专利名称：Cigs型太阳能电池和cigs型太阳能电池用基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及CIGS型太阳能电池和构成所述太阳能电池的基板。
背景技术：
CIGS型太阳能电池显示高能量转换效率，由于具有因光照射引起的效率的劣化少的特征，在各企业和研究机构中都在推进研究开发。一般的CIGS型太阳能电池由在玻璃等基板上依次层叠Mo (钥)电极、CIGS层、缓冲层以及ZnO (氧化锌)电极而构成。所述构成中，缓冲层是η型半导体层，CIGS层是P型半导体层。因此，如果在CIGS层(ρη接合部)照射光，则由于电子的光激发，产生光电动势。因此，通过向太阳能电池 的光照射，可以将直流电流从两电极取出至外部。这里，CIGS层通常由Cu (In、Ga) Se2这样的化合物构成。此外，由于Na (钠)这样的碱金属的存在，CIGS层的缺陷密度降低，载流子浓度提高。使用具有高载流子浓度的CIGS层时，太阳能电池的能量转换效率提高。因此，有人提出在Mo电池和CIGS层之间设置含有Na (钠)这样的碱金属的层(专利文献1、2)。这样的情况下，在太阳能电池的制造过程中，可以使碱金属从含有碱金属的层扩散到CIGS层。此外，由此可以进一步提高太阳能电池的能量转换效率。现有技术文献专利文献专利文献I:日本专利特开2004-079858号公报专利文献2:日本专利特开2004-140307号公报
发明内容
但是，由于上述文献中记载的含有碱金属的层具有吸湿性或对水具有溶解特性，因此操作复杂的同时存在耐久性差的问题。例如，在碱金属供给层中使用如专利文献I中记载的Na2S时，在太阳能电池的制造时需要有阻断与含有水分的气氛的接触的环境和控制湿度的环境。此外，在太阳能电池的制造过程中，除去异物时不能使用水或水溶液水洗或清洗部件。这样，专利文献1、2记载的构成中，基板与空气接触这样的基板的操作不实际。此外，作为碱金属的供给源，已知的是使用钠钙玻璃作为基板(称为SLG)。但是，SLG的碱金属含有率相对于其它金属阳离子元素的总量只有大约22原子％，期待具有更高碱金属含有率的碱金属的供给源。本发明是鉴于这样的背景而完成的，本发明的目的是提供以更实用的构成能够使碱金属扩散到CIGS层的CIGS型太阳能电池。此外，还提供用于构成所述太阳能电池的太阳能电池用基板。本发明提供一种太阳能电池，其特征在于，所述电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池，在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间，还具有碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。本发明还提供一种太阳能电池，其特征在于，所述电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池，在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间，还具有碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。这里，本发明的太阳能电池中，所述碱金属供给层可以具有20nm 200nm范围的·厚度。更优选具有20nm IOOnm的范围的厚度。此外，本发明的太阳能电池中，设置有背面电极层的基板(本说明书中，该基板称为绝缘性支撑基板)由绝缘性的基材本身构成，或者也可以通过在导电性的基材上设置绝缘层而构成。这样的情况下，所述绝缘性支撑基板特别优选玻璃基板或塑料基板。此外，本发明提供一种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的背面电极层、和碱金属供给层，所述碱金属供给层设置在所述第一表面与所述背面电极层之间、或所述背面电极层的上层、或同时设置在所述第一表面与所述背面电极层之间以及所述背面电极层的上层，所述碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。此外，本发明提供一种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的背面电极层、和碱金属供给层，所述碱金属供给层设置在所述第一表面与所述背面电极层之间、或所述背面电极层的上层、或同时设置在所述第一表面与所述背面电极层之间以及所述背面电极层的上层，所述碱金属供给层含有选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。这里，本发明的太阳能电池用基板中，上述碱金属供给层的厚度优选在20nm 200nm的范围内。更优选厚度在20nm IOOnm的范围内。此外，本发明的太阳能电池用的基板由绝缘性的基材本身构成，或通过在导电性基材上设置绝缘层而构成。此外，本发明提供一种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。此外，本发明提供一种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
