专利名称：环境敏感电子元件的封装体的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种封装体及其封装方法，且特别是涉及一种环境敏感电子元件的封装体及其封装方法。
背景技术：
相较于一般硬质基板，可挠性基板的应用更为广泛，其优点为可挠、方便携带、符合安全性、产品应用广，但其缺点为不耐高温、阻水阻氧气性差、耐化学药品性差及热膨胀系数大。典型的可挠性基板由于无法完全阻隔水气及氧气的穿透，进而加速基板上的电子元件老化，导致所制成的元件寿命减短，无法符合商业上的需求。除此之外，由于可挠性基板具有可挠特性，当可挠性基板被挠曲时，制作于基板上的电子元件容易出现薄膜剥离(delaminating)的现象,进而导致电子元件无法正常操作。在已知技术中，如美国专利US 6，624，568以及美国专利公开文献US2007/0049155，其皆采用高分子聚合物(polymer)作为有机电致发光元件的封装材料，虽可获得不错的阻水氧效果，然而，这些已知技术皆未顾虑到当有机电致发光元件被挠曲时所面临的薄膜剥离问题，因此，如何改善有机电致发光元件被挠曲时所产生的薄膜剥离现象，俨然已成为目前已知的可挠式有机电致发光元件在量产上亟待解决的问题之一。
发明内容
本发明提供一种环境敏感电子元件的封装体，其具有良好的可挠性。本发明提出一种环境敏感电子元件的封装体，其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、挠曲结构层以及填充层。第二基板配置于第一基板的上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。环境敏感电子元件包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、阴极层以及电子注入层。阳极层配置于第一基板上。空穴注入层配置于阳极层上。空穴传输层配置于空穴注入层上。有机发光层配置于空穴传输层上。阴极层配置于有机发光层上。电子注入层配置于有机发光层与阴极层之间。挠曲结构层配置于环境敏感电子元件上，该挠曲结构层包括柔软层、阻陷层以及保护层。柔软层配置于阴极层上。阻陷层配置于柔软层上，其中阻陷层的材料与电子注入层的材料相同。保护层配置于柔软层上。填充层配置于第一基板与第二基板之间，且该填充层包覆环境敏感电子元件与挠曲结构层。本发明还提出一种环境敏感电子元件的封装体，其包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、挠曲结构层以及填充层。第二基板配置于第一基板的上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。环境敏感电子元件包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、阴极层以及电子注入层。阳极层配置于第一基板上。空穴注入层配置于阳极层上。空穴传输层配置于空穴注入层上。有机发光层配置于空穴传输层上。阴极层配置于有机发光层上。电子注入层配置于有机发光层与阴极层之间。挠曲结构层配置于环境敏感电子元件上，且包括一柔软层、阻陷层以及保护层。柔软层配置于阴极层上。阻陷层配置于柔软层上，其中阻陷层的材料与阴极层的材料相同。保护层配置于柔软层上。填充层配置于第一基板与第二基板之间，且该填充层包覆环境敏感电子元件与挠曲结构层。本发明还提出一种环境敏感电子元件的封装体，该封装体包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、挠曲结构层以及填充层。第二基板配置于第一基板的上方。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。环境敏感电子元件包括阳极层、有机官能层以及阴极层。阳极层配置于第一基板上。有机官能层配置于阳极层上。阴极层配置于有机官能层上。挠曲结构层配置于环境敏感电子元件上，且包括柔软层、阻陷层以及一保护层。柔软层配置于阴极层上。阻陷层配置于柔软层上，其中阻陷层的材料与有机官能层的材料或阴极层的材料相同。保护层配置于柔软层上。填充层配置于第一基板与第二基板之间，且该填充层包覆环境敏感电子元件与挠曲结构层。因此当环境敏感电子元件的封装体过度被挠曲时，薄膜剥离的现象会发生在挠曲结构层中。基于上述，本发明在环境敏感电子元件上制作挠曲结构层，可改善环境敏感电子元件被挠曲而发生薄膜剥离的现象，进而提升产品良率。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
