有机发光二极管装置以及制造该装置的方法

有机发光二极管装置以及制造该装置的方法
【专利摘要】本说明书提供有机发光二极管（OLED）装置以及其制造方法。有机发光二极管（OLED）装置包括第一基板，由上面具有多个像素的显示区域和围绕该显示区域的面板边缘部分界定，形成在第一基板的显示区域上的薄膜晶体管，形成在第一基板上并与薄膜晶体管相连的第一电极，形成在第一基板上并界定每个像素开口的堤状物，形成在第一基板的显示区域上的有机发光层，形成在具有有机发光层的第一基板整个表面上的第二电极，形成在位于面板边缘部分堤状物上的第二电极上的防潮湿渗入图案，形成在包括防潮湿渗入图案和第二电极的第一基板整个表面上的钝化层，贴合到第一基板的第二基板，以及夹在第一基板和第二基板之间以将两基板彼此贴合的粘合剂层。
【专利说明】有机发光二极管装置以及制造该装置的方法
【技术领域】
[0001]本说明书涉及有机发光二极管(OLED)装置，具体而言，涉及能够防止外部潮湿\氧气等渗入的OLED装置，以及制造该装置的方法。
【背景技术】
[0002]虽然阴极射线管(CRT)显示装置已广泛用作为显示装置，但平板显示(FPD)装置，例如等离子显示平板(PDP)装置，液晶显示(LCD)装置，可被称作为有机电致发光显示(OELD)装置的有机发光二级管(OLED)装置，等等，已成为近年来研究和开发的对象，作为CRT的替代品。
[0003]这当中，OLED装置作为自发光装置，由于省略了在作为不发光装置的IXD装置中所使用的背光单元，从而具有重量轻和外形薄的优点。
[0004]OLED装置具有优于IXD装置的视角和对比度，并在功耗方面具有优势，从而以直流(DC)低电压来驱动。另外，OLED装置具有快捷的响应速度，依靠固体内部显示装置(solid internal display)而具有出色的抗外部冲击耐久力，并具有宽泛的工作温度范围。
[0005]特别的，OLED装置的制造过程简单，由此，制造OLED装置比制造传统的IXD装置
更为便宜。
[0006]表现出这些特征的OLED装置可分为无源矩阵类型和有源矩阵类型。在无源矩阵类型OLED装置中，信号线按矩阵方式彼此交叉。在有源矩阵类型OLED装置中，作为开关器件的薄膜晶体管(TFT)布置于各个像素，用以接通或关闭相应像素。
[0007]由于在分辨率、功耗、寿命等方面无源矩阵类型OLED装置存在不足，因此具有高分辨率和大屏幕优点的有源矩阵类型OLED已成为近年来研究和开发的对象。
[0008]针对上述特征，下文中将参考图1和2描述根据现有技术的OLED的结构。
[0009]图1是示意性示出根据现有技术的OLED的截面图。
[0010]图2是图1中“A”部分的放大截面图，其示出了现有技术OLED中作为面板边缘部分的非显示区域NA。
[0011]根据现有技术的OLED装置10，如图1和2中所示，包括具有开关TFT (未示出)、驱动TFT (未示出)以及有机发光二极管(OLED)(未示出)的第一基板11，和面对且封装所述第一基板11的第二基板41。第一基板11和第二基板41彼此间隔开，并利用位于第一基板11和第二基板41边缘部分处的密封图案47彼此贴合。
[0012]这里，在第一基板11的显示区域AA上形成有在每个像素区域(未示出)边界上彼此交叉的栅极线(未示出)和数据线(未示出)，并且可以形成与栅极线或数据线串联的电源线(未示出)。
[0013]每个像素区域均设有开关TFT和驱动TFT。
[0014]在第一基板11的显示区域AA内的每个像素区域上形成有半导体层13，所述半导体层13与驱动区域(未示出)和开关区域(未示出)相对应。半导体层13由硅制成。半导体层13包括有源区域13a以及源极区域13b和漏极区域13c，所述有源区域13a设置在其中央位置以用于形成沟道区域，所述源极区域13b和漏极区域13c形成在有源区域13a的两侧并且上面掺杂有高水平的杂质。
[0015]在包括有半导体层13的第一基板11上形成有栅极绝缘层15。
[0016]在显示区域AA内的每个像素区域上，形成有面对所述半导体层13的有源区域13a的栅极电极17和连接到栅极电极17的栅极线(未示出)。
[0017]并且，在具有栅极电极17和栅极线的栅极绝缘层15上形成有第一夹层绝缘层19。这里，夹层绝缘层19以及其下面的栅极绝缘层15各自包括第一和第二半导体接触孔(未示出)，从而使位于有源区域13a两侧的源极区域13b和漏极区域13c暴露。
[0018]在每个像素内具有第一和第二半导体接触孔的第一夹层绝缘层19上，形成有源极电极21和漏极电极23。源极电极21和漏极电极23彼此分隔设置，并与源极区域13b和漏极区域13c接触，所述源极区域13b和漏极区域13c通过第一和第二半导体接触孔而暴露。