这里，本发明的太阳能电池用基板中，上述碱金属供给层的厚度优选在20nm 200nm的范围内。更优选厚度在20nm IOOnm的范围内。此外，本发明的太阳能电池用的基板由绝缘性的基材本身构成，或者也可以通过在导电性基材上设置绝缘层而构成。本发明中，可以以更实用的构成提供不损害耐水性、低吸湿性和对水的低溶解性，且不损害太阳能电池制造工序中的操作特性，能够使碱金属扩散到CIGS层上的CIGS型太阳能电池。此外，能够提供用于构成所述太阳能电池的太阳能电池用的基板。
图I是概略表示目前的CIGS型太阳能电池的构成的截面图。图2是概略地表示本发明的CIGS型太阳能电池的构成的一例的截面图。
图3是表示各样品中得到的Na扩散行为的测定结果的图。
具体实施例方式下面参照附图对本发明进行说明。首先，为了更好地理解本发明的特征，对目前的CIGS型太阳能电池的构成简单进行说明。图I概略地表示目前的CIGS型太阳能电池的一例的截面图。如图I所示，目前的CIGS型太阳能电池10通过依次层叠绝缘性支撑基板11、第一导电层12a、含有碱金属的层(碱金属供给层)19、第二导电层12b、吸光层13、第一半导体层14、第二半导体层15和透明导电层16而构成。通常，太阳能电池10还具有取出电极17和
18。箭头90表示光对太阳能电池I的入射方向。第一导电层12a和第二导电层12b由Mo (钥)构成,作为太阳能电池10的正极发挥作用。另一方面，透明导电层16由ZnO (氧化锌)等构成，作为太阳能电池I的负极发挥作用。第一半导体层14和第二半导体层15也被称为缓冲层，通过在吸光层13和透明电极层16之间形成高电阻层,具有降低太阳能电池的分流路径(shuntpass)的功能。吸光层13通常由Cu (In、Ga) Se2这样的化合物构成。吸光层13通常也被称为CIGS层，因此，以下将该层称为“CIGS层13”。碱金属供给层19是为了将碱金属供给到CIGS层13上而设置的。碱金属供给层19由例如Na2S、Na2Se、NaCl或NaF这样的化合物构成。已知由于Na (钠)这样的碱金属的存在，CIGS层的缺陷密度降低，载流子浓度提高。因此，在CIGS层13的附近设置了碱金属供给层19时，碱金属从该碱金属供给层19向CIGS层13移动，由此，CIGS层13的缺陷密度降低，载流子浓度提高。此外，由此太阳能电池I的能量转换效率提高。所述太阳能电池I的构成中，缓冲层14、15成为η型半导体层，CIGS层13成为ρ型半导体层。因此，如果在CIGS层13 (ρη接合部)照射光，则由于电子的光激发，产生光电动势。因此，通过向太阳能电池I照射光，可以经由与第一导电层12a和第二导电层12b(以上，正极)连接的取出电极17和与透明导电层16 (负极)连接的取出电极18，将直流电流取出至外部。
但是，在所述构成的CIGS型太阳能电池I中，构成碱金属供给层4的上述化合物具有吸湿性，或者具有对水溶解的特性。因此，目前的太阳能电池I在制造时操作繁琐，同时存在耐久性差的问题。例如，在具有Na2S的碱金属供给层4中，在制造太阳能电池时需要有阻断与含有水分的气氛的接触的环境和控制湿度的环境。此外，在太阳能电池的制造过程中，除去异物时不能使用水或水溶液水洗或清洗部件。因此，基板与大气接触这样的基板操作不实际，这样的构成称不上耐久性高的实用的太阳能构成。与之相对，本发明的太阳能电池，如后面所详述的那样，具有没有必要进行特别的操作、可以水洗等、对上述耐久性的问题也能显著抑制这样的特点。以下，参照附图详细说明本发明的CIGS型太阳能电池的构成。图2概略地表示本发明的CIGS型太阳能电池100的一例的截面图。如图2所示，本发明的CIGS型太阳能电池100通过依次层叠绝缘性支撑基板110、碱金属供给层120、背面电极层130、CIGS层160、缓冲层170和透明表面电极层180而构 成。图中虽未显示，除此之外，通常，太阳能电池100具有图I所示的取出电极17、18这样的与各电极层电连接的取出部。箭头190表示光对CIGS型太阳能电池100的入射方向。绝缘性支撑基板110具有支撑层叠在其上部的各层的功能。碱金属供给层120作为用于将碱金属，例如Na (钠)、K (钾)、Li (锂)等供给至CIGS层160中的供给源发挥作用。背面电极层130和透明表面电极层180作为通过光照射将CIGS层160中生成的电取出到外部的电极发挥作用。CIGS层160、缓冲层170可以使用具有可用于CIGS型太阳能电池的公知的各种材料、特性、功能的物质。这里，本发明的太阳能电池100的碱金属供给层120的特征在于，含有选自NaNbO3化合物、KNbO3化合物和LiNbO3化合物的I种以上的化合物。NaNbO3化合物、KNbO3化合物和LiNbO3化合物是在大气中稳定的氧化物，具有几乎不溶于水的特性。