专利名称：芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构，属于半导体封装技术领域。
背景技术：
传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程如下所示
步骤一、参见图71，取一玻璃纤维材料制成的基板，
步骤二、参见图72，在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔，
步骤三、参见图73，在玻璃纤维基板的背面披覆一层铜箔，
步骤四、参见图74，在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质，
步骤五、参见图75，在玻璃纤维基板的正面披覆一层铜箔，
步骤六、参见图76，在玻璃纤维基板表面披覆光阻膜，
步骤七、参见图77，将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗，
步骤八、参见图78，将完成开窗的部分进行蚀刻，
步骤九、参见图79，将基板表面的光阻膜剥除，
步骤十、参见图80，在铜箔线路层的表面进行防焊漆(俗称绿漆)的披覆，
步骤十一、参见图81，在防焊漆需要进行后工序的装片以及打线键合的区域进行开窗， 步骤十二、参见图82，在步骤十一进行开窗的区域进行电镀，相对形成基岛和引脚，
步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关工序。上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷
1、多了一层的玻璃纤维材料，同样的也多了一层玻璃纤维的成本；
2、因为必须要用到玻璃纤维，所以就多了一层玻璃纤维厚度约10(Tl50Mffl的厚度空
间；
3、玻璃纤维本身就是一种发泡物质，所以容易因为放置的时间与环境吸入水分以及湿气，直接影响到可靠性的安全能力或是可靠性的等级；
4、玻璃纤维表面被覆了一层约5(Tl00Mffl的铜箔金属层厚度，而金属层线路与线路的蚀刻距离也因为蚀刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蚀刻间隙(参见图83，最好的制作能力是蚀刻间隙约等同于被蚀刻物体的厚度)，所以无法真正的做到高密度线路的设计与制造；
5、因为必须要使用到铜箔金属层，而铜箔金属层是采用高压粘贴的方式，所以铜箔的厚度很难低于50Mm的厚度，否则就很难操作如不平整或是铜箔破损或是铜箔延展移位等等;
6、也因为整个基板材料是采用玻璃纤维材料，所以明显的增加了玻璃纤维层的厚度10(Tl50Mm,无法真正的做到超薄的封装；
7、传统玻璃纤维加贴铜箔的工艺技术因为材质特性差异很大(膨胀系数)，在恶劣环境的工序中容易造成应力变形，直接的影响到元件装载的精度以及元件与基板粘着性与可靠性。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法及其封装结构，其工艺简单，不需使用玻璃纤维层，减少了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了玻璃纤维材料带来的环境污染，而且金属基板线路层采用的是电镀方法，能够真正做到高密度线路的设计和制造。本发明的目的是这样实现的一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤
步骤一、取金属基板
步骤二、金属基板表面预镀铜材在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，
步骤三、绿漆披覆
在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行绿漆的被覆，
步骤四、金属基板正面去除部分绿漆
利用曝光显影设备在步骤三完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，
步骤五、电镀惰性金属线路层
将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层，
步骤六、电镀金属线路层
在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，
步骤七、绿漆披覆
在步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆，
步骤八、金属基板正面去除部分绿漆
利用曝光显影设备在步骤七完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，
步骤九、电镀金属线路层
将步骤八金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层，
步骤十、绿漆披覆
在步骤九完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆，
步骤十一、金属基板正面去除部分绿漆
利用曝光显影设备在步骤十完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域，
步骤十二、覆上线路网板
在金属基板正面覆上线路网板，线路网板覆盖后续不需要进行金属化的区域，
步骤十三、金属化前处理
对步骤十一金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处
理，
步骤十四、移除线路网板将步骤十二中金属基板正面覆上的线路网板移除，
步骤十五、电镀金属线路层
将步骤十三金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚的上部，
步骤十六、装片及芯片底部填充
