专利名称：半导体器件、半导体器件的制造方法和移动电话的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造技术和移动电话，更特别地，涉及在应用于包含屏蔽膜的半导体器件时有效的技术。
背景技术：
在日本未审专利公开No. 2005-109306 (专利文献I)中，描述了这样的技术对形 的无电镀铜涂层之间的粘合。[相关技术文献][专利文献][专利文献I]日本未审专利公开No. 2005-10930
发明内容
近年来，使用由GSM (全球移动通信系统)(注册商标)系统、PCS (个人通信系统)系统、PDC (个人数字蜂窝)系统、CDMA (码分多路访问)系统等所代表的通信系统的移动通信设备(例如，移动电话)已经全球流行了。一般地，在移动电话中，在基带单元中处理的基带信号在射频集成电路(RFIC) 5中被调制成发射信号(射频信号)，由调制产生的发射信号的功率在功率放大器中被放大。然后，发射信号经其中发射频带为通带的发射滤波器作为无线电波从天线发射。另一方面，由天线所接收的接收信号经其中接收频带为通带的接收滤波器输入到低噪声放大器。在低噪声放大器中，接收信号被放大，所放大的接收信号在RFIC 5中被解调成基带信号。之后，所解调的基带信号在基带单元中被处理。以此方式，移动电话可以进行发送/接收。如上所述,在移动电话中，功率放大器用于放大发送信号的功率。功率放大器具有例如形成有作为功率晶体管的LDM0SFET的半导体芯片。半导体芯片安装于布线板之上以形成包括功率放大器的功率放大模块。功率放大模块处理高功率，因而用作大的电磁波发生源。因此，为了阻止功率放大模块中生成的电磁波影响安装于移动电话内的其它半导体器件，已经实践了在形成功率放大模块的封装的表面之上形成屏蔽膜。也就是说，通过在形成封装的密封体的表面上形成电耦合到参考电位(GND电位)的屏蔽膜，可以阻止在功率放大模块内生成的电磁波泄漏到外部，并且还阻止外部存在的电磁波进入功率放大模块。然而，作为进行研究的结果，本发明人已经发现形成于密封体(包封体)的表面之上的屏蔽膜从密封体的表面剥离，导致部分屏蔽膜从密封体的表面凸出(隆起)的问题。
本发明的一个目的是提供一种能抑制形成于密封体的表面之上的屏蔽膜从密封体的该表面剥离，且抑制部分屏蔽膜从密封体的该表面凸出的技术。本发明的以上和其他目的以及新颖特征将从本说明书中的陈述和附图变得显然。下面是对本申请所公开的发明的一典型方面的概要的简短说明。根据一典型实施例的半导体器件包括其中安装于布线板等的表面之上的半导体芯片被模制的密封体。此时，形成了具有凹陷形状的产品识别标记以及在密封体的表面之上的屏蔽膜。还形成了具有凹陷形状的用于防止屏蔽膜从密封体的表面剥离的剥离防止标记。在根据一典型实施例的制造半导体器件的方法中，在密封体形成于布线板之上以覆盖半导体芯片之后，具有凹陷形状的产品识别标记和具有凹陷部的剥离防止标记形成在密封体的表面中。然后，使用第一刀片，切割密封体，布线板经受不完全划片(halfwaydice)。以此方式,参考布线线路(wiring line)从布线板的侧表面暴露,然后屏蔽膜形成 于布线板的暴露侧表面和密封体的表面之上。随后，通过使用比第一刀片薄的第二刀片进行划片，切割布线板。在根据一典型实施例的制造半导体器件的方法中，在密封体形成于布线板之上以覆盖半导体芯片之后，具有凹陷形状的产品识别标记形成于密封体的表面中。然后，使用第一刀片，切割密封体，布线板经受不完全划片以使参考布线线路从布线板的侧表面暴露。此夕卜，屏蔽膜形成在布线板的暴露侧表面和密封体的表面之上，然后布线板通过使用比第一刀片薄的第二刀片进行划片而被切割。形成密封体的步骤包括如下步骤将其上安装半导体芯片的布线板夹在具有突出部的上成型模具与下成型模具之间从而将半导体芯片设置在形成于上成型模具与下成型模具之间的腔中，以及将树脂注入到空腔中以形成覆盖半导体芯片的密封体。此时，在密封体的表面中，形成了具有反映所述突出部的形状的凹陷形状的剥离防止标记。根据一典型实施例的移动电话具有包括功率放大器的功率放大模块。功率放大模块包括其内安装于布线板的表面之上的半导体芯片等被模制的密封体。密封体的表面形成有用于产品识别的具有凹陷形状的产品识别标记以及用于防止形成于密封体的表面之上的屏蔽膜从密封体的该表面剥离的具有凹陷形状的剥离防止标记。下面是对根据本申请所公开的发明的典型方面所获得的效果的简短描述。可以抑制形成于密封体的表面之上的屏蔽膜从密封体的表面剥离，且抑制屏蔽膜的一部分从密封体的表面凸出。
图I是示出移动电话的发射/接收部分的配置的框图；图2示出第一实施例中的功率放大器内的电路块；图3是示出放大电路的配置的示例的视图；图4是示出各个LDM0SFET的截面结构的截面图；图5是示出功率放大模块的实现方式/配置的平面图；图6是示出相关技术的功率放大模块的实现方式/配置的俯视图；图7是示出第一实施例中的功率放大模块的外观配置的俯视图8是示出第一实施例中的功率放大模块的截面结构的截面图；图9是示出第一变型中的功率放大模块的外观配置的平面图；图10是示出第二变型中的功率放大模块的外观配置的平面图；
图11是示出第一实施例中的功率放大模块的制造步骤流程的流程图；图12是示出第一实施例中的功率放大模块的制造步骤的平面图；图13是示出图12之后的功率放大模块制造步骤的平面图；图14是示出图13之后的功率放大模块制造步骤的平面图；图15是示出图14之后的功率放大模块制造步骤的平面图；图16是示出图15之后的功率放大模块制造步骤的平面图；图17是示出图16之后的功率放大模块制造步骤的平面图；图18是示出图17之后的功率放大模块制造步骤的平面图；图19是示出第一实施例中的功率放大模块的制造步骤的截面图；图20是示出图19之后的功率放大模块制造步骤的截面图；图21是示出图20之后的功率放大模块制造步骤的截面图；图22是示出图21之后的功率放大模块制造步骤的截面图；图23是示出图22之后的功率放大模块制造步骤的截面图；图24是示出图23之后的功率放大模块制造步骤的截面图；图25是示出图24之后的功率放大模块制造步骤的截面图；图26是示出图25之后的功率放大模块制造步骤的截面图；图27是示出第二实施例中的功率放大模块的制造步骤的截面图；以及图28是示出图27之后的功率放大模块制造步骤的截面图。
具体实施例方式在下面的实施例中，如果出于方便起见需要的话，实施例将通过被划分成多个部分或实施例来进行描述。然而，它们决不是彼此不相关的，除非另外特别明确地说明，且所述部分或实施例之一是其他部分或实施例的一部分或整体的变化、细节、补充说明等。此外，在下面的实施例中，当在下面的实施例中提到元件的数量等(包括数目、数值、量、范围等)时，它们并不局限于具体数量，除非另外特别明确地说明或者除非在原理上它们明显局限于具体数量。元件的数量等可以不少于或不多于具体的数量。将意识到，在下面的实施例中，其构件(还包括元件、步骤等)不一定是不可或缺的，除非另外特别明确地说明或者除非在原理上构件被视为明显不可或缺的。类似地，如果在下面的实施例中提到构件等的形状、位置关系等，则形状等假定包括与其实质上相近或类似的那些形状，除非另外特别明确地说明或者除非在原理上能够认为它们明显不包括那些形状。关于前述数值和范围，同样如此。在用于示出实施例的所有附图中，原则上相似的部件具有相似的附图标记，其重复描述将被省略。注意，为了图示清晰，即使平面图也可以加上阴影线。(第一实施例)<移动电话的配置和操作>图I是示出移动电话的发射/接收部分的配置的框图。