图1为本发明的实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。图2为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。图3为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。图4为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。图5为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。附图标记说明100a、100b、100c、IOOcUIOOe:环境敏感电子元件的封装体110:第一基板120:第二基板130a、130b:环境敏感电子元件132:阳极层134a、134b:有机官能层135:空穴注入层136:空穴传输层137:有机发光层138、138a:电子注入层139、139b:阴极层140a、140b、140c:挠曲结构层142a、142b、142c:柔软层144a、144b、144c:阻陷层146a、146b、146c:保护层
150a、150b:辅助挠曲结构层152a、152b:辅助柔软层154a、154b:辅助阻陷层156a、156b:辅助保护层160:±真充层
具体实施例方式图1为本发明的实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。请参考图1，本实施例的环境敏感电子元件的封装体IOOa包括第一基板110、第二基板120、环境敏感电子元件130a、挠曲结构层140a以及填充层160。第一基板110与第二基板120平形配置，且第二基板120配置于第一基板110的上方。在本实施例中，第一基板110与第二基板120分别例如是可挠性基板，其材料例如为塑胶，如PE系列的塑胶、PMMA,PC (Polycarbonate)或PI (Polyimide)。举例而言,前述的PE系列的塑胶例如为PEC、PEN、PES等可挠性塑胶。当然，可挠性基板的材料亦可以是金属薄膜，在此并不加以限制。环境敏感电子元件130a配置于第一基板110上，且位于第一基板110与第二基板120之间。环境敏感电子元件130a包括阳极层132、有机官能层134a以及阴极层139，其中阳极层132配置于第一基板110上，而有机官能层134a配置于阳极层132上，且阴极层139配置于有机官能层134a上。更具体来说，有机官能层134a是由空穴注入层135、空穴传输层136、有机发光层137以及电子注入层138a所构成的多层堆叠结构层。其中，空穴注入层135配置于阳极层132且覆盖阳极层132上，而空穴传输层136配置于空穴注入层135上。有机发光层137配置于空穴传输层136上,而阴极层139配置于有机发光层137上,且电子注入层138a配置于有机发光层137与阴极层139之间。于此，空穴注入层135、空穴传输层136、有机发光层137、电子注入层138a以及阴极层139为共形设置。挠曲结构层140a配置于环境敏感电子元件130a上，且与环境敏感电子元件130a共形设置，其中挠曲结构层140a包括柔软层142a、阻陷层144a以及保护层146a。柔软层142a配置于阴极层139上且直接覆盖阴极层139，而阻陷层144a及保护层146a配置于柔软层142a上。更具体来说，本实施例的挠曲结构层140a的阻陷层144a是位于保护层146a与柔软层142a之间。特别是，挠曲结构层140a的阻陷层144a的材料与环境敏感电子元件130a的电子注入层138a的材料实质上相同。此外，本实施例的填充层160配置于第一基板110与第二基板120之间，且填充层160包覆环境敏感电子元件130a与挠曲结构层140a。于此，填充层160的材料例如是压克力树脂(acrylic)或环氧树脂(epoxy),且填充层160的形态例如为感压式胶材或填充式胶材，在此并不加以限制。