专利名称：封装基板的制法的制作方法
技术领域：
本发明有关一种封装基板的制法，尤指一种具开口的封装基板的制法。
背景技术：
随着电子产业的蓬勃发展，电子产品也逐渐迈向多功能、高性能的趋势。目前半导体封装结构已开发出不同的封装型态。请参阅图1A及图1B，其为现有封装基板I的制法。如图1A所示，先提供一底部具有穿孔100的线路板10，并于该线路板10上定义出预开口区A，再沿该预开口区A的边缘(切割假想线L)进行切割。接着，将顶针11穿过该穿孔100，以将该预开口区A中的材质移除。如图1B所示，取出该预开口区A中的材质，以形成开口 12，供置放或埋设其它电子组件(图未示)。然而，现有封装基板I的制法中，因需借由顶针11移除该预开口区A中的材质，所以于该线路板10中需设计连通该开口 12底部的穿孔100以供顶针11穿入，因而该穿孔100周围的区域B无法布设线路，导致该线路板10需减少布线数或额外扩增布线空间，致使该线路板10的电性功能降低或无法满足微小化的需求。因此，如何克服上述现有技术中的种种问题，实已成目前亟欲解决的课题。
发明内容
鉴于上述现有技术的缺失，本发明的主要目的在于提供一种封装基板的制法，可避免占用封装基板的布线空间，因而可增加布线数量以提升产品的电性功能。本发明所提供的封装基板的制法通过于该芯层的预开口区上形成膨胀材，再于该芯层及膨胀材上形成增层结构，接着沿该预开口区的边缘进行切割，以将热源由该切割缝传至该膨胀材，令该膨胀材膨胀，而可顺势移除该膨胀材及其上的材质，以形成开口。由上可知，本发明封装基板的制法中，主要借由将膨胀材设于该预开口区上，以于切割工艺后，利用热源使该膨胀材膨胀而将该预开口区上方的材质外推，以便移除该膨胀材及其上的材质。因此，相比于现有技术，本发明的制法无须使用顶针移除该预开口区中的材质，因而无需考虑形成供顶针穿入的穿孔，所以可避免穿孔占用封装基板的布线空间，因而可增加布线数量以提升产品的电性功能，且因无需额外扩增布线空间而可满足微小化的需求。
图1A至图1B为现有封装基板的制法的剖视示意图；图2A至图2D为本发明封装基板的制法的第一实施例的剖视示意图；图3A及图3B为本发明封装基板的制法的第二实施例的剖视示意图；以及图4A及图4B为本发明封装基板的制法的第三实施例的剖视示意图。
主要组件符号说明1,2封装基板10线路板100穿孔11顶针12,220开口20芯层20a第一表面20b第二表面200导电通孔21第一线路层22，22’膨胀材23增层结构230,230>介电层 231第二线路层232导电盲孔233电性接触垫234金属层24绝缘保护层240开孔300反应孔A预开口区B区域L切割假想线。
具体实施例方式以下借由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，所以不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，也当视为本发明可实施的范畴。请参阅图2A至图2D，其为本发明封装基板2的制法的第一实施例的剖视示意图。如图2A所不,首先,提供一具有相对的第一表面20a与第二表面20b的芯层20,该芯层20的第一与第二表面20a, 20b上具有一第一线路层21,且该芯层20中具有至少一导电通孔200以电性连接该第一与第二表面20a, 20b上的第一线路层21,并于该芯层20的第一表面20a上定义出至少一预开口区A。再于该芯层20的预开口区A上形成膨胀材22。接着，于该芯层20的第一与第二表面20a，20b、第一线路层21及膨胀材22上压合形成增层结构23，该增层结构23具有至少一介电层230、形成于该介电层230上的第二线路层231、及设于该介电层230中并电性连接该第一与第二线路层21，231的多个导电盲孔232，又于该增层结构23上形成绝缘保护层24，且该绝缘保护层24上形成有多个开孔240，以令最外层的第二线路层231的部分表面外露于该些开孔240，从而供作为电性接触垫233。其中，于压合过程中的温度约为180°C 220°C。于本实施例中，该膨胀材22具有发泡性质，且有关膨胀材的种类繁多，并无特别限制；又于该预开口区A上方的介电层230中并无任何第二线路层231。如图2B所示，借由激光方式，于该增层结构23上的绝缘保护层24上沿对应该预开口区A的边缘(切割假想线L)进行切割。如图2C所示，当进行激光切割时，激光所产生的热能会传导至该膨胀材22，令该膨胀材22’遇热膨胀，且膨胀材22受热温度高于250°C即会发泡。如图2D所示，取出该膨胀材22’上方的材质(如图2C所示的介电层230’与绝缘保护层24的部分材质)，再清除该膨胀材22’，以形成开口 220，令该芯层20的部分第一表面20a与部分第一线路层21外露于该开口 220。