专利名称：电子装置和半导体基板的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体基板以及使用所述半导体基板的电子装置，所述半导体基板设置有包含有机半导体层的薄膜晶体管。
背景技术：
近年来，各种各样的电子装置使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件等，并且该TFT作为半导体基板的一部分而被安装至电子装置上。关于TFT，一种使用有机半导体材料来形成半导体层(沟道层)的有机TFT最近被认为有望取代使用无机半导体材料来形成半导体层的无机TFT。这是因为对于有机TFT，能够通过涂布法(coating)来形成半导体层，从而实现成本下降。同时，对于有机TFT,半导体层能够在比气相沉积法(vapor deposition)等方法的温度低的温度下予以形成，由此能够使用低耐热柔性塑料膜等作为支撑基底。在包含有机TFT的各种电子装置中，诸如显示装置等电子装置使用了光源。这样的显示装置的代表实例有包括发光层的有机电致发光(electroluminescence ；EL)显示装置、设置有背光源的液晶显示装置，等等。这里关注的是当来自光源的光到达有机TFT的有机半导体层时，该有机半导体层可能会意外地吸收某个波长范围的光。这导致在该有机半导体层中产生了预期之外的掺杂，因此，有机TFT中的诸如阈值电压等电特性易于劣化。为了减小来自光源的光的影响，迄今为止已经提出了许多相关技术。具体而言，在使用无机TFT的有机EL显示装置中，为了防止由非晶硅等制成的无机半导体层的电特性的劣化，在发光层与无机TFT之间设置有黑色的遮光层(例如，参见日本专利申请特开第2002-108250号公报)。此外，在使用有机TFT的液晶显示装置中，为了防止由并五苯等制成的有机半导体层的电特性的劣化，使用的遮光膜是设置于背光源与有机半导体层之间的栅极电极(例如，参见日本专利申请特开第2006-114862号公报)。
发明内容
为了推广利用有机TFT的电子装置的使用，期望有能够抑制有机半导体层的电特性的劣化的措施。然而，目前还没有充分采用这样的措施。因此，期望提供能够确保有机半导体层的电特性的半导体基板和电子装置。本发明一个实施例的电子装置包括光源；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。本发明另一实施例的电子装置包括光源；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。本发明又一实施例的半导体基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波 长范围的光透过。本发明再一实施例的半导体基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。根据本发明上述各实施例的半导体基板和电子装置，在将光引导至有机半导体层的路径中设置有吸光透光层。所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光并且允许剩余的其他波长范围的光透过，或者所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。因此，能够确保所述有机半导体层的电特性。需要理解的是，上面的总体说明和下面的详细说明都是示例性的，并且都旨在为如权利要求书所要求保护的技术提供进ー步的解释。
这里提供了附图以便进ー步理解本发明，这些附图被并入本说明书中且构成本说明书的一部分。这些附示了实施例，并且与本说明书一起用来解释本发明的原理。图I是示出了本发明第一实施例的电子装置(有机EL显示装置)的结构的截面图。图2示出了用于形成有机半导体层的材料的示例性吸收光谱。图3是示出了变形例中的电子装置(有机EL显示装置)的结构的截面图。图4是示出了本发明第二实施例的电子装置(液晶显示装置)的结构的截面图。
具体实施例方式下面，将參照附图来详细说明本发明的实施例。按照下面的顺序进行说明。I、第一实施例中的电子装置(有机EL显示装置)2、第二实施例中的电子装置(液晶显示装置)I、第一实施例中的电子装置(有机EL显示装置)有机EL显示装置的结构首先说明的是本发明第一实施例的电子装置。这里的电子装置是作为示例性显示装置的有机EL显示装置，并且包含有机TFT作为开关元件。请注意，由于这里说明的电子装置采用了本发明实施例的半导体基板，所以下面将会一起说明该电子装置和该半导体基板。