因此，碱金属供给层120通过具有这样的化合物而构成，可以显著抑制上述的问题，即由于碱金属供给层19的吸湿性以及在水中的溶解性从而太阳能电池10制造时的操作变得繁杂、耐久性下降的问题。此外，在太阳能电池的制造过程中，除去异物时不能使用水或水溶液水洗或清洗部件的问题也得以解决。此外，由于本发明的太阳能电池100具有含有上述化合物的碱金属供给层120，因此可以将碱金属供给至CIGS层160中。被供给碱金属的CIGS层160，缺陷密度降低，载流子浓度提高。因此，本发明的太阳能电池100可望获得高能量转换效率。图2中，碱金属供给层120设置在绝缘性支撑基板110和背面电极层130之间。但是，本发明的构成不局限于此。例如，碱金属供给层120也可以设置在背面电极层130和CIGS层160之间。此外，需要时，碱金属供给层120也可以设置在绝缘性支撑基板110和背面电极层130之间以及背面电极层130和CIGS层160之间的两处。(各构成部件)以下，对本发明的CIGS型太阳能电池100的各构成层、构成部件的方式等进行详细说明。
(绝缘性支撑基板110)绝缘性支撑基板110只要具有支撑层叠在其上部的各部件的功能，则可以由任何部件构成。此外，绝缘性支撑基板的形状不限于平板状，可以是弯曲状、管状。只要具有能够在绝缘性支撑基板的表面形成层叠的各层的功能，绝缘性支撑基板的形状可以是任何形状。更优选具有第一表面和在 其相反面的第二表面的平板状或弯曲状的板状体。绝缘性支撑基板优选例如玻璃、聚酰亚胺这样的、本身由绝缘体构成的基板。采用玻璃的情况下，其组成没有特别限制，玻璃可以是磷酸盐类玻璃，也可以是二氧化硅类玻璃。采用二氧化硅类玻璃的情况下，绝缘性支撑基板110可以是含有例如换算成氧化物为60摩尔％ 80摩尔％的Si02、0. 5摩尔％ 7摩尔％的六1203、3摩尔％ 10摩尔％的]\%0、6摩尔％ 9摩尔％的Ca0、0 5摩尔％的Sr0、0 4摩尔％的Ba0、0 2摩尔％的Zr02、4摩尔％ 13摩尔％的Na2O和O. I摩尔％ 7摩尔％的K2O的组成。此外，由于本发明的太阳能电池100具有碱金属供给层120，因此绝缘性支撑基板可以是只含有少量碱金属的物质，例如无碱玻璃。无碱玻璃是指换算成氧化物时Li20+Na20+K20的总和为O. I质量％以下的玻璃。无碱玻璃可以使用例如含有以氧化物基准的质量％表示为Si02:50 66%、Al2O3:10. 5 22%、B203:0 12%、Mg0:0 8%、Ca0:0 14. 5%、Sr0:0 24%、Ba0:0 13. 5%且Mg0+Ca0+Sr0+Ba0:9 29. 5质量％的无碱玻璃。或者，绝缘性支撑基板110可以在导电性材料的表面设置绝缘层而构成。导电性材料可以是不锈钢或铝合金等的金属。此外，绝缘层可以是氧化物等。绝缘性支撑基板110的厚度例如在O. 5mm 6mm的范围。(碱金属供给层120)碱金属供给层120由含有碱金属的铌氧化物构成。碱金属供给层120优选例如选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。此外，选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物具有碱金属的含有率相对于其它金属阳离子元素的总量为50原子％的高碱金属含有率。此外，LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物中，NaNbO3化合物的熔点最高，与LiNbO3化合物和KNbO3化合物相比，可以选择高温的烧结温度进行烧结，因此，在易于以高密度制作用于成膜的烧结体溅射靶这一点上特别优选。此外，碱金属供给层120中也可以以不损害本发明的目的、效果的程度含有其它成分。碱金属供给层120中也可以在相对于总质量为20质量％以下的范围内含有Li (锂)、Na(钠)、K(钾)、Nb(铌)、0(氧)以外的元素。这样的化合物没有吸湿性，对水的溶解性也非常低，稳定。碱金属供给层120的厚度例如在20nm 200nm的范围内。碱金属供给层120的厚度特别优选20nm IOOnm的范围。在这样的范围内时，碱金属供给层120和背面电极层130之间，或者背面电极层130和CIGS层160之间可以获得良好的密合性。(背面电极层130)背面电极层130由例如Mo (钥)、Ti (钛)、A1 (铝)或Cr (铬)等构成。背面电极130的厚度例如在IOOnm 1000nm(优选300nm 700nm,例如500nm)的范围。如果背面电极层130的膜厚变厚，则与基板110的密合性或与碱金属供给层的密合性有降低的担忧。此外，如果背面电极层130的膜厚变得过薄，则电极的电阻增大。背面电极层130的形成方法没有特别限定。背面电极层130可以通过例如溅射法、蒸镀法、气相沉积法(PVD、CVD)等在绝缘性支撑基板110面上形成。