专利名称：半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法
技术领域：
本发明涉及半导体激光器的腔面镀膜领域，具体涉及一种半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法。
背景技术：
半导体激光器由于体积小、重量轻、波长范围宽等优点，在工业、军事、医学等领域得到了广泛的应用，稳定性和可靠性是使用激光器的前提条件。在半导体激光器的腔面处，光功率密度较高，缺陷密度较大，位错等缺陷将产生表面光吸收和非辐射复合，光吸收和非辐射复合会随着温度的升高而加剧，形成一个正反馈过程，从而导致光学灾变的发生，在大功率激光器上显得尤为突出。为了保护激光器的腔面，通常会对激光器腔面进行镀膜，把腔面从空气中隔离。如中国发明专利CN102299479A公开了一种F-P腔半导体激光器腔面钝化的方法，用氮等离子体清洗激光器巴(bar)条的前后腔面后，将激光器巴条装上镀膜架，应用外延生长技术在激光器的前后腔面外延生长一层保护膜，然后在激光器巴条前腔面上蒸镀或沉积增透膜，后腔面蒸镀或沉积高反膜，完成激光器巴条的镀膜。本发明在半导体激光器巴条腔面外延生长的保护膜可以有效地减少激光器腔面处的悬键和表面态，抑制激光器腔面的光吸收。但是本发明是将多条半导体激光器巴条一字排列进行镀膜的，当半导体激光器巴条的腔面不平整、存在起伏时，若激光器巴条脊型下方的腔面下陷，此处腔面镀膜不均勻，即容易出现 “阴影”效应，将会严重影响激光器的损耗、寿命和稳定性等。为防止镀膜时相邻的半导体激光器巴条粘到一起，镀膜时可将半导体激光器巴条和镀膜陪条间隔排列，避免“阴影，，效应的同时，提高激光器的稳定性及使用寿命。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法，通过本结构的使用，阻止镀膜时相邻的半导体激光器巴条粘到一起，避免“阴影”效应的同时，提高激光器的稳定性及使用寿命。为达到上述发明目的，本发明采用的技术方案是一种半导体激光器腔面镀膜陪条，用于激光器巴条镀膜时将两激光器巴条(bar条)间隔开，所述镀膜陪条为凸形横截面的长条，且镀膜陪条的宽度短于激光器巴条的宽度。上述半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法包括如下步骤
(1)选择制备所述镀膜陪条的基片；
(2)在步骤(1)中的基片的至少一表面上加工复数条槽；
(3)将步骤(2)得到的基片沿各所述槽的轴向解理成宽度小于激光器巴条宽度的镀膜陪条。上述技术方案中，步骤(1)中所述的基片为Si片、蓝宝石片、InP片、SiC片或GaAs 片中的一种。
上述技术方案中，步骤(3)中使用的解理方法为激光解理、Opto划片、Opto解理、 Ioomis解理、disco解理、离子束刻蚀或ICP刻蚀中的一种。优选的，所述槽的深度为10-300um、宽度为10_400um。由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点
1.本发明在激光器巴条腔面镀膜时与激光器巴条间隔设置，可防止相邻的半导体激光器巴条粘到一起，避免“阴影”效应的同时，提高激光器的稳定性及使用寿命。
图1是本发明解理前基片的结构示意图； 图2是实施例一的主视图3是实施例一使用状态时的结构示意图4是图3中A处的局部放大其中1、脊型；2、激光器巴条；3、镀膜陪条；4、槽。
具体实施例方式下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述
实施例一参见图广图4所示，一种半导体激光器腔面镀膜陪条，用于激光器巴条2镀膜时将两激光器巴条间隔开，所述镀膜陪条3为凸形横截面的长条，且镀膜陪条3的宽度短于激光器巴条2的宽度。本实施例一中，所述半导体激光器为GaN基半导体激光器，镀膜腔面的腔长为 600um，半导体激光器巴条长度为9. 6mm。所述半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法包括如下步骤
(1)选择Si片作为制备所述镀膜陪条的基片；
(2)在步骤(1)中的基片的一个表面上每隔550um，加工5条深40um、宽150um的槽4；
(3)将步骤(2)得到的基片沿各所述槽4的轴向利用Disco划片机解理成镀膜陪条坯；
(4)利用Disco划片机沿垂直于槽4的方向将步骤(3)得到的镀膜陪条坯解理成9.6mm 长的镀膜陪条3。本发明制备方法步骤(1)中基片材料还可以是蓝宝石片、InP片、SiC片或GaAs片中的一种，步骤(3)和(4)中的解理方法还可以是激光解理、Opto解理、Ioomis解理、disco 解理、离子束刻蚀或ICP刻蚀中的一种，所以实施例一并用于限制本发明，凡本技术领域技术人员不经创造就可实施的方式，均落入本发明的保护范围。
权利要求
1.一种半导体激光器腔面镀膜陪条，用于激光器巴条(2)镀膜时将两激光器巴条间隔开，其特征在于所述镀膜陪条(3)为凸形横截面的长条，且镀膜陪条(3)的宽度短于激光器巴条(2)的宽度。
2.一种半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于所述制备方法包括如下步骤(1)选择制备所述镀膜陪条的基片；(2)在步骤(1)中的基片的至少一表面上加工复数条槽(4)；(3)将步骤(2)得到的基片沿各所述槽的轴向解理成宽度小于激光器巴条宽度的镀膜陪条。
3.根据权利要求2所述的半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于步骤 (1)中所述的基片为Si片、蓝宝石片、InP片、SiC片或GaAs片中的一种。
4.根据权利要求2所述的半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于步骤 (3)中使用的解理方法为激光解理、Opto划片、Opto解理、Ioomis解理、disco解理、离子束刻蚀或ICP刻蚀中的一种。
5.根据权利要求2所述的半导体激光器腔面镀膜陪条的制备方法，其特征在于所述槽的深度为10-300um、宽度为10-400um。
全文摘要
本发明公开了一种半导体激光器腔面镀膜陪条及其制备方法，镀膜陪条用于激光器巴条镀膜时将两激光器巴条间隔开，所述镀膜陪条为凸形横截面的长条，且镀膜陪条的宽度短于激光器巴条的宽度。本发明在激光器巴条腔面镀膜时与激光器巴条间隔设置，可防止相邻的半导体激光器巴条粘到一起，避免“阴影”效应的同时，提高激光器的稳定性及使用寿命。
文档编号H01S5/02GK102545041SQ20121001438
公开日2012年7月4日 申请日期2012年1月17日 优先权日2012年1月17日
发明者冯美鑫, 刘建平, 张书明, 曾畅, 杨辉, 王辉 申请人:苏州纳睿光电有限公司