图I示出了有机EL显示装置的截面结构。该有机EL显示装置在支撑基底11上包括平坦化绝缘层12、有机TFT 20、下部层间绝缘层13、上部层间绝缘层14、像素电极15、像素分隔绝缘层16、有机EL层17、对置电极18和对置基底19。图I示出了与一个像素(例如，一个有机EL层17)对应的区域，并且各像素包括任意数量的有机TFT 20。图I示出了各像素均包括两个有机TFT 20 (它们分别用于驱动和选择)的情况，但是有机TFT 20的数量可以是一个或者三个或者更多个。有机TFT 20、像素电极15和有机EL层17这些组件例如根据像素的排列以矩阵形式布置着。需要注意的是，图I中示出的向上的箭头表示从有机EL层17生成的成像用的光L的主要出射方向。换言之，图I的有机EL显示装置是通过让光L经由对置基底19向上出射来进行图像显示的顶部出射型。支撑基底11例如可以由塑料材料、金属材料和/或无机材料等中的一种或两种或更多种制成。 上述塑料材料例如包括(但不限于)聚甲基丙烯酸甲脂(PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酹(polyvinyl phenol ;PVP)、聚醚砜(PES)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI )、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚醚酮(PEEK)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚苯硫醚(PPS)和三醋酸纤维素(triacetylcellulose ;TAC)。上述金属材料例如包括(但不限于)铝(Al)、镍(Ni)、铁(Fe)、铬(Cr)、不锈钢以及上述金属的合金。上述无机材料例如包括(但不限于)硅(Si)、氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氧化铝(AlOx)和任意其它的金属氧化物。这里，氧化硅例如包括(但不限于)玻璃、石英和旋涂式玻璃(S0G)。例如，该支撑基底11可以是诸如晶圆等具有刚性的基板，或者是具有挠性的薄膜或箔片。此外，在支撑基底11的表面上可以设置有具有预定功能的涂层。该涂层例如包括(但不限于)用于确保高粘合性的缓冲层和用于防止气体释放的气体阻隔层。这里，支撑基底11可以是单层结构或多层结构。当其是多层结构时，支撑基底11包括分别由任意的上述各种材料制成的两层或更多层。单层结构或多层结构不限于支撑基底11，下面将要说明的任意其它组件都可以具有单层结构或多层结构。平坦化绝缘层12包括诸如聚酰亚胺等绝缘树脂材料。有机TFT 20是包括有机半导体层23的薄膜晶体管。该有机TFT 20可以包括例如栅极电极21、栅极绝缘层22、有机半导体层23、源极电极24和漏极电极25。具体来讲，这里的有机TFT 20是底栅顶接触型，其包括位于有机半导体层23下侧的栅极电极21以及叠置于有机半导体层23上侧的源极电极24和漏极电极25。这里，“下侧”和“上侧”分别表示靠近支撑基底11侧和远离支撑基底11侧。作为替代方案，有机TFT20可以是包括位于有机半导体层23上侧的栅极电极21的顶栅型，或者可以是包括叠置于有机半导体层23下侧的源极电极24和漏极电极25的底接触型。栅极电极21形成在平坦化绝缘层12上，并且例如可以包括金属材料、无机导电材料、有机导电材料和/或碳材料等中的一种或两种或更多种。上述金属材料例如包括(但不限于)铝、铜(Cu)、钥(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍、IE(Pd)、金(Au)、银(Ag)、钼(Pt)、鹤(W)、钽(Ta)以及上述金属的合金。上述无机导电材料例如包括(但不限于)氧化铟(Ιη203)、铟锡氧化物(ΙΤ0)、铟锌氧化物(ΙΖ0)和氧化锌(ZnO)0上述有机导电材料例如包括(但不限于)聚乙撑二氧噻吩(PED0T)、聚苯乙烯磺酸(polystyrenesulfonate ；PSS)和聚苯胺(PANI)。上述碳材料例如包括(但不限于)石墨。这里需要注意的是，栅极电极21可以是多层结构(例如PED0T/PSS)。栅极绝缘层22被形成为至少覆盖栅极电极21，并且例如可以包括无机绝缘材料和/或有机绝缘材料中的一种或两种或更多种。上述无机绝缘材料例如包括(但不限干)氧化硅、氮化硅、氧化铝、氧化钛(TiO2)、氧化铪(HfOx)和钛酸钡(BaTiO3)。上述有机绝缘材料例如包括(但不限于)聚こ烯基苯酚(PVP )、聚こ烯醇(PVA )、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酷、聚丙烯酸酯、聚(丙烯酸-甲基丙烯酸酯)(poly (acrylete-methacrylate))、环氧树脂、苯并环丁烯(BCB)、氟树脂(fluororesin)、光敏聚酰亚胺、光敏酹醒树脂和聚对ニ甲苯。