如图I所示，移动电话I包括应用处理器2、存储器3、基带单元4、RFIC 5、功率放大器6、SAW (表面声波)滤波器7、天线开关8和天线9。应用处理器2包括例如CPU (中央处理单元)、图像处理单元、音乐处理单元等多个电路，且具有实现移动电话I的应用功能的功能。具体而言，应用处理器2从存储器3读出指令，解释指令，并基于解释结果执行各种运算操作和控制操作以由此实现应用功能。存储器3具有存储数据的功能，并被配置来存储例如用于操作应用处理器2的程序以及在应用处理器2中处理的数据。存储器3还适合于不仅能够访问应用处理器2，而且能够访问基带单元4并用于存储在基带单元4中处理的数据。基带单元4配置为能够经由操作部分对来自用户(主叫方)的声音信号(模拟信号)进行数字处理并且在发射期间生成基带信号。基带单元4还配置为能够在接收期间从为数字信号的基带信号反向生成声音信号。RFIC 5配置为能够在发射期间调制基带信号从而生成射频信号，并且在接收期间解调接收信号以生成基带信号。功率放大器6是这样的电路，其使用从电源供应的功率来 新生成与极弱输入信号类似的高功率信号，并输出高功率信号。SAW滤波器7配置为仅允许接收信号中的属于预定频带的信号从其通过。天线开关8用于将输入到移动电话I的接收信号与从移动电话I输出的发射信号分开。天线9用于发射/接收无线电波。移动电话I被如上所述地配置，其操作将简短描述于下。首先，将对发射信号的情况进行描述。通过使模拟信号(例如声音信号)在基带单元4中经受数字处理而生成的基带信号被输入到RFIC 5。RFIC 5借助于调制信号源和混频器将输入其中的基带信号转换成射频(RF)信号。由转换所产生的射频信号从RFIC 5输出到功率放大器6。输入到功率放大器6的射频信号在其中被放大，然后经由天线开关8从天线9发射。接下来，将对接收信号的情况进行描述。由天线9所接收到的射频信号(接收信号)通过SAW滤波器7，然后输入到RFIC 5。在RFIC5中，所输入的接收信号被放大，然后借助于调制信号源和混频器经受频率转换。然后，经历频率转换的信号被检测，并且基带信号被提取。之后，基带信号从RFIC 5输出到基带单元4。基带信号在基带单元4中被处理，且声音信号被输出。如上所述，当信号从数字移动电话发射时，信号被功率放大器6放大，然后经由天线开关8从天线9输出。<功率放大器的电路块配置>下面将对上述功率放大器6的电路块配置进行描述。图2示出第一实施例中的功率放大器6内的电路块。现在参照图2，将描述功率放大器6内的电路块。在图2中，功率放大器6包括控制电路CU、多个放大部(第一到第三放大部)Qla到Q3a以及多个放大部(第四到第六放大部)Qlb到Q3b。这里，放大部Qla到Q3a形成放大电路LB，放大部Qlb到Q3b形成放大电路HB。功率放大器6能够放大属于两个频带的信号。也就是说，功率放大器6能够放大用于使用第一频率的GSM (全球移动通信系统)系统的使用880MHz 915MHz频带(GSM低频带)的信号，并能够放大用于使用第二频率的DCS (数字通信系统1800)系统的使用1710MHz 1785MHz频带(GSM高频带)的信号。
存在于上述功率放大器6内的控制电路CU配置来接收输入到其中的控制信号，并基于所输入的控制信号来控制放大部Qla到Q3a和放大部Qlb到Q3b中的每个。控制电路⑶允许用于控制放大部Qla到Q3a的控制信号(V_tMl (GSM))以及用于控制放大部Qlb到Q3b的控制信号(V_trol (DCS))被单独且分开地输入到其中。当放大部Qla到Q3a被使用时，控制电路⑶基于控制信号V_trol (GSM)来执行控制操作。当放大部Qlb到Q3b被使用时，控制电路CU基于控制信号V_tMl (DCS)来执行控制操作。以此方式,根据第一实施例的功率放大器6控制属于这两个频带的信号的放大。控制电路⑶由例如MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)等形成。放大部Qla到Q3a配置为接收输入到其中的用于GSM系统的输入功率(输入信号)Pin (GSM)，并且将输入功率Pin (GSM)放大三个等级。也就是说，输入功率Pin (GSM)首先在放大部Qla中被放大,然后在放大部Qla中所放大的功率在放大部Q2a中被放大。随后，在放大部Q2a内所放大的功率在末级放大部Q3a内被放大,然后作为输出信号(输出功率Ptjut (GSM))从功率放大器6输出。因而，放大部Qla到Q3a能够放大适用于GSM系统的功率。
类似地，放大部Qlb到Q3b配置为接收输入到其中的用于DCS系统的输入功率(输入信号)Pin (DCS)，并且将输入功率Pin (DCS)放大三个等级。也就是说，输入功率Pin (DCS)首先在放大部Qlb内被放大，然后在放大部Q2b内被进一步放大。随后，在放大部Q2b内所放大的功率在放大部Q3b内被进一步放大，然后作为输出信号(输出功率Pwt (DCS))从功率放大器6输出。因而,放大部Qlb到Q3b能够放大适用于DCS系统的功率。〈放大电路的配置〉随后，将对图2所示的放大电路LB的配置的示例进行描述。图3是示出放大电路LB的配置的示例的视图。注意，图2示出而图3未示出的放大电路HB也具有与放大电路LB的配置相同的配置，因此其描述被省略。如图3所示，放大电路LB包括由LDM0SFET形成的多个放大部Qla到Q3a以及级间匹配电路MMNa和MMNb。放大部Qla的栅电极与没有示出的输入匹配电路耦接，而放大部Qla的漏电极与级间匹配电路MMNa的输入耦接。级间匹配电路MMNa的输出与放大部Q2a的栅电极耦接，而放大部Q2a的漏电极与级间匹配电路MMNb的输入耦接。级间匹配电路MMNb的输出与放大部Q3a的栅电极耦接，而放大部Q3a的漏电极与没有示出的输出匹配电路耦接。放大部Qla到Q3a的漏电极各自与电源电位Vddl耦接，而放大部Qla到Q3a的源电极各自与地电位耦接。具体而言，放大部Qla的源电极与地电位GNDl耦接，放大部Q2a的源电极与地电位GND2耦接。类似地，放大部Q3a的源电极与地电位GND3耦接。另一方面，放大部Qla到Q3a的栅电极各自与控制电路CU耦接。在这样配置的放大电路LB中，从没有不出的输入匹配电路输出的输入信号被输入到放大部Qla。然后,在放大部Qla中,输入信号基于来自控制电路CU的偏压被放大,放大信号从放大部Qla输出。然后,在放大部Qla内放大的信号通过级间匹配电路MMNa输入到放大部Q2a。在放大部Q2a中，从放大部Qla输出的信号基于来自控制电路CU的偏压被放大，并且从放大部Q2a输出。然后,在放大部Q2a内放大的信号通过级间匹配电路MMNb输入到放大部Q3a。在放大部Q3a中，从放大部Q2a输出的信号基于来自控制电路CU的偏压被放大，并且从放大部Q3a输出。以此方式，通过放大输入信号所获得的放大信号能够从包括放大部Qla到Q3a的放大电路LB输出。接下来，将对上述功率放大器6的器件配置进行描述。功率放大器6形成于例如一个半导体芯片中。在半导体芯片中(或者在其表层部分中)，形成放大电路LB和HB的半导体放大元件(例如，LDM0SFET)、形成控制电路CU的半导体元件(M0SFET)、形成匹配电路(级间匹配电路)MMNa和MMNb的无源元件(无源构件)等被形成。因而，在半导体芯片中，形成了用于形成功率放大器6的半导体元件。半导体芯片通过例如以下方式而获得在包含单晶硅等的半导体衬底(半导体晶片)中形成半导体集成电路，需要时对半导体衬底的背表面执行研磨，然后将半导体衬底划分成单独的半导体芯片。