专利名称：阵列基板和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术：
液晶显示器现已广泛的应用于各个领域，如家庭，公共场所，办公场所以及个人电子相关产品等。其中，基于高级超维场转换技术(ADvanced Super Dimension Switch,简称ADS)的液晶显示器由于具备高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点，因此得到越来越多的应用。ADS型液晶显示装置通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率，大大提高TFT-IXD产品的画面品质。
如图I所示为现有技术中的ADS型液晶显示器的阵列基板的一结构示意图，该阵列基板包括下基板101，栅线102，与栅线同时形成的公共电极线103，公共电极104，数据线105，薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor) 106，与薄膜晶体管106相接触的像素电极107等。其中，像素电极107上具有一定倾角的斜槽108 (相当于狭缝)，具有斜槽108的像素电极107(相当于狭缝电极)与相对的公共电极104(相当于板状电极)交叠产生多维电场，该多维电场驱动位于像素电极上以及位于像素电极间的液晶分子旋转，实现对灰阶的调节。现有技术中的ADS液晶显示器主要有以下不足由于像素电极与公共电极的距离远小于液晶盒的厚度(即上、下基板间的距离)，这使得像素电极与公共电极交叠产生的多维电场有明显的垂直分量存在，尤其是在斜槽区域。这些多维电场的垂直分量使得液晶显示器的显示画面在正帧和负帧时的液晶分子排列很不相同。如图2所示为现有技术中的液晶显示器的显示画面是正帧时液晶分子和电场的分布示意图，如图3所示为现有技术中的液晶显示器的显示画面是负帧时液晶分子和电场的分布示意图。其中，109标示的是绝缘层，LM标示的是液晶分子，TO区域标示的是与像素电极近似垂直的液晶分子。从图2和图3中可以看出，多维电场的垂直分量使得斜槽区域中的液晶分子的长轴呈近似垂直于像素电极分布，而且在正帧和负帧时斜槽区域的液晶分子在电场作用下的偏转角度不同，这使得显示画面在正帧和负帧时的亮度不同，造成了显示画面质量的下降。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板和显示装置，降低了显示装置中的多维电场的垂直分量，提高了显示画面的质量。为解决上述问题，本发明提供一种阵列基板，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一透明导电层、绝缘层和第二透明导电层，其中，所述第二透明导电层具有多个第二条形槽，所述第一透明导电层具有与所述多个第二条形槽相对的第一条形槽，且所述第一条形槽的宽度小于所述第二条形槽的宽度。
优选的，所述第一条形槽的宽度小于所述第二条形槽的宽度的二分之一，且大于所述第二条形槽的宽度的三分之一。优选的，与所述第二条形槽对应设置的所述第一条形槽的中心与所述第二条形槽的中心在垂直方向上对齐。优选的，所述第一透明导电层具有至少一组等间距平行排列的多个第一条形槽，所述第二透明导电层具有至少一组等间距平行排列的多个第二条形槽。优选的，所述第一条形槽和所述第二条形槽为具有预设倾角的斜槽；相对设置的所述第一条形槽和第二条形槽的倾角相同。优选的，所述第一透明导电层具有多组等间距平行排列的多个第一条形槽，不同组中的所述第一条形槽的倾角不同；所述第二透明导电层具有多组等间距平行排列的多个 第二条形槽，不同组中的所述第二条形槽的倾角不同。优选的，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为公共电极。优选的，所述第一透明导电层为公共电极，所述第二透明导电层为像素电极。本发明还提供一种显示装置，包括上述阵列基板。本发明具有以下有益效果减少了像素电极与公共电极交叠产生的多维电场的垂直分量，消除了现有的显示装置中在正帧与负帧时显示画面亮度不同的缺陷，提高了显示画面的质量。
图I为现有技术中的ADS型液晶显示器的阵列基板的一结构示意图；图2为现有技术中的ADS型液晶显示器的显示画面是正帧时液晶分子和电场的分布示意图；图3为现有技术中的ADS型液晶显示器的显示画面是负帧时液晶分子和电场的分布示意图；图4为本发明的第一实施例的阵列基板的剖面结构示意图；图5为本发明的第一实施例的阵列基板的结构示意图；图6为具有本发明实施例的阵列基板的显示装置的显示画面是正帧时液晶分子和电场的分布示意图；图7为具有本发明实施例的阵列基板的显示装置的显示画面是负帧时液晶分子和电场的分布示意图；图8为本发明的第二实施例的阵列基板的结构示意图；图9为本发明的第三实施例的阵列基板的结构示意图；图10为本发明的第四实施例的阵列基板的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式
