软性基材的封装工艺及其结构的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种软性基材的封装工艺及其结构，利用前工艺、装载、封装、卸载、激光等步骤完成软性基材的封装工艺，其主要是借由装载步骤在软性基材上接着承载补强板，使得软性基材在封装工艺中减少翘曲、变形，可精确进行芯片的封装作业，有效提升芯片封装工艺的良品率，使成本降低；而本发明所述软性基材的封装结构主要具有由导电材及软性载板上下接着的软性基材，所述软性基材形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材上接着有芯片，且覆盖有热固性材料。
【专利说明】软性基材的封装工艺及其结构
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种软性基材的封装工艺及其结构，特别是指一种利用前工艺、装载、封装、卸载、激光等步骤完成软性基材的封装工艺，其主要是借由装载步骤在软性基材上接着承载补强板，使得软性基材在封装工艺中减少翘曲、变形，可精确进行芯片的封装作业，有效提升芯片封装工艺的良品率，使成本降低的软性基材的封装工艺及其结构。
【背景技术】
[0002]随着电子产业的蓬勃发展与信息产品的扩增，对半导体电子元件的需求日益殷切，因此，在科技进步及市场需求下，半导体元件的封装技术进步迅速，主要是将铜箔经由冲切、蚀刻、冲压等工艺制作而成导线基材，并在导线基材上进行芯片的封装作业的封装技术，迄今，导线基材的封装技术已渐趋成熟。
[0003]而公知较常见的导线架基材的封装技术为球状矩阵(Ball Grid Array,以下简称BGA)封装技术，而公知BGA封装技术根据使用导线基材材料的不同，分为塑料球栅阵列(Plastic BGA，以下简称PBGA)、卷带球栅阵列(Tape BGA，以下简称TBGA)等封装技术。
[0004]请参阅图1，图1为公知卷带球栅阵列封装技术的封装结构；由图可知，所述导线基材4是由电镀层40、导电材41以及软性载板42所组合而成，所述导电材41上、下方分别形成有电镀层40，所述导电材41上方的电镀层40上形成有粘着层C，所述导电材41下方的电镀层40上接着有软性载板42，所述软性载板42穿置有锡球A，所述导线基材4中间断开处连接有绝缘层B，在绝缘层B上设置有芯片E，于芯片E两侧形成有绝缘层B，且于芯片E上方覆盖有热固性材料F，其中，于粘着层C、热固性材料F上方覆盖有散热层D。
[0005]所述导线基材4的导电材41为铜箔，而所述软性载板42为酰胺化合物(Polyimide, PI)，因此，导线基材4既轻且薄，能够较以往完成更小间距的封装尺寸，因此被广泛应用于内存或通讯IC或高附加价值的IC上。
[0006]然，由于TBGA封装技术是采用可挠性的卷带式基板(如前述由电镀层40、导电材41以及软性载板42所组合而成的导线基材4)，因此，在利用TBGA封装技术进行芯片封装时，可挠性的卷带式基板常有翘曲、变形的情况发生，降低封装工艺的良品率。
【发明内容】
[0007]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种利用前工艺、装载、封装、卸载、激光等步骤完成软性基材的封装工艺，主要借由装载步骤在软性基材上接着承载补强板，使得软性基材在封装工艺中减少翘曲、变形，可精确进行芯片的封装作业，有效提升芯片封装工艺的良品率，使成本降低的软性基材的封装工艺及其结构。
[0008]根据上述目的，本发明提供一种软性基材的封装工艺，大致包含有前工艺、装载、激光及封装等步骤；该前工艺主要是将一由导电材及软性载板上下接着的软性基材经过薄膜、光罩、蚀刻工艺而形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，其中，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与一为酰胺化合物(Polyimide, PI)的软性载板上下相互接着而成，而在导线及软性载板上方可依需求涂布防焊漆。
[0009]接着，在软性基材的外框架上方、外框架下方的软性载板、或者同时在软性基材的外框架上方及外框架下方的软性载板上接着承载补强板，以增加软性基材的结构强度。
[0010]接续，在软性载板上进行激光钻孔作业，使得软性载板上形成有与导线相互连通的导孔，而在软性载板上可依需求设置与焊垫相连通的整数个导孔，其中，在与导孔相连通的导线及焊垫表面镀有金属保护层；续再于芯片基材上进行芯片的封装作业。
[0011]最后，再利用热固性材料在接着有芯片的芯片基材上进行封胶作业；其中，所述激光及封装步骤可依使用者需求而变换顺序，倘若激光步骤在封装步骤之后，则在与导孔相连通的导线及焊垫表面不形成有金属保护层；此外，当软性载板下方为完全接着承载补强板时，使用者必须在激光步骤前先进行卸载步骤移除软性载板下方的承载补强板，以维持激光质量；据此，本发明可借由承载补强板增加软性基材的结构强度，有效地提升芯片封装工艺的良品率，同时使成本降低。
[0012]因此，依据前述的封装工艺可知，本发明所述软性基材的封装结构，主要是具有由导电材及软性载板上下接着的软性基材，所述软性基材形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，其中，所述软性载板内形成有连通导线的导孔以及连通焊垫的整数个导孔，在焊垫上接着有芯片，所述芯片上是以锡球或金属线与导线接着导通，而在接着有芯片的芯片基材上覆盖有热固性材料；而所述软性基材的外框架上方、或外框架下方的软性载板上、或者同时在软性基材的外框架上方及对应外框架下方的软性载板上接着有承载补强板。
