相邻的半导体芯片(100)的P型接触金属化部(32)形成。
14.用于制造光电子半导体构件(1000)的方法，所述方法包括下述步骤 -提供生长载体(1001); -将外延生长的半导体层序列(1002)施加到所述生长载体(1001)上，其中所述半导体层序列(1002)具有η型导电区域(12)和ρ型导电区域(13)； -在所述半导体层序列(1002)中产生至少两个η型接触元件(2)，其中所述η型接触元件(2)穿过所述ρ型导电区域(13)延伸到所述η型导电区域(12)中； -将辅助载体(9)施加到所述半导体层序列(1002)的与所述生长载体(1001)相对置的面上，并且接下来将所述生长载体(1001)从所述半导体层序列(1002)移除； -以在横向方向上相邻的η型接触元件(2)之间经由所述η型导电区域(12)引入至少一个沟槽(1003)的方式来产生各个半导体本体(I),其中在所述沟槽(1003)的区域中至少局部地完全移除所述半导体层序列(1002)的部分。
15.根据上一项权利要求所述的方法，其中制造根据权利要求13的光电子半导体构件(1000)。
全文摘要
提出一种光电子半导体芯片，带有半导体本体(1)，所述半导体本体具有n型导电区域(12)和p型导电区域(13)；和单个的n型接触元件(2)，n型导电区域(12)能够经由所述n型接触元件穿过p型导电区域(13)被电接触。
文档编号H01L33/00GK102870216SQ201180017495
公开日2013年1月9日 申请日期2011年3月10日 优先权日2010年3月31日
发明者诺温·文马尔姆 申请人:欧司朗光电半导体有限公司