专利名称：有机发光结构及形成方法、有机发光显示装置及制造方法
技术领域：
各示例性实施方式涉及有机发光结构、形成有机发光结构的方法、有机发光显示装置和制造有机发光装置的方法。更具体地，示例性实施方式涉及包括疏水性图案的有机发光结构、形成包括疏水性图案的有机发光结构的方法、包括疏水性图案的有机发光显示装置和制造包括疏水性图案的有机发光装置的方法。·
背景技术：
有机发光显示(OLED)装置利用其有机层内由阴极提供的电子和阳极提供的空穴相结合而产生的光可显示期望的信息如图像、字母和/或字符。OLED装置可具有诸多优点如宽视角、快的响应时间、异常薄和整体紧凑性、以及低功耗，所以OLED装置可广泛使用在多种电气装置和电子装置。目前，OLED装置已经迅速发展为最有前途类显示装置中的ー种。为了形成OLED装置的有机发光层，已经使用了采用喷墨、旋涂器或喷嘴的印刷工艺，层沉积后的图案化工艺和利用热或激光的转印エ艺。然而当通过上述エ艺方法制造有机发光层时，其不能均匀地形成在OLED装置的像素区内且不能具有显示视觉高对比度图像的能力。此外，随着OLED装置尺寸的増加，用于曝光エ艺的掩模不容易获得，且需要大量用于形成有机发光层的材料，从而不必要地抬高制造的成本。
发明内容
根据本发明原理制造的示例性实施方式可提供ー种改善的有机发光结构和形成该结构的方法。示例性实施方式提供ー种包括疏水性图案以保证改善的发光特性的有机发光结构。示例性实施方式提供ー种形成包括疏水性图案以保证改善的发光特性的有机发光结构的方法。示例性实施方式提供ー种包括疏水性图案以具有改善的发光特性的有机发光显
示装置。示例性实施方式提供一种制造包括疏水性图案以具有改善的发光特性的有机发光显示装置的方法。根据例性实施方式,提供ー种有机发光结构。所述有机发光结构可包括具有第一区域和第二区域的空穴传输层(HTL)、设于所述第一区域内的所述空穴传输层上的发光层(EML)、设于所述第二区域内的所述空穴传输层上的疏水性图案和设于所述疏水性图案和所述发光层上的电子传输层(ETL)。在示例性实施方式中，所述第一区域可基本对应于像素区域，且所述第二区可基本对应于非像素区域。在示例性实施方式中，所述发光层可基本由所述疏水性图案界定。在示例性实施方式中，空穴注入层(HIL)可进ー步设在所述空穴传输层下。在示例性实施方式中，电子注入层(EIL)可进ー步设在所述电子传输层上。在示例性实施方式中，所述疏水性图案可包括至少ー种氟类材料，如含有至少ー个与至少ー个氟原子结合或杂化的碳原子的聚合物、低聚物、树型聚合物和単体，或者可包括含有至少ー个与硅原子结合的有机官能团的至少ー种有机硅烷类材料。在示例性实施方式中，所述氟类材料可具有由通式-(CF2-CF2)n-表示的重复单元。
在示例性实施方式中，所述有机硅烷类材料可由以下化学通式表示。
权利要求
1.ー种有机发光结构，所述有机发光结构包括具有第一区域和第二区域的空穴传输层；设于所述第一区域内的所述空穴传输层上的发光层；设于所述第二区域内的所述空穴传输层上的疏水性图案；和设于所述疏水性图案和所述发光层上的电子传输层。
2.如权利要求I所述的有机发光结构，其中所述第一区域对应于像素区域，且所述第ニ区域对应于非像素区域。
3.如权利要求I所述的有机发光结构，其中所述发光层由所述疏水性图案界定。
4.如权利要求I所述的有机发光结构，进一歩包括设于所述空穴传输层下的空穴注入层。
5.如权利要求I所述的有机发光结构，进ー步包括设于所述电子传输层上的电子注入层。
6.如权利要求I所述的有机发光结构，其中所述疏水性图案包括选自由含有至少ー个与至少ー个氟原子结合或杂化的碳原子的聚合物、低聚物、树型聚合物和单体组成的组中的至少ー种氟类材料，或者包括含有至少ー个与硅原子结合的有机官能团的至少ー种有机硅烷类材料。
7.如权利要求6所述的有机发光结构，其中所述氟类材料具有由通式-(CF2-CF2)n-表示的重复单元。
8.如权利要求6所述的有机发光结构，其中所述有机硅烷类材料由以下化学通式表示；
9.如权利要求8所述的有机发光结构，其中所述C1至C2tl烷基或所述C1至C2tl烷氧基具有至少ー个氟原子取代基。
10.如权利要求I所述的有机发光结构，其中所述疏水性图案具有1000A至3 μ m的厚度。
11.如权利要求I所述的有机发光结构，其中所述空穴传输层包括位于所述第一区域内的第一图案；和位于所述第二区域内的第二图案。
12.如权利要求11所述的有机发光结构，其中所述第一图案包括空穴传输材料，且所述第二图案包括空穴传输材料和交联的或聚合的光敏材料。
13.如权利要求12所述的有机发光结构，其中所述第二图案具有比所述第一图案的电导率低的电导率。
14.如权利要求12所述的有机发光结构，其中所述光敏材料包括丙烯酸酯类材料或甲基丙烯酸酯类材料。
