专利名称：一种oled器件及其制备方法
技术领域：
本发明涉及有机电致发光领域，具体涉及一种不含阻隔壁的OLED器件，本发明还涉及该OLED器件的制备方法。
背景技术：
随着对信息显示器的兴趣增长以及便携式信息媒介的需求增大，对可以代替常规显示器装置阴极射线管(CRT)的更轻且更薄的平板显示器(FPD)的研究与商品化已经在积极进行。其中，有机电致发光显示器(OLED)具有轻薄、自发光、低功耗、视角宽及响应速度快等优点，已被视为平板显示器的明日之星。OLED作为电流驱动元件，其发光亮度是根据通过电流的大小来决定的，因此目前 将OLED应用在矩阵式显示器之上，即通过控制OLED驱动电流的大小，来达到显示不同亮度的效果。根据驱动方式的差异，矩阵式显示器可分为被动式矩阵器件(PMOLED)和主动式矩阵器件(AMOLED)。PMOLED是采用循序驱动扫描线的方式，逐一驱动位于不同行列的像素，具有瞬间产生高亮度、消耗的电力多、寿命短、显示组件较易劣化、不适合大画面高分辨率发光等缺点；而主动矩阵器件则是在每一个像素中形成独立的像素电路，利用像素电路来调节OLED的驱动电流大小，适于大画面和高解析度的要求；但是由于PMOLED的面板设计时程较短、制程简单，小尺寸或低分辨率的OLED产品多采用被动技术。以PMOLED为例，现有的OLED制程至少包括3道黄光制程或3道光掩模，如中国专利文献CN101290905A公开的一种显示面板及其导线制作方法，所提出的显示面板结构如图1所示，即首先提供一基板，在基板的显示区域内形成阳极图案，需要第一道黄光制程；然后在显示区域内形成阳极图案间的绝缘介质层，需要第二道黄光制程；在显示区域内的各绝缘介质层上形成不相邻的阻隔壁(RIB)，需要第三道黄光制程；最后利用该阻隔壁作为遮罩，在阻隔壁和导线顶面喷涂有机层和阴极。通过阻隔壁的设置阻隔阴极，以避免导电层之间的串联搭接。综上，该器件结构与制造工艺都比较复杂。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是现有技术中含有阻隔壁的OLED器件结构复杂，从而提供一种不含阻隔壁的OLED器件；本发明要解决的第二个技术问题是现有技术中含有阻隔壁的OLED器件制备方法过于复杂，工艺精度要求高、成本高的问题，从而提供一种不含有阻隔壁的OLED器件的制备方法，并提供该方法所制备出的OLED器件。为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的一种OLED器件，包括基板；显示区域包括在所述基板依次层叠设置的第一电极层12、第一有机层15和第二电极层；非显示区域形成于第一电极层上，所述非显示区域设置有使第一电极层和第二电极层与驱动芯片或电路板连接的公共端引线和扫描端引线构成的引线区；所述显示区域的第一电极层上设置有用于隔离设置在所述第一电极层上的所述第一有机层的绝缘介质层，所述绝缘介质层上端设置有所述第二有机层。所述绝缘介质层的长度方向平行于所述公共端引线并将所述显示区域分割为若干像素区域。所述第二电极层的第二电极层图案的为长条形，其长度方向平行于所述公共端引线。所述第二电极层图案的宽度为像素区域宽度的1/3-1/2，并设置在所述像素区域17中间。所述绝缘介质层为光敏性绝缘树脂层。
所述光敏性绝缘树脂层为聚酰亚胺层。所述第二电极层图案延伸至所述引线区，部分或者全部覆盖所述引线区。所述第一有机层为发光层。所述第一有机层和第二有机层相同或不同，分别包括发光层和功能层。所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层组合。所述第一电极层(12)的厚度为120_180nm ；所述第一有机层(15)和所述第二有机层(151)的厚度相同或不同，分别为200_250nm ；所述第二电极层的厚度为170_300nm ；所述绝缘介质层(13)的厚度为1800nm。