[0013]本发明所述软性基材的封装工艺及其结构，具有如下有益效果:
1、使用者可依据软性载板上所接着的承载补强板，而依需求选择激光及封装得先后顺
序;
2、借由软性基材的外框架上方及软性载板上所接着的承载补强板，使得软性基材在封装工艺中减少翘曲、变形，可精确进行芯片的封装作业，提升芯片封装工艺的良品率。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为公知卷带球栅阵列封装技术的封装结构；
图2为本发明实施例1的流程及其结构图；
图3为本发明实施例2的流程及其结构图；
图4为本发明实施例3的流程及其结构图；
图5为本发明实施例4的流程及其结构图；
图6为本发明实施例5的流程及其结构图；
图7为本发明实施例6的流程及其结构图；
图8为本发明实施例7的流程及其结构图；
图9为本发明实施例8的流程及其结构图；
图10为本发明实施例9的流程及其结构图；
图11为本发明实施例10的流程及其结构图； 图12A为本发明实施例11的流程及其结构图一； 图12B为本发明实施例11的流程及其结构图二。
[0015]附图标记说明
1软性基材的封装工艺
10前工艺
11装载
12激光
13封装
14卸载
2软性基材
20外框架
21芯片基材
210焊垫 2100导孔
211导线
212软性载板 2120导孔
213芯片
214金属线
215热固性材料
216锡球
22锡球
23金属保护层
24热球
25防焊漆
3承载补强板
4导线基材
40电镀层
41导电材
42软性载板 A锡球
B绝缘层
C粘着层
D散热层
E芯片
F热固性材料
G导电材
GO第一导电材
Gl第二导电材。【具体实施方式】
[0016]为便于对本发明的目的、效果以与构造特征能有更详细明确的了解，列举出如下所述的较佳实施例并结合附图进行说明。
[0017]实施例1 请参阅图2。
[0018]由图可知，本发明所述软性基材的封装工艺1，其包含有下列步骤:
前工艺10:将一由导电材G及软性载板212上下接着而成的软性基材2经过薄膜、光罩、蚀刻工艺后形成有外框架20，所述软性基材2的外框架20内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材21，所述芯片基材21是由一焊垫210及两个以上相互断开的导线211与软性载板212上下相互接着而成；其中，所述软性载板212为酰胺化合物(Polyimide，PD，所述焊垫210及导线211是由第一导电材GO及第二导电材Gl上下接着而成，所述第一导电材GO为铜箔，而所述第二导电材Gl可为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
[0019]装载11:所述装载11步骤主要是在软性基材2的外框架20上方接着承载补强板3(其中，所述承载补强板3为铝或不锈钢等的金属材质，也可为聚对苯二甲酸乙二脂(polyethylene terephthalate, PET)或聚萘二 甲酸乙二醇酯(PolyethyleneNaphthalate, PEN)或酰胺化合物(Polyimide, PI)),借以间接增加软性基材2的结构强度。
[0020]激光12:在软性载板212上进行激光钻孔作业，使得软性载板212上形成有与导线211相互连通的导孔2120，而在软性载板212上可依需求设置与焊垫210相连通的整数个导孔2100 (本发明图2是以两个导孔2100为较佳实施)，其中，在分别与导孔2120及导孔2100相连通的导线211及焊垫210表面镀有可为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成金属保护层23。
[0021]封装13:在芯片基材21上进行芯片213的封装作业，主要是在焊垫210上接着芯片213后，再进行焊线作业，使得芯片213通过金属线214或是锡球(图中未示)与芯片基材21的导线211连接导通，接续，再利用为环氧树脂、硅胶或陶瓷的热固性材料215在软性载板212上方及焊垫210与导线211之间进行封胶作业，以令芯片213和外界隔绝，避免金属线214被破坏，同时可防止湿气进入接触芯片213，避免芯片213遭到腐蚀，也可避免不必要的信号干扰，并且能有效地将芯片213运作时所产生的热气排出到外界，提升芯片213散热效果。
[0022]因此，本发明是将为酰胺化合物(Polyimide，PI)的软性载板212来当作软性基材2的组成之一，借以间接增加软性基材2的结构强度，可精确的在软性基材2进行激光12及封装13步骤，徒增利用软性基材2进行芯片213封装工艺的良品率，使成本降低。
[0023]而依据前述的封装工艺可知，本发明实施例1所述软性基材的封装结构，主要是具有由导电材及软性载板212上下接着的软性基材2，所述软性基材形成有外框架20，在外框架20内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材21，所述芯片基材21是由一焊垫210及两个以上相互断开的导线211与为酰胺化合物(Polyimide，PI)的软性载板212上下相互接着而成，而所述软性基材2的外框架20上方额外接着有承载补强板3，其中，所述软性载板212内形成有连通导线211的导孔2120以及连通焊垫210的整数个导孔2100，在焊垫210上接着有芯片213，所述芯片213上是以锡球或金属线214与导线211接着导通，而在接着有芯片213的芯片基材21上覆盖有为环氧树脂、硅胶或陶瓷材质的热固性材料 215。