15.如权利要求I所述的有机发光结构，其中所述电子传输层包括第三图案和第四图案，所述第三图案和所述第四图案分别与所述第一区域和所述第二区域重叠。
16.如权利要求15所述的有机发光结构，其中所述第三图案包括电子传输材料，且所述第四图案包括电子传输材料和交联的或聚合的光敏材料。
17.如权利要求16所述的有机发光结构，其中所述第四图案具有比所述第三图案的电导率低的电导率。
18.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括具有像素区域和非像素区域的第一基板；设于所述第一基板上的第一电极；设于所述第一基板上的像素界定层，所述像素界定层部分暴露所述像素区域内的所述第一电极；设于所述像素界定层和所述暴露的第一电极上的空穴传输层；设于所述非像素区域内的所述空穴传输层上的疏水性图案；设于所述像素区域内的所述空穴传输层上的发光层；设于所述疏水性图案和所述发光层上的电子传输层；和设于所述电子传输层上的第二电极。
19.如权利要求18所述的有机发光显示装置，进ー步包括设于所述第一基板上的开关装置，所述开关装置电连接到所述第一电极上。
20.如权利要求18所述的有机发光显示装置，进ー步包括设于所述像素界定层和所述暴露的第一电极上并在所述空穴传输层下的空穴注入层。
21.如权利要求18所述的有机发光显示装置，进ー步包括设于所述电子传输层和所述第二电极之间的电子注入层。
22.如权利要求18所述的有机发光显示装置，其中所述像素界定层具有1000A至4000 A的厚度。
23.如权利要求18所述的有机发光显示装置，其中所述空穴传输层包括第一图案和第ニ图案，所述第二图案具有比所述第一图案的电导率低的电导率。
24.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一图案设于所述暴露的第一电极上和所述像素界定层的侧壁上，且所述第二图案设于所述像素界定层的表面上。
25.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一图案设于所述暴露的第一电极和所述像素界定层的一部分侧壁上，且所述第二图案设于所述像素界定层的表面和所述像素界定层的未被所述第一图案覆盖的一部分侧壁上。
26.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一图案设于所述暴露的第一电极上，且所述第二图案设于所述像素界定层的表面和侧壁上。
27.如权利要求23所述的有机发光显示装置，其中所述第一图案设于所述暴露的一部分第一电极上，且所述第二图案设于所述像素界定层和未被所述第一图案覆盖的一部分所述暴露的第一电极上。
28.如权利要求18所述的有机发光显示装置，其中所述电子传输层包括第三图案和第四图案，所述第四图案具有比所述第三图案的电导率低的电导率。
29.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中所述第三图案设于所述发光层上，且所述第四图案设于所述疏水性图案上。
30.如权利要求28所述的有机发光显示装置，其中所述第三图案设于一部分所述发光层上，且所述第四图案设于所述疏水性图案和未被所述第三图案覆盖的一部分所述发光层上。
31.ー种形成有机发光结构的方法，所述方法包括提供具有第一区域和第二区域的空穴传输层；在所述第二区域内的所述空穴传输层上形成疏水性图案；在所述第一区域内的所述空穴传输层上形成发光层；和在所述疏水性图案和所述发光层上形成电子传输层。
32.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括在施主基板上形成疏水性层；在所述空穴传输层上布置所述施主基板，使得所述疏水性层面向所述空穴传输层；和在所述第二区域内选择性照射激光束以将一部分所述疏水性层转印到所述空穴传输层上。
33.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括在施主基板上形成疏水性层；在所述空穴传输层上布置所述施主基板，使得所述疏水性层面向所述空穴传输层；和对所述施主基板加压并加热，以在所述第二区域内的所述空穴传输层上形成所述疏水性图案。
34.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括喷墨印刷工艺、喷嘴印刷工艺、模压エ艺、胶版压印エ艺或反向胶版压印エ艺。
35.如权利要求34所述的形成有机发光结构的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括可溶エ艺，所述可溶エ艺包括在所述第二区域内的所述空穴传输层上提供疏水性组合物，所述疏水性组合物包括氟类材料或有机硅烷类材料和溶剤。