一种OLED器件制备方法，所述方法包括以下步骤S1、在基板上制备第一电极层，并通过刻蚀工艺制备第一电极图案，并在基板上形成显示区域与非显示区域；S2、在步骤SI中制得的第一电极图案的显示区域涂布绝缘介质层；S3、在所述非显示区域的引线区制备公共端引线和扫描端引线；S4、在显示区域制作有机层，所述有机层包括分布于所述绝缘介质层之间的第一有机层15和绝缘介质层上端的第二有机层，所述第一有机层的厚度小于所述绝缘介质层的厚度；S5、通过荫罩掩膜在所述所述第一有机层上沉积或溅射第二电极层。所述步骤S2中通过刻蚀工艺制备绝缘介质层图案，所述绝缘介质层图案为长条形，并且长度方向平行于公共端引线，横截面形状为梯形，上表面小于下表面。一种上述OLED器件的制备方法所制备的OLED器件。本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点1.本发明所提供的OLED器件制备方法，使用荫罩掩膜将第二电极层设置为长条形，替代以阻隔壁分割连续的面结构的第二电极层，以避免像素间导电层的串联搭接，取消了阻隔壁制程，不但节约了工艺流程和制作成本，而且器件结构和生产工艺更加简单。2.第二电极层不采用整体蒸镀或者溅射方式，运用荫罩掩膜设置条形结构的图案，节省了第二电极材料；而且由于覆盖面小，在一定程度上增加了开口率。
3、所述荫罩掩膜技术工艺成熟，精度高，有效的降低了工艺难度与成本。
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中，图1是现有技术中OLED器件剖面结构示意图；图2是图1中所示OLED器件的实际设计图；图3是本发明所述OLED器件剖面结构示意图；
图4是图3中所示OLED器件实际设计图。图5是图3中所述OLED器件的第二电极层实际设计图。图中附图标记表示为1-显示区域、11-基板、12-第一电极层、13-绝缘介质层、14-阻隔壁、15-第一有机层、151-第二有机层、16-第二电极层、161-第二电极层图案、17-像素区域、2-非显示区域、21-引线区、25-有机层边界、26-第二电极层边界。
具体实施例方式为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。本实施例是OLED器件制备的实施例，所述OLED器件包括基板11 ;显示区域1:包括在所述基板依次层叠设置的第一电极层12、第一有机层15和第二电极层16 ;非显示区域2 :形成于第一电极层12上，所述非显示区域设置有使第一电极层12和第二电极层16与驱动芯片或电路板连接的公共端引线和扫描端引线构成的引线区21 ;所述显示区域I的第一电极层12上设置有用于隔离设置在所述第一电极层12上的所述第一有机层15的绝缘介质层13，所述绝缘介质层13上端设置有所述第二有机层151。所述绝缘介质层13的图案为长条形，其长度方向平行于所述公共端引线并将所述显示区域分割为若干像素区域17，每个像素区域包括依次层叠设置的第一电极层、有机层和第二电极层。所述第二电极层16的第二电极层图案161的为长条形，其长度方向平行于所述公共端引线。所述第二电极层图案161的宽度为像素区域17宽度的1/3-1/2，并设置在所述像素区域17中间。所述绝缘介质层13为光敏性绝缘树脂层。所述光敏性绝缘树脂层优选为聚酰亚胺层。所述第二电极层图案161延伸至所述引线区，部分或者全部覆盖所述引线区，保证所述第二电极层与所述引线区域的导通。具体制备方法如下S1、在基板11上制备第一电极层12，并通过刻蚀工艺制备第一电极图案，并在基板上形成显示区域I与非显示区域2 ；本实施例中所述基板11选择玻璃基板，第一电极层12为ITO (氧化铟锡)层，厚度为150nm，ITO图案的间距为20 μ m。所述基板11还可以为石英基板或高分子柔性基板；所述第一电极层12也可以根据器件的发光方向选用其他透光或者不透光的高功函数金属或合金来制备，如氧化铟锌等，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。S2、在步骤SI中制得的第一电极图案的显示区域I涂布绝缘介质层13 ；本实施例中所述绝缘介质层13为聚酰亚胺(PI)层，所述绝缘介质层图案的制备具体实施方式
