专利名称：封装基板阻焊制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种封装基板阻焊制作方法。
背景技术：
封装基板通常没有阻焊要求，但对于有阻焊要求的封装基板，板面阻焊在焊接和使用过程中的可靠性非常重要，由此封装基板阻焊通常会有相应的可靠性测试。封装基板上阻焊有几项比较难通过的测试项目，压力锅试验就是其中一种。采用常规方法制作封装基板阻焊后，进行压力锅测试阻焊很容易出现发白起泡现象。具体地说，常规丝印阻焊关键工艺流程为前处理一丝印阻焊一预烘一曝光一显影一后固化。对于该工艺流程，丝印阻焊时因封装基板线宽/间距很小，加上阻焊黏度较大，所以阻焊很难充分与基材和线路结合，特别是线路之间的间隙内部。根据应用环境的要求，部分封装基板丝印阻焊后需要进行压力锅试验，压力锅试验时封装基板必须经过121°C ±2°C，相对湿度100% RH，蒸汽压力205kPa条件下168+0/+5h的测试。进行压力锅试验时，在高温、高压、高湿度的条件下，常规工艺获得的阻焊不够致密，且与板面结合不够紧密，容易被水汽渗透造成阻焊发白起泡的问题，无法满足可靠性要求。因此，希望提供一种能够解决压力锅试验后阻焊发白起泡的问题的封装基板阻焊制作方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够解决压力锅试验后阻焊发白起泡的问题的封装基板阻焊制作方法。根据本发明，提供了一种封装基板阻焊制作方法，其包括依次执行的步骤第一步骤在对封装基板进行前处理之后执行阻焊丝印；第二步骤对封装基板进行预烘；第三步骤利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第一次压合，以便对封装基板上的阻焊进行抽真空、加热及加压；第四步骤利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第二次压合，以便对封装基板上的阻焊进行加热、加压及平坦化；第五步骤对封装基板上的阻焊执行曝光、显影、后固化。优选地，在所述第一步骤中，执行阻焊丝印之后得到的阻焊湿膜的厚度为40-60 μ mD优选地，在第二步骤中，预烘的温度和时间分别为60-80° c、40-60min。优选地，在所述第三步骤中，在预烘后，在封装基板上布置平整的离型膜，此后在利用上盖片及下盖片覆盖封装基板的情况下，对封装基板进行抽真空，接着对封装基板进行第一次热压。优选地，在所述第三步骤中，热压压力为2-5. 2MPa，热压温度为60-80° C，热压时间为 20-40S。优选地，所述上盖片和所述下盖片是胶质材料。优选地，在第四步骤中，在完成第三步骤的处理后，对封装基板进行第二次热压，其中增加热压温度和热压压力使得第四步骤中热压温度和热压压力分别大于第三步骤中的热压温度和热压压力。优选地，在第四步骤中，在对封装基板进行第二次热压之后，使封装基板通过载膜冷却后，利用载膜卷曲装置将载膜去除，离型膜待板面充分冷却后手工去除。优选地，在所述第三步骤和第四步骤中，采用其它类型的可与阻焊轻松剥离且不会在阻焊面上残留凹坑或印痕的离型膜。
优选地，在所述第三步骤和第四步骤中，采用改性树脂复合硅氧材料制成的离型膜。本发明调整了常规丝印阻焊的工艺流程，在曝光前增加了真空压膜工艺；本发明将封装基板上的阻焊通过真空压膜机的抽真空、压合和整平的作用，在曝光前对封装基板上的阻焊进行压合和整平，在保证阻焊厚度的前提下，增加了阻焊自身内部的致密性及其与封装基板板面的结合力，由此通过增加阻焊真空压膜的工艺，使封装基板丝印阻焊后能够耐压力锅试验，从而能够解决现有技术中压力锅试验后阻焊发白起泡的技术问题。