下面将对作为形成放大电路LB和HB的半导体放大元件(功率晶体管)的LDM0SFET的每个的器件配置进行描述。〈LDM0SFET 的器件配置 > 图4是示出每个LDM0SFET的截面结构的截面图。在图4中，在包含p+型硅单晶的半导体衬底is之上，形成包括]^型半导体层的外延层EPI。在半导体衬底IS中，形成了沟槽DT。在每条沟槽DT内，例如，P型多晶娃膜被掩埋以形成P型穿通层(punchthroughlayer) PL。此外，在半导体衬底IS的表面中，形成P型阱PWL。在半导体衬底IS的表面之上，形成栅极绝缘膜G0X，在栅极绝缘膜GOX之上，形成栅电极G和帽绝缘膜CAP。栅极绝缘膜GOX由例如氧化硅薄膜等形成。每个栅电极G由多晶硅膜形成。与栅电极G对准地，形成n_型偏移漏极区ODRl和n_型源极区SRl。P型晕区(hallow region) HALO被形成为与rT型源极区SRl相邻。在栅电极G的两个侧壁之上，形成侧壁SW。与侧壁SW对准地，形成η型偏移漏极区0DR2和η+型漏极区DRl。类似地，在与侧壁SW对准的情况下，在η_型源极区SRl外侧形成η.型源极区SR2。在η.型源极区SR2外侧，形成ρ+型半导体区PRl。在这样配置的每个LDM0SFET之上，形成包括氮化硅膜SN和氧化硅膜的层叠膜的层间绝缘膜IL1，并且形成延伸穿过层间绝缘膜ILl的接触孔CNT1。在接触孔CNTl中，掩埋了每个都包含例如阻挡膜和钨膜的插塞PLG1。在其中形成插塞PLGl的层间绝缘膜ILl之上，形成包含例如铝膜的第一层布线线路LI，并且形成包含氧化硅膜的层间绝缘膜IL2以覆盖第一层布线线路LI。在层间绝缘膜IL2中，连接孔CNT2形成得延伸穿过其中并且到达第一层布线线路LI。在连接孔CNT2中，掩埋了插塞PLG2。在其中形成了插塞PLG2的层间绝缘膜IL2之上，形成第二层布线线路L2。在第二层布线线路L2上面的层中，需要时形成另一布线层和另一层间绝缘膜，但是它们在图4中被省略了。注意，图4所示的多个LDM0SFET并联地耦接以形成例如图3所示的放大部Qla、Q2a和Q3a。这样配置的LDM0SFET的第一优点在于，如图4所示，n+型源极区SR2与半导体衬底I电耦接。也就是说，n+型源极区SR2经由插塞PLG1、第一层布线线路Ll、p+型半导体区PRl和P型穿通层PL与半导体衬底IS电耦接。因此，在LDM0SFET中，参考电位(GND电位)能够从半导体衬底IS的背表面供应到η.型源极区SR2。这意味着无需经由多层布线将η.型源极区SR2耦接至形成于半导体芯片的表面之上的焊盘以及用导线(金导线)将其上安装有半导体芯片的布线板耦接至焊盘以将参考电位供应到η+型源极区SR2。也就是说，当使用导线将参考电位(GND电位)供应到η+型源极区SR2时，产生由于导线而引起的寄生电感，从而降低功率放大器6内的功率增益。这是因为，由于功率增益与耦接至LDMOSFET的n+型源极区SR2的阻抗(源极阻抗)的大小成反比，所以当产生由于导线而引起的寄生电感时，源极阻抗增大，从而降低功率增益。因此，这样配置LDMOSFET，通过将n+型源极区SR2电耦接至半导体衬底1S，使得参考电位从半导体衬底IS的背表面供应到n+型源极区SR2。这消除了为了将参考电位供应到n+型源极区SR2而使用增大寄生电感的导线的需要。因此，用该LDMOSFET，可以降低源极阻抗，且因此抑制功率增益的降低。此外，在每个LDMOSFET中，引入到半导体衬底IS中的导电型杂质的杂质浓度设置为高以获得数欧姆-厘米(πιΩ -cm)的低电阻。这种配置允许降低源极电阻，从而，从此角度来看，源极阻抗也能得以降低。也就是说，在LDMOSFET中，通过采用其中n+型源极区SR2与半导体衬底IS电耦接的配置以及其中半导体衬底IS的杂质浓度设置为高的配置，能够降低源极阻抗以允许改善功率增益。LDMOSFET的第二优点在于，如图4所示，偏移区(n_型偏移 漏极区ODRl和η型偏移漏极区0DR2)设置于在栅电极G正下方的沟道区与η.型漏极区DRl之间。这使每个沟道区与η+型漏极区DRl之间的距离增大，并且还优化了偏移区内的杂质浓度以允许每个LDMOSFET中的漏极击穿电压得到改善。<由本发明人新发现的问题>上述功率放大器6被实现/配置为功率放大模块。图5是示出功率放大模块PA的实现方式/配置的平面图。如图5所示，在功率放大模块PA中，半导体芯片CHP和无源构件(芯片构件)SMD安装于具有矩形形状的布线板WB之上。半导体芯片CHP和无源构件SMD通过形成于布线板WB之上的布线图案电耦接。具体而言，形成于半导体芯片CHP的表面之上的焊盘H)和形成于布线板WB之上的布线图案用包含例如金导线等的导线W耦接。由于无源构件SMD还与形成在布线板WB之上的布线图案耦接，所以半导体芯片CHP与无源构件SMD经由导线W和布线图案而电耦接。可以指出的无源构件SMD的示例包括电阻元件、电感元件、电容元件(电容器)等。半导体芯片CHP形成有用于形成功率放大器6的LDMOSFET。LDMOSFET的源极区与半导体芯片CHP的背表面耦接。此时，在布线板WB之上，形成用于供应参考电位(GND电位)的接地图案(GND图案)，在接地图案之上安装半导体芯片CHP。由此，可以看出，施加于布线板WB的接地图案的参考电位经由与接地图案耦接的半导体芯片CHP的背表面供应到LDMOSFET的源极区。另一方面，LDMOSFET的漏极区与形成在半导体芯片CHP内的多层布线耦接，并且最终与形成在半导体芯片CHP的表面(上表面)之上的焊盘H)电耦接。由此可见，LDMOSFET的漏极区经由多层布线与焊盘H)耦接，焊盘H)进一步经由导线W和布线图案与安装在布线板WB之上的无源构件SMD耦接。这里，由于安装在布线板WB之上的无源构件SMD形成输出匹配电路和低通滤波器，因而LDMOSFET的漏极区与输出匹配电路和低通滤波器电耦接。也就是说，由LDMOSFET内的放大所产生的放大信号(发射信号)从漏极区经由多层布线、焊盘H)和导线W输入到输出匹配电路。之后，从输出匹配电路输出的发射信号通过低通滤波器，然后从功率放大模块PA输出。输出匹配电路具有通过抑制发射信号的反射而允许发射信号的有效发射的功能。低通滤波器具有去除包含于发射信号内的高阶谐波(噪声分量)的功能。于是，配置了功率放大模块PA。然而，在实际情况中，为了保护安装于布线板WB之上的半导体芯片CHP和无源构件SMD，形成包含树脂的密封体以覆盖半导体芯片CHP和无源构件SMD。功率放大模块PA处理高功率，且因此用作大的电磁波发生源。因此，为了阻止在功率放大模块PA内生成的电磁波影响安装于移动电话内的其它半导体器件，已经实践了在形成功率放大模块PA的密封体的表面之上形成屏蔽膜。也就是说，通过在形成功率放大模块PA的密封体的表面之上形成与参考电位(GND电位)电耦接的屏蔽膜，可以阻止在功率放大模块PA内生成的电磁波泄漏到外部，并且还阻止外部存在的电磁波进入功率放大模块。但是，作为进行研究的结果，本发明人已经发现，在相关技术的功率放大模块中，形成于密封体的表面之上的屏蔽膜从密封体的表面剥离，导致部分屏蔽膜从密封体的表面凸出(隆起)的问题。当屏蔽膜的此类剥离(凸出)发生于功率放大模块中时，它导致在对功率放大模块执行的电特性检测步骤中或者在由购买者执行的安装步骤中的外观故障。为了防止该问题，本发明人首先研究了在相关技术的功率放大模块中屏蔽膜剥离(凸出)的发生机制。下面是对该机制的描述。