专利名称：等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法
技术领域：
本发明涉及一种利用等离子体对基板进行蚀刻的等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法。
背景技术：
在半导体器件的制造工序中所使用的例如平行平板型的等离子体蚀刻的装置是将用于载置例如作为半导体晶圆的基板的形成下部电极的载置台、与该载置台相对配置的形成上部电极的气体喷头(shower head)、包围载置台上的基板的被称为聚焦环(日文7才一力m)的环状构件设置在真空容器内而构成的。出于半导体器件的图案的细微化等背景，在基板间或基板的面内要求均匀性较高的处理，为了回应这样的要求，对于处理参数、装置的硬件结构等进行研究、改善。例如在专利文献I中记载有如下内容由于在刚·启动蚀刻装置之后和其后的连续运转中，处理容器内的温度不同，因此为了改善晶圆的蚀刻的面内均匀性，在刚启动蚀刻装置之后和其后的连续运转中，对蚀刻处理时的聚焦环的温度进行变更、调整。另一方面，由于半导体器件的复杂化等，研究了在同一真空容器内对基板上的多层膜进行蚀刻的方法，在该情况下，与各膜相应地设定气体种类、压力等处理参数。今后越来越需要提高蚀刻处理的均匀性，例如，需要进行这样的研究即使在将像这样的多层膜譬如说一口气清除(日文一気t二抜 < )的情况下，也可获得较高的面内均匀性。在专利文献2中记载有通过与传热部件接触而能够调整温度的聚焦环，另外，在专利文献3中记载有在与聚焦环接触的消耗环的内部具有加热器的半导体处理容器内的装置，但是为了进行面内均匀性较高的处理，需要进一步钻研。专利文献I日本特开2008-159931号公报(段落0007)专利文献2美国发明专利第6767844号公报专利文献3美国发明专利第6795292号公报
发明内容
本发明是在这样的背景下做成的，其目的在于提供一种如下所述的技术在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能够获得较高的面内均匀性。本发明的等离子体蚀刻装置，其是用于利用等离子体对载置于处理容器内的载置部上的基板进行蚀刻的等离子体时刻装置，其特征在于，该等离子体蚀刻装置具有环状构件，其以包围上述载置部上的基板的方式设置，且用于调整等离子体的状态；加热机构，其用于加热该环状构件；冷却机构，其用于冷却上述环状构件；温度检测部，其用于检测上述环状构件的温度；
制程程序存储部，其用于存储处理制程程序，该处理制程程序写入有处理条件，该处理条件包括上述环状构件的设定温度，该处理条件用于对基板进行蚀刻；以及执行部，其从上述制程程序存储部读取处理制程程序，基于被读取的上述环状构件的设定温度和上述温度检测部的温度检测值输出用于控制上述加热机构及上述冷却机构的控制信号。另外，本发明的等离子体蚀刻方法是用于利用等离子体对载置于处理容器内的载置部上的基板进行蚀刻的等离子体蚀刻方法，其特征在于，该等离子体蚀刻方法使用以包围上述载置部上的基板的方式设置且用于调整等离子体的状态的环状构件、用于加热该环状构件的加热机构、用于冷却上述环状构件的冷却机构，
该等离子体蚀刻方法包括下述工序读取与要进行蚀刻的基板相对应的处理制程程序，该处理制程程序写入有处理条件，该处理条件包括上述环状构件的设定温度并且用于对基板进行蚀刻；检测上述环状构件的温度；基于在读取出的处理制程程序中写入的上述环状构件的设定温度和上述温度检测部的温度检测值控制上述加热机构及上述冷却机构。采用本发明，在写入有用于对基板进行蚀刻的处理条件的处理制程程序中，写入有环状构件的设定温度，利用温度检测部检测环状构件的温度，基于环状构件的设定温度和上述温度检测值控制上述加热机构及上述冷却机构，因此对于蚀刻处理，能够获得较高的面内均匀性。