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中图I示意性地示出了根据本发明实施例的封装基板阻焊制作方法的流程图。图2示意性地示出了根据本发明实施例的封装基板阻焊制作方法的真空压膜过程的示意图。需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施例方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。本发明调整了常规丝印阻焊的工艺流程，在曝光前增加了真空压膜工艺。通过增加阻焊真空压膜的工艺，使封装基板丝印阻焊后能够耐压力锅试验。具体地说，图I示意性地示出了根据本发明实施例的封装基板阻焊制作方法的流程图。图I所示的根据本发明实施例的封装基板阻焊制作方法将封装基板上的阻焊通过真空压膜机的抽真空、压合和整平的作用，在曝光前封装基板上的阻焊进行压合和整平，在保证阻焊厚度的前提下，增加阻焊自身内部的致密性及其与封装基板板面的结合力，从而能够解决现有技术中压力锅试验后阻焊发白起泡的技术问题。更具体地说，如图I所示，本发明实施例的封装基板阻焊制作方法包括依次执行的下述步骤
第一步骤SI :在对封装基板进行前处理之后执行阻焊丝印；更具体地说，其中，在封装基板丝印阻焊前，先采用特定的物理和/或化学的方法进行前处理，然后进行阻焊丝印。丝印阻焊时因真空压膜后阻焊厚度会有所降低，为避免出现线条或铜皮上出现阻焊偏薄的现象，所以阻焊湿膜厚度要比常规板厚10-20 μ m左右，例如在具体示例中可使执行阻焊丝印之后得到的阻焊湿膜厚度为40-60 μ m。第二步骤S2 :对封装基板进行预烘。因阻焊厚度增加，所以为了保证阻焊的干爽性，预烘时间也需要增加5-15min。例如在具体示例中可使预烘温度和时间分别为60-80。 C、40-60min。第三步骤S3 :利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第一次压合，以便对封装基板上的阻焊进行抽真空、加热及加压。第四步骤S4 :利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第二次压合，以便对封装基板上的阻焊进行加热、加压及平坦化。
第五步骤S5 :对封装基板上的阻焊执行后续常规的曝光、显影、后固化。更具体地说，图2示意性地示出了根据本发明实施例的封装基板阻焊制作方法的真空压膜过程(第三步骤S3以及第四步骤S4)的示意图。如图2所示，在第三步骤S3中，在预烘后，板面上下垫上专用的平整的离型膜I，离型膜I要求保持洁净、无折痕且无凹坑，然后居中平放在真空压膜机入板段2 ;在真空压膜机上电子导引膜的带动下，封装基板10先进入到第一真空压膜段3，抽真空一段时间后，接着进行热压，压力2-5. 2MPa，热压温度为60-80° C，时间20-40S。设备第一真空压膜段3的用于覆盖封装基板的上盖片31及下盖片32是胶质材料，抽真空后可以保证上下盖片与在制板密封良好，有利于抽真空和热压后阻焊与板面基材和线路图形的结合，由此进一步使封装基板丝印阻焊后能够更好地耐压力锅试验。如图2所示，在第四步骤S4中，在完成第一真空压膜段3的处理后，真空压膜机自动将封装基板传输到第二真空压膜段4进行热压，第二真空压膜段4增加温度和压力使得第四步骤S4中温度和压力大于第三步骤S3中的热压温度和热压压力，由此增加温度使阻焊变软，提高压力使阻焊平整，并优选地进一步与板面结合。待封装基板通过载膜传送夹块6进入冷却段5冷却5-15min后，例如利用载膜卷曲装置7将载膜去除，板面的离型膜则手工撕掉，，撕的过程中要避免阻焊出现皱痕，此后通过出板段8离开真空压膜机。在优选实施例中，可采用改性树脂复合硅氧材料制成的离型膜，该离型膜可与阻焊轻松剥离，且不会在阻焊面上残留凹坑或印痕。当然，改性树脂复合硅氧材料制成的离型膜仅仅是优选示例，显然的是，本发明也保护采用其它类型的可与阻焊轻松剥离且不会在阻焊面上残留凹坑或印痕的离型膜。可以看出，在本发明实施例中，调整了常规丝印阻焊的工艺流程，在曝光前增加了真空压膜工艺；通过增加阻焊真空压膜的工艺，使封装基板丝印阻焊后能够耐压力锅试验。即，封装基板丝印阻焊预烘后，不直接曝光，而是先真空压膜机进行压合，然后再进行曝光的工艺。在此过程中，封装基板先经过真空压膜机第一段抽真空和加温加压，阻焊受热后变软，在真空压力和一定热压的作用下促进阻焊与板面紧密结合。然后再经过压膜机第二段加温和加压，阻焊受热变软，在压力的作用下使阻焊自身更加致密、平整，同时更进一步地紧密结合板面。从而，本发明实施例的上述方法能够解决现有技术中压力锅试验后阻焊发白起泡的技术问题。