图6是示出相关技术的功率放大模块PA (P)的实现方式/配置的俯视图。如图6 所示，相关技术的功率放大模块PA (P)具有包括矩形密封体的外轮廓部分，屏蔽膜SF形成为覆盖密封体的表面。屏蔽膜SF由例如铜膜和镍膜的多层膜形成。此外，在密封体的表面中，形成用于识别个体功率放大模块PA (P)的产品识别标记DMK。例如，产品识别标记DMK由诸如字母之类的文字的序列和数的数字序列的组合形成，以提供对于个体功率放大模块PA (P)而言特定的标记。因而，基于形成在功率放大模块PA (P)中的产品识别标记DMK，个体功率放大模块PA (P)能够与另一功率放大模块PA (P)区分开。产品识别标记DMK形成于产品识别标记形成区ARl中。但是已发现，屏蔽膜SF的剥离不发生于产品识别标记形成区ARl内，而发生在产品识别标记形成区ARl外。换言之，已经发现，如图6所示，剥离部EP倾向于形成在产品识别标记形成区ARl之外的区域中。通过深入检查其原因，本发明人得出以下假设剥离是由下面所示的机制导致的。首先，在功率放大模块PA (P)的制造步骤中，诸如半导体芯片之类的构件被安装于布线板之上，然后形成于半导体芯片的表面之上的焊盘和形成于布线板之上的布线图案用导线耦接。然后，形成包含树脂的密封体以覆盖其上安装半导体芯片和无源构件的布线板的表面。接下来，通过例如用激光照射密封体的表面，产品识别标记DMK形成于产品识别标记形成区ARl内，如图6所示。该步骤通过用激光照射而蒸发形成密封体的表面的树脂且由此将密封体的表面形成为凹凸形状来进行。也就是说，产品识别标记DMK包含密封体的表面形成到其中的凹凸形状。之后，密封体的整个表面经受粗糙化蚀刻处理，然后屏蔽膜SF形成于密封体的表面之上。随后，功率放大模块PA (P)受到热处理(烘焙处理)。上面是对功率放大模块PA (P)的形成的简短描述。这里，当将注意力集中于形成屏蔽膜SF的步骤上时，密封体的表面首先受到粗糙化蚀刻处理。执行粗糙化蚀刻处理以使密封体的表面形成为凹凸形状并且改善随后形成于密封体的表面之上的屏蔽膜SF与密封体之间的粘合。也就是说，进行粗糙化蚀刻处理以使密封体的表面形成为凹凸形状并且由此利用产生于密封体的粗糙化表面与屏蔽膜SF之间的界面中的锚固效应来获得改善的粘合。特别地，通过蚀刻形成密封体的树脂来执行粗糙化蚀刻处理。也就是说，为了提高密封体的热导率，填料添加到密封体的树脂中。在上述粗糙化蚀刻处理中，包含填料的树脂的仅树脂部分被蚀刻。结果，存在于填料颗粒之间的树脂被去除，使得密封体的表面在经受粗糙化蚀刻处理之后形成为凹凸形状。填料不是均匀地分布于树脂内，其分布一定程度地偏置。因此，在填料大量存在的区域内，由于填料颗粒之间的树脂被去除而很可能形成凹凸形状。然而，在填料少量存在的区域内，基本上仅存在树脂并且树脂被均匀地蚀刻，从而较少可能形成凹凸形状，结果存在近乎平坦的区域。也就是说，即使在执行粗糙化蚀刻处理时，由于区域内所含有的填料的不均匀分布，所以没有形成凹凸形状，从而存在近乎平坦的区域。结果，在近乎平坦状态的表面处，较少可能产生锚固效应，因此认为不能实现密封体的表面与屏蔽膜SF之间的粘合的改善。在粗糙化蚀刻处理执行之后，还在密封体的表面之上形成屏蔽膜SF。屏蔽膜SF通过例如无电镀法来形成。特别地，在无电镀法中，密封体浸在镀溶液中，通过在密封体的表面处的化学反应，在密封体的表面之上形成屏蔽膜SF。这里，当密封体浸在镀溶液中时，空气可能包含在镀溶液内，可以想得，气泡将附着到密封体的表面。据认为，与附着到密封体表面的具有凹凸形状的区域相比，气泡特别地更可能附着到密封体的表面的近乎平坦的区域。当屏蔽膜SF在气泡如此附着到密封体的表面的状态下形成时，气泡保留在密封体的表 面与屏蔽膜SF之间。然后，气泡通过在屏蔽膜SF形成之后执行的热处理(烘焙处理)被加热，从而膨胀。结果，可认为，通过气泡膨胀，屏蔽膜SF从密封体的表面剥离，从而形成剥离部EP。下面是以上描述的概要。首先，在形成密封体的树脂中，含有填料，但是在树脂内所包含的填料不是均匀分布的，其分布一定程度地偏置。在该状态下即使执行粗糙化蚀刻处理，密封体的表面也不会形成为均匀的凹凸形状，而是存在近乎平坦的区域。如果近乎平坦的区域由此存在于密封体的表面内，则由于第一因素(当密封体浸在镀溶液中时气泡更可能附着到密封体)以及第二因素(较少可能产生锚固效应)，所以推测剥离部EP形成在密封体的表面与屏蔽膜SF之间。特别地，据认为，在屏蔽膜SF形成之后执行的热处理(烘焙处理)使得密封体的表面与屏蔽膜SF之间的剥离部EP的形成变得明显。可想到，该机制还通过这样的事实得到证实剥离部EP不形成于其中形成包括凹凸形状的产品识别标记DMK的产品识别标记形成区ARl中。因此，在第一实施例中，基于以下发现如果近乎平坦的区域存在于密封体的表面中，则由于第一因素(当密封体浸在镀溶液中时气泡更可能附着到密封体)以及第二因素(较少可能产生锚固效应)，剥离部EP很可能形成于密封体的表面与屏蔽膜SF之间，提供一种发明方案，即减少密封体的表面的近乎平坦的区域。下面将对提供该发明方案所基于的第一实施例的技术思想进行描述。<第一实施例的特性特征>图7是示出第一实施例中的功率放大模块PA的外观配置的俯视图。如图7所示，第一实施例中的功率放大模块PA具有包括矩形密封体的外轮廓部分，屏蔽膜SF形成为覆盖密封体的表面。屏蔽膜SF由例如铜膜和镍膜的层叠膜形成。由于铜膜容易被氧化，所以如果屏蔽膜SF仅由铜膜形成，则屏蔽膜SF的表面不期望地被氧化。因此，为了抑制屏蔽膜SF的表面的氧化，镍膜形成于铜膜之上。此外，在密封体的表面中，形成了用于识别个体功率放大模块PA的产品识别标记DMK。例如，产品识别标记DMK由诸如字母之类的文字的序列和数的数字序列的组合形成，以提供对于个体功率放大模块PA而言特定的标记。于是，基于形成在功率放大模块PA中的产品识别标记DMK，个体功率放大模块PA能够与另一功率放大模块PA区分开。产品识别标记DMK形成于密封体的表面区域的产品识别标记形成区ARl 中。第一实施例的特性特征在于，设置剥离防止标记形成区AR2以围绕产品识别标记形成区AR1，且多个剥离防止标记EMK形成在剥离防止标记形成区AR2中。也就是说，第一实施例的特征在于将密封体的表面区域的与产品识别标记形成区ARl不同的区域定义为剥离防止标记形成区AR2,且多个剥离防止标记EMK形成在剥离防止标记形成区AR2中。例如，在图6所示的相关技术的功率放大模块PA (P)中，在产品识别标记形成区ARl外的区域中，没有形成标记，只有密封体的表面存在。在该情况下，如果粗糙化蚀刻处理被执行以防止屏蔽膜SF从密封体的表面剥离，则密封体的表面不形成为均匀的凹凸形状，从而近乎平坦的区域(称为平坦区域)不期望地存在于产品识别标记形成区ARl外的区域中。据认为，如果平坦区域这样存在于密封体的表面中，则由于第一因素(当密封体浸在镀 溶液中时气泡更可能附着到密封体)以及第二因素(较少可能产生锚固效应)，剥离部EP形成于密封体的表面与屏蔽膜SF之间。相对照地，在图7所示的第一实施例的功率放大模块PA中，设置剥离防止标记形成区AR2以围绕产品识别标记形成区AR1，在剥离防止标记形成区AR2中，形成多个剥离防止标记EMK。因此，无论是否执行粗糙化蚀刻处理，凹凸形状都不仅形成于产品识别标记形成区ARl内，而且形成于剥离防止标记形成区AR2内。这能够减少存在的平坦区域，由此抑制第一因素(当密封体浸在镀溶液中时气泡更可能附着到密封体)和第二因素(较少可能产生锚固效应)。