图I是表示本实施方式的等离子体蚀刻装置的纵剖侧视图。图2是用于说明本实施方式的聚焦环温度的控制的框图。图3是用于说明上述温度控制的冷却模式的纵剖侧视图。图4是用于说明上述温度控制的加热模式的纵剖侧视图。图5是表示本实施方式的形成在晶圆上的多层膜的纵剖视图。图6是表不本实施方式的处理制程程序的一例的表。图7是对本实施方式的冷却机构及加热机构的运转条件进行了汇总的表。图8是用于说明利用程序执行上述处理制程程序的步骤的流程图。图9是表示上述温度控制时的聚焦环温度的时效变化一例的图表。图10是表示蚀刻处理后的上述多层膜的纵剖视图。图11是示意地表示了上述处理制程程序的步骤的执行时机与聚焦环温度之间的关系的温度变化图。图12是表示本发明的实施例结果的分布图。
具体实施例方式图I表示本发明的实施方式的等离子体蚀刻装置，附图标记I是例如由铝构成的气密的处理容器(真空容器)。在处理容器I的底部的中央部设有支承台2。支承台2构成为圆柱体的上表面部的周缘部在整个周向上被切除而形成有台阶部8的形状，S卩，在上表面部，除周缘部以外的部分呈圆柱状突出的形状。该突出的部位形成用于载置作为基板的半导体晶圆(以下称“晶圆”)W的载置部20，包围该载置部20的台阶部8相当于后述的环状构件的配置区域。在该载置部20的上表面部设有第I静电吸盘21，该第I静电吸盘21是将吸盘电极22配置于绝缘膜而形成的，吸盘电极22经由开关24与设置在处理容器I外的直流电源23电连接。在第I静电吸盘21上穿设有未图示的多个喷出口，能够将热介质气体例如He气体从未图示的气体供给部供给到第I静电吸盘21和晶圆W之间的微小空间内。另外，在支承台2的内部设有未图示的升降销，能够在设置在该装置外的未图示的输送臂与第I静电吸盘21之间进行晶圆W的交接。在支承台2的内部设有制冷剂流通室35，制冷剂以制冷剂供给路径82—制冷剂流通室35 —制冷剂排出路径83的路径进行流通。从制冷剂排出路径83排出的制冷剂利用 冷却器(chiller)冷却至规定的设定温度,并从制冷剂供给路径82返回制冷剂流通室35。因此，支承台2利用制冷剂维持在预先设定的基准温度，晶圆W通过来自等离子体的加热和借助He气体向支承台2散热的作用之间的热平衡来决定温度。另外，支承台2兼作下部电极，且借助匹配器41与作为偏压电源的高频电源4连接，该偏压电源用于向下部电极施加偏压，该偏压用于吸引等离子体中的离子。在处理容器I的顶部，借助绝缘构件12以与载置部20相对的方式设有作为将处理气体供给到处理区域内的气体供给部的喷头5。在该喷头5上穿设有多个喷出口 51，利用设置在处理容器外的气体供给系统52经由配管53及缓冲室54，自喷出口 51喷出规定的处理气体。该喷头5兼作上部电极，借助匹配器55连接有等离子体生成用的高频电源56。在处理容器I的侧壁上设有晶圆W的输送口 14，该输送口 14能够利用开闭构件(shutter) 13开闭。在处理容器I的底部设有排气口 15，该排气口 15经由排气管19与作为真空排气机构的真空泵相连接，在排气管19上设有阀17及压力调整部18。在台阶部8的底面(台阶面)上设有环状的第2静电吸盘25，其中，上述台阶部8形成在支承台2的上表面的周缘部，上述第2静电吸盘25是将吸盘电极26配置于绝缘膜而形成的。另外，在支承台2的侧周，以包围支承台2的方式设有作为绝缘构件的筒状的石英构件36。并且，在第2静电吸盘25及石英构件36之上，以横跨两者的方式设有聚焦环
3。该聚焦环3的内周缘在整个周向上被切除而形成有台阶部，保持在第I静电吸盘21上的晶圆W的从第I静电吸盘21突出的周缘部被收纳在聚焦环3的上述台阶部。第2静电吸盘25是聚焦环3的吸附固定用的构件，且与上述的第I静电吸盘21电绝缘。吸盘电极26经由与第I静电吸盘21的开关24不同的开关28与设置在处理容器I外的直流电源27电连接。因此，第I静电吸盘21与第2静电吸盘25能够彼此独立地对进行吸附和停止吸附进行切换。另外,在第2静电吸盘25上设有多个未图示的喷出口，该喷出口用于向聚焦环3与第2静电吸盘25之间的微小空间供给作为热介质气体的例如He气体。该喷出口经由供给控制部81利用配管34连接在设在处理容器I外的He气体供给源31上。如图2所示，由于该供给控制部81含有压力调整部32及阀33等，因此能够向上述喷出口供给He气体及停止向上述喷出口供给He气体，另外，借助压力控制器38能够调整He气体的供给压力。