发光二极管芯片的制作方法
【专利摘要】一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极。所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面。两个电极中的至少其中一个自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以通过导电胶与外部电极电连接。本发明的发光二极管芯片的电极无需金线连接，因此，相对于传统的金属电极垫，本发明的电极不需要具备金线焊接的面积，所以可以做的面积很小，从而减少了电极的挡光面积，增加了发光二极管芯片的发光区域，提升了出光量。
【专利说明】发光二极管芯片
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种发光二极管芯片。
【背景技术】
[0002]LED (发光二极管，Light-emitting diode)产业是近几年最受瞩目的产业之一，发展至今，LED产品已具有节能、省电、高效率、反应时间快、寿命周期时间长、且不含汞、具有环保效益等优点，因此被认为是新世代绿色节能照明的最佳光源。
[0003]在现有技术中，发光二极管芯片上一般设置有一 P型金属电极垫以及一 N型金属电极垫，然后通过打金线以将发光二极管芯片的金属电极垫与基板的焊垫电连接。但是，为了使焊线能种植于发光二极管芯片上，金属电极垫必须具有一定的面积，例如，金属电极垫面积通常是50umX 50um，这样一来，金属电极垫必定会遮挡住部分光线，从而减少了发光二极管芯片的发光区域，造成出光量低下。
【发明内容】
[0004]有鉴于此，有必要提供一种能增加发光区域，提升出光量的发光二极管芯片。
[0005]一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极。所述半导体结构具有二外露的半导体层。其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面。两个电极中的至少其中一个自其所设的半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。
[0006]上述的发光二极管芯片的两电极中的至少其中一个自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面，从而通过导电胶或焊接等方式就能实现与半导体结构的侧面的电极与外部电极的电连接，而无需金线连接，因此，相对于传统的金属电极垫，本发明的电极不需要具备金线焊接的面积，所以可以做的面积很小，从而减少了电极的挡光面积，增加了发光二极管芯片的发光区域，提升了出光量。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本发明第一实施方式中的发光二极管芯片的俯视图。
[0008]图2为图1中的发光二极管芯片沿I1-1I方向的截面图。
[0009]图3为图1中的发光二极管芯片与外部电极连接的示意图。
[0010]图4为本发明第二实施方式中的发光二极管芯片的俯视图。
[0011]图5为图4中的发光二极管芯片沿V-V方向的截面图。
[0012]图6为图4中的发光二极管芯片与外部电极连接的示意图。
[0013]图7为本发明第三实施方式中的发光二极管芯片与外部电极连接的示意图。
[0014]主要元件符号说明
【权利要求】
1.一种发光二极管芯片，其包括基板、形成在该基板上的半导体结构以及形成于半导体结构上并相互间隔的二电极，所述半导体结构具有二外露的半导体层，其中一个电极形成于一半导体层的上表面，另一电极形成于另一半导体层的上表面，其特征在于:两个电极中的至少其中一个自其所设的半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。
2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述半导体结构包括依次成长在基板上的缓冲层、N型半导体层、主动层、P型半导体层以及导电层，所述半导体结构的一侧蚀刻形成平台并暴露出N型半导体层，所述二电极分别为N型电极和P型电极，N型电极形成在裸露的N型半导体层上，P型电极形成在导电层上。
3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述N型电极为一金属垫，所述P型电极为一长条状的金属电极，并自导电层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接，所述N型电极通过打金线方式与外部电极电连接。
4.如权利要求3所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述P型电极与半导体结构的侧面之间还形成有绝缘层。
5.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述P型电极为一金属垫，所述N型电极为一长条状的金属电极，并自导电层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接，所述P型电极通过打金线方式与外部电极电连接。
6.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述P型电极、N型电极都为一长条状的金属电极，并自导电层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面以与外部电极电连接。
7.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述N型电极与所述P型电极利用溅镀或蒸镀的物理气相层积的方法将金属沉积于半导体结构上而形成。
8.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于:所述导电层以蒸镀或溅镀的物理气相沉积法形成，材料为镍/金、氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟钨或是氧化铟镓。
9.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于:自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面的电极为长条状。
10.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于:自半导体层的上表面弯折延伸至半导体结构的侧面的电极通过导电胶或焊接方式与外部电极电连接。
【文档编号】H01L33/38GK103840054SQ201210471215
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月20日 优先权日:2012年11月20日
【发明者】沈佳辉, 洪梓健 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司