结果，可以抑制剥离部(凸出部)形成于密封体的表面与屏蔽膜SF之间。因此，根据第一实施例，可以抑制因屏蔽膜SF的剥离(凸出)所致的外观故障。因而，第一实施例的技术思想是在形成为围绕产品识别标记形成区ARl的剥离防止标记形成区AR2中形成多个剥离防止标记EMK以便使其中的平坦区域最小化，并由此形成凹凸形状。这允许例如减少形成于剥离防止标记形成区AR2内的平坦区域。然而，由于多个剥离防止标记EMK以规则间距设置，所以平坦区域无法完全消除，但是至少通过按照给定间距来设置多个剥离防止标记EMK，平坦区域的数量能够得以减少，每个平坦区域的面积也能得以减小。这首先意味着，由于每个平坦区域的面积能够被减小，所以即使在密封体浸在镀溶液中时，附着于平坦区域的气泡的尺寸也能得以减小。附着于平坦区域的气泡的尺寸能够被减小的事实意味着，即使在气泡通过在屏蔽膜SF形成于密封体的表面上之后的热处理(烘焙处理)而膨胀时，由于气泡的小尺寸，膨胀气泡的体积也能得以减小。因此，可以抑制屏蔽膜SF从密封体的表面剥离。也就是说，当气泡尺寸较大时,获得较大的力来使屏蔽膜SF从密封体的表面剥离。然而，由于第一实施例能够减小气泡的尺寸，所以可以使所获得的使屏蔽膜SF从密封体的表面剥离的力最小化，由此有效地抑制剥离部(凸出部)形成于密封体的表面与屏蔽膜SF之间。个体平坦区域的面积能得到减小的事实其次意味着，锚固效应降低的区域能够得以减少。因此，密封体的表面与屏蔽膜SF之间的粘合能得到改善。结果从该角度来看，将理解，密封体的表面与屏蔽膜SF之间的剥离部(凸出部)的形成也能够得以有效地抑制。因而，第一实施例的特性特征在于，多个剥离防止标记EMK形成于剥离防止标记形成区AR2中。然而，如上所述，多个剥离防止标记EMK之间的间距确定平坦区域的尺寸(面积)。这表明，在第一实施例中，用以设置多个剥离防止标记EMK的间距是尤其重要的，这将在下面进行描述。首先，本发明人已将注意力集中于以下事实在形成包括凹凸形状的产品识别标记DMK的产品识别标记形成区ARl中，屏蔽膜SF的剥离没有发生。该事实表明，如果多个剥离防止标记EMK之间的间距设置为与产品识别标记DMK之间的间距基本相同，则能够可靠地防止屏蔽膜SF的剥离。因此，在第一实施例内，多个剥离防止标记EMK之间的间距设置为与产品识别标记DMK之间的间距基本相同。这里，考虑到形成产品识别标记DMK的文字和数字的序列之间的间距不一致的情形，期望将多个剥离防止标记EMK的节距(pitchspacing)设置为与形成产品识别标记DMK的识别图案的最小节距相同。这是因为，由于平坦区域的数量和尺寸能够随着多个剥离防止标记EMK的节距减小而减小，因而认为屏蔽膜SF的剥离能被有效地抑制。也就是说，如果多个剥离防止标记EMK之间的间距设置为与产品识别标记DMK之间的间距基本相同，则能够可靠地防止屏蔽膜SF的剥离。此外，就可靠地防止屏蔽膜SF的剥离而言，期望的是将多个剥离防止标记EMK的节距设置为与形成产品识别标记DMK的识别图案中的最小节距相同。特别地，剥离防止标记EMK的节距为例如 O. 55mm。
随后，可以认为，通过多个剥离防止标记EMK的各自深度，锚固效应的大小被特别地确定。因此，就防止屏蔽膜SF的剥离而言，多个剥离防止标记EMK的各自深度也能视为重要元素，这也将在下面进行描述。例如，当剥离防止标记EMK较浅时，剥离防止标记EMK中的锚固效应较小。这表明，就通过增大锚固效应来防止屏蔽膜SF的剥离而言，期望的是最大化剥离防止标记EMK的深度。但是，如果使剥离防止标记EMK过度加深，则剥离防止标记EMK的底部会不期望地达到以密封体覆盖的内部半导体芯片、导线和无源构件，从而丧失了以密封体来覆盖这些构件的意义。因此，剥离防止标记EMK的深度不能够无止境地增加。这里重要的是获得足以防止屏蔽膜SF的剥离的锚固效应。如果这里再次将注意力集中于屏蔽膜SF的剥离不发生在其中形成包括凹凸形状的产品识别标记DMK的产品识别标记形成区ARl中的事实，则可理解，如果将剥离防止标记EMK的深度设置为与产品识别标记DMK的深度基本相同，则能够防止屏蔽膜SF的剥离。因此，在第一实施例中，将剥离防止标记EMK的深度设置为与产品识别标记DMK的深度基本相同。特别地，将剥离防止标记EMK的深度设置为例如大约50 μ m，这与产品识别标记DMK的深度基本相同。因而，根据第一实施例，能够可靠地防止屏蔽膜SF的剥离。通过粗糙化蚀刻处理形成的凹凸形状的尺寸(表面粗糙度)为大约数微米。作为粗糙化蚀刻处理不能充分抑制屏蔽膜SF的剥离的原因，已经示出了形成密封体的树脂内所含有的填料的不均匀分布，但是凹凸形状的尺寸只有大约数微米的事实也能视为另一原因。也就是说，事实是，仅用粗糙化蚀刻处理，无法充分抑制屏蔽膜SF的剥离。因此，就可靠地防止屏蔽膜SF的剥离而言，不能使用将剥离防止标记EMK的深度设置为与通过粗糙化蚀刻处理所获得的深度基本相同的数微米的方案。另一方面可以说，就可靠地防止屏蔽膜SF的剥离而言，将注意力集中于屏蔽膜SF的剥离未发生于其中形成包括凹凸形状的产品识别标记DMK的产品识别标记形成区ARl中的事实上，并将剥离防止标记EMK的深度设置为与产品识别标记DMK的深度基本相同的大约50 μ m的方案是适当的。接下来，将对剥离防止标记EMK的二维尺寸进行描述。在该情况中，注意力也集中于屏蔽膜SF的剥离不发生在其中形成有包括凹凸形状的产品识别标记DMK的产品识别标记形成区ARl中的事实上。例如，作为产品识别标记DMK，期望的文字和数字的序列通过以下方式形成在密封体的表面中用激光照射密封体的表面以提高受激光照射的区域的温度，蒸发含有填料的树脂，并且形成凹凸形状，以及扫描受激光照射的区域。也就是说，如果通过激光照射的一次投射所形成的凹凸形状被定义为斑点，则通过形成多个斑点，形成用于形成产品识别标记DMK的文字和数字。因此，在第一实施例中，剥离防止标记EMK的二维尺寸设置为与上述斑点的二维尺寸基本相同。特别地，剥离防止标记EMK的二维尺寸为大约O. Imm的方形。前面已经从有效防止屏蔽膜SF的剥离的性能角度进行了描述。但是，就实际制造功率放大模块PA而言，也需要考虑制造步骤的简化以及产量的提高。因此，下面将从把注意力集中于制造步骤的简化以及产量的提高的角度对剥离防止标记EMK的配置进行描述。首先,产品识别标记DMK通过例如激光标记来形成。因此，如果剥离防止标记EMK 也在执行激光标记以形成产品识别标记DMK的步骤中形成，则不需要增加形成剥离防止标记EMK的额外步骤。也就是说，通过在执行激光标记以形成产品识别标记DMK的步骤中也形成剥离防止标记EMK，剥离防止标记EMK能够形成在密封体中而没有使功率放大模块PA的制造步骤复杂化。从有效防止屏蔽膜SF的剥离的性能角度来看，这也是有用的。这是因为，由于剥离防止标记EMK的节距和深度等于产品识别标记DMK的节距和深度，且剥离防止标记EMK的二维尺寸与上述斑点的二维尺寸相同，所以通过在同一步骤中形成产品识别标记DMK和剥离防止标记EMK，可以容易地实现第一实施例的特性特征。另外，在第一实施例中，就提高产量而言，每个剥离防止标记EMK的二维尺寸设置为与能够通过激光照射的一次投射所形成的斑点的尺寸基本相同。例如，当剥离防止标记EMK的二维尺寸设置为大于斑点尺寸时，为了形成一个剥离防止标记EMK，需要激光照射的多次投射，从而降低了产量。但是，在第一实施例中，剥离防止标记EMK的二维尺寸设置为与斑点的尺寸基本相同。这允许一个剥离防止标记EMK通过激光照射的一次投射来形成。因此，在第一实施例中，可以提高形成剥离防止标记EMK的产量。