因此，通过向聚焦环3与第2静电吸盘25之间的微小空间内供给He气体，如图3所示，聚焦环3的热量经由He气体向支承台2散热，而能够冷却聚焦环3。在处理容器I外设有光源例如LED (Light Emitting Diode) 37，能够放射作为加热聚焦环3的加热用光的激光。由该LED37放射的激光透过石英构件36内并分散，均匀地照射位于该石英构件36上的整个聚焦环3。因此，如图4所示，利用LED37，激光透过石英构件36而照射在聚焦环3上，从而能够加热聚焦环3。无论是如图3所示对聚焦环3进行冷却的情况还是如图4所示对聚焦环3进行加热的情况，聚焦环3的温度都是由自等离子体输入的热量和向冷却机构散发掉的热量或自加热机构输入的热量之间的平衡来决定。在聚焦环3及石英构件36的外周侧，以包围该聚焦环3及石英构件36的方式设有引导环11，该引导环11是用于防止反应生成物的附着的筒状的绝缘构件。在本等离子体蚀刻装置中设有作为温度检测部的干涉式温度计61，如图2所示， 该干涉式温度计61的检测端与聚焦环3接触。光纤62贯穿第2静电吸盘25，将该温度计61的主体与检测端连接起来。该温度检测值经由温度计控制器63输入到控制部6。上述静电吸盘用的开关24、28、形成He气体供给控制部81的一部分的阀33、压力控制器38及激光输出控制器39构成为基于来自控制部6的控制信号来进行动作。如图2所示，控制部6具有总线69、用于存储处理制程程序64的制程程序存储部65、CPU67、用于存储程序的R0M(方便起见，在图中省略ROM而将附图标记66标注于程序)。处理制程程序64是将处理的操作顺序与处理参数一起记载的数据，程序66读取处理制程程序64的内容，生成与各事项相应的控制信号，而执行各项操作。在该例子中，CPU67和程序66相当于用于输出控制信号的执行部。作为本实施方式中的蚀刻对象物的晶圆W，如图5所示，其表面呈多层膜结构，为此，在处理制程程序64中，如图6所示，写有用于从上层开始依次对这些膜进行蚀刻的步骤S。具体地说，在处理制程程序64中针对各步骤S记载有该步骤S中的多层膜的蚀刻对象膜与处理气体的种类及流量、向上部电极5及下部电极2供给的电力值、掩模的由蚀刻图案决定的开口率、聚焦环3的温度设定值、晶圆W的冷却用He气体压力设定值及激光输出设定值、聚焦环3的冷却用He气体压力设定值及激光输出设定值等。在图6中，表示处理制程程序64的一例，但是仅记载了与聚焦环3的温度相关的事项，省略了其他事项。如图7所示，与聚焦环3的温度设定相关的程序66的步骤组构成为，当干涉温度计61的温度检测值比上方侧阈值大时，冷却机构运转，其后当温度检测值比设定温度小时，冷却机构停止，另外，相反地，当温度检测值比下方侧阈值小时，加热机构运转，其后当温度检测值比设定温度大时，加热机构停止。该详细内容，在接下来叙述的实施方式的作用说明中进行叙述。说明本实施方式的作用。首先，晶圆W从未图示的真空输送室借助未图示的输送臂被输送到处理容器I内，且借助未图示的升降销被交接到第I静电吸盘21上并被吸附保持。如图5所示，在该晶圆W的表面部形成有多层膜7，该多层膜7例如从下层开始依次由碳化硅(SiC)膜71、低介电常数膜72、有机膜73、低介电常数膜74、有机膜75、反射防止膜76层叠而成。附图标记77及附图标记78分别是抗蚀剂膜及氮化钛膜的图案掩模。然后，程序66从存储于制程程序存储部65中的处理制程程序的组中读取与该晶圆W相对应的处理制程程序的内容。图8是用于进行聚焦环3的温度控制的、包括在程序66中的步骤组，以聚焦环3的温度控制为中心，参照图8 图11进行蚀刻处理过程中的动作说明。关于图8的流程的步骤，为了与包括在图6所示的处理制程程序中的步骤S相区另IJ，以“步骤K”表示。将初始包括在处理制程程序中的步骤的编号(n)设定为“1”，经由步骤K2向步骤K3进展，读取步骤Sn (SI)的聚焦环3的设定温度、激光输出值及He气体压力值，输出设定信号。由此，激光输出控制器39以使LED37的功率成为设定值的方式进行调整，另外，He气体压力控制器38将He气体的压力调整为设定值。