更进一步来说，在本实施例中，挠曲结构层140a的阻陷层144a的材料可具有导电性与阻水性，其中阻陷层144a的材料例如是碱金属/碱土金属卤化物、碱金属/碱土金属氧化物、碱金属/碱土金属碳酸化合物或碱金属碳酸化合物。详细来说，上述的碱金属/碱土金属卤化物例如是氟化锂(LiF)、氟化钠(NaF)、氟化铯(CsF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氯化钠(NaCl)、氯化钾(KCl)、氯化铷(RbCl)、氯化镁(MgCl2)或氯化钙(CaCl2)。碱金属/碱土金属氧化物例如是氧化锂(Li2O)、氧化铯(Cs2O)、氧化镁(MgO)、氧化|丐(CaO)、偏硼酸锂(LiBO2)或氧化硅钾(K25i03)。碱金属/碱土金属碳酸化合物例如是碳酸锂(Li2CO3)、碳酸钠(Na2CO3)、碳酸铯(Cs2CO3)。碱金属碳酸化合物例如是醋酸锂(CH3COOLi)、醋酸钠(CH3COONa)、醋酸钾(CH3COOK)、醋酸铷(CH3COORb)或醋酸铯(CH3COOCs)。再者，本实施例的挠曲结构层140a的柔软层142a的材料例如是有机小分子(small molecular)材料、有机寡聚合物(Oligomers)、寡聚合物与无机材料的混合物或有机小分子与无机材料的混合物。上述的有机小分子化合物的分子量约介于lOg/mol至 5，000g/mol 之间，如 Alq3 (Tris-(8-hydroxyquinoline) aluminum)、alpha-NPB (N，N’ -Bis(naphthalene-l-yl)-N, N’ -diphenyl-benzidine)、CuPc(Phthalocyanine, coppercomplex)。有机寡聚物的分子量约介于500g/mol至9, 000g/mol之间，如PhenyleneVinylene Oligomers (对苯撑乙烯寡聚物)、Fluorene Oligomers (荷寡聚物)。有机-无机共蒸镀材料的分子量约介于3g/mol至500g/mol之间。另外，挠曲结构层140a的保护层146a的材料例如是金属材料或无机材料。上述的金属材料例如是 Al, Ag, Au, Be, Cr, Cu, Co, Fe, Ge, Ir, In, Mo, Mn, Mg, Ni, Nb, Pb, Pd, Pt,Ru, Rh, Sn, Si, Sb, Se, Ti, Ta, Te, V, ff, Zr, Zn, Mg/Ag, Al/Ag, Al/Si, Al/Si/Cu, Au/Ge, Au/Be, Au/Ge/Ni, Ni/Cr, Pb/Sn 或 In/Sn。上述的无机材料例如是 ITO, IZO, AZO, WO3, MoO3,SiOx, SiNx, SiOxNy, Al2O3 AIN, BaTiO3 CeO2, Cr2O3 CuO, Dy2O3 Er2O3 Eu2O3 Ga2O3 GeO2, HfO2,Ho2O3 In2O3 ΙΤ0，PbTiO3 MgO, MnO2, Nd2O3 NiO, Nb2O5, Pr2O3 Sm2O3 SiO2, SiO, Ta2O5, ThO2,SnO2, TiO3, Y2O3, ΖηΟ，ZrO2, CdTe, ZnTe, CdSe, CdS, ZnS 或 MoS2。由于本实施例的挠曲结构层140a配置于环境敏感电子元件130a上，且挠曲结构层140a的柔软层142a直接覆盖于环境敏感电子元件130a的阴极层139上。因此，当环境敏感电子元件的封装体IOOa被挠曲时，环境敏感电子元件130a的各层结构层(包括阳极层132、有机官能层134a及阴极层139)之间不易发生薄膜剥离的现象，薄膜剥离的现象很容易会发生在柔软层142a与阴极层139之间的界面或柔软层142a与阻陷层144a之间的界面。也就是说，挠曲结构层140a的设计在环境敏感电子元件的封装体IOOa被挠曲时可有效地改善环境敏感电子元件130a的各 层结构层之间发生薄膜剥离的现象。再者，由于本实施例的挠曲结构层140a的阻陷层144a的材料与环境敏感电子元件130a的电子注入层138a的材料实质上相同，因此挠曲结构层140a可以与环境敏感电子元件130a的工艺整合。