第一实施例的特征还在于多个剥离防止标记EMK由相同图案形成。因此，能够获得允许有效地形成多个剥离防止标记EMK的效果。因而，根据第一实施例，提供了具有例如图7所示的外观配置的功率放大模块PA。特别地，在第一实施例的功率放大模块PA中，产品识别标记DMK由包括文字和数字的多个序列的识别图案形成，多个剥离防止标记EMK每个由点形式的点图案形成。形成剥离防止标记EMK的多个相同图案(点图案)的数量大于形成识别图案的文字和数字的多个序列的数量。接下来，将参照截面图对第一实施例的功率放大模块PA的配置进行描述。图8是示出第一实施例的功率放大模块PA的截面结构的截面图。如图8所示，第一实施例的功率放大模块PA具有在其内部具有多个布线层的布线板WB，在布线板WB之上，安装有半导体芯片CHP和无源构件SMD。半导体芯片CHP用导线W与例如形成于布线板WB之上的布线图案电耦接。在布线板WB之上，形成密封体MR以覆盖半导体芯片CHP、导线W和无源构件SMD，密封体MR包括例如含有添加到其的填料的环氧树脂，填料包括硅石等。在密封体MR的表面中，形成各自包括凹陷部的多个剥离防止标记EMK。在其中形成剥离防止标记EMK的密封体MR的表面之上，形成屏蔽膜SF。屏蔽膜SF由例如铜膜和镍膜的多层膜形成。屏蔽膜SF从密封体MR的表面之上延伸到其侧表面之上，从而还形成于布线板WB的侧表面的一些部分之上。在布线板WB的侧表面之上，屏蔽膜SF与形成在布线板WB中的参考布线线路(用于供应参考电位(GND电位)的布线线路)GL电耦接。由此可以看出，屏蔽膜SF的电位是参考电位。因此可以看出，例如形成有诸如LDMOSFET之类的半导体元件的半导体芯片CHP被固定到参考电位的屏蔽膜SF围绕。结果，从半导体芯片CHP生成的电磁波被固定到参考电位的屏蔽膜SF所阻挡。结果，可以减少电磁波从功率放大模块PA的泄漏，并且抑制在功率放大模块PA内所生成的电磁波对另一半导体器件产生负面影响。类似地，固定到参考电位的屏蔽膜SF还能够有效地抑制外部存在的电磁波到达功率放大模块PA内部。因此，还可以减小外部生成的电磁波对功率放大模块PA所施加的负面影响。在第一实施例中所使用的功率放大模块PA中，包括凹凸形状的剥离防止标记EMK形成于密封体MR的表面中。因此，可以抑制屏蔽膜SF从密封体MR剥离。〈变型〉
随后，将对第一实施例中的功率放大模块PA的变型进行描述。图9是示出第一变型中的功率放大模块PA的外观配置的平面图。如图9所示，第一变型中的功率放大模块PA具有带矩形形状的密封体，屏蔽膜SF形成于密封体的表面之上。此外，在密封体的表面中，存在产品识别标记形成区ARl和剥离防止标记形成区AR2。在产品识别标记形成区ARl中，形成有产品识别标记DMK。在剥离防止标记形成区AR2中，形成有剥离防止标记EMK。第一变型的特性特征在于产品识别标记形成区ARl的面积大于剥离防止标记形成区AR2的面积。例如，在上述第一实施例中的功率放大模块PA中，产品识别标记形成区ARl的面积小于剥离防止标记形成区AR2的面积，如图7所示。在该情况下，由于剥离防止标记形成区AR2的面积大，所以形成于剥离防止标记形成区AR2内的剥离防止标记EMK的数量也大。结果，拉长了形成多个剥离防止标记EMK所需的时间。相反地，在第一变型中的功率放大模块PA内，产品识别标记形成区ARl的面积大于剥离防止标记形成区AR2的面积,如图9所示。这允许剥离防止标记形成区AR2的面积充分地减小。因此，形成于剥离防止标记形成区AR2内的剥离防止标记EMK的数量也减少，因此能够缩短形成多个剥离防止标记EMK所需的时间。也就是说，根据第一变型，能够提高功率放大模块PA的制造步骤中的产量。因而，在第一变型中，提供这样的配置，其中产品识别标记DMK由包括文字和数字的多个序列的识别图案形成，且形成剥离防止标记EMK的多个相同图案(点图案)的数量设置为小于形成识别图案的文字和数字的多个序列的数量。第一变型的配置在其他方面与上述第一实施例中的配置相同。也就是说，在第一变型中，凹凸形状也不仅形成于产品识别标记形成区ARl中，而且形成于剥离防止标记形成区AR2内。这能够减少存在于密封体的表面中的平坦区域，由此抑制第一因素(当密封体浸在镀溶液中时气泡更可能附着到密封体)和第二因素(较少可能产生锚固效应)。结果，可以抑制剥离部(凸出部)形成于密封体的表面与屏蔽膜SF之间。因此，根据第一变型，也可以抑制因屏蔽膜SF的剥离(凸出)所致的外观故障。接下来，将对第一实施例中的功率放大模块PA的另一变型进行描述。图10是示出第二变型中的功率放大模块PA的外观配置的平面图。如图10所示，第二变型中的功率放大模块PA具有带矩形形状的密封体，屏蔽膜SF形成于密封体的表面之上。此外，在密封体的表面中，存在着产品识别标记形成区ARl和剥离防止标记形成区AR2。在产品识别标记形成区ARl中，形成有产品识别标记DMK。在剥离防止标记形成区AR2中，形成有剥离防止标记EMK。第二变型的特性特征在于每个剥离防止标记EMK由交叉线形式的十字图案形成。也就是说，在上述第一实施例中，每个剥离防止标记EMK都由点形式的点图案形成，但是在第二变型中，每个剥离防止标记EMK还可以由交叉线形式的十字图案形成。简言之，为了抑制屏蔽膜SF从密封体的表面剥离，本发明的技术思想旨在减少存在于密封体的表面中的平坦区域。为了达到该目标，在本发明中，将各自具有凹陷形状的剥离防止标记EMK形成于剥离防止标记形成区AR2内。对于该特征来说重要的是在剥离防止标记形成区AR2内设置凹凸形状，并且每个剥离防止标记EMK的形状不受限制，只要它是凹陷的。也就是说，在上述第一实施例中，已经对其中每个剥离防止标记EMK均由点形式的点图案形成的示例进行了描述，但是本发明的技术思想不限于此。还可以形成如第二变型中那样的交叉线形式的十字图案或者具有别的凹陷形状的图案(例如圆形、矩形、直线等)的各个剥离防止标记EMK。
第二变型的配置在其他方面与上述第一实施例中的配置相同。也就是说，在第二变型中，凹凸形状也不仅形成于产品识别标记形成区ARl内，而且形成于剥离防止标记形成区AR2内。这能够减少存在于密封体的表面中的平坦区域，由此抑制第一因素(当密封体浸在镀溶液中时气泡更可能附着到密封体)和第二因素(较少可能产生锚固效应)。结果，可以抑制剥离部(凸出部)形成于密封体的表面与屏蔽膜SF之间。因此，根据第二变型，也可以抑制因屏蔽膜SF的剥离(凸出)所致的外观故障。<功率放大模块的制造方法>第一实施例中的功率放大模块(半导体器件)PA这样被配置。下面将参照附图对其制造方法进行描述。首先，为了清晰地示出第一实施例中的功率放大模块PA的制造方法，将使用流程图和平面图进行描述。然后，将使用截面图进行描述。图11是示出第一实施例中的功率放大模块的制造步骤的流程的流程图。如图12所示，在布线板WB之上，安装形成有例如LDMOSFET的半导体芯片CHP (管芯接合)(图11的SlOl )。注意，在布线板WB之上，不仅安装半导体芯片CHP，而且还安装无源构件SMD，无源构件SMD包括电阻元件、电容元件和电感元件。随后，如图13所示，形成于安装在布线板WB上的半导体芯片CHP的表面之上的焊盘ro与形成在布线板WB上的布线图案用包括例如金导线的导线w来耦接(导线键合)(图11的S102)。特别地，使用毛细管(没有示出)，焊料球被压接(第一接合)到焊盘ro，然后移动毛细管，同时拉出金导线(导线W)。然后，通过将金导线(导线w)接合(第二接合)到布线图案(端子和接合区)，焊盘ro与布线图案用导线w电耦接。然后，如图14所示，在布线板WB之上形成包括含有填料的环氧树脂(热固性树脂)的密封体MR，以便覆盖安装于布线板WB之上的半导体芯片CHP、导线W和无源构件SMD (模制成型)(图11的S103)。特别地，半导体芯片CHP、导线W和无源构件SMD安装于其上的布线板WB被夹在上成型模具与下成型模具之间，使得半导体芯片CHP、导线W和无源构件SMD布置于在上成型模具中所设置的腔内。在该状态下，环氧树脂注入到上述腔内，由此在布线板WB之上形成密封体。