36.如权利要求34所述的形成有机发光结构的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括不溶エ艺，所述不溶エ艺包括蒸发或升华氟类材料或有机硅烷类材料；和在所述第二区域内的所述空穴传输层上提供所述氟类材料或所述有机硅烷类材料。
37.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法，其中所述提供所述空穴传输层的步骤包括提供包括光敏组合物的预备空穴传输层；将所述第二区域内的一部分所述预备空穴传输层选择性地暴露于光中。
38.如权利要求37所述的形成有机发光结构的方法，其中所述光敏组合物包括空穴传输材料、光敏单体、光聚合引发剂和有机溶剂。
39.如权利要求38所述的形成有机发光结构的方法，其中所述第二区域内的所述一部分预备空穴传输层通过交联反应或聚合反应转变为第二图案，且其中所述第一区域内的一部分所述预备空穴传输层转变为第一图案。
40.如权利要求39所述的形成有机发光结构的方法，其中所述第一图案包括所述空穴传输材料，且所述第二图案包括所述空穴传输材料和通过使所述光敏単体交联或聚合制得的聚合物。
41.如权利要求37所述的形成有机发光结构的方法，进ー步包括在将所述第二区域内的所述一部分预备空穴传输层选择性暴露于光中后进行焙烤エ艺。
42.如权利要求39所述的形成有机发光结构的方法，进ー步包括在将所述第二区域内的所述一部分预备空穴传输层选择性暴露于光中后，通过提供显影液而去除所述第一图案内剰余的所述光敏単体、所述光聚合弓I发剂和所述有机溶剂。
43.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法，其中所述形成所述电子传输层的步骤包括在所述发光层和所述疏水性图案上形成预备电子传输层，所述预备电子传输层包括光敏组合物；和将所述疏水性图案上的一部分所述预备电子传输层选择性地暴露于光中。
44.如权利要求43所述的形成有机发光结构的方法，其中所述光敏组合物包括电子传输材料、光敏单体、光聚合引发剂和有机溶剂。
45.如权利要求44所述的形成有机发光结构的方法，其中所述疏水性图案上的所述ー部分预备电子传输层通过交联反应或聚合反应转变为第四图案，且其中所述发光层上的一部分所述预备电子传输层转变为第三图案。
46.如权利要求45所述的形成有机发光结构的方法，其中所述第三图案包括所述电子传输材料，且所述第四图案包括所述电子传输材料和通过使所述光敏単体交联或聚合制得的聚合物。
47.如权利要求43所述的形成有机发光结构的方法，进ー步包括在将所述疏水性图案上的所述一部分预备电子传输层选择性暴露于光中后进行焙烤エ艺。
48.如权利要求45所述的形成有机发光结构的方法，进ー步包括在将所述疏水性图案上的所述一部分预备电子传输层选择性暴露于光中后，通过提供显影液而去除所述第三图案内剰余的所述光敏単体、所述光聚合弓I发剂和所述有机溶剂。
49.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法，进ー步包括在提供所述空穴传输层前提供空穴注入层。
50.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法,进ー步包括在所述电子传输层上形成电子注入层。
51.如权利要求31所述的形成有机发光结构的方法，其中所述疏水性图案具有1000A至3 μ m的厚度。
52.一种制造有机发光显示装置的方法，所述方法包括在具有像素区域和非像素区域的第一基板上形成第一电极；在所述第一基板上形成像素界定层，所述像素界定层部分地暴露所述第一电极；在所述像素界定层和所述暴露的第一电极上形成空穴传输层；在所述非像素区域内的所述空穴传输层上形成疏水性图案；在所述像素区域内的所述空穴传输层上形成发光层；在所述疏水性图案和所述发光层上形成电子传输层；和在所述电子传输层上形成第二电极。
53.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述疏水性图案用选自由含有至少ー个与至少ー个氟原子结合或杂化的碳原子的聚合物、低聚物、树型聚合物和单体组成的组中的至少ー种氟类材料形成，或者用含有至少ー个与硅原子结合的有机官能团的至少ー种有机硅烷类材料形成。
54.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括在施主基板上形成疏水性层；在所述空穴传输层上布置所述施主基板，使得所述疏水性层面向所述空穴传输层；和在所述非像素区域内选择性照射激光束以将一部分所述疏水性层转印到所述空穴传输层上。
55.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括在施主基板上形成疏水性层；在所述空穴传输层上布置所述施主基板，使得所述疏水性层面向所述空穴传输层；和对所述施主基板加压并加热，以在所述非像素区域内的所述空穴传输层上形成所述疏水性图案。