[0019]此外，在每个像素区域P内，在第一夹层绝缘层19上形成有第二夹层绝缘层25，所述第一夹层绝缘层25在源极电极21与漏极电极23之间暴露。第二夹层绝缘层25包括漏极接触孔(未示出)，用于使漏极电极23通过该接触孔暴露。
[0020]这里，源极电极21和漏极电极23、具有与所述电极21和23相接触的源极区域13b和漏极区域13c的半导体层13、以及均形成在半导体层13上的栅极绝缘层15和栅极电极17，构成驱动TFT (未示出)。
[0021]虽然并未示出，但开关TFT (未示出)具有与驱动TFT相同的结构，并与驱动TFT连接。
[0022]第一电极27，有机发光层31和第二电极33按顺序地形成在第二夹层绝缘层25处实际显示图像的区域上。
[0023]这里，第一电极27和第二电极33以及夹在电极27与33之间的有机发光层31构成有机发光二极管(OLED)(或称为有机电致发光(EL) 二极管)(未示出)。
[0024]第一电极27与驱动TFT的漏极电极23电连接。这里，第一电极27用作为阳极，第二电极33用作为阴极。
[0025]由此，根据底部发光方式，来自于有机发光层31的光穿过第一电极27发射出。
[0026]有机发光层31可以具有由发光材料制成的单层，或具有包括空穴注入层，空穴传输层，发射材料层，电子传输层以及电子注入层的多层，用以提高发光效率。
[0027]参看图1和2，第一电极27形成在每个像素区域P内，堤状物(bank)29位于形成在每个像素区域P内的相邻两个第一电极27之间。此处，堤状物29具有栅格结构的矩阵形状，并对应于相邻像素区域P之间的边界，从而使每个像素区域P的第一电极27分隔开。
[0028]在第二电极33上形成有由氮化硅(SiNx)制成的用于防止潮湿渗入的钝化层35，所述第二电极33形成在具有堤状物29的有机发光层31的整个表面上。
[0029]此外，利用密封图案47，第一基板11和第二基板41在边缘处彼此贴合。由此，封装成OLED装置10。
[0030]密封图案47将显示区域AA密封，从而防止氧气或潮湿渗入到显示区域AA内。密封图案47形成在围绕显示区域AA边缘部分的非显示区域NA上。[0031]在具有该构造的现有技术的OLED装置10中，利用密封图案47使第一基板11和第二基板41彼此贴合得更为牢固。
[0032]因此，可以防止例如外部潮湿或气体之类的污染物渗入到第一基板11与第二基板41之间的间隔缝隙中。
[0033]同时，为了将第一基板11与第二基板41彼此贴合，在第一基板11与第二基板41之间夹入粘合剂层45，其中所述第一基板11包括作为面板边缘部分的非显示区域NA和具有每个像素区域(未示出)的显示区域AA。
[0034]由此，在根据现有技术的OLED装置10中，当响应于选定的色彩信号向第一电极27和第二电极33施加预定电压时，由第一电极27注入的空穴与由第二电极33提供的电子被传输到有机发光层31，并由此由空穴和电子产生激子(exciton)。通过激子从激发态跃迁到基态而产生光。随后光以可视射线的方式发射。这里，由于所发射的光通过透明的第一电极27向外发射，因此OLED装置10能够显示图像。
[0035]然而，具有前述构造的现有技术的OLED具有以下缺点。
[0036]根据现有技术的OLED装置，利用单个钝化层来保护OLED装置免受潮湿。如图2中所示，当出现几ym大的外来物质时，造成了缺陷。于是，潮湿渗入到相应部分，使得很难充分地确保装置的寿命。
[0037]并且，钝化层通常是由氮化硅(SiNx)制成。氮化硅以低速沉积。由此，为了降低大于几μ m尺寸的外来物质的影响，氮化硅不得不沉积得厚度大于几μπι。然而，这不利地增加了沉积时间，由此造成制造成本增加。

【发明内容】

[0038]由此，为了克服现有技术的缺陷，本详细说明的一个方面是提供一种有机电致发光显示(OLED)装置，所述装置能够防止外部潮湿和氧气的渗入，并提供制造该装置的方法。
[0039]为了获得这些和其他优点，并根据本说明书的目的，如这里具体和概括说明的，提供了一种有机发光二级管(OLED)装置，该装置包括第一基板，所述第一基板由上面具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的面板边缘部分所界定，形成在所述第一基板的显示区域上薄膜晶体管，形成在所述第一基板上并与所述薄膜晶体管相连接的第一电极，形成在所述第一基板上并界定每个像素开口(opening)的堤状物，形成在所述第一基板的显示区域上的有机发光层，形成在具有所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上的第二电极，形成在所述第二电极上并在所述面板边缘部分处的所述堤状物上的防潮湿渗入图案，形成在包括有所述防潮湿渗入图案和所述第二电极的所述第一基板的整个表面上的钝化层，与所述第一基板贴合的第二基板，以及夹在所述第一基板和所述第二基板之间用以将所述基板彼此贴合的粘合剂层。