有机半导体层23形成在栅极绝缘层22上，并且例如可以包括(但不限干)下列有机半导体材料中的ー种或两种或更多种(1)聚吡咯；(2)聚噻吩；(3)异硫茚，例如聚异硫却(polyisothianaphthene) ； (4)噻吩こ炔，例如聚噻吩こ炔(polythienylenevinylene) ； (5)聚对苯こ烯(poly (p-phenylenevinylene)),例如聚对苯こ烯；(6)聚苯胺；(7)聚こ炔；(8)聚ニこ炔；(9)聚奥；(10)聚芘；(11)聚咔唑；(12)聚硒吩；(13)聚呋喃;(14)聚对苯撑(poly (p-phenylene) )； (15)聚H引哚；(16)聚咕嗪；(17)并苯，例如并四苯、并五苯、并六苯、并七苯、ニ苯并五苯(dibenzo pentacene)、四苯并五苯(tetrabenzo·pentacene)、花、ニ苯并花、Q (chrysene)、ニ萘嵌苯、六苯并苯、漆纟仑、卵苯(ovalene)、夸特锐烯(quaterrylene)和循环蒽；(18)在并苯类中用诸如氮(N)、硫(S)或氧(0)等原子或者用诸如羰基等官能基取代一部分碳原子后得到的衍生物，例如三苯ニ噁嗪、三苯ニ噻嗪和并六苯_6，15-醌；(19)聚合材料和多环缩合化合物，所述聚合材料例如是聚こ烯基咔唑、聚苯硫醚和聚亚こ烯基硫(polyvinylene sulfide)等；(20)低聚物,其具有与上述聚合材料中的重复单元相同的重复单元；(21)金属酞菁，例如铜酞菁；(22)四硫富瓦烯；(23)四硫并环戍烯(tetrathiapentalene) ； (24)萘 I, 4, 5, 8_ 四羧酸ニ酰亚胺、N，N，-双(4-三氟甲基苯甲基)萘1，4，5,8-四羧酸ニ酰亚胺、N，N，-双(1H，IH-全氟辛基)、N，N，-双(1H, IH-全氟丁基)、或者N，N’- ニ辛基-萘1，4，5，8-四羧酸ニ酰亚胺衍生物；(25)萘四羧酸ニ酰亚胺，例如萘2，3，6，7-四羧酸ニ酰亚胺；(26)稠环四羧酸ニ酰亚胺，其典型代表有蒽四羧酸ニ酰亚胺，例如蒽2，3，6，7-四羧酸ニ酰亚胺等；(27)富勒烯，例如C60、C70、C76、C78和C84 ;(28)碳纳米管，例如单壁纳米管(SWNT);(29)颜料，例如部花青(merocyanine)颜料和半菁(hemicyanine)颜料；以及(30)迫咕吨并咕吨化合物，例如2，9_ ニ萘基迫咕吨并咕吨。除了上述这些材料之外，有机半导体材料也可以是上述材料的衍生物。所述衍生物是在上述材料中包含一种或两种或更多种取代基的材料。取代基的种类、取代基的位置等是任选的。源极电极24和漏极电极25彼此分离地形成在栅极绝缘层22上，并且都部分地重叠在有机半导体层23上。源极电极24和漏极电极25例如可以均包括与栅极电极21的材料类似的材料。下部层间绝缘层13被形成为至少覆盖有机TFT 20，并且例如可以包括与栅极绝缘层22的材料类似的材料。该有机EL显示装置包括具有预定的光吸收透过特性的吸光透光层。该吸光透光层设置在将光L引导至有机半导体层23的路径中，光L是从下面将要说明的作为光源的有机EL层17生成的。这里，作为示例性电子装置的有机EL显示装置所采用的半导体基板是除了包括有机TFT 20和吸光透光层之外还包括任意一个或多个组件(例如，支撑基底11)的基板。在这样的半导体基板中，吸光透光层可以设置在将外部光(包括从光源生成的光L)引导至有机半导体层23的路径中。措词“将光L引导至有机半导体层23的路径”不限于将有机EL层17和有机半导体层23直线连接起来的路径(最短路径)，也可以是绕过最短路径的任意路径，只要该路径最终将光L引导至有机半导体层23即可。可以这样配置的原因之一在于有机EL显示装置可以包括一个或两个或更多个光反射组件，通过一次或两次或更多次的反射过程，光L在绕过最短路径后最终到达有机半导体层23。更加具体地，例如，有机EL显示装置中的一些组件一般是由诸如金属材料等光反射材料形成的。这样的组件例如可以包括栅极电极21、源极电极24、漏极电极25或像素电极15等。在此情况下，例如，取决于上述这样的光反射组件的反射角度，光L可能会意外地到达有机半导体层23。这里，取决于例如支撑基底11的材料，还存在如下的可能性来自外部的光意外地透过支撑基底11并且到达有机半导体层23。这里，吸光透光层例如是上部层间绝缘层14。该上部层间绝缘层14被形成为至少 覆盖下部层间绝缘层13，并且位于有机半导体层23与有机EL层17之间。关于上述的预定的光吸收透过特性，该上部层间绝缘层14具有如下特性其吸收包括有机半导体层23的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且让剩余的其他波长范围的光透过。将要被上部层间绝缘层14吸收的光(吸收波长范围的光)的波长范围没有特别的限制，只要其包括有机半导体层23的光吸收波长范围的至少一部分即可。