换言之，挠曲结构层140a可以与环境敏感电子元件130a可以在同一腔体中完成制作，无需大幅度的修改现有工艺，且可以有效地控制原料的取得，并且降低购买设备的成本。此外，由于填充层160包覆环境敏感电子元件130a与挠曲结构层140a，且挠曲结构层140a的阻陷层144a的材料也具有导电性与阻水性，因此可增加环境敏感电子元件的封装体IOOa阻隔水气及氧气的能力，且可有效延长环境敏感电子元件130a的寿命O在此必须说明的是，下述实施例沿用前述实施例的元件标号与部分内容，其中采用相同的标号来表示相同或近似的元件，并且省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。图2为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。请参考图2，本实施例的环境敏感电子元件的封装体IOOb与图1的环境敏感电子元件的封装体IOOa相似，二者主要差异之处在于:环境敏感电子元件的封装体IOOb中的挠曲结构层140b具有不同的薄膜堆叠方式。详细来说，本实施例的挠曲结构层140b的保护层146b位于阻陷层144b与柔软层142b之间。因此，当环境敏感电子元件的封装体IOOb被挠曲时，薄膜剥离的现象很容易会发生在柔软层142b与阴极层139之间的界面或柔软层142b与保护层146b之间的界面。也就是说，挠曲结构层140b的设计在环境敏感电子元件的封装体IOOb被挠曲时可有效地改善环境敏感电子元件130a的各层结构层之间发生薄膜剥离的现象。图3为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。请参考图3，本实施例的环境敏感电子元件的封装体IOOc与图1的环境敏感电子元件的封装体IOOa相似，二者主要差异之处在于:环境敏感电子元件的封装体IOOc还包括至少一辅助挠曲结构层150a，其中辅助挠曲结构层150a配置于挠曲结构层140a上且位于第二基板120与挠曲结构层140a之间。辅助挠曲结构层150a直接覆盖于挠曲结构层140a上。详细来说，辅助挠曲结构层150a包括辅助柔软层152a、辅助阻陷层154a以及辅助保护层156a，其中辅助柔软层152a覆盖保护层146a上，且辅助阻陷层154a位于辅助保护层156a与辅助柔软层152a之间。由于在环境敏感电子元件130a上设置多层堆叠的挠曲结构层140a及辅助挠曲结构层150a，因此当环境敏感电子元件的封装体IOOc被挠曲时，薄膜剥离的现象很容易会发生在挠曲结构层140a的柔软层142a与环境敏感电子元件130a的阴极层139之间的界面或柔软层142a与阻陷层144a之间的介面，或者是，辅助挠曲结构层150a的辅助柔软层152a与挠曲结构层140a的保护层146a的界面或辅助柔软层152a与辅助阻陷层154a之间的介面。如此一来，可有效地改善已知环境敏感电子元件130a被挠曲而发生薄膜剥离的现象，进而提升环境敏感电子元件的封装体IOOc产品良率。此外，优选地，辅助柔软层152a的材料例如与柔软层142a的材料相同，而辅助阻陷层154a的材料例如与阻陷层144a的材料相同，且辅助保护层156a的材料与保护层146a的材料相同。在此情况下，辅助挠曲结构层150a可以与挠曲结构层140a及环境敏感电子元件130a的工艺整合。也就是说，辅助挠曲结构层150a可以与挠曲结构层140a及环境敏感电子元件130a可以在同一腔体中完成制作，无需大幅度的修改现有工艺，且可以有效地控制原料的取得，并且降低购买设备的成本。图4为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。请参考图4，本实施例的环境敏感电子元件的封装体IOOd与图2的环境敏感电子元件的封装体IOOb相似，二者主要差异之处在于:环境敏感电子元件的封装体IOOb还包括至少一辅助挠曲结构层150b，其中辅助挠曲结构层150b配置于挠曲结构层140b上且位于第二基板120与挠曲结构层140b之间。辅助挠曲结构层150b直接覆盖于挠曲结构层140b上。详细来说，辅助挠曲结构层150b包括辅助柔软层152b、辅助阻陷层154b以及辅助保护层156b，其中辅助柔软层152b覆盖阻陷层144b上，且辅助保护层156b位于辅助阻陷层154b与辅助柔软层152b之间。