(CIGS 层 160)CIGS层160由含有元素周期表Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素的化合物构成。CIGS层160例如由具有黄铜矿(chalcopyrite)所代表的结晶构造的半导体构成。这样的情况下，CIGS层160可以含有选自Cu (铜)、In (铟)和Ga (镓)中的至少一种元素M与选自Se(硒)和S(硫)中的至少一种元素A。例如可以使用CuInSe2、CuIn(Se，S)2、 Cu (In, Ga) Se2 和 Cu (In, Ga) (Se, S) 2 等作为 CIGS 层 160。此外，CIGS 层 160 可以由具有与黄铜矿同样的结晶构造的半导体构成。CIGS层160的膜厚没有特别限定，例如在IOOOnm 3000nm的范围内。(缓冲层170)缓冲层170由例如含有形成半导体层的Cd (镉)、Zn (锌)的化合物构成。含有Cd的化合物有CdS (硫化镉)等，含有Zn的化合物有ZnO (氧化锌)、ZnS (硫化锌)、ZnMgO (氧化锌锰)等材料。此外，缓冲层170可以如图I所示的结构那样由多个半导体层构成。这样的情况下，在离CIGS层160近的一侧的第一层由如前所述的含有CdS或Zn的化合物构成，在离CIGS层160远的一侧的第二层由ZnO (氧化锌)或含有ZnO的材料等构成。缓冲层170的膜厚没有特别限定，例如在50nm 300nm的范围内。(透明表面电极层180)透明表面电极层180由例如ZnO (氧化锌)或ITO (铟锡氧化物)这样的材料等构成。或者，也可以在这些材料中掺杂Al (铝)等的III族元素。此外，透明表面电极层180可以层叠多层而构成。透明表面电极层180的厚度(多层的情况下指总厚度)没有特别限定，例如在IOOnm 3000nm的范围内。透明表面电极层180还可以电连接导电性的取出部件。这样的取出部件优选例如由选自Ni (镍)、Cr (铬)、A1 (招)和Ag (银)的一种以上的金属构成。本发明的太阳能电池的特征在于，在绝缘性支撑基板的表面具有碱供给层、背面电极层、CIGS层、缓冲层和透明表面电极层，或者在绝缘性支撑基板的表面具有背面电极层、碱供给层、CIGS层、缓冲层和透明表面电极层，或者在绝缘性支撑基板的表面具有碱供给层、背面电极层、碱供给层、CIGS层、缓冲层和透明表面电极层。此外，本发明的太阳能电池用基板的特征在于，在绝缘性支撑基板的表面具有碱供给层、背面电极层，或者在绝缘性支撑基板上具有背面电极层、碱供给层，或者在绝缘性支撑基板上具有碱供给层、背面电极层和碱供给层。此外，本发明的太阳能电池用基板的特征在于，在绝缘性支撑基板的表面具有碱供给层。但是，为了提闻耐久性、提闻密合性、提闻电特性、提闻发电效率等，上述本发明的太阳能电池或太阳能电池用基板中，在上述各层之间或者在绝缘性支撑基板的表面和在其上形成的层之间，还可以根据需要形成附加层。
实施例以下，对本发明的实施例进行说明。通过以下的方法，在玻璃基板上依次将作为碱供给层的NaNbO3层和作为背面电极层的Mo层成膜，制备试验样品。此外，使用这些试验样品评价如下所述的各种特性。(试验样品的制备)首先，准备玻璃基板。玻璃基板的尺寸为纵50mmX横50mmX厚I. 1mm。该玻璃基板的组成，换算成氧化物，含有72mol%的Si02、I. Imo 1%的Al203、5. 5mol%的Mg0、8. 6mol%的 CaO、12. 6mol% 的 Na2O 和 O. 2mol% 的 K20。
接着，通过溅射法将NaNbO3层成膜在该玻璃基板上。溅射装置使用射频磁控溅射装置(7夕'' +卜α > RF 7八V y夕''装置，SPF210H、安内华公司(了彳WWs'社)制)。使用NaNbO3烧结体靶，将NaNbO3层成膜在玻璃基板上。此外，使用的NaNbO3烧结体靶使用Na2CO3粉末(关东化学株式会社(関東化学)制特级)和Nb2O5粉末(高纯度化学研究所(高純度化学研究所)制3N级)，经过粉末混合、预烧、湿式粉碎、成形、烧结(空气中1330°C、保持2小时)制作烧结体靶。通过荧光X射线法确认，使用的NaNbO3烧结体靶中含有换算成K2O相对于总质量为O. 01质量％的K (钾)。成膜气氛为氩和氧的混合气体。混合气体中的氧为3体积％。此外，溅射压力为
I.3Pa，成膜温度(基板温度)为室温。NaNbO3 层的膜厚为 20nm、50nm、100nm、200nm 和 500nm (分别为试验样品 No. I
No. 5)。接着，将Mo层成膜在各样品的NaNbO3层上。Mo层的成膜中使用DC磁控管溅射装置(SPL-71IV、特机株式会社(卜'> 々社)制)。靶使用Mo靶。成膜气氛为氩，溅射压力为I. 3Pa。此外，成膜温度(基板温度)为室温。Mo层的厚度统一为约500nm。此外，作为比较例，不实施NaNbO3层的成膜，而是准备在玻璃基板的表面直接成膜Mo层(500nm)的试验样品(试验样品No. 6)各试验样品的层结构和NaNbO3的膜厚归纳表示在表I中。[表I]
权利要求