作进一步详细描述。如图4和图5所示为本发明的第一实施例的阵列基板的结构示意图，该阵列基板包括基板401，以及依次形成在所述基板401上的第一透明导电层402、绝缘层403和第二透明导电层404，所述第二透明导电层404具有多个第二条形槽4041，所述第一透明导电层402具有与所述多个第二条形槽4041相对的第一条形槽4021，且所述第一条形槽4021的宽度小于所述第二条形槽4041的宽度。上述实施例中，所述第一透明导电层402可以为像素电极，此时，所述第二透明导电层404为公共电极。所述第一透明导电层402也可以为公共电极，此时，所述第二透明导电层404为像素电极。 也就是说，本实施例中的阵列基板中，像素电极和公共电极的位置可以互换，像素电极可以设置在公共电极的上方，也可以设置在公共电极的下方，然而，需要注意的是，无论像素电极是设置在公共电极的上方，还是设置在公共电极的下方，位于下方位置的透明导电层上的条形槽的宽度要小于位于上方位置的透明导电层上的条形槽的宽度，即第一透明导电层402上的第一条形槽4021的宽度均要小于第二透明导电层404上的第二条形槽4041的宽度。
图6和图7分别是具有本发明实施例的阵列基板的显示装置的显示画面是正帧和负中贞时液晶分子和电场的分布不意图时液晶分子和电场的分布不意图。下面以图6和图7中的第一透明导电层402是公共电极，所述第二透明导电层404是像素电极为例。如图6所示，当显示装置的显示画面是正帧时，像素电极404的电位高于公共电极402的电位，因此电场线由电位高的像素电极404发出，终止于电位低的公共电极402。由于公共电极402上的第一条形槽4021的存在，使得终止的电场线在第二条形槽4041的中间部分分别向两侧的公共电极402呈近似水平分布。可以理解的是，当像素电极和公共电极的电压给定时，空间中任一点的电场的大小是给定的，当电场的水平分量增大时，该点的电场垂直分量就会减小(电场是个矢量，水平分量与垂直分量合成该点的电场)，因而上述结构能够极大地降低了多维电场的垂直分量。如图7所示，当显示装置的显示画面是负帧时，像素电极404的电位低于公共电极402的电位，因此电场线由电位高的公共电极402发出，终止于电位低的像素电极404。由于公共电极402上的第一条形槽4021的存在，多维电场近似水平地弯向第二条形槽4041的两侧，从而极大地降低了多维电场的垂直分量。同时，如图6和图7所示，不论显示装置的显示画面是正帧还是负帧，液晶分子的排列都近似与像素电极404平行，而且排列也相同，不会出现类似于图2和图3中所示的TO区域中的液晶分子的混乱排列的情况。上述图5所示的阵列基板中，第一透明导电层402上的第一条形槽4021是一组等间距平行排列条形槽，同样的，第二透明导电层404上的第二条形槽4041也是一组等间距平行排列条形槽；而且，相对设置的第一条形槽4021和第二条形槽4041平行排列。图4和图5所示的阵列基板仅是本发明实施例的阵列基板一种实施方式，本发明的阵列基板还可以有其他实施方式，下面举例进行说明。如图8所示为本发明的第二实施例的阵列基板的结构示意图，本实施例中的阵列基板与图5中的阵列基板的区别在于第一透明导电层402上具有两组等间距平行排列的多个第一条形槽4021，同样的，所述第二透明导电层404上也具有两组等间距平行排列的多个第二条形槽4041。当然，本发明的其他实施例中，第一透明导电层402还可以具有多于两组的等间距平行排列的多个第一条形槽4021，同样的，所述第二透明导电层404也可以具有多于两组的等间距平行排列的多个第二条形槽4041。如图9所示为本发明的第三实施例的阵列基板的结构示意图，本实施例中的阵列基板与图8中的阵列基板的区别在于第一条形槽4021和第二条形槽4041为具有预设倾角的斜槽；而且，相对设置的第一条形槽4021和第二条形槽4041的倾角相同。当然，本发明的其他实施例中，第一透明导电层402还可以仅具有一组等间距平行排列的多个具有预设倾角的第一条形槽4021，或者具有更多组(多于两组 )的等间距平行排列的多个具有预设倾角的第一条形槽4021。此外，不同组中的所述第一条形槽4021的倾角可以相同，也可以不同。相应的，第二透明导电层404还可以仅具有一组等间距平行排列的多个具有预设倾角的第二条形槽4041，或者具有更多组(多于两组)的等间距平行排列的多个具有预设倾角的第二条形槽4041。此外，不同组中的所述第二条形槽4041的倾角可以相同，也可以不同。需要注意的是，相对设置的第一条形槽4021和第二条形槽4041的倾角要保持一致。上述实施例中，第一条形槽4021和第二条形槽4041的位置以及宽度的设置，会影响垂直分量的大小，下面将详细说明。在位置设置上，优选的，所述第二条形槽4041的中心与对应设置的所述第一条形槽4021的中心在垂直方向上对齐。在宽度设置上，优选的，所述第一条形槽4021的宽度小于与所述第二条形槽4041的宽度的二分之一，且大于与所述第二条形槽4041的宽度的三分之如果所述第一条形槽4021的宽度过小的话，如小于第二条形槽4041的三分之一，此时，第二条形槽4041附近的多维电场仍有较大的垂直分量存在，水平方向上液晶驱动效果提升不明显。