由于在环境敏感电子元件130a上设置多层堆叠的挠曲结构层140b及辅助挠曲结构层150b，因此当环境敏感电子元件的封装体IOOd被挠曲时，薄膜剥离的现象很容易会发生在挠曲结构层140b的柔软层142b与环境敏感电子元件130a的阴极层139之间的介面或柔软层142b与保护层146b之间的介面，或者是，辅助挠曲结构层150b的辅助柔软层152b与挠曲结构层140b的阻陷层144之间的介面或辅助柔软层152b与辅助保护层156b之间的介面。如此一来，可有效地改善已知环境敏感电子元件130a被挠曲而发生薄膜剥离的现象，进而提升环境敏感电子元件的封装体IOOd产品良率。此外，优选地，辅助柔软层152b的材料例如与柔软层142b的材料相同，而辅助阻陷层154b的材料例如与阻陷层144b的材料相同，且辅助保护层156b的材料与保护层146b的材料相同。在此情况下，辅助挠曲结构层150b可以与挠曲结构层140b及环境敏感电子元件130a的工艺整合。也就是说，辅助挠曲结构层150b可以与挠曲结构层140b及环境敏感电子元件130a可以在同一腔体中完成制作，无需大幅度的修改现有工艺，且可以有效地控制原料的取得，并且降低购买设备的成本。值得一提的是，在本实施例中并不限定辅助挠曲结构层150a、150b的个数，虽然此处分别配置于挠曲结构层140a、140b上的辅助挠曲结构层150a、150b的个数具体化为一个。但于其他未绘示的实施例中，本领域的技术人员当可参照前述实施例的说明，依据实际需求，自行增加辅助挠曲结构层150a、150b的个数，以达到所需的技术效果。图5为本发明的另一实施例的一种环境敏感电子元件的封装体的剖面示意图。请参考图5，本实施例的环境敏感电子元件的封装体IOOe与图1的环境敏感电子元件的封装体IOOa相似，二者主要差异之处在于:挠曲结构层140c的阻陷层144c的材料特性。详细来说，在本实施例中，挠曲结构层140c的阻陷层144c的材料与位于有机官能层134b的电子注入层138上的阴极层139b的材料实质上相同，其中阻陷层144c位于柔软层142c与保护层146c之间。更具体来说，阻陷层144c的材料具有导电性与阻氧性，其中阻陷层144c的材料可选自银(Ag)、铝(Al)、镁(Mg)、锂(Li)、铟(In)、钙(Ca)JIf (Cu)、.(Mo)、钛(Ti)、钼(Pt)、铱(Ir)、镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)及其组合所组成的族群。由于本实施例的挠曲结构层140c配置于环境敏感电子元件130b上，且挠曲结构层140c的柔软层142c直接覆盖于环境敏感电子元件130b的阴极层13%上。因此，当环境敏感电子元件的封装体IOOe被挠曲时，环境敏感电子元件130b的各层结构层(包括阳极层132、有机官能层134b及阴极层13%)之间不易发生薄膜剥离的现象，薄膜剥离的现象很容易会发生在柔软层142c与阴极层13%之间的界面或柔软层142c与阻陷层144c之间的界面。也就是说，挠曲结构层140c的设计在环境敏感电子元件的封装体IOOe被挠曲时可有效地改善环境敏感电子元件130b的各层结构之间发生薄膜剥离的现象。再者，由于本实施例的挠曲结构层140c的阻陷层144c的材料与环境敏感电子元件130b的阴极层13%的材料实质上相同，因此挠曲结构层140c可以与环境敏感电子元件130b的工艺整合。换言之，挠曲结构层140c可以与环境敏感电子元件130b可以在同一腔体中完成制作，无需大幅度的修改现有工艺，且可以有效地控制原料的取得，并且降低购买设备的成本。此外，由于填充层160包覆环境敏感电子元件130b与挠曲结构层140c，且挠曲结构层140c的阻陷层144c的材料也具有导电性与阻氧性，因此可增加环境敏感电子元件的封装体IOOe阻隔水气及氧气的能力，且可有效延长环境敏感电子元件130b的寿命。此外，在其他未绘示的实施例中，亦可选用于如前述实施例所提及的辅助挠曲结构150a、150b，本领域的技术人员当可参照前述实施例的说明，依据实际需求，而选用前述构件，以达到所需的技术效果。另外，在其他实施例中，挠曲结构层140c亦可具有不同的薄膜堆叠方式，意即保护层146c位于柔软层142c与阻陷层144c之间，此仍属于本发明可采用的技术方案，不脱离本发明所欲保护的范围。