同已公知的光刻工艺，即通过使用光罩达到显影效果，紫外曝光形成蚀刻团，通过蚀刻液蚀刻PI图案。所述PI层的厚度为1. 8遲，所述绝缘介质层图案为长条形，且长度方向平行所述公共端引线，横截面为梯形，上底面宽度小于下底面宽度，所述梯形两腰的坡度范围30° -60°。S3、在所述非显示区域2的引线区制备公共端引线和扫描端引线；具体实施方式
同已公知的引线制备工艺。本实施例中，在所述引线区域的ITO层上溅射一层钥铝钥，厚度为400-700nm，再同时刻蚀表面覆盖有钥铝钥的ITO层，制备公共端引线和扫描端引线。S4、在显示区域制作有机层，所述有机层包括分布于所述绝缘介质层13之间的第·一有机层15和绝缘介质层13上端的第二有机层151，所述第一有机层15的厚度小于所述绝缘介质层13的厚度；本步骤的具体实施例方式同已公知的OLED器件中有机层的制备方式，所述第一有机层15与第二有机层151可以仅为发光层；也可以由发光层和功能层组成，其中所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层组合。所述有机层中的各层可以通过旋涂、蒸镀、气相沉积等已公知的方法制备。本实施例中有机层包括空穴注入层、发光层和电子注入层；采用蒸镀的方式制备，在所述第一电极层上形成的所述有机层的厚度为1. 3um,小于步骤S2中所制备的绝缘介质层的厚度。且本实施例中所述有机层也部分覆盖非显示区域。S5、通过荫罩掩膜在所述第一有机层上沉积或溅射第二电极层16。所述第二电极层图案与相邻像素区域之间的间距必须大于50um。本实施例中所述第二电极层16选用铝金属层，根据器件的发光方向选用其他透明或者不透明的低功函数的金属、合金或多层金属或合金以及增透层构成的复合第二电极层16均可以作为第二电极层材料，比如Mg层、Al层、Ag/Li合金层等，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。本实施例中所用荫罩掩膜购自昆山允升吉光电科技有限公司，该荫罩掩膜的设计和制作公差为5um。本实施例中，所述像素区域17的宽度为O. 19mm，所述第二电极图案161的宽度为O. 07mm,所述第二电极层图案161与相邻像素区域17之间的间距为60um,厚度为190nm。在本发明的其他实施例中，所述第二电极层图案161的宽度为像素区域宽度的1/3-1/2，且必须大于所述荫罩掩膜的设计和制作公差；所述第二电极层图案161与相邻像素区域17之间的间距要确保相邻两个所述第二电极层图案161的分隔；所述第二电极层16的厚度在170nm-300nm范围内，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。所述第二电极层图案161长度方向上的两端均延伸至两侧的所述引线区21。使用所述荫罩掩膜将第二电极层图案161设置为长条形，替代以阻隔壁14分割连续的面结构的第二电极层16，以避免像素区域17间导电层的串联搭接，取消了阻隔壁14的制程，不但节约了工艺流程和制作成本，而且器件结构和生产工艺更加简单。第二电极层16不采用整体蒸镀或者溅射方式，运用荫罩掩膜设置条形结构的图案，节省了第二电极材料；而且由于覆盖面小，在一定程度上增加了开口率。所述荫罩掩膜技术工艺成熟，精度高，有效的降低了工艺难度与成本。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或 变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。
权利要求
1.一种OLED器件，包括基板(11);显示区域(I):包括在所述基板依次层叠设置的第一电极层(12)、第一有机层(15)和第二电极层(16);非显示区域(2):形成于第一电极层(12)上，所述非显示区域设置有使第一电极层 (12)和第二电极层(16)与驱动芯片或电路板连接的公共端引线和扫描端引线构成的引线区(21);其特征在于所述显示区域(I)的第一电极层(12)上设置有用于隔离设置在所述第一电极层(12) 上的所述第一有机层(15)的绝缘介质层(13)，所述绝缘介质层(13)上端设置有所述第二有机层(151)。