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池， 在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间，还具有碱金属供给层， 该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
2.一种太阳能电池，其特征在于，所述电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池， 在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间，还具有碱金属供给层， 该碱金属供给层含有选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
3.如权利要求I或2所述的太阳能电池，其特征在于，所述碱金属供给层具有20nm 200nm的范围的厚度。
4.如权利要求I 3中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述绝缘性支撑基板由绝缘性的基材本身构成，或通过在导电性的基材上设置绝缘层而构成。
5.如权利要求I 4中任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述绝缘性支撑基板是玻璃基板或塑料基板。
6.一种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的背面电极层、和碱金属供给层， 该碱金属供给层设置在所述第一表面与所述背面电极层之间、或所述背面电极层的上层、或同时设置在所述第一表面与所述背面电极层之间以及所述背面电极层的上层， 所述碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
7.—种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的背面电极层、和碱金属供给层， 该碱金属供给层设置在所述第一表面与所述背面电极层之间、或所述背面电极层的上层、或同时设置在所述第一表面与所述背面电极层之间以及所述背面电极层的上层， 所述碱金属供给层含有选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
8.如权利要求6或7所述的CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，所述碱金属供给层具有20nm 200nm的范围的厚度。
9.如权利要求6 8中任一项所述的CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，绝缘性支撑基板由绝缘性的基材本身构成，或通过在导电性的基材上设置绝缘层而构成。
10.一种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
11.一种CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，具有设置在绝缘性支撑基板的第一表面上的碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自LiNbO3化合物、NaNbO3化合物和KNbO3化合物的一种以上的化合物。
12.如权利要求10或11所述的CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，所述碱金属供给层具有20nm 200nm的范围的厚度。
13.如权利要求10 12中任一项所述的CIGS型太阳能电池用的基板，其特征在于，所述绝缘性支撑基板由绝缘性的基材本身构成，或通过在导电性的基材上设置绝缘层而构成。
全文摘要
本发明的目的是提供一种具有耐久性、以一般的构成能够向CIGS层供给碱金属的CIGS型太阳能电池。一种太阳能电池，其特征在于，该电池是具有绝缘性支撑基板、设置在所述绝缘性支撑基板上的背面电极层、设置在所述背面电极层上的CIGS层、设置在所述CIGS层上的缓冲层和设置在所述缓冲层上的透明表面电极层的CIGS型太阳能电池，在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间、或所述背面电极层与所述CIGS层之间、或同时在所述绝缘性支撑基板与所述背面电极层之间以及所述背面电极层与所述CIGS层之间，还具有碱金属供给层，该碱金属供给层含有选自NaNbO3化合物、KNbO3化合物和LiNbO3化合物的一种以上的化合物。
文档编号H01L31/04GK102918652SQ201180026770
公开日2013年2月6日 申请日期2011年5月31日 优先权日2010年5月31日
发明者光井彰, 冈东健, 小高秀文, 川本泰 申请人:旭硝子株式会社