[0024]实施例2
请参阅图3。
[0025]由图可知，本发明实施例2大致上同于实施例1，其主要差异在于，本发明实施例2可依需求在前工艺10步骤及装载11步骤后，先进行封装13步骤再进行激光12步骤，倘若激光12步骤在封装13步骤之后，则在分别与导孔2120及导孔2100相连通的导线211及焊垫210表面不形成有金属保护层(图中未示)。
[0026]而本发明实施例2同样可在外框架20上接着有承载补强板3的软性基材2上精确的进行芯片213的封装工艺，而其所能达成的功效如同实施例1，在此不再赘述。
[0027]实施例3
请参阅图4。
[0028]由图可知，本发明实施例3大致上同于实施例1，其主要差异在于，本发明实施例3的前工艺10步骤后的装载11步骤所使用的承载补强板3接着在软性基材2的对应外框架20下方的软性载板212上，同样可间接增加软性基材2的结构强度，以精确的进行激光12及封装13步骤，徒增利用软性基材2进行芯片213封装工艺的良品率。
[0029]而依据实施例3的封装工艺可知，本发明实施例3的软性基材的封装结构与实施例I的软性基材的封装结构差异在于，所述承载补强板3接着于软性基材2的外框架20下方的软性载板212上。
[0030]实施例4 请参阅图5。
[0031]由图可知，本发明实施例4大致上同于实施例2，其主要差异在于，本发明实施例4可依需求在前工艺10步骤及装载11步骤后，先进行封装13步骤再进行激光12步骤，同样可在接着有承载补强板3的软性基材2上精确的进行芯片213的封装工艺，而其所能达成的功效如同实施例2，在此不再赘述。
[0032]实施例5 请参阅图6。
[0033]由图可知，本发明实施例5大致上同于实施例1及实施例3，其主要差异在于，本发明实施例5的前工艺10步骤后的装载11步骤主要是在软性基材2的外框架20上方及对应外框架20下方的软性载板212上同时接着有承载补强板3，大幅提升软性基材2的结构强度，可精确的进行激光12及封装13步骤，徒增利用软性基材2进行芯片213封装工艺的良品率及产率，使成本降低。
[0034]而依据实施例5的封装工艺可知，本发明实施例5的软性基材的封装结构与实施例I的软性基材的封装结构的结构差异在于，所述软性基材2的外框架20上方及对应外框架20下方的软性载板212上分别接着有承载补强板3。
[0035]实施例6 请参阅图7。[0036]由图可知,本发明实施例6大致上同于实施例5,其主要差异在于,本发明实施例6可依需求在前工艺10步骤及装载11步骤后，先进行封装13步骤再进行激光12步骤，同样可利用承载补强板3大幅提升软性基材2的结构强度，而其封装工艺所能达成的功效如同实施例5，在此不再赘述。
[0037]实施例7 请参阅图8。
[0038]由图可知，本发明实施例7大致上同于实施例4，其主要差异在于，本发明实施例7的前工艺10步骤的装载11步骤，其主要是在软性载板212下方完全接着承载补强板3，使得软性基材2借由承载补强板3而在封装工艺中减少翘曲、变形，因此，可精确进行芯片213的封装13作业；而当芯片基材21完成封装13步骤后，先进一步进行卸载14步骤，其主要是用以移除软性载板212下方的承载补强板3，使得软性载板212在进行激光12作业时，不会有任何的承载补强板3碎屑残留，保有芯片213运作的质量，免除承载补强板3碎屑有阻碍芯片基材21后续与基板(图中未示)导通的虞虑，有效的维持激光质量，提升芯片封装工艺的良品率。
[0039]实施例8 请参阅图9。
[0040]由图可知，本发明实施例8大致上同于实施例7，其主要差异在于，本发明实施例8在前工艺10步骤后的装载11步骤时，除了在软性载板212下方完全接着承载补强板3之夕卜，同时,在软性基材2的外框架20上方也同时接着有承载补强板3，同样使得软性基材2借由承载补强板3而在封装工艺中减少翘曲、变形，可精确进行后续芯片213的封装工艺，而其封装工艺所能达成的功效如同实施例7，在此不再赘述。
[0041]实施例9
请参阅图10,并配合参阅图2至图9。
[0042]由图可知，本发明实施例9所述软性基材的封装结构是依据前述软性基材的封装工艺所得的软性基材2成品中的芯片基材21的截面视角来当作较佳实施例，其中，所述芯片213是以焊线方式与导线211相互接着导通。
[0043]而所述具有导孔2120的芯片基材21可进行后续的植球作业，使得芯片基材21上的芯片213可借由锡球22与基板(图中未示)接着导通。
[0044]实施例10 请参阅图11。
[0045]由图可知，本发明实施例10大致上同于实施例9，其主要差异在于，实施例10所述芯片基材21上的导线211可为环绕在焊垫210周缘呈矩形阵列形态，使得芯片213可利用复数条金属线214分别连接各个导线211，以连结多个导通信号。
[0046]此外，为了防止芯片213运作时有温度过高的情况发生，可以在焊垫210下方额外设置导孔2100，并且在导孔2100上植上热球24，以利用热球24传导、逸散芯片213的热量，延长芯片213的使用寿命。
[0047]实施例11
请参阅图12A及图12B。
[0048]由图12A可知，本发明实施例11所述软性基材的封装结构大致上同于实施例9及实施例10，其主要差异在于，所述芯片基材21上的两个以上的导孔2120是环绕在焊垫210周缘呈矩形阵列形态，且所述两个以上的导线211的一端分别连结两个以上的导孔2120，而两个以上的导线211另一端则与芯片213连接导通。