在步骤十五相对形成的引脚或基岛和引脚上部正面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树脂，
步骤十七、包封
将步骤十六完成芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业， 步骤十八、金属基板背面去除部分绿漆
利用曝光显影设备对金属基板背面披覆的绿漆进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域，
步骤十九、化学蚀刻
将步骤十八中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，
步骤二十、电镀金属线路层
在步骤十九完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，步骤二 i^一、绿漆披覆
在步骤二十完成电镀金属线路层的金属基板背面进行绿漆的被覆，
步骤二十二、金属基板背面去除部分绿漆
利用曝光显影设备在步骤二十一完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域，
步骤二十三、电镀金属线路层
将步骤二十二金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层，
步骤二十四、绿漆披覆
在步骤二十三完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆，
步骤二十五、金属基板背面去除部分绿漆
利用曝光显影设备在步骤二十四完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域，
步骤二十六、覆上线路网板 在金属基板背面覆上线路网板，
步骤二十七、金属化前处理
对步骤二十五金属基板背面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，
步骤二十八、移除线路网板
将步骤二十六中金属基板背面覆上的线路网板移除，
步骤二十九、电镀金属线路层
将步骤二十七金属基板背面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚的下部，
步骤三十、绿漆披覆在步骤二十九完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆，
步骤三十一、绿漆表面开孔
在步骤三十金属基板背面披覆的绿漆表面进行后续要植金属球区域的开孔作业，
步骤三十二、清洗 对步骤三十一金属基板背面绿漆开孔处进行清洗 步骤三十三、植球
在步骤三十二经过清洗的小孔内植入金属球，
步骤三十四、切割成品
将步骤三十三完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得芯片正装双面三维线路先封后蚀封装结构成品。一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法的封装结构，它包括基岛、引脚和芯片，所述芯片倒装于基岛和引脚正面，所述芯片底部与基岛和引脚正面之间设置有底部填充胶，所述基岛外围的区域、基岛和引脚之间的区域、引脚与引脚之间的区域以及基岛和引脚下部的区域包封有绿漆，所述基岛和引脚上部的区域以及芯片外包封有塑封料，所述引脚下部的绿漆表面上开设有小孔，所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球，所述金属球与引脚背面相接触。所述步骤三十二对金属基板背面绿漆开孔处进行清洗同时进行金属保护层被覆。所述封装结构包括基岛，此时芯片倒装基岛和引脚正面，所述芯片底部与基岛正面和引脚正面之间设置有底部填充胶。所述基岛有单个或多个。与现有技术相比，本发明具有以下有益效果
1、本发明不需要使用玻璃纤维层，所以可以减少玻璃纤维层所带来的成本；
2、本发明没有使用玻璃纤维层的发泡物质，所以可靠性的等级可以再提高，相对对封装体的安全性就会提高；
3、本发明不需要使用玻璃纤维层物质，所以就可以减少玻璃纤维材料所带来的环境污
染；
4、本发明的三维金属基板线路层所采用的是电镀方法，而电镀层的总厚度约在l(Tl5Mffl，而线路与线路之间的间隙可以轻松的达到25Mm以下的间隙，所以可以真正地做到高密度内引脚线路平铺的技术能力；
5、本发明的三维金属基板因采用的是金属层电镀法，所以比玻璃纤维高压铜箔金属层的工艺来得简单，且不会有金属层因为高压产生金属层不平整、金属层破损以及金属层延展移位的不良或困惑；
6、本发明的三维金属基板线路层是在金属基材的表面进行金属电镀，所以材质特性基本相同，所以镀层线路与金属基材的内应力基本相同，可以轻松的进行恶劣环境的后工程(如高温共晶装片、高温锡材焊料装片以及高温被动元件的表面贴装工作)而不容易产生应力变形。
图广图34为本发明芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法实施例一的各工序示意图。图35为本发明芯片倒装双面三维线路先封后蚀封装结构实施例一的结构示意图。图36 图69为本发明芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法实施例二的各工序不意图。图70为本发明芯片倒装双面三维线路先封后蚀封装结构实施例二的结构示意图。图71 图82为传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程的各工序示意图。图83为玻璃纤维表面铜箔金属层的蚀刻状况示意图。其中
金属基板I 铜材薄膜2 绿漆3
惰性金属线路层4 金属线路层5 线路网板6 金属化前处理层7 芯片8
底部填充胶9 塑封料10 小孔11 金属保护层12 金属球13 引脚14 基岛15 o
