专利名称：稠环化合物和包括该稠环化合物的有机发光二极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及稠环化合物和包括至少一种所述稠环化合物的有机发光二极管。
背景技术：
作为自发光装置的有机发光二极管(OLED)具有如宽视角、优异的对比度、快速响应、高亮度、优异的驱动电压特性等优点，并能提供多色彩图像。常规有机发光二极管具有包括基板、和依次堆叠在基板上的阳极、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)和阴极的结构。在此情况下，HTL、EML和ETL是有机化合物形成的有机薄膜。具有上述结构的常规有机发光二极管的工作原理如下。当在阳极和阴极之间施加电压时，由阳极注入的空穴通过HTL向EML迁移，且由阴极注入的电子通过ETL向EML迁移。空穴和电子在EML中再结合以产生激子。当激子从激发态降至基态时发光。
发明内容
本发明提供一种稠环化合物和包括所述稠环化合物的有机发光二极管。本发明提供一种能提供具有低驱动电压、闻売度、闻量子效率和长寿命的有机发光~■极管的桐环化合物。根据本发明的一个方面，提供一种由以下通式I表示的稠环化合物通式I
权利要求
1.一种稠环化合物，由以下通式I表示 通式I
2.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中，R1至R11各自独立地为氢原子、重氢原子、齒素原子、轻基、氛基、甲基、乙基、丙基、丁基、戍基、乙稀基、丙稀基、丁稀基、戍稀基、乙酰基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、戊氧基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的戊搭烯基、取代或未取代的茚基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的奥基、取代或未取代的庚搭烯基、取代或未取代的引达省基、取代或未取代的苊基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的葩基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的荧蒽基、取代或未取代的苯并菲基、取代或未取代的芘基、取代或未取代的麗基、取代或未取代的并四苯基、取代或未取代的茜基、取代或未取代的二萘嵌苯基、取代或未取代的并五苯基、取代或未取代的并六苯基、取代或未取代的吡咯基、取代或未取代的吡唑基、取代或未取代的咪唑基、取代或未取代的咪唑啉基、取代或未取代的咪唑并吡啶基、取代或未取代的咪唑并嘧啶基、取代或未取代的吡啶基、取代或未取代的吡嗪基、取代或未取代的嘧啶基、取代或未取代的吲哚基、取代或未取代的嘌啉基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的酞嗪基、取代或未取代的吲嗪基、取代或未取代的萘啶基、取代或未取代的喹唑啉基、取代或未取代的噌啉基、取代或未取代的吲唑基、取代或未取代的咔唑基、取代或未取代的吩嗪基、取代或未取代的菲啶基、取代或未取代的吡喃基、取代或未取代的苯并吡喃基、取代或未取代的呋喃基、取代或未取代的苯并呋喃基、取代或未取代的噻吩基、取代或未取代的苯并噻吩基、取代或未取代的异噻唑基、取代或未取代的苯并咪唑基、取代或未取代的异噁唑基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基、取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的噁二唑基或-N(R21) (R22)。
3.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中,R1至R11各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、取代或未取代的C1-Cltl烷基、取代或未取代的C2-Cltl烯基、取代或未取代的C2-Cltl炔基、取代或未取代的C1-Cltl烷氧基或以下通式2A至2Q中的一种
4.根据权利要求3所述的稠环化合物，其中，Z1至Z4以及Z11至Z14各自独立地为氢原子；重氢!原子； 素原子；轻基；氰1基；甲基；乙基；丙基；丁基；戍基；乙稀基；丙稀基；丁稀基；戍稀基；乙酸基；甲氧基；乙氧基；丙氧基；丁氧基；戍氧基；苯基；蔡基；荷基；菲基；恩 基；花基；題基；被重氧原子、素原子、轻基、氛基、甲基、乙基、丙基、丁基、戍基、乙稀基、丙稀基、丁稀基、戍稀基、乙酸基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基和戍氧基中的至少一种取代的苯基、萘基、芴基、菲基、蒽基、芘基或題基；咔唑基；咪唑基；咪唑啉基；咪唑并吡啶基；咪唑并嘧啶基；吡啶基；嘧啶基；三嗪基；喹啉基；或者被重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、甲基、乙基、丙基、丁基、戍基、乙稀基、丙稀基、丁稀基、戍稀基、乙酸基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基和戊氧基中的至少一种取代的咔唑基、咪唑基、咪唑啉基、咪唑并吡啶基、咪唑并嘧啶基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基或喹啉基。
5.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中,R1至R11各自独立地为氢原子、重氢原子、卤素原子、羟基、氰基、硝基、羧基、C1-C10烷基、C1-Cltl烷氧基，或以下通式3Α至3Τ中的一种