[0049]再由图12B可知，所述芯片是以锡球216而分别与复数条导线211及焊垫210相互接着，芯片通过锡球216与复数条导线211相互导通，以连结多个信号；其中，所述焊垫210及两个以上的导线211是由第一导电材GO及第二导电材Gl相互接着而成。
[0050]此外，为了维持两个以上的导线211有良好的导电性，可依需求在芯片213外围的芯片基材21上表面涂布防焊漆25，接着，再于芯片213上以热固型材料215进行封胶作业。
[0051]又，为了防止芯片213运作时有温度过高的情况发生，可以在焊垫210下方额外设置导孔2100，并且在导孔2100上植上热球24，以利用热球24传导、逸散芯片213的热量，延长芯片213的使用寿命。
[0052]而借由上述结构，本发明实施例11的芯片基材21可借由导孔2120进行后续的植球作业，使得芯片基材21上的芯片213可借由锡球22与基板(图中未示)接着导通。
[0053]以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限制本发明的保护范围。
【权利要求】
1.一种软性基材的封装工艺，其特征在于，其包含有下列步骤: 前工艺:将一由导电材及软性载板上下接着的软性基材经过薄膜、光罩、蚀刻工艺而形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而在导线及软性载板上方可依需求涂布防焊漆； 装载:在软性基材的外框架上方接着承载补强板； 激光:在软性载板上进行激光钻孔作业，使得软性载板上形成有与导线相互连通的导孔，而在软性载板上可依需求设置与焊垫相连通的整数个导孔，在与导孔相连通的导线及焊垫表面镀有金属保护层； 封装:在芯片基材上进行芯片的封装作业，接着，再利用热固性材料在接着有芯片的芯片基材上进行封胶作业。
2.如权利要求1所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物。
3.如权利要求1所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成，而所述金属保护层为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
4.如权利要求1所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述热固性材料为环氧树月旨、硅胶或陶瓷。
5.如权利要求1所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，在装载步骤时，在对应外框架下方的软性载板上同时接着有承载补强板。`
6.如权利要求1所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
7.如权利要求1所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
8.一种软性基材的封装工艺，其特征在于，其包含有下列步骤: 前工艺:将一由导电材及软性载板上下接着的软性基材经过薄膜、光罩、蚀刻工艺而形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而在导线及软性载板上方可依需求涂布防焊漆； 装载:在对应外框架下方的软性载板上接着承载补强板； 激光:在软性载板上进行激光钻孔作业，使得软性载板上形成有与导线相互连通的导孔，而在软性载板上可依需求设置与焊垫相连通的整数个导孔，在与导孔相连通的导线及焊垫表面镀有金属保护层； 封装:在芯片基材上进行芯片的封装作业，接着，再利用热固性材料在接着有芯片的芯片基材上进行封胶作业。
9.如权利要求8所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物。
10.如权利要求8所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成，而所述金属保护层为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
11.如权利要求8所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述热固性材料环氧树月旨、硅胶或陶瓷。
12.如权利要求8所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，在装载步骤时，在外框架上方同时接着有承载补强板。
13.如权利要求8所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
14.如权利要求8所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
15.一种软性基材的封装工艺，其特征在于，其包含有下列步骤: 前工艺:将一由导电材及软性载板上下接着的软性基材经过薄膜、光罩、蚀刻工艺而形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而在导线及软性载板上方可依需求涂布防焊漆； 装载:在软性基材的外框架上方接着承载补强板； 封装:在芯片基材上进行芯片的封装作业，接着，再利用热固性材料在接着有芯片的芯片基材上进行封胶作业； 激光:在软性载板上进行激光钻孔作业，使得软性载板上形成有与导线相互连通的导孔，而在软性载板上可依需求设置与焊垫相连通的整数个导孔。
16.如权利要求15所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物。