本发明封装基板2的制法，借由将膨胀材22设于该预开口区A上，以借由激光切割所产生的热使该膨胀材22遇热膨胀，而将该膨胀材22’上方的材质外推，以便移除该膨胀材22’及其上的材质，所以无须使用现有技术的顶针，因而无需设计供顶针穿入的穿孔。因此，本发明封装基板2的制法中，因膨胀材22不会占用第二表面20b上的介电层230与芯层20第一表面20a的布线空间，所以可增加布线数量以提升产品的电性功能，且因无需额外扩增布线空间而可达到微小化的目的。请一并参阅图3A及图3B，其为本发明封装基板2的制法的第二实施例。如图3A所示，于图2A的结构中，形成至少一反应孔300于该膨胀材22上方的介电层230与绝缘保护层24中，以令该膨胀材22经该反应孔300与外界连通，再沿该预开口区A的边缘(切割假想线L)进行切割。如图3B所示，提供热源进入切割处的缝隙与该反应孔300中，令该膨胀材22’发
生膨胀。于本实施例中，借由增设反应孔300，以当该预开口区A的宽度过大或该增层结构23的高度过高时，有助于该膨胀材22的中间处进行膨胀反应。请一并参阅图4A及图4B，其为本发明封装基板2的制法的第三实施例。如图4A所不，于图2A的结构中，形成一金属层234于该膨胀材22上。于本实施例中，可于制作该增层结构23的第二线路层231时，一并制作该金属层234。如图4B所示，当进行激光切割时，激光所产生的热能会传导至该膨胀材22的边缘与该金属层234，令该膨胀材22’遇热膨胀。于后续工艺中，取出该膨胀材22’上方的材质(如金属层234、介电层230’、绝缘保护层24)，再清除该膨胀材22’，以形成所需的开口。于本实施例中，借由增设金属层234，以将热源更快传导至该膨胀材22内部，且使该膨胀材22的发泡效果更平均。
此外，该金属层234的布设面积与形状均可依需求作设计，并无特别限制。再者，也可于图3A的结构中，形成金属层234于该膨胀材22上。上述实施例仅用以例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修改。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
权利要求
1.一种封装基板的制法，其包括: 提供一表面具有第一线路层的芯层，该芯层的表面上具有预开口区； 于该芯层的预开口区上形成膨胀材； 于该芯层、第一线路层及膨胀材上形成增层结构； 于该增层结构上沿对应该预开口区的边缘进行切割； 由该切割处将热源导至该膨胀材，令该膨胀材膨胀；以及 移除该膨胀材及其上的材质，以形成开口。
2.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该膨胀材具有发泡性质。
3.根据权利要求2所述的封装基板的制法，其特征在于，该膨胀材的触发发泡条件为该热源提供的温度至少250°C。
4.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该增层结构具有至少一介电层、形成于该介电层上的第二线路层、及设于该介电层中并电性连接该第一与第二线路层的多个导电盲孔。
5.根据权利要求4所述的封装基板的制法，其特征在于，该制法还包括于该增层结构上形成绝缘保护层，且该绝缘保护层上形成有多个开孔，以令该第二线路层的部分表面外露于该些开孔。
6.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该切割工艺以激光方式进行。
7.根据权利要求6所述的封装基板的制法，其特征在于，该激光所产生的热能传导至该膨胀材，令该膨胀材遇热膨胀。
8.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该制法还包括形成反应孔于该膨胀材上方的增层结构中，以令该膨胀材经该反应孔与外界连通。
9.根据权利要求7所述的封装基板的制法，其特征在于，该制法还包括提供该热源进入该反应孔中，令该膨胀材膨胀。
10.根据权利要求1所述的封装基板的制法，其特征在于，该制法还包括形成金属层于该膨胀材与该增层结构之间。
全文摘要
一种封装基板的制法，通过于该封装基板的预开口区中埋设膨胀材，接着于该预开口区上进行切割，以于切割缝处将热源传至膨胀材，令该膨胀材因受热而膨胀，而将该膨胀材及其上的材质一并移除，以形成开口。借由将膨胀材设于该预开口区上，可避免占用封装基板的布线空间，因而可增加布线数量以提升产品的电性功能。
文档编号H01L23/00GK103208460SQ20121000830
公开日2013年7月17日 申请日期2012年1月12日 优先权日2012年1月12日
发明者郑伟鸣, 陶艾伟, 吴明豪, 黄瀚霈 申请人:欣兴电子股份有限公司