更加具体地，这样的光的波长范围可以是有机半导体层23的光吸收波长范围的整个范围，或者可以是有机半导体层23的光吸收波长范围的一部分，或者可以是有机半导体层23的光吸收波长范围的整个范围或一部分与该光吸收波长范围以外的波长范围的组合。让上部层间绝缘层14具有光吸收透过特性的一些理由如下所述。第一，由于上部层间绝缘层14吸收了有机半导体层23的吸收波长范围的光的至少一部分，所以该吸收波长范围的光不易于被有机半导体层23吸收。这就抑制了有机半导体层23的电特性的劣化。在此情况下，特别地，由于上部层间绝缘层14设置于有机EL层17与有机半导体层23之间，所以该吸收波长范围的光不易于被有机半导体层23吸收。第二，为了获得上述光吸收透过特性，上部层间绝缘层14可以不必像在使用普通的黑色抗蚀剂材料的情况下那样在高温下烧制而成。因此，抑制或防止了由于高温烧制等原因而导致的有机半导体层23的电特性的劣化。第三，在上部层间绝缘层14被形成为吸收上述吸收波长范围的光而让光学处理时所用的波长范围的光透过的情形下，不管是否使用光吸收性的上部层间绝缘层14，利用透过上部层间绝缘层14的光可以进行任何所期望的光学处理。措词“光学处理”可以指在有机EL显示装置的制造过程中为了达到任何所期望的目的而利用光执行的任何处理，并且例如可以包括(但不限于)通过光刻法执行的光学图形化处理、光硬化反应、或者切口加工(breaching)(使光反应部分变得透明化)等。这里，光学处理可以是如下的任何处理对上部层间绝缘层14自身进行加工；或者利用透过上部层间绝缘层14的光对任何其它组件进行加工；或者对上述两者均进行加工。作为实例，当上部层间绝缘层14被构造为其光透过波长范围包括用于对上部层间绝缘层14进行光学图形化处理的波长范围时，上部层间绝缘层14经过高精度的图形化处理可以成为任何所期望的形状(锥形)。因此，在有机EL显示装置的制造过程中，易于形成上部层间绝缘层14，并且上部层间绝缘层14具有更高的形成精度。将要被上部层间绝缘层14吸收的光的波长范围和将要透过上部层间绝缘层14的光的波长范围都是根据诸如上述光学处理的类型等条件来任意确定的。用于形成上部层间绝缘层14的材料没有特别的限制，并且可·以是无机材料、有机材料或者两者兼有，只要该材料是绝缘的并且具有光吸收透过特性即可。当使用有机材料时，该材料可以包括与有机半导体层23的材料的主要骨架(有机半导体骨架)相同的骨架，或者可以包括该有机半导体骨架以外的任意其它骨架。前一种有机材料例如可以包括用于提供作为有机半导体的特性的部分(有机半导体骨架)和用于提供作为绝缘体的特性的部分。用于提供作为绝缘体的特性的部分可以是普通层间绝缘层的形成材料，并且可以是聚合材料，这样的聚合材料例如包括(但不限干)聚こ烯基苯酚、聚酰亚胺树脂、酚醛树脂、肉桂酸酯树脂、丙烯酸树脂、环氧树脂、苯こ烯树脂、聚对ニ甲苯和聚尿酸(poly-uric acid)。上述有机半导体骨架可以包含于该聚合材料的主链中或侧链中，或者该聚合材料的主链和侧链中都含有上述有机半导体骨架。除此以外，上部层间绝缘层14的材料可以是有机材料(包含上述有机半导体骨架的材料)与绝缘聚合材料的混合物。特别地，当有机半导体层23是由包括预定的有机半导体骨架的有机半导体材料制成的时候，上部层间绝缘层14优选包括含有与上述有机半导体材料的骨架相同的骨架的材料(有机绝缘材料)。其原因之ー在于有机半导体层23的吸收波长范围主要是根据有机半导体骨架的类型来确定的，并且当上部层间绝缘层14含有与有机半导体层23的有机半导体骨架相同的骨架时，能够确保上部层间绝缘层14更易于吸收上述吸收波长范围的光。下面说明的是上部层间绝缘层14的形成材料的具体示例，即包含与有机半导体层23的有机半导体骨架相同的骨架的材料。当有机半导体层23的材料是由下面的化学式(I)表示的迫咕吨并咕吨衍生物吋，上部层间绝缘层14的材料是由下面的化学式(2)表示的聚こ烯基苯酚衍生物。该聚こ烯基苯酚衍生物是用上述迫咕吨并咕吨衍生物部分地取代聚こ烯基苯酚而得到的化合物。在该聚こ烯基苯酚衍生物中，主要地说，迫咕吨并咕吨衍生物这个部分吸收上述吸收波长范围的光，而聚こ烯基苯酚这个部分提供绝缘特性。需要注意的是，在化学式(I)和化学式
(2)中，“R”表示烃基(碳数量没有特别限制)，并且该烃基例如可以包括(但不限干)甲基和こ基。这里，两个“R”可以是相同的类型或者不同的类型。代表重复单元的数量的“m”和“n”的值分别取任意数值，只要该数值是I以上的整数即可。这里，“m”和“n”的值可以取相同值或不同值。化学式(I)和化学式⑵
权利要求
1.一种电子装置，所述电子装置包括 光源； 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包含有机半导体层；以及 吸光透光层，所述吸光透光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。