接着，针对设定温度设定下方侧阈值(设定温度-A t°C )和上方侧阈值(设定温度+ A t°C )(步骤K4)。然后，一边进行聚焦环3的温度调整，一边执行步骤Sn (在该阶段为SI)的蚀刻工艺(步骤K5、K6)。在此，关于温度调整，参照图9进行说明。作为聚焦环3的温度调整的规则，规定如下。(I)当干涉式温度计61的温度检测值比下方侧阈值低时点亮LED37，当达到设定温度时关闭LED37。 (2)当上述温度检测值比上方侧阈值高时进行He气体的供给，当达到设定温度时停止He气体的供给。然后，重复步骤K5及K6，当处理制程程序64的步骤SI结束时(随着处理时间的经过而超时的情况下)，从步骤K6跳入到步骤K7，将处理制程程序64的步骤编号加1，以同样的方式在步骤K3 K6实施步骤S2的蚀刻工艺。图9是表示将聚焦环3的设定温度、下方侧阈值、上方侧阈值及聚焦环3的温度变化与LED37的点亮、关闭及进行HE气体的供给、停止HE气体的供给关联起来表示的温度变化图。当前，当温度检测值比下方侧阈值低时，如图9所示，点亮LED37，因此聚焦环3的温度上升。此时He气体的供给呈被阻断的状态(停止的状态)。然后，当温度检测值达到设定温度时，关闭LED37，但是由于被来自LED37的激光加热的加热部位与温度计61的检测部位之间的距离所造成的热传递的时间滞后，温度检测值超过规定温度。当因该过度加热(overshoot)而导致温度检测值超过上方侧阈值时，进行He气体的供给(He气体的供给开始)，开始聚焦环3的冷却。在实际中，由于He气体被填充至设定压力所耗费的时间、He气体的填充部位与温度计61的检测部位之间的距离等，导致到温度检测值降低，产生时间滞后。然后，当温度检测值达到设定温度时，He气体的供给停止。但是，在实际中，由于He气体的填充部位与利用温度计61的检测部位之间的距离、He气体的供给停止后的He气体残留及来自聚焦环3与第2静电吸盘25之间的点接触部位的排热等，导致温度检测值比设定温度低而产生有温度过度下降(undershoot)。当温度检测值进一步降低而低于下方侧阈值时，点亮LED37，开始聚焦环3的加热。其后也与温度检测值的变化、本装置的状况相应地重复上述的操作，聚焦环3的温度被调整并维持在设定温度附近。另外，在温度检测值超过上方侧容许值或下方侧容许值的情况下，在该时点中止晶圆W的处理，将该晶圆W作为不良品晶圆进行处理。另一方面，程序66还读取处理制程程序64的步骤S I中的与聚焦环3相关的事项以外的处理参数，利用该处理参数，设定上部电极5侧的高频电的功率、下部电极2侧的高频电(偏压电力)的功率、处理气体的种类、处理气体的气体流量、处理气体的压力等，在处理气氛内产生等离子体，一边利用偏压电力将等离子体中的离子向晶圆W吸引，一边进行薄膜的蚀刻。当步骤SI的蚀刻时间结束时，接着读取步骤S2的上述处理参数，基于该处理参数，对步骤S2中的对象薄膜进行蚀刻。返回到图8，当处理参数的步骤的编号成为最终编号(在该例子中n = 7)时，对晶圆W的一系列的蚀刻结束。图10是示意地表示形成在晶圆W上的多层膜7的蚀刻结束时的状态的纵剖视图。此后，利用与搬入动作相反的动作将处理完的晶圆W从真空容器I搬出，将下一晶圆W搬入到该真空容器I内。图11是示意地表示处理制程程序64的步骤(以SI S3为代表地进行了表示)的执行时机和聚焦环3的温度之间的关系的图，在与一个步骤相比接下来的步骤中的聚焦环3的设定温度较高的情况下，在一个步骤结束之后，点亮LED37而进行升温，相反，在接下来的步骤中的聚焦环3的设定温度较低的情况下，在一个步骤结束之后，进行He气体的供给而进行降温。另外，在图11中，为了易于进行对温度变化的理解，并未使设定温度与图6所示的蚀刻对象的膜的设定温度相对应。采用上述实施方式，预先把握能够对形成在晶圆W上的多层膜7的各膜进行面内 均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环3的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序64中，并且以针对被连续蚀刻的各膜使聚焦环3的温度处于包括该聚焦环3的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构，因此能够进行面内均匀性较高的蚀刻处理。