综上所述，由于本发明在环境敏感电子元件上制作不同型态的挠曲结构层，因此当环境敏感电子元件的封装体被过度挠曲时，薄膜剥离的现象会发生在挠曲结构层中，故可改善环境敏感电子元件被挠曲而发生薄膜剥离的现象，进而使环境敏感电子元件在被挠曲时发光结构(即有机官能层)不被破坏。虽然本发明已以实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定为准。
权利要求
1.一种环境敏感电子元件的封装体，包括: 第一基板； 第二基板，配置于该第一基板的上方； 环境敏感电子元件，配置于该第一基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间，该环境敏感电子元件包括: 阳极层，配置于该第一基板上； 空穴注入层，配置于该阳极层上； 空穴传输层，配置于该空穴注入层上； 有机发光层，配置于该空穴传输层上； 阴极层，配置于该有机发光层上；以及 电子注入层，配置于该有机发光层与该阴极层之间； 挠曲结构层，配置于该环境敏感电子元件上，且包括: 柔软层，配置于该阴极层上； 阻陷层，配置于该柔软层上，其中该阻陷层的材料与该电子注入层的材料相同；以及 保护层，配置于该柔软层上；以及 填充层，配置于该第一基板与该第二基板之间，且该填充层包覆该环境敏感电子元件与该挠曲结构层。
2.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该阻陷层位于该保护层与该柔软层之间。
3.如权利要求2所述的环境敏感电子元件的封装体，还包括至少一辅助挠曲结构层，配置于该挠曲结构层上且位于该第二基板与该挠曲结构层之间，其中该辅助挠曲结构层包括辅助柔软层、辅助阻陷层以及辅助保护层，该辅助柔软层覆盖该保护层上，且该辅助阻陷层位于该辅助保护层与该辅助柔软层之间。
4.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该保护层位于该阻陷层与该柔软层之间。
5.如权利要求4所述的环境敏感电子元件的封装体，还包括至少一辅助挠曲结构层，配置于该挠曲结构层上且位于该第二基板与该挠曲结构层之间，其中该辅助挠曲结构层包括辅助柔软层、辅助阻陷层以及辅助保护层，该辅助柔软层覆盖该阻陷层上，且该辅助保护层位于该辅助阻陷层与该辅助柔软层之间。
6.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该阻陷层的材料具有导电性与阻水性。
7.如权利要求6所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该阻陷层的材料包括碱金属/碱土金属齒化物、碱金属/碱土金属氧化物、碱金属/碱土金属碳酸化合物或碱金属碳酸化合物。
8.如权利要求7 所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属/碱土金属卤化物包括氟化锂、氟化钠、氟化铯、氟化镁、氟化钙、氯化钠、氯化钾、氯化铷、氯化镁或氯化钙。
9.如权利要求7所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属/碱土金属氧化物包括氧化锂、氧化铯、氧化镁、氧化韩、偏硼酸锂或氧化娃钾。
10.如权利要求7所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属/碱土金属碳酸化合物包括碳酸锂、碳酸钠或碳酸铯。
11.如权利要求7所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该碱金属碳酸化合物包括醋酸锂、醋酸钠、醋酸钾、醋酸铷或醋酸铯。
12.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该柔软层的材料包括有机小分子材料、有机寡聚合物、寡聚合物与无机材料的混合物或有机小分子与无机材料的混合物。
13.如权利要求1所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该保护层的材料包括金属材料或无机材料。