具体实施例方式本发明芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法包括以下工艺步骤
实施例一、无基岛
步骤一、取金属基板
参见图1，取一片厚度合适的金属基板，所述金属基板的材质可以依据芯片的功能与特性进行变换，例如铜材、铁材、镍铁材或锌铁材等；
步骤二、金属基板表面预镀铜材
参见图2，在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，目的是为后续电镀作基础，所述电镀的方式可以采用化学镀或是电解电镀；
步骤三、绿漆披覆
参见图3，在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；步骤四、金属基板正面去除部分绿漆
参见图4，利用曝光显影设备在步骤三完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤五、电镀惰性金属线路层
参见图5，将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层，作为后续蚀刻作业的阻挡层，所述惰性金属线路层材料采用镍、钛或铜等，所述电镀方式采用化学镀或电解电镀方式；
步骤六、电镀金属线路层
参见图6，在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤七、绿漆披覆
参见图7，在步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；
步骤八、金属基板正面去除部分绿漆
参见图8，利用曝光显影设备在步骤七完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤九、电镀金属线路层
参见图9，将步骤八金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤十、绿漆披覆
参见图10，在步骤九完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；
步骤i^一、金属基板正面去除部分绿漆
参见图11，利用曝光显影设备在步骤十完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤十二、覆上线路网板
参见图12，在金属基板正面覆上线路网板，线路网板覆盖后续不需要进行金属化的区
域；
步骤十三、金属化前处理
参见图13，对步骤十一金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，所述金属化前处理方式可采用涂布、喷洒、印刷、淋涂或浸泡等方式；
步骤十四、移除线路网板
参见图14，将步骤十二中金属基板正面覆上的线路网板移除；
步骤十五、电镀金属线路层
参见图15，将步骤十三金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚的上部，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤十六、装片及芯片底部填充
参见图16，在步骤十五相对形成的引脚上部正 面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树
脂；
步骤十七、包封
参见图17，将步骤十六完成芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业，塑封料的包封方式可以采用模具灌胶方式、喷涂方式或刷胶方式，所述塑封料可以采用有填料物质或是无填料物质的环氧树脂；
步骤十八、金属基板背面去除部分绿漆
参见图18，利用曝光显影设备对金属基板背面披覆的绿漆进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域；
步骤十九、化学蚀刻
参见图19，将步骤十八中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，化学蚀刻直至惰性金属线路层的位置为止，蚀刻药水可以采用氯化铜或是氯化铁；
步骤二十、电镀金属线路层
参见图20，在步骤十九完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用铜镍金、铜镍银、钯金、金或铜等，所述电镀方法可以是化学电镀或是电解电镀；
步骤二 ^^一、绿漆披覆
参见图21，在步骤二十完成电镀金属线路层的金属基板背面进行绿漆的被覆；
步骤二十二、金属基板背面去除部分绿漆
参见图22，利用曝光显影设备在步骤二十一完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤二十三、电镀金属线路层
参见图23，将步骤二十二金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤二十四、绿漆披覆
参见图24，在步骤二十三完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；
步骤二十五、金属基板背面去除部分绿漆
参见图25，利用曝光显影设备在步骤二十四完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤二十六、覆上线路网板
参见图26，在金属基板背面覆上线路网板，线路网板覆盖后续不需要进行金属化的区
域；
步骤二十七、金属化前处理
参见图27，对步骤二十五金属基板背面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，所述金属化前处理方式可采用涂布、喷洒、印刷、淋涂或浸泡等方式；步骤二十八、移除线路网板
参见图28，将步骤二十六中金属基板背面覆上的线路网板移除；
步骤二十九、电镀金属线路层