反之，如果所述第一条形槽4021的宽度过宽的话，如大于第二条形槽4041的二分之一，由于第一透明导电层402伸出第二透明导电层404的部分太短，即第一透明导电层402与第二条形槽4041的正对区域变小，此时第二条形槽4041中间部分的多维电场水平分量会变的较弱，这对液晶的水平方向上驱动是不利的。所述第一条形槽4021的宽度可以通过电学模拟计算来得到，其宽度的设置需要使得第二条形槽4041的中心附近水平电场不太弱，又可以明显地降低多维电场的垂直分量。如图10所示为本发明的第四实施例的阵列基板的一结构示意图，该阵列基板包括基板401，栅线405，与栅线排列垂直的数据线406，薄膜晶体管(TFT) 407，与栅线405同时形成的公共电极线408，公共电极402以及像素电极404，其中，所述像素电极404具有两组等间距平行排列的多个第二条形槽4041，所述公共电极402具有与所述第二条形槽4041平行的等间距排列的多个第一条形槽4021。图10所示的实施例中，以所述像素电极位于所述公共电极的上方为例。由于显示面板所显示的画面的正帧和负帧其实是由像素电极和公共电极之间的电位差的符号确定的，因而不管将本发明实施例提供的在位于下方的透明导电层上设置第一条形槽的方案适用于像素电极在上、公共电极在下的阵列基板，还是适用于像素电极在下、公共电极在上的阵列基板，同样都可以消除现有显示装置在正帧和负帧时显示画面亮度不同的问题。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例中所述的阵列基板。本发明实施例提供的显示装置，包括液晶显示装置以及其他类型的显示装置。其中，液晶显示装置可以是液晶面板、液晶电视、手机、液晶显示器等，其包括彩膜基板、以及上述任一实施例中的阵列基板。上 述其他类型显示装置，比如电子纸，其不包括彩膜基板，但是包括上述实施例中的阵列基板。
综上所述，本发明实施例具有以下优点减少了多维电场的垂直分量，消除了现有的显示装置中在正帧与负帧时显示画面亮度不同的缺陷，提高了显示画面的质量。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种阵列基板，包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一透明导电层、绝缘层和第二透明导电层，其特征在于，所述第二透明导电层具有多个第二条形槽，所述第一透明导电层具有与所述多个第二条形槽相对的第一条形槽，且所述第一条形槽的宽度小于所述第二条形槽的宽度。
2.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条形槽的宽度小于所述第二条形槽的宽度的二分之一，且大于所述第二条形槽的宽度的三分之一。
3.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，与所述第二条形槽对应设置的所述第一条形槽的中心与所述第二条形槽的中心在垂直方向上对齐。
4.如权利要求I所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层具有至少一组等间距平行排列的多个第一条形槽，所述第二透明导电层具有至少一组等间距平行排列的多个第二条形槽。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一条形槽和所述第二条形槽为具有预设倾角的斜槽；相对设置的所述第一条形槽和第二条形槽的倾角相同。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层具有多组等间距平行排列的多个第一条形槽，不同组中的所述第一条形槽的倾角不同；所述第二透明导电层具有多组等间距平行排列的多个第二条形槽，不同组中的所述第二条形槽的倾角不同。
7.如权利要求I至6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为公共电极。
8.如权利要求I至6任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层为公共电极，所述第二透明导电层为像素电极。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求I至8任一项所述的阵列基板。
全文摘要
本发明提供一种阵列基板和显示装置，所述阵列基板包括基板，以及依次形成在所述基板上的第一透明导电层、绝缘层和第二透明导电层，所述第二透明导电层具有多个第二条形槽，所述第一透明导电层具有与所述多个第二条形槽相对的第一条形槽，且所述第一条形槽的宽度小于所述第二条形槽的宽度。本发明降低了显示装置中像素电极与公共电极交叠产生的电场垂直分量，提高了显示画面的质量。
文档编号H01L27/02GK102707513SQ20121007593
公开日2012年10月3日 申请日期2012年3月21日 优先权日2012年3月21日
发明者王国磊, 胡明, 胡祖权, 邵贤杰, 马睿 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 合肥京东方光电科技有限公司