6.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中，a和b各自独立地为O、I或2。
7.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中，L1和L2各自独立地为取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚戊搭烯基、取代或未取代的亚茚基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚奥基、取代或未取代的亚庚搭烯基、取代或未取代的亚引达省基、取代或未取代的亚苊基、取代或未取代的亚芴基、取代或未取代的亚葩基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚荧蒽基、取代或未取代的亚苯并菲基、取代或未取代的亚芘基、取代或未取代的亚證基、取代或未取代的亚并四苯基、取代或未取代的亚茜基、取代或未取代的亚二萘嵌苯基、取代或未取代的亚并五苯基、取代或未取代的亚并六苯基、取代或未取代的亚吡咯基、取代或未取代的亚吡唑基、取代或未取代的亚咪唑基、取代或未取代的亚咪唑啉基、取代或未取代的亚咪唑并吡啶基、取代或未取代的亚咪唑并嘧啶基、取代或未取代的亚吡啶基、取代或未取代的亚吡嗪基、取代或未取代的亚嘧啶基、取代或未取代的亚吲哚基、取代或未取代的亚嘌啉基、取代或未取代的亚喹啉基、取代或未取代的亚酞嗪基、取代或未取代的亚吲嗪基、取代或未取代的亚萘啶基、取代或未取代的亚喹唑啉基、取代或未取代的亚噌啉基、取代或未取代的亚吲唑基、取代或未取代的亚咔唑基、取代或未取代的亚吩嗪基、取代或未取代的亚菲啶基、取代或未取代的亚吡喃基、取代或未取代的亚苯并吡喃基、取代或未取代的亚呋喃基、取代或未取代的亚苯并呋喃基、取代或未取代的亚噻吩基、取代或未取代的亚苯并噻吩基、取代或未取代的亚异噻唑基、取代或未取代的亚苯并咪唑基、取代或未取代的亚异噁唑基、取代或未取代的亚二苯并噻吩基、取代或未取代的亚二苯并呋喃基、取代或未取代的亚三嗪基或取代或未取代的亚噁二唑基。
8.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中，L1和L2由以下通式4A至40中的一种表示
9.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中，所述稠环化合物由以下通式IA或IB表示通式IA 通式IB
10.根据权利要求I所述的稠环化合物，其中，所述稠环化合物包括以下化合物14、20、.22、30、31、43、101、104、110、120、123、133、139、149、154 或 157
11.一种有机发光二极管，包括 第一电极； 与所述第一电极相对布置的第二电极；和 插入在所述第一电极和所述第二电极之间的第一层， 其中所述第一层包括权利要求I至10中任何一项所述的稠环化合物的至少一种。
12.根据权利要求11所述的有机发光二极管，其中，所述第一层包括选自由空穴注入层、空穴传输层、具有空穴注入和空穴传输能力的功能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和具有电子传输和电子注入能力的功能层组成的组中的至少一层。
13.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中，所述第一层包括发光层，其中所述发光层包括至少一种所述稠环化合物。
14.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，发光层中包含的所述稠环化合物用作主体或掺杂剂。
15.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述发光层包括两种彼此不同的所述稠环化合物，所述两种稠环化合物中的一种用作主体，而两种所述稠环化合物中的另一种用作掺杂剂。
16.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述第一层进一步包括电子传输层，其中所述电子传输层包括至少一种所述稠环化合物。
17.根据权利要求16所述的有机发光二极管，其中，所述电子传输层进一步包括含金属的化合物。
18.根据权利要求13所述的有机发光二极管，其中，所述第一层进一步包括电子传输层，其中所述电子传输层包括与所述发光层中包括的所述稠环化合物不同的至少一种所述稠环化合物。
19.根据权利要求15所述的有机发光二极管，其中，所述第一层进一步包括所述电子传输层，其中所述电子传输层包括与所述发光层中包括的所述稠环化合物不同的至少一种所述稠环化合物。
20.根据权利要求12所述的有机发光二极管，其中所述第一层包括空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的功能层中的至少一层，其中选自由空穴注入层、空穴传输层和具有空穴注入和空穴传输能力的功能层组成的组中的至少一层包括电荷产生材料。
全文摘要
本发明提供一种由通式1表示的稠环化合物和包括所述稠环化合物的有机发光二极管。其中R1至R11、L1、L2、a和b与说明书中定义相同。
文档编号H01L51/54GK102827078SQ201210080210
公开日2012年12月19日 申请日期2012年3月23日 优先权日2011年6月16日
发明者李善英, 郭允铉, 朴范雨, 李钟赫, 李宝罗, 韩相铉, 郑惠珍, 金荣国, 林珍娱, 黄皙焕 申请人:三星显示有限公司