2.根据权利要求I所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。
3.根据权利要求I所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层的光吸收波长范围包括与所述有机半导体层的吸收光谱中出现的单个或多个吸收峰中的至少一个吸收峰相对应的波长范围。
4.根据权利要求I所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层的光透过波长范围包括光学处理所用的光的波长范围。
5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层的所述光透过波长范围包括对所述吸光透光层进行光学图形化时所用的光的波长范围。
6.根据权利要求I所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层是绝缘层。
7.根据权利要求I所述的电子装置，其特征在于，所述吸光透光层是导电层。
8.根据权利要求I所述的电子装置，其特征在于，在有机电致发光显示装置中，所述光源是有机电致发光层，所述吸光透光层设置于所述有机电致发光层与所述有机半导体层之间。
9.根据权利要求I所述的电子装置，其特征在于，在液晶显示装置中，所述光源是背光源，所述吸光透光层设置于所述背光源与所述有机半导体层之间。
10.根据权利要求I所述的电子装置，还包括遮光层，所述遮光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的所述路径中，所述遮光层用于遮挡从所述光源生成的光。
11.根据权利要求10所述的电子装置，所述遮光层是非透光性电极。
12.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，在有机电致发光显示装置中，所述吸光透光层是层间绝缘层、像素分隔绝缘层、栅极绝缘层和平坦化绝缘层中的至少一者。
13.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，在有机电致发光显示装置中，所述吸光透光层是栅极电极、源极电极、漏极电极和像素电极中的至少一者。
14.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，在液晶显示装置中，所述吸光透光层是层间绝缘层、栅极绝缘层和平坦化绝缘层中的至少一者。
15.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，在液晶显示装置中，所述吸光透光层是栅极电极、源极电极和漏极电极中的至少一者。
16.一种电子装置，所述电子装置包括 光源； 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及 吸光透光层，所述吸光透光层设置于将从所述光源生成的光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。
17.一种半导体基板，所述半导体基板包括 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及 吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。
18.根据权利要求17所述的半导体基板，其特征在于，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。
19.一种半导体基板，所述半导体基板包括 薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及 吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中，所述吸光透光层包含与所述有机半导体层的有机半导体骨架实质上相同的有机半导体骨架。
全文摘要
本发明涉及半导体基板和电子装置。所述半导体基板包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有机半导体层；以及吸光透光层，所述吸光透光层设置于将外部光引导至所述有机半导体层的路径中。所述吸光透光层吸收包括所述有机半导体层的光吸收波长范围的至少一部分的波长范围的光，并且允许剩余的其他波长范围的光透过。所述电子装置包括光源和上述薄膜晶体管，从所述光源生成的光作为所述外部光。本发明的所述半导体基板和所述电子装置能够确保所述有机半导体层的电特性。
文档编号H01L51/10GK102956824SQ20121029586
公开日2013年3月6日 申请日期2012年8月17日 优先权日2011年8月25日
发明者胜原真央, 汤本昭 申请人:索尼公司