参见图29，将步骤二十七金属基板背面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚的下部，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式； 步骤三十、绿漆披覆
参见图30，在步骤二十九完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆； 步骤三十一、绿漆表面开孔
参见图31，在步骤三十金属基板背面披覆的绿漆表面进行后续要植金属球区域的开孔作业，所述开孔方式可以采用干式激光烧结或是湿式化学腐蚀的方法；
步骤三十二、清洗
参见图32，对步骤三十一金属基板背面绿漆开孔处进行清洗以去除氧化物质或有机物质等，同时可进行金属保护层的被覆，金属保护层采用抗氧化剂；
步骤三十三、植球
参见图33，在步骤三十二经过清洗的小孔内植入金属球，金属球与引脚的背面相接触，所述植球方式可以采用常规的植球机或是采用金属膏印刷再经高温溶解之后即可形成球状体，金属球的材料可以是纯锡或锡合金；
步骤三十四、切割成品
参见图34，将步骤三十三完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得芯片正装双面三维线路先封后蚀封装结构成品。实施例一的封装结构如下
参见图35，本发明芯片倒装双面三维线路先封后蚀封装结构，它包括引脚14和芯片8，所述芯片8倒装于引脚14正面，所述芯片8底部与引脚14正面之间设置有底部填充胶9，所述引脚14外围的区域、引脚14与引脚14之间的区域以及引脚14下部的区域包封有绿漆3，所述引脚14上部的区域以及芯片8包封有塑封料10，所述引脚14下部的绿漆3表面上开设有小孔11，所述小孔11与引脚14背面相连通，所述小孔11内设置有金属球13，所述金属球13与引脚14背面相接触，所述金属球13与引脚14背面之间设置有金属保护层12，所述金属保护层12为抗氧化剂。实施例二、有基岛 步骤一、取金属基板
参见图36，取一片厚度合适的金属基板，所述金属基板的材质可以依据芯片的功能与特性进行变换，例如铜材、铁材、镍铁材或锌铁材等；
步骤二、金属基板表面预镀铜材
参见图37，在金属基板表面电镀一层铜材薄膜，目的是为后续电镀作基础，所述电镀的方式可以采用化学镀或是电解电镀；
步骤三、绿漆披覆参见图38，在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；
步骤四、金属基板正面去除部分绿漆
参见图39，利用曝光显影设备在步骤三完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤五、电镀惰性金属线路层
参见图40，将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层，作为后续蚀刻作业的阻挡层，所述惰性金属线路层材料采用镍、钛或铜等，所述电镀方式采用化学镀或电解电镀方式；
步骤六、电镀金属线路层
参见图41，在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤七、绿漆披覆
参见图42，在步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；
步骤八、金属基板正面去除部分绿漆
参见图43，利用曝光显影设备在步骤七完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤九、电镀金属线路层
参见图44，将步骤八金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤十、绿漆披覆
参见图45，在步骤九完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；
步骤十一、金属基板正面去除部分绿漆
参见图46，利用曝光显影设备在步骤十完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤十二、覆上线路网板
参见图47，在金属基板正面覆上线路网板，线路网板覆盖后续不需要进行金属化的区
域；
步骤十三、金属化前处理
参见图48，对步骤十一金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，所述金属化前处理方式可采用涂布、喷洒、印刷、淋涂或浸泡等方式； 步骤十四、移除线路网板
参见图49，将步骤十二中金属基板正面覆上的线路网板移除；
步骤十五、电镀金属线路层
参见图50，将步骤十三金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成基岛和引脚的上部，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤十六、装片及芯片底部填充
参见图51，在步骤十五相对形成的基岛和引脚上部正面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树脂；
步骤十七、包封
参见图52，将步骤十六完成芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业，塑封料的包封方式可以采用模具灌胶方式、喷涂方式或刷胶方式，所述塑封料可以采用有填料物质或是无填料物质的环氧树脂；
步骤十八、金属基板背面去除部分绿漆
参见图53，利用曝光显影设备对金属基板背面披覆的绿漆进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域；
步骤十九、化学蚀刻
参见图54，将步骤十八中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻，化学蚀刻直至惰性金属线路层的位置为止，蚀刻药水可以采用氯化铜或是氯化铁；