14.一种环境敏感电子元件的封装体，包括: 第一基板； 第二基板，配置于该第一基板的上方； 环境敏感电子元件，配置于该第一基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间，该环境敏感电子元件包括: 阳极层，配置于该第一基板上； 空穴注入层，配置于该阳极层上； 空穴传输层，配置于该空穴注入层上； 有机发光层，配置于该空穴传输层上； 阴极层，配置于该有机发光层上；以及 电子注入层，配置于该有机发光层与该阴极层之间； 挠曲结构层，配置于该环境敏感电子元件上，且包括: 柔软层，配置于该阴极层上； 阻陷层，配置于该柔软层上，其中该阻陷层的材料与该阴极层的材料相同；以及 保护层，配置于该柔软层上；以及 填充层，配置于该第一基板与该第二基板之间，且该填充层包覆该环境敏感电子元件与该挠曲结构层。
15.如权利要求14所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该阻陷层位于该保护层与该柔软层之间。
16.如权利要求15所述的环境敏感电子元件的封装体，还包括至少一辅助挠曲结构层，配置于该挠曲结构层上且位于该第二基板与该挠曲结构层之间，其中该辅助挠曲结构层包括辅助柔软层、辅助阻陷层以及辅助保护层，该辅助柔软层覆盖该保护层上，且该辅助阻陷层位于该辅助保护层与该辅助柔软层之间。
17.如权利要求14所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该保护层位于该阻陷层与该柔软层之间。
18.如权利要求17所述的环境敏感电子元件的封装体，还包括至少一辅助挠曲结构层，配置于该挠曲结构层上且位于该第二基板与该挠曲结构层之间，其中该辅助挠曲结构层包括辅助柔软层、辅助阻陷层以及辅助保护层，该辅助柔软层覆盖该阻陷层上，且该辅助保护层位于该辅助阻陷层与该辅助柔软层之间。
19.如权利要求14所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该阻陷层的材料具有导电性与阻氧性。
20.如权利要求19所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该阻陷层的材料选自银、铝、镁、锂、铟、钙、铜、钥、钛、钼、铱、镍、铬、金及其组合所组成的族群。
21.如权利要求14所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该柔软层的材料包括有机小分子材料、有机寡聚合物、寡聚合物与无机材料的混合物或有机小分子与无机材料的混合物。
22.如权利要求14所述的环境敏感电子元件的封装体，其中该挠曲结构层的该保护层的材料包括金属材料或无机材料。
23.—种环境敏感电子元件的封装体，包括: 第一基板； 第二基板，配置于该第一基板的上方； 环境敏感电子元件，配置于该第一基板上，且位于该第一基板与该第二基板之间，该环境敏感电子元件包括: 阳极层，配置于该第一基板上； 有机官能层，配置于该阳极层上；以及 阴极层，配置于该有机官能层上； 挠曲结构层，配置于该环境敏感电子元件上，且包括: 柔软层，配置于该阴极层上； 阻陷层，配置于该柔软层上， 其中该阻陷层的材料与该有机官能层的材料或该阴极层的材料相同；以及 保护层，配置于该柔软层上；以及 填充层，配置于该第一基板与该第二基板之间，且该填充层包覆该环境敏感电子元件与该挠曲结构层。
全文摘要
本发明涉及一种环境敏感电子元件的封装体。该封装体包括第一基板、第二基板、环境敏感电子元件、挠曲结构层以及填充层。环境敏感电子元件配置于第一基板上，且位于第一基板与第二基板之间。环境敏感电子元件包括阳极层、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、阴极层以及电子注入层。挠曲结构层配置于环境敏感电子元件上，该挠曲结构层包括柔软层、阻陷层以及保护层。柔软层配置于阴极层上，阻陷层及保护层配置于柔软层上。阻陷层的材料与电子注入层的材料相同。填充层配置于第一基板与第二基板之间，且该填充层包覆环境敏感电子元件与挠曲结构层。
文档编号H01L51/52GK103137892SQ20121000558
公开日2013年6月5日 申请日期2012年1月10日 优先权日2011年11月21日
发明者陈光荣, 吴建霖, 叶树棠 申请人:财团法人工业技术研究院