另外，由于作为聚焦环3的加热机构，利用由激光产生的热辐射，因此能够迅速地加热聚焦环3。另外，在聚焦环3的冷却中，构成为不借助作为热介质的加热器而是使聚焦环3的热量向支承台2散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开，因此能够迅速地冷却聚焦环3。在上述实施方式中，使膜的种类与聚焦环3的设定温度相对应，但是本发明也可以这样即使是相同的膜，若开口率(膜上的掩模的开口部的面积相对于器件的整个面积的占有率)不同，则也可以把握聚焦环3的适当的温度的改变，因此也可以针对膜的种类和开口率之间的组合设定聚焦环3的温度。在上述的实施方式中，随着加热模式及冷却模式的开(0N)、闭(0FF)，也进行了第2静电吸盘25的开(0N)、闭(OFF)控制，但是第2静电吸盘25也可以维持为包括加热模式时在内始终开启(0N)。作为聚焦环3的温度控制的手法，并不限于上述的开、闭(OFF)控制，例如也可以分别设定比聚焦环3的设定温度稍低的阈值LI及稍高的阈值L2，并如下进行加热、冷却。根据温度检测值与设定温度之差，利用PID放大器来控制LED37的输出功率，当温度检测值超出设定温度时，关闭LED37，当温度检测值为阈值LI以下时，重新开始LED37的输出功率控制。另外，根据温度检测值与设定温度之差，利用PID放大器来控制He气体的压力，当温度检测值比设定温度低时，停止He气体的供给，当温度检测值超过阈值L2时，重新开始He气体的压力控制。作为加热机构，除了上述的LED之外，也可以是产生激光的其他的激光光源、加热器等。另外，作为冷却机构，并不限于如上所述地使用He气体这样的热介质气体的机构，例如也可以使由在具有粘着性的片材之间设置帕尔贴元件而成的冷却用的层叠体介于聚焦环3与支承台2之间，利用帕尔贴元件冷却聚焦环3。在该情况下，不使用第2静电吸盘25。另外，作为热介质气体，也可以使用氩(Ar)、氮(N2)、四氟化碳(CF4)、六氟化硫(SF6)等气体取代He气体，但是考虑到这些气体的导热系数及在这些气体泄漏到等离子体空间中的情况下对蚀刻工艺的影响，优选He气体。而且，作为热介质，不只是气体，也可以是例如水、有机溶剂(例如Galden)等液体，但是考虑到聚焦环的冷却机构的结构复杂化及停止冷却时导出热介质液体的困难性，优选He气体。关于各晶圆W，本发明还包括如下情况，即，并不是如上所述那样处理制程程序64中的步骤数为多个步骤，而是仅对一层膜进行蚀刻、即上述的步骤仅为一步的情况。另外，并不限于对晶圆W的多层膜7进行蚀刻的情况，本发明还包括如下情况，即，在仅对晶圆W的一层膜进行蚀刻的情况下，在与该晶圆W相对应的处理制程程序64中，写入与上述膜相对应的聚焦环3的设定温度，根据该设定温度控制聚焦环3的温度的情况。实施例 说明本发明的实施例。利用使含有C4F8的处理气体等离子体化而得到的等离子体，对形成在直径300mm的硅晶圆上的作为低介电常数层膜的SiCHO膜进行了沟槽形状的图案的蚀刻。将聚焦环的温度变更为70°C、180°C、270°C、350°C，除此之外的处理条件相同，调查了晶圆面上的蚀刻速率。其结果表示在图12中。在聚焦环的温度是70°C的情况下，为大致均匀的蚀刻处理结果，但是随着聚焦环温度的上升，晶圆周缘部的膜厚与中央部的膜厚相比变薄。由此可知，通过调整聚焦环温度，能够调整晶圆周缘部的蚀刻速率，通过使聚焦环的温度适当，对于蚀刻，能够谋求提高晶圆的面内均匀性。附图标记说明W、晶圆；1、处理容器；2、支承台；21、第I静电吸盘；25、第2静电吸盘；3、聚焦环；31、He气体供给源；32、压力调整部；35、制冷剂流通室；36、石英构件；37、LED ;38、压力控制器；39、激光输出控制器；4、下部电极的交流电源；5、气体喷头；6、控制部；61、干涉式温度计；64、处理制程程序；7、多层膜。
权利要求