2.根据权利要求1所述的OLED器件，其特征在于所述绝缘介质层(13)的长度方向平行于所述公共端引线并将所述显示区域分割为若干像素区域(17)。
3.根据权利要求1或2所述的OLED器件，其特征在于所述第二电极层(16)的第二电极层图案(161)的为长条形，其长度方向平行于所述公共端引线。
4.根据权利要求2或3所述的OLED器件，其特征在于所述第二电极层图案(161)的宽度为像素区域(17)宽度的1/3-1/2，并设置在所述像素区域(17)中间。
5.根据权利要求1-4任一所述的OLED器件，其特征在于所述绝缘介质层(13)为光敏性绝缘树脂层。
6.根据权利要求5所述的OLED器件，其特征在于所述光敏性绝缘树脂层为聚酰亚胺层。
7.根据权利要求3-6任一所述的OLED器件，其特征在于所述第二电极层图案(161) 延伸至所述引线区，部分或者全部覆盖所述引线区。
8.根据权利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于所述第一有机层(15)为发光层。
9.根据权利要求1-7任一所述的OLED器件，其特征在于所述第一有机层(15)和第二有机层(151)相同或不同，分别包括发光层和功能层。
10.根据权利要求9所述的OLED器件，其特征在于所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层中的一层或多层组合。
11.根据权利要求1-10任一所述的OLED器件，其特征在于所述第一电极层(12)的厚度为120-180nm;所述第一有机层(15)和所述第二有机层(151)的厚度相同或不同，分别为200-250nm ； 所述第二电极层的厚度为170-300nm;所述绝缘介质层(13)的厚度为1800nm。
12.—种OLED器件制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤S1、在基板(11)上制备第一电极层(12)，并通过刻蚀工艺制备第一电极图案，并在基板上形成显示区域(I)与非显示区域(2)；S2、在步骤SI中制得的第一电极图案的显示区域(I)涂布绝缘介质层(13)；S3、在所述非显示区域(2)的引线区制备公共端引线和扫描端引线； S4、在显示区域制作有机层，所述有机层包括分布于所述绝缘介质层(13)之间的第一有机层(15)和绝缘介质层(13)上端的第二有机层(151 )，所述第一有机层(15)的厚度小于所述绝缘介质层(13)的厚度； S5、通过荫罩掩膜在所述所述第一有机层上沉积或溅射第二电极层(16)。
13.根据权利要求12所述的OLED器件，其特征在于所述步骤S2中通过刻蚀工艺制备绝缘介质层图案，所述绝缘介质层图案为长条形，并且长度方向平行于公共端引线，横截面形状为梯形，上表面小于下表面。
14.一种权利要求12或13所述的OLED器件的制备方法所制备的OLED器件。
全文摘要
本发明提供一种OLED器件及制备方法，所述器件包括基板，形成在所述基板上的显示区域与非显示区域；所述显示区域包括在所述基板依次设置的第一电极层、第一有机层、第二电极层；所述非显示区域包括引线区；所述显示区域的第一电极层上设置有用于隔离设置在所述第一电极层上的所述第一有机层的绝缘介质层，所述绝缘介质层上端设置有所述第二有机层。采用荫罩掩膜工艺制备长条形第二电极层图案，并设置在所述像素区域上，其宽度为像素区域宽度的1/3-1/2，并设置在所述像素区域中间，替代以阻隔壁分割面结构的第二电极层，以避免像素间导电层的串联搭接，取消了阻隔壁制程，不但节约了成本，而且器件结构和生产工艺更加简单。
文档编号H01L51/56GK103022375SQ20121051484
公开日2013年4月3日 申请日期2012年12月5日 优先权日2012年12月5日
发明者邱勇, 尤沛升, 王龙, 甘帅燕 申请人:昆山维信诺显示技术有限公司, 清华大学, 北京维信诺科技有限公司