可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等 同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种封装基板阻焊制作方法，其特征在于包括依次执行的步骤 第一步骤在对封装基板进行前处理之后执行阻焊丝印； 第二步骤对封装基板进行预烘； 第三步骤利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第一次压合，以便对封装基板上的阻焊进行抽真空、加热及加压； 第四步骤利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第二次压合，以便对封装基板上的阻焊进行加热、加压及平坦化； 第五步骤对封装基板上的阻焊执行曝光、显影、后固化。
2.根据权利要求I所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第一步骤中，执行阻焊丝印之后得到的阻焊湿膜的厚度为40-60 μ m。
3.根据权利要求I或2所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在第二步骤中，预烘的温度和时间分别为60-80° C、40-60min。
4.根据权利要求I至3之一所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步骤中，在预烘后，在封装基板上布置平整的离型膜，此后在利用上盖片及下盖片覆盖封装基板的情况下，对封装基板进行抽真空，接着对封装基板进行第一次热压。
5.根据权利要求4所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步骤中，热压压力为2-5. 2MPa，热压温度为60-80° C，热压时间为20-40S。
6.根据权利要求I或2所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，所述上盖片和所述下盖片是I父质材料。
7.根据权利要求I至6之一所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在第四步骤中，在完成第三步骤的处理后，对封装基板进行第二次热压，其中增加热压温度和热压压力使得第四步骤中热压温度和热压压力分别大于第三步骤中的热压温度和热压压力。
8.根据权利要求7所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在第四步骤中，在对封装基板进行第二次热压之后，使封装基板通过载膜冷却后，利用载膜卷曲装置将载膜去除，离型膜待板面充分冷却后手工去除。
9.根据权利要求I至8之一所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步骤和第四步骤中，采用其它类型的可与阻焊轻松剥离且不会在阻焊面上残留凹坑或印痕的离型膜。
10.根据权利要求I至9之一所述的封装基板阻焊制作方法，其特征在于，在所述第三步骤和第四步骤中，采用改性树脂复合硅氧材料制成的离型膜。
全文摘要
本发明提供了一种封装基板阻焊制作方法，其包括依次执行的步骤第一步骤在对封装基板进行前处理之后执行阻焊丝印；第二步骤对封装基板上的阻焊进行预烘；第三步骤利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第一次压合，以便对封装基板上的阻焊进行抽真空、加热及加压；第四步骤利用真空压膜机对封装基板上的阻焊进行第二次压合，以便对封装基板上的阻焊进行加热、加压及平坦化；第五步骤对阻焊执行曝光、显影、后固化。本发明将封装基板上的阻焊通过真空压膜机的抽真空、压合和整平的作用，在曝光前进行压合和整平，在保证阻焊厚度的前提下，增加阻焊自身内部的致密性及其与封装基板板面的结合力，由此使封装基板丝印阻焊后能够耐压力锅试验。
文档编号H01L21/48GK102931096SQ201210424809
公开日2013年2月13日 申请日期2012年10月30日 优先权日2012年10月30日
发明者刘秋华, 王阿红, 胡广群, 吴小龙, 吴梅珠, 徐杰栋, 梁少文 申请人:无锡江南计算技术研究所