步骤二十、电镀金属线路层
参见图55，在步骤十九完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用铜镍金、铜镍银、钯金、金或铜等，所述电镀方法可以是化学电镀或是电解电镀；
步骤二 ^^一、绿漆披覆
参见图56，在步骤二十完成电镀金属线路层的金属基板背面进行绿漆的被覆；
步骤二十二、金属基板背面去除部分绿漆
参见图57，利用曝光显影设备在步骤二十一完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤二十三、电镀金属线路层
参见图58，将步骤二十二金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式；
步骤二十四、绿漆披覆
参见图59，在步骤二十三完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆，以保护后续的电镀金属层工艺作业；
步骤二十五、金属基板背面去除部分绿漆
参见图60，利用曝光显影设备在步骤二十四完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域；
步骤二十六、覆上线路网板
参见图61，在金属基板背面覆上线路网板，线路网板覆盖后续不需要进行金属化的区
域；
步骤二十七、金属化前处理参见图62，对步骤二十五金属基板背面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理，所述金属化前处理方式可采用涂布、喷洒、印刷、淋涂或浸泡等方式；
步骤二十八、移除线路网板
参见图63，将步骤二十六中金属基板背面覆上的线路网板移除；
步骤二十九、电镀金属线路层
参见图64，将步骤二十七金属基板背面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成基岛和引脚的下部，所述金属线路层可以是单层或多层，所述金属线路层材料采用银、铝、铜、镍金或镍钯金等，所述电镀方式可以是化学电镀也可以是电解电镀的方式； 步骤三十、绿漆披覆
参见图30，在步骤二十九完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆； 步骤三十一、绿漆表面开孔
参见图31，在步骤三十金属基板背面披覆的绿漆表面进行后续要植金属球区域的开孔作业，所述开孔方式可以采用干式激光烧结或是湿式化学腐蚀的方法；
步骤三十二、清洗
参见图32，对步骤三十一金属基板背面绿漆开孔处进行清洗以去除氧化物质或有机物质等，同时可进行金属保护层的被覆，金属保护层采用抗氧化剂；
步骤三十三、植球
参见图33，在步骤三十二经过清洗的小孔内植入金属球，金属球与引脚的背面相接触，所述植球方式可以采用常规的植球机或是采用金属膏印刷再经高温溶解之后即可形成球状体，金属球的材料可以是纯锡或锡合金；
步骤三十四、切割成品
参见图34，将步骤三十三完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得芯片正装双面三维线路先封后蚀封装结构成品。实施例二的封装结构如下
参见图70，本发明芯片倒装双面三维线路先封后蚀封装结构，它包括基岛15、引脚14和芯片8，所述芯片8倒装于基岛15和引脚14正面，所述芯片8底部与基岛15和引脚14正面之间设置有底部填充胶9，所述基岛15外围的区域、基岛15和引脚14之间的区域、弓丨脚14与引脚14之间的区域以及基岛15和引脚14下部的区域包封有绿漆3，所述基岛15和引脚14上部的区域以及芯片8外包封有塑封料10，所述引脚14下部的绿漆3表面上开设有小孔11，所述小孔11与引脚14背面相连通，所述小孔11内设置有金属球13，所述金属球13与引脚14背面相接触，所述金属球13与引脚14背面之间设置有金属保护层12，所述金属保护层12为抗氧化剂。
权利要求
1.一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法，其特征在于所述方法包括以下工艺步骤 步骤一、取金属基板 步骤二、金属基板表面预镀铜材 在金属基板表面电镀一层铜材薄膜， 步骤三、绿漆披覆 在步骤二完成预镀铜材薄膜的金属基板正面及背面进行绿漆的被覆， 步骤四、金属基板正面去除部分绿漆 利用曝光显影设备在步骤三完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤五、电镀惰性金属线路层 将步骤四金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上惰性金属线路层， 步骤六、电镀金属线路层 在步骤五中的惰性金属线路层表面镀上金属线路层， 步骤七、绿漆披覆 在步骤六完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆， 步骤八、金属基板正面去除部分绿漆 利用曝光显影设备在步骤七完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤九、电镀金属线路层 将步骤八金属基板正面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层， 步骤十、绿漆披覆 在步骤九完成电镀金属线路层的金属基板正面再次进行绿漆的被覆， 步骤十一、金属基板正面去除部分绿漆 利用曝光显影设备在步骤十完成绿漆披覆的金属基板正面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板正面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤十二、覆上线路网板 