一种新型led芯片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种新型LED芯片，改进了LED芯片切割技术中的划片及裂片过程，通过在在同一块基底上保留多颗传统小LED芯片结构，保持了小电流供电和芯片工作时的高电流密度；所述LED芯片直接封装于高导热基板上，并通过焊线与电极相连；所述高导热基板上还设有线路层。本发明在目前工艺流程基础上，大大简化了LED模组封装过程，提高了生产效率。
【专利说明】一种新型LED芯片
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体发光【技术领域】。
【背景技术】
[0002]目前LED【技术领域】，芯片经过划片及裂片的制作流程后，一般形成独立的不同标准尺寸，实际应用中需要根据功率及散热要求，对每个小芯片进行封装，例如对于IXI平方毫米的芯片，如果需要64平方毫米的发光面，则需要针对64个芯片，进行64次固晶过程，需要的耗时较长，降低了生产效率；而如果定做64平方毫米的整块芯片，则由于其工作时需要的电流密度较大，工作稳定性及散热性远远落后于1X1平方毫米小芯片的组合。因此亟需一种能够提高生产效率，同时又能保证工作稳定性的新型LED芯片。
【发明内容】
[0003]为克服现有小芯片封装流程中工作效率较低的问题，本发明的主要目的就是设计一种新型LED芯片，提高生产效率，同时保持LED模组工作的稳定性。
[0004]优选的，所述一种新型LED芯片，具有共同的基底。
[0005]优选的，所述一种新型LED芯片，共同基底上的芯片发光面，被分割成了独立的小区间，每个区间都通过焊线与电极相连，实现独立供电工作。
[0006]优选的，所述一种新型LED芯片，基底上的各个独立小区间，可以形成共阳极结构，也可以形成共阴极结构。
[0007]优选的，所述一种新型LED芯片，共同基底上的每个独立小区间，其本征发光中心波长相同，但也可以通过镀荧光粉等手段，实现不同中心波长的光出射。
[0008]优选的，所述一种新型LED芯片，LED模组的芯片在封装过程中，只需对共同的基底进行一次定位，即可实现基底上所有独立发光小区间的准确定位。
[0009]
【专利附图】
【附图说明】
[0010]图1为目前技术中LED芯片封装结构示意图。
[0011]图2为本发明的一种新型LED芯片封装的结构示意图。
[0012]
主要元件标记说明 I =LED芯片。
[0013]2:焊线。
[0014]3:电极。
[0015]
【具体实施方式】[0016]下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案进行具体的说明。
[0017]实施例1
图1展示了目前技术中单个小芯片分别封装的结构示意图，图中LED芯片(I)数量共有4个，需要将每个LED芯片(I)都封装在散热基板上，共需要4次封装流程。每个LED芯片(I)通过焊线(2 )与电极(3 )相连接，实现独立供电。
[0018]实施例2
图2展示了本发明的一种新型LED芯片，图中虚线表示同一个基板上不同芯片发光区间的边界，芯片发光面分为4个，但是4个小区间具有共同的基底，其在物理上为同一个整体，因此只需将基底进行一次定位，即可实现四个发光小区间的定位，简化了封装流程。图中每个小发光面通过焊线连接到电极上，实现分别供电，焊线原理与实施例1类似。
[0019]
通过以上实施方式，不难看出本发明提出了一种新型LED芯片的设计方案，将能够大幅度提高LED模组的封装流程。本设计方案中，每个基底上发光小区间的数量可以改变，并不局限于上述实施例中展示的4个。
[0020]以上实施方案只为说明本发明技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明精神实质所做的等小变化或修饰均涵盖在本发明的保护范围内。
【权利要求】
1.一种新型LED芯片，其特征在于:所述的LED芯片，具有共同的基底。
2.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片，其特征在于:共同基底上的芯片发光面，被分割成了独立的小区间，每个区间都通过焊线与电极相连，实现独立供电工作。
3.根据权利要求2所述的一种新型LED芯片，其特征在于:基底上的各个独立小区间，可以形成共阳极结构，也可以形成共阴极结构，或者形成不共电极的平面芯片结构。
4.根据权利要求2所述的一种新型LED芯片，其特征在于:共同基底上的每个独立小区间，其本征发光中心波长相同，但也可以通过镀荧光粉等手段，实现不同中心波长的光出射。
5.根据权利要求1所述的一种新型LED芯片，其特征在于:LED模组的芯片在封装过程中，只需对共同的基底进行一次定位，即可实现基底上所有独立发光小区间的准确定位。
【文档编号】H01L33/62GK103887293SQ201210554067
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年12月19日 优先权日:2012年12月19日
【发明者】熊大曦, 杨西斌 申请人:苏州科医世凯半导体技术有限责任公司