17.如权利要求15所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，而所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
18.如权利要求15所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述热固性材料为环氧树脂、硅胶或陶瓷。
19.如权利要求15所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，在装载步骤时，在对应外框架下方的软性载板上同时接着有承载补强板。
20.如权利要求15所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
21.如权利要求15所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
22.一种软性基材的封装工艺，其特征在于，其包含有下列步骤: 前工艺:将一由导电材及软性载板上下接着的软性基材经过薄膜、光罩、蚀刻工艺而形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而在导线及软性载板上方可依需求涂布防焊漆；装载:在对应外框架下方的软性载板上接着承载补强板； 封装:在芯片基材上进行芯片的封装作业，接着，再利用热固性材料在接着有芯片的芯片基材上进行封胶作业； 激光:在软性载板上进行激光钻孔作业，使得软性载板上形成有与导线相互连通的导孔，而在软性载板上可依需求设置与焊垫相连通的整数个导孔。
23.如权利要求22所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物。
24.如权利要求22所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，而所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
25.如权利要求22所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述热固性材料为环氧树脂、硅胶或陶瓷。
26.如权利要求22所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，在装载步骤时，在外框架上方同时接着有承载补强板。
27.如权利要求22所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
28.如权利要求22所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
29.一种软性基材的封装工艺，其特征在于，其包含有下列步骤: 前工艺:将一由导电材及软性载板上下接着的软性基材经过薄膜、光罩、蚀刻工艺而形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而在导线及软性载板上方可依需求涂布防焊漆； 装载:在软性载板下方接着承载补强板； 封装:在芯片基材上进行芯片的封装作业，接着，再利用热固性材料在接着有芯片的芯片基材上进行封胶作业； 卸载:移除软性载板下方的承载补强板； 激光:在软性载板上进行激光钻孔作业，使得软性载板上形成有与导线相互连通的导孔，而在软性载板上可依需求设置与焊垫相连通的整数个导孔。
30.如权利要求29所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物。
31.如权利要求29所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，而所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
32.如权利要求29所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述热固性材料为环氧树脂、硅胶或陶瓷。
33.如权利要求29所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，在装载步骤时，在外框架上方同时接着有承载补强板。
34.如权利要求29所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
35.如权利要求29所述的软性基材的封装工艺，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
36.一种软性基材的封装结构，主要是具有由导电材及软性载板上下接着的软性基材，所述软性基材形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而所述软性基材的外框架上接着有承载补强板，其特征在于， 所述软性载板内形成有连通导线的导孔以及连通焊垫的整数个导孔，在焊垫上接着有芯片，而在接着有芯片的芯片基材上覆盖有热固性材料。
37.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物。
38.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，而所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