1.一种等离子体蚀刻装置，其用于利用等离子体对载置于处理容器内的载置部上的基板进行蚀刻，其特征在于， 该等离子体蚀刻装置具有 环状构件，其以包围上述载置部上的基板的方式设置，且用于调整等离子体的状态； 加热机构，其用于加热该环状构件； 冷却机构，其用于冷却上述环状构件； 温度检测部，其用于检测上述环状构件的温度； 制程程序存储部，其用于存储处理制程程序，该处理制程程序写入有处理条件，该处理条件包括上述环状构件的设定温度，该处理条件用于对基板进行蚀刻；以及 执行部，其从上述制程程序存储部读取处理制程程序，基于被读取的上述环状构件的设定温度和上述温度检测部的温度检测值输出用于控制上述加热机构及上述冷却机构的控制信号。
2.根据权利要求I所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于， 上述处理制程程序含有多个作为处理单位的步骤， 上述执行部针对各上述步骤设定上述环状构件的设定温度。
3.根据权利要求2所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于， 上述基板层叠有多种膜，该多种膜将要在上述处理容器内被连续蚀刻， 上述执行部使上述处理制程程序所包括的多个步骤分别与对上述多种膜进行蚀刻的步骤相对应。
4.根据权利要求I 3中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于， 上述环状构件被静电吸盘静电吸附，该静电吸盘配置在支承部的表面部，该支承部包围上述载置部并且利用制冷剂进行冷却， 该等离子体蚀刻装置具有导热用的气体供给机构，该气体供给机构用于向该环状构件与上述静电吸盘之间供给导热用的气体，使得上述环状构件的热量向上述支承部侧散热，而对该环状构件进行冷却， 上述气体供给机构构成上述冷却机构的一部分，且利用上述控制信号进行控制。
5.根据权利要求I 4中任一项所述的等离子体蚀刻装置，其特征在于， 上述加热机构具有 绝缘体，其设在上述环状构件的下部；以及 光源部，其设在上述处理容器的外部，该光源部用于透过上述绝缘体向上述环状构件照射加热用的光。
6.一种等离子体蚀刻方法，其用于利用等离子体对载置于处理容器内的载置部上的基板进行蚀刻，其特征在于， 该等离子体蚀刻方法使用以包围上述载置部上的基板的方式设置且用于调整等离子体的状态的环状构件、用于加热该环状构件的加热机构、用于冷却上述环状构件的冷却机构， 该等离子体蚀刻方法包括下述工序 读取与要进行蚀刻的基板相对应的处理制程程序，该处理制程程序写入有处理条件，该处理条件包括上述环状构件的设定温度并且用于对基板进行蚀刻；检测上述环状构件的温度； 基于在读取出的处理制程程序中写入的上述环状构件的设定温度和上述温度检测部的温度检测值控制上述加热机构及上述冷却机构。
7.根据权利要求6所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于， 上述基板层叠有多种膜，该多种膜将要在上述处理容器内被连续蚀刻， 上述处理制程程序包括用于对上述多种膜分别进行蚀刻的多个作为处理单位的步骤， 针对各上述步骤设定上述环状构件的设定温度。
全文摘要
本发明提供一种等离子体蚀刻装置及等离子体蚀刻方法，其为如下所述的技术在基板的等离子体蚀刻中，对于蚀刻，能获得较高的面内均匀性。预先把握能对形成在晶圆(W)上的多层膜(7)的各膜进行面内均匀性较高的蚀刻的、适当的聚焦环(3)的温度，并作为设定温度反映在处理制程程序(64)中，并且针对被连续蚀刻的各膜、使聚焦环(3)的温度处于包括聚焦环(3)的设定温度的适当的温度范围内的方式控制加热机构及冷却机构。另外，作为聚焦环(3)的加热机构，利用由激光产生的热辐射。另外，在聚焦环(3)的冷却中，不借助作为热介质的加热器而是构成为使聚焦环(3)的热量向支承台(2)散发掉，使加热机构与冷却机构相互独立并分开。
文档编号H01L21/3065GK102683247SQ20121007268
公开日2012年9月19日 申请日期2012年3月16日 优先权日2011年3月16日
发明者久保田和宏, 斋藤祐介, 本田昌伸 申请人:东京毅力科创株式会社