在金属基板正面覆上线路网板，线路网板覆盖后续不需要进行金属化的区域， 步骤十三、金属化前处理 对步骤十一金属基板正面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理， 步骤十四、移除线路网板 将步骤十二中金属基板正面覆上的线路网板移除， 步骤十五、电镀金属线路层 将步骤十三金属基板正面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚的上部， 步骤十六、装片及芯片底部填充 在步骤十五相对形成的引脚或基岛和引脚上部正面倒装上芯片及芯片底部填充环氧树脂，步骤十七、包封 将步骤十六完成芯片倒装及芯片底部填充后的金属基板正面进行包封塑封料作业， 步骤十八、金属基板背面去除部分绿漆 利用曝光显影设备对金属基板背面披覆的绿漆进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行化学蚀刻的图形区域， 步骤十九、化学蚀刻 将步骤十八中金属基板背面完成开窗的图形区域进行化学蚀刻， 步骤二十、电镀金属线路层 在步骤十九完成化学蚀刻后露出的惰性金属线路层表面进行金属线路层的电镀，步骤二 i^一、绿漆披覆 在步骤二十完成电镀金属线路层的金属基板背面进行绿漆的被覆， 步骤二十二、金属基板背面去除部分绿漆 利用曝光显影设备在步骤二十一完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤二十三、电镀金属线路层 将步骤二十二金属基板背面已完成开窗的图形区域电镀上金属线路层， 步骤二十四、绿漆披覆 在步骤二十三完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆， 步骤二十五、金属基板背面去除部分绿漆 利用曝光显影设备在步骤二十四完成绿漆披覆的金属基板背面进行图形曝光、显影以及开窗，以露出金属基板背面后续需要进行电镀的图形区域， 步骤二十六、覆上线路网板 在金属基板背面覆上线路网板， 步骤二十七、金属化前处理 对步骤二十五金属基板背面已完成开窗的图形区域进行电镀金属线路层的金属化前处理， 步骤二十八、移除线路网板 将步骤二十六中金属基板背面覆上的线路网板移除， 步骤二十九、电镀金属线路层 将步骤二十七金属基板背面完成电镀金属线路层前处理的区域电镀上金属线路层，所述金属线路层电镀完成后即在金属基板正面相对形成引脚或基岛和引脚的下部， 步骤三十、绿漆披覆 在步骤二十九完成电镀金属线路层的金属基板背面再次进行绿漆的被覆， 步骤三十一、绿漆表面开孔 在步骤三十金属基板背面披覆的绿漆表面进行后续要植金属球区域的开孔作业， 步骤三十二、清洗 对步骤三十一金属基板背面绿漆开孔处进行清洗 步骤三十三、植球 在步骤三十二经过清洗的小孔内植入金属球，步骤三十四、切割成品 将步骤三十三完成植球的半成品进行切割作业，使原本以阵列式集合体方式集成在一起并含有芯片的塑封体模块一颗颗切割独立开来，制得芯片正装双面三维线路先封后蚀封装结构成品。
2.一种如权利要求I所述芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法的封装结构，其特征在于它包括基岛(15)、引脚(14)和芯片(8)，所述芯片(8)倒装于基岛(15)和引脚(14)正面，所述芯片(8)底部与基岛(15)和引脚(14)正面之间设置有底部填充胶(9)，所述基岛(15)外围的区域、基岛(15)和引脚(14)之间的区域、引脚(14)与引脚(14)之间的区域以及基岛(15)和引脚(14)下部的区域包封有绿漆(3)，所述基岛(15)和引脚(14)上部的区域以及芯片(8)外包封有塑封料(10)，所述引脚(14)下部的绿漆(3)表面上开设有小孔(11)，所述小孔(11)与引脚(14)背面相连通，所述小孔(11)内设置有金属球(13)，所述金属球(13 )与引脚(14)背面相接触。
3.根据权利要求I所述的一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法，其特征在于所述步骤三十二对金属基板背面绿漆开孔处进行清洗同时进行金属保护层被覆。
4.根据权利要求2所述的一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法的封装结构，其特征在于所述封装结构包括基岛(15)，此时芯片(8)倒装基岛(15)和引脚(14)正面，所述芯片(8)底部与基岛(15)正面和引脚(14)正面之间设置有底部填充胶(9)。
5.根据权利要求4所述的一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法的封装结构，其特征在于所述基岛(15)有单个或多个。
全文摘要
本发明涉及一种芯片倒装双面三维线路先封后蚀制造方法，它包括以下工艺步骤取金属基板；金属基板表面预镀铜材；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀惰性金属线路层；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；电镀金属线路层；绿漆披覆；金属基板正面去除部分绿漆；覆上线路网板；金属化前处理；移除线路网板；电镀金属线路层；装片及芯片底部填充包封；金属基板背面去除部分绿漆；化学蚀刻；电镀金属线路层；电镀金属线路层；绿漆披覆；绿漆表面开孔；清洗；植球；切割成品。本发明的有益效果是降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。
文档编号H01L21/56GK102723281SQ20121018860
公开日2012年10月10日 申请日期2012年6月9日 优先权日2012年6月9日
发明者李维平, 梁志忠, 王新潮 申请人:江苏长电科技股份有限公司