56.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，其中形成所述疏水性图案的步骤包括喷墨印刷工艺、喷嘴印刷工艺、模压エ艺、胶版压印エ艺或反向胶版压印エ艺。
57.如权利要求56所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括可溶エ艺，所述可溶エ艺包括在所述非像素区域内的所述空穴传输层上提供疏水性组合物，所述疏水性组合物包括氟类材料或有机硅烷类材料和溶剤。
58.如权利要求56所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述形成所述疏水性图案的步骤包括不溶エ艺，所述不溶エ艺包括蒸发或升华氟类材料或有机硅烷类材料；和在所述非像素区域内的空穴传输层上提供所述氟类材料或所述有机硅烷类材料。
59.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述形成所述空穴传输层的步骤包括在所述像素界定层和所述暴露的第一电极上形成包括光敏组合物的预备空穴传输层；和将所述像素界定层上的一部分所述预备空穴传输层选择性地暴露于光中。
60.如权利要求59所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述像素界定层的表面上的一部分所述预备空穴传输层通过交联反应或聚合反应转变为第二图案，和其中所述像素界定层的侧壁和所述暴露的第一电极上的一部分所述预备空穴传输层转变为第一图案。
61.如权利要求59所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述像素界定层的表面和一部分侧壁上的一部分所述预备空穴传输层通过交联反应或聚合反应转变为第二图案，且其中未被所述第二图案覆盖的所述像素界定层的所述侧壁和所述暴露的第一电极上的一部分所述预备空穴传输层转变为第一图案。
62.如权利要求59所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述像素界定层的表面和侧壁上的一部分所述预备空穴传输层通过交联反应或聚合作用转变为第二图案，且其中所述暴露的第一电极上的一部分所述预备空穴传输层转变为第一图案。
63.如权利要求59所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述像素界定层和一部分所述暴露的第一电极上的一部分所述预备空穴传输层通过交联反应或聚合反应转变为第二图案，且其中未被所述第二图案覆盖的所述暴露的第一电极上的一部分所述预备空穴传输层转变为第一图案。
64.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述形成所述电子传输层的步骤包括在所述发光层和所述疏水性图案上形成预备电子传输层，所述预备电子传输层包括光敏组合物；和将所述非像素区内的一部分所述预备电子传输层选择性地暴露于光中。
65.如权利要求64所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述疏水性图案上的一部分所述预备电子传输层通过交联反应或聚合反应转变为第四图案，且其中所述发光层上的一部分所述预备电子传输层转变为第三图案。
66.如权利要求64所述的制造有机发光显示装置的方法，其中所述疏水性图案和一部分所述发光层上的一部分所述预备电子传输层通过交联反应或聚合反应转变为第四图案，且其中未被所述第四图案覆盖的所述发光层上的一部分所述预备电子传输层转变为第ニ图案。
67.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，进ー步包括在形成所述空穴传输层前，在所述像素界定层和所述暴露的第一电极上形成空穴注入层。
68.如权利要求52所述的制造有机发光显示装置的方法，进ー步包括在形成所述电子传输层后，在所述电子传输层上形成电子注入层。
全文摘要
本发明提供了一种有机发光显示装置和制造所述有机发光显示装置的方法，且所述有机发光显示装置包括具有第一区域和第二区域的空穴传输层(HTL)、设于第一区域内的空穴传输层上的发光层(EML)、设于第二区域内的空穴传输层上的疏水性图案和设于疏水性图案和发光层上的电子传输层(ETL)。本发明还提供了一种有机发光结构和形成所述有机发光结构的方法。
文档编号H01L21/77GK102832353SQ20121019201
公开日2012年12月19日 申请日期2012年6月11日 优先权日2011年6月16日
发明者辛慧媛, 李承默, 朴商勋, 金在福, 金英一, 河在国 申请人:三星显示有限公司