39.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述热固性材料为环氧树脂、硅胶或陶瓷。
40.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
41.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
42.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，在与导孔相连通的导线及焊垫表面镀有为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成的金属保护层。
43.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述芯片是以金属线与所述导线接着导通。
44.如权利要求36所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述芯片是以锡球与所述导线接着导通。
45.一种软性基材的封装结构，主要是具有由导电材及软性载板上下接着的软性基材，所述软性基材形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而所述外框架下方的软性载板上接着有承载补强板，其特征在于， 所述软性载板内形成有连通导线的导孔以及连通焊垫的整数个导孔，在焊垫上接着有芯片，而在接着有芯片的芯片基材上覆盖有热固性材料。
46.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物。
47.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，而所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
48.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述热固性材料为环氧树脂、硅胶或陶瓷。
49.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
50.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
51.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，在与导孔相连通的导线及焊垫表面镀有为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成的金属保护层。
52.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述芯片是以金属线与所述导线接着导通。
53.如权利要求45所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述芯片是以锡球与所述导线接着导通。
54.一种软性基材的封装结构，主要是具有由导电材及软性载板上下接着的软性基材，所述软性基材形成有外框架，在外框架内形成有由两个以上呈矩形阵列排列的芯片基材，所述芯片基材是由一焊垫及两个以上相互断开的导线与软性载板上下相互接着而成，而所述软性基材的外框架上方与对应外框架下方的软性载板分别接着有承载补强板，其特征在于， 所述软性载板内形成有连通导线的导孔以及连通焊垫的整数个导孔，在焊垫上接着有芯片，而在接着有芯片的芯片基材上覆盖有热固性材料。
55.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述软性载板为酰胺化合物 Polyimide, PI。
56.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述焊垫及导线是由一第一导电材及一第二导电材 上下接着而成，所述第一导电材为铜箔，而所述第二导电材为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成。
57.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述热固性材料为环氧树脂、硅胶或陶瓷。
58.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述承载补强板为金属材质。
59.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述承载补强板为聚对苯二甲酸乙二脂或聚萘二甲酸乙二醇酯或酰胺化合物。
60.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，在与导孔相连通的导线及焊垫表面镀有可为铜、银、镍、钯或金的单一组合或多重组合而成的金属保护层。
61.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述芯片是以金属线与所述导线接着导通。
62.如权利要求54所述的软性基材的封装结构，其特征在于，所述芯片是以锡球与所述导线接着导通。
【文档编号】H01L21/50GK103594425SQ201210289832
【公开日】2014年2月19日 申请日期:2012年8月15日 优先权日:2012年8月15日
【发明者】黄嘉能, 杨顺卿, 陈子仁 申请人:长华电材股份有限公司