然后，如图15所示，在密封体MR的表面中形成产品识别标记DMK和剥离防止标记EMK (图11的S104)。特别地，通过用激光来照射密封体MR的表面以加热受激光照射的密封体MR的表面，使树脂蒸发，从而在密封体的表面中形成每个都具有凹陷形状的斑点。然后，通过激光扫描，大量斑点形成于密封体MR的表面中以在产品识别标记形成区中形成包括文字和数字的序列的产品识别标记DMK。类似地，在该步骤中，每个都包括点图案的剥离防止标记EMK形成于剥离防止标记形成区中。结果，在密封体MR的整个表面中，形成凹凸形状。于是，在第一实施例中，在将产品识别标记DMK形成于产品识别标记形成区内的步骤中，剥离防止标记EMK也形成于剥离防止标记形成区内。因此,与产品识别标记DMK和剥离防止标记EMK在不同步骤中形成的情形相比，制造步骤能够得以简化。随后，如图16所示，密封体MR和布线板WB经受半切割划片(half-cut dice)(图11的S105)。以此方式，密封体MR被切割，布线板WB沿其厚度方向被切割至与布线板WB的厚度的大约一半对应的深度，从而形成划片线路DLl。然后，如图17所示，密封体MR的表面经受粗糙化蚀刻处理(图11的S106)。此外， 从划片线路DLl的底表面和侧表面起，屏蔽膜SF形成于密封体MR的整个表面之上(图11的S107)。特别地，屏蔽膜SF由例如铜膜和镍膜的多层膜形成，并且通过例如无电镀法来形成。在无电镀法中，形成有密封体MR的布线板WB浸于镀溶液中，并且通过在密封体MR的表面处的化学反应，屏蔽膜SF从划片线路DLl的底表面和侧表面起形成于密封体MR的整个表面之上。当形成有密封体MR的布线板WB浸于镀溶液中时，空气可能包含于镀溶液中。但是，在第一实施例中，每个都具有凹陷形状的产品识别标记DMK和剥离防止标记EMK形成于密封体MR的表面中，从而减少气泡容易附着于其上的平坦区域的面积。因此，具有较大尺寸的气泡较少可能附着到密封体MR的表面，即使气泡附着到密封体MR的表面，气泡的尺寸也是小的。在屏蔽膜SF形成之后，布线板WB经受烘焙处理(热处理)(图11的S108)。然而，即使所附着的气泡由于热负荷而在密封体MR的表面与屏蔽膜SF之间膨胀，由于其尺寸小，所以也能够抑制屏蔽膜SF从密封体MR的表面剥离。特别地，在第一实施例中，每个都具有凹陷形状的产品识别标记DMK和剥离防止标记EMK形成于密封体MR的表面中，从而通过锚固效应改善了密封体MR与屏蔽膜SF之间的粘合。从该角度来看，根据第一实施例，也能够有效地抑制屏蔽膜SF从密封体MR的表面剥离。接下来，如图18所示，布线板WB经受完全切割划片以被完全切割(图11的S109)。此时，在这时所形成的划片线路DL2的宽度小于在半切割划片中所形成的划片线路DLl的宽度。因而，能够制造根据第一实施例的功率放大模块PA。将利用截面图来进一步描述第一实施例中的功率放大模块PA的制造步骤。如图19所示，多个半导体芯片CHP和多个无源构件SMD安装于布线板WB的上表面(表面)之上。在此阶段的布线板WB是能够从其同时形成多个功率放大模块的多片板。随后，如图20所示，安装于布线板WB之上的每个半导体芯片CHP和形成于布线板WB之上的端子(布线图案)用包括金导线的导线W来电耦接。然后，如图21所示，密封体MR形成为覆盖半导体芯片CHP、导线W和无源构件SMD。接下来,如图22所示,产品识别标记DMK (未示出)和剥离防止标记EMK通过激光标记形成于密封体MR的表面中。在图22中，示出了形成剥离防止标记EMK的凹陷形状。因而，根据第一实施例，可以使密封体MR的整个表面形成为凹凸形状。
然后，如图23所示，通过使用刀片DB I进行半切割划片，密封体MR被切割，同时布线板WB沿厚度方向被部分切割。布线板WB从而经受不完全划片，以使形成于布线板内的参考布线线路从布线板WB的侧表面暴露。随后，如图24所示，密封体MR的表面经受粗糙化蚀刻处理。然后，在密封体MR的表面(包括通过执行半切割划片所形成的沟槽DIT的内壁)之上，形成屏蔽膜SF。此时，在沟槽DIT的侧表面处，形成于布线板WB中的参考布线线路被暴露，从而屏蔽膜SF形成为与参考布线线路电耦接。这里，屏蔽膜SF通过例如无电镀法来形成，从而当形成有密封体MR的布线板WB浸于镀溶液中时，空气可能包含于镀溶液中。但是，在第一实施例中，每个都具有凹陷形状的产品识别标记和剥离防止标记EMK形成于密封体MR的表面中，从而减少了气泡容易附着于其上的平坦区域的面积。因此，具有较大尺寸的气泡较少可能附着到密封体MR的表面，即使气泡附着于密封体MR的表面，气泡的尺寸也是小的。在屏蔽膜SF形成之后，布线板WB经受烘焙处理(热处理)。然而，即使在所附着的气泡由于热负荷而在密封体MR的表面与屏蔽膜SF之间膨胀，由于其尺寸小，所以也能够抑制屏蔽膜SF从密封体MR的表面剥离。特 别地，在第一实施例中，每个都具有凹陷形状的产品识别标记和剥离防止标记EMK形成于密封体MR的表面中，从而通过锚固效应改善了密封体MR与屏蔽膜SF之间的粘合。从该角度来看，根据第一实施例，也能够有效地抑制屏蔽膜SF从密封体MR的表面剥离。然后，如图25所示，使用具有比刀片DBl的宽度小的宽度的刀片DB2，布线板WB经受完全切割划片。结果，如图26所示，布线板WB被分成单独的片，从而制造了单个的功率放大模块PA。以此方式，能够制造根据第一实施例的功率放大模块。(第二实施例)在上述第一实施例中，已经描述了其中剥离防止标记EMK通过用激光照射密封体MR的表面来形成的示例。但是，在第二实施例中，将描述其中剥离防止标记EMK通过在形成密封体MR时使用的上成型模具的表面中设置突出部PRU来形成的示例。注意，根据第二实施例的功率放大模块的结构与根据上述第一实施例的功率放大模块PA的结构相同。根据第二实施例的功率放大模块在其制造步骤方面不同于根据第一实施例的功率放大模块PA。因此，下面将描述根据第二实施例的功率放大模块的制造方法的特性特征。图27是示出其上安装有半导体芯片CHP的布线板WB被夹在上成型模具UM与下成型模具BM之间的状态的截面图。在图27中，安装于布线板WB之上的半导体芯片CHP设置在形成于布线板WB与上成型模具UM之间的腔CAV中。这里，第二实施例的特征在于多个突出部PRU设置于上成型模具UM中。在该状态下，当树脂沿图27的箭头所示的方向注入时，获得图28的密封体MR。图28是示出通过将树脂注入到布线板WB夹在上成型模具UM与下成型模具BM之间时形成的腔CAV中而形成的密封体MR的状态的截面图。如图28所示，在密封体MR的表面中，形成了具有反映上成型模具UM的突出部PRU的形状的凹陷形状的剥离防止标记EMK。因而，在第二实施例中，具有凹陷形状的剥离防止标记EMK也能够形成于密封体MR的表面中。因此，从根据第二实施例的功率放大模块也能够获得与从根据上述第一实施例的功率放大模块PA获得的效果相同的效果。也就是说，在根据第二实施例的功率放大模块中，凹凸形状也不仅形成于产品识别标记形成区中，而且形成于剥离防止标记形成区中。这能够减少存在于密封体的表面中的平坦区域，由此抑制第一因素(当密封体浸在镀溶液中时气泡更可能附着到密封体)和第二因素(较少可能产生锚固效应)。结果，可以抑制剥离部(凸出部)形成于密封体的表面与屏蔽膜SF之间。因此，在第二实施例中，也可以抑制因屏蔽膜SF的剥离(凸出)所致的外观故障。虽然由本发明人所实现的本发明到此已经基于其实施例得到了特定描述，但是本 发明不限于此。将意识到，在不脱离本发明要旨的范围内能够对本发明进行各种变换和修改。本发明可广泛地应用于制造半导体器件的制造产业。
权利要求
1.一种半导体器件，包括 Ca)布线板； (b)安装于所述布线板之上的半导体芯片； (c )密封体，形成于所述布线板之上以覆盖所述半导体芯片；以及(d)屏蔽膜，形成于所述密封体的表面之上且与形成在所述布线板之上的参考布线线路电耦接以供应参考电位， 其中所述密封体的表面形成有产品识别标记和剥离防止标记，所述产品识别标记具有凹陷形状且用于产品识别，所述剥离防止标记具有凹陷形状且用于防止所述屏蔽膜从所述密封体的表面剥离。
2.根据权利要求I所述的半导体器件， 其中，形成所述产品识别标记的产品识别标记形成区与形成所述剥离防止标记的剥离防止标记形成区是不同区域。
3.根据权利要求2所述的半导体器件， 其中，所述剥离防止标记形成区形成为在平面图中观察时围绕所述产品识别标记形成区。
4.根据权利要求I所述的半导体器件， 其中，所述产品识别标记的深度与所述剥离防止标记的深度相同。
5.根据权利要求I所述的半导体器件， 其中，所述剥离防止标记由多个相同图案形成。
6.根据权利要求5所述的半导体器件， 其中，所述产品识别标记由包括文字和数字的多个序列的识别图案形成，且其中，形成所述剥离防止标记的所述相同图案的节距与形成所述产品识别标记的所述识别图案中的最小节距相同。
7.根据权利要求5所述的半导体器件， 其中，所述产品识别标记由包括文字和数字的多个序列的识别图案形成，且其中，形成所述剥离防止标记的所述相同图案的数量大于形成所述识别图案的所述文字和数字的序列的数量。
8.根据权利要求5所述的半导体器件， 其中，所述产品识别标记由包括文字和数字的多个序列的识别图案形成，且其中，形成所述剥离防止标记的所述相同图案的数量小于形成所述识别图案的所述文字和数字的序列的数量。
9.根据权利要求I所述的半导体器件， 其中，所述剥离防止标记由每个均是点形式的若干点图案形成。
10.根据权利要求I所述的半导体器件， 其中，所述剥离防止标记由每个均是交叉线形式的若干十字图案形成。
11.根据权利要求I所述的半导体器件， 其中，所述屏蔽膜由镀膜形成。
12.根据权利要求11所述的半导体器件， 其中，所述屏蔽膜由铜膜和形成在所述铜膜之上的镍膜形成。
13.根据权利要求I所述的半导体器件， 其中，所述密封体由包含填料的树脂形成。
14.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤 (a)提供其中形成用于供应参考电位的参考布线线路的布线板； (b)在所述步骤(a)之后，将半导体芯片安装于所述布线板之上； (C)在所述步骤(b)之后，在所述布线板之上形成密封体以覆盖所述半导体芯片； (d)在所述步骤(C)之后，在所述密封体的表面中形成具有凹陷形状的产品识别标记和具有凹陷形状的剥离防止标记； (e)在所述步骤(d)之后，使用第一刀片切割所述密封体，使所述布线板经受不完全划片以使所述参考布线线路从所述布线板的侧表面暴露； (f)在所述步骤(e)之后，在所述布线板的暴露的侧表面和所述密封体的表面之上形成屏蔽膜以将所述屏蔽膜电耦接至所述参考布线线路；以及 (g)在所述步骤(f)之后，通过使用比所述第一刀片更薄的第二刀片进行划片来切割所述布线板。
15.根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法， 其中，在所述步骤(d)中，所述产品识别标记和所述剥离防止标记通过用激光照射所述密封体来形成。
16.根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法， 其中，在所述步骤(f )中，所述屏蔽膜通过使用无电镀法来形成。
17.根据权利要求14所述的制造半导体器件的方法， 其中，在所述步骤(f)之后且在所述步骤(g)之前，存在热处理步骤。
18.—种制造半导体器件的方法，包括以下步骤 (a)提供其中形成用于供应参考电位的参考布线线路的布线板； (b)在所述步骤(a)之后，将半导体芯片安装于所述布线板之上； (C)在所述步骤(b)之后，在所述布线板之上形成密封体以覆盖所述半导体芯片； Cd)在所述步骤(c)之后，在所述密封体的表面中形成具有凹陷形状的产品识别标记； (e)在所述步骤(d)之后，使用第一刀片切割所述密封体，将所述布线板不完全划片以使所述参考布线线路从所述布线板的侧表面暴露； (f)在所述步骤(e)之后，在所述布线板的暴露的侧表面和所述密封体的表面之上形成屏蔽膜以将所述屏蔽膜电耦接至所述参考布线线路；以及 (g)在所述步骤(f)之后，通过使用比所述第一刀片更薄的第二刀片进行划片来切割所述布线板， 其中，所述步骤(c )包括以下步骤 (Cl)将所述半导体芯片安装于其上的所述布线板夹在上成型模具与下成型模具之间以将所述半导体芯片布置在形成于所述上成型模具和所述下成型模具之间的腔中，所述上成型模具设置有突出部；以及 (c2)在所述步骤(Cl)之后，将树脂注入到所述腔中以形成覆盖所述半导体芯片的所述密封体,且 其中，通过所述步骤(c2)形成的所述密封体的表面形成有剥离防止标记，所述剥离防止标记具有反映所述突出部的形状的凹陷形状。
19.一种移动电话,包括 (a)基带单元，用于处理基带信号； (b)RFIC单元，用于将在所述基带单元中所处理的基带信号调制成发射信号； (c)功率放大器，用于放大由所述RFIC单元中的调制产生的所述发射信号的功率；以及 (d)天线，用于发射在所述功率放大器中所放大的所述发射信号， 其中，所述RFIC单元还具有放大由所述天线所接收的接收信号和解调所放大的接收信号的功能， 其中，包括所述功率放大器的功率放大模块具有 (el)布线板； (e2)安装于所述布线板之上的半导体芯片； (e3 )密封体，形成于所述布线板之上以覆盖所述半导体芯片；以及(e4)屏蔽膜，形成于所述密封体的表面之上并且与形成在所述布线板中的参考布线线路电耦接以供应参考电位，且 其中所述密封体的表面形成有产品识别标记和剥离防止标记，所述产品识别标记具有凹陷形状且用于产品识别，所述剥离防止标记具有凹陷形状且用于防止所述屏蔽膜从所述密封体的表面剥离。
全文摘要
本公开涉及半导体器件、半导体器件的制造方法和移动电话。本发明公开一种技术，该技术能够抑制形成于密封体的表面之上的屏蔽膜从密封体的表面剥离，并且抑制屏蔽膜的一部分从密封体的表面凸出。本发明的特征在于设置剥离防止标记形成区以围绕产品识别标记形成区，且在剥离防止标记形成区中形成多个剥离防止标记。也就是说，本发明的特征在于将密封体的表面区域中的与产品识别标记形成区不同的区域定义为剥离防止标记形成区，并且在剥离防止标记形成区中形成剥离防止标记。
文档编号H01L21/56GK102790019SQ20121015621
公开日2012年11月21日 申请日期2012年5月18日 优先权日2011年5月18日
发明者北原崇, 小熊広志 申请人:瑞萨电子株式会社