[0040]为了获得这些和其他优点，并根据本说明书的目的，如这里所具体和概括说明的，提供了一种制造有机发光二极管(OLED)装置的方法，所述方法包括:提供第一基板，所述第一基板由上面具有多个像素的显示区域以及围绕所述显示区域的面板边缘部分所界定，在所述第一基板的所述显示区域上形成薄膜晶体管，在所述第一基板上形成与所述薄膜晶体管相连接的第一电极，形成界定每个像素的开口的堤状物，在所述第一电极上形成有机发光层，在包括所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上形成第二电极，在所述第二电极上并在所述面板边缘部分处的所述堤状物上形成防潮湿渗入图案，在包括有所述防潮湿渗入图案和所述第二电极的所述第一基板的整个表面上形成钝化层，以及利用夹在所述第一基板和第二基板之间的粘合剂层将所述第一基板与所述第二基板贴合。
[0041]有机发光二极管(OLED)装置以及制造该装置的方法将提供以下效果。
[0042]可在显示区域与作为面板边缘部分的非显示区域之间沉积钝化层之前涂覆聚合物，用来使外来物质平坦化并防止潮湿渗入，这可防止钝化层的缺陷，并防止潮湿从面板边缘部分渗入，使得装置寿命延长。
[0043]另外，可在涂覆用以防止潮湿渗入的聚合物之前和之后形成钝化层，从而实现多钝化层结构，这可使得由于潮湿渗入而造成的产量减退最小化。
[0044]下文中所给出的详细说明将使本申请的进一步应用范围变得更为明显。然而，应当理解的是，这些详细说明以及具体例子，尽管指示了本发明的优选实施方式，但仅是通过举例方式给出，因为对于本领域技术人员来说，该详细说明中使得本发明精神和范围之内的各种改变和变形将变得显而易见。
【专利附图】

【附图说明】
[0045]所包括的附图用以提供对本发明的进一步理解，附图结合到本说明中并构成本说明书的一部分，附图示出示例性的实施方式并与说明书一起用于解释本发明的原理。
[0046]附图中:
[0047]图1是示意性示出根据现有技术的OLED装置的截面图；
[0048]图2是图1中“A”部分的放大截面图，其示出现有技术OLED装置的作为面板边缘部分的非显示区域NA;
[0049]图3是示意性示出根据本公开内容的示例性实施方式的OLED装置的平面图；
[0050]图4是沿图3中IV-1V线所得的截面图；
[0051]图5是图4中B部分的放大截面图，其示出在作为OLED装置的面板边缘部分的非显示区域NA与显示区域AA之间的边界部分；
[0052]图6A到6M是示出根据本公开内容的示例性实施方式的OLED装置的制造步骤的截面图。
【具体实施方式】
[0053]现在将参考附图，对根据示例性实施方式中的有机发光二极管(OLED)的结构进行详细说明。为了简化参考附图的说明，相同或等同的部件将使用相同的附图标记，并不再重复对其的说明。
[0054]图3是示意性示出根据本公开内容的示例性实施例的OLED装置的平面图，图4是沿图3中IV-1V线所得的截面图，图5是图4中B部分的放大截面图，其示出在作为OLED装置的面板边缘部分的非显示区域NA与显示区域AA之间的边界部分。
[0055]根据发光方向，将OLED装置分为顶部发光类型和底部发光类型。下文中，将对底部发光类型OLED装置进行说明。
[0056]根据本公开内容的OLED装置，如在图3到5中所示，可包括具有开关TFT (未示出)jgaTFT DTr以及有机发光二极管(OLED)(未示出)的第一基板101，与第一基板101以相面对方式贴合的第二基板141，以及由面密封剂制成用于将第一基板101与第二基板141彼此贴合的粘合剂层143。
[0057]这里，在第一基板101的显示区域AA内形成有在每个像素区域(未示出)的边界上彼此交叉的栅极线(未示出)和数据线(未示出)，电源线(未示出)可与栅极线或数据线串联形成。
[0058]每个像素区域均设有开关TFT和驱动DTr。
[0059]可在第一基板101的显示区域AA内的每个像素区域上形成与驱动区域(未示出)和开关区域(未示出)相对应的半导体层103。半导体层103可由硅制成，并包括位于其中央部分且形成沟道区域的有源区域103a，以及形成在有源区域103a两侧的且上面具有高掺杂水平的源极区域103b和漏极区域103c。
[0060]栅极绝缘层107可形成在包括有半导体层103的第一基板101上。
[0061]在显示区域AA内的每个像素区域上，可形成有栅极电极109a和栅极线(未示出)，所述栅极电极109a面对半导体层103的有源区域103a，所述栅极线(未示出)连接到栅极电极109a。
[0062]并且，第一夹层绝缘层113可形成在具有栅极电极109a和栅极线的栅极绝缘层107上。这里，夹层绝缘层113以及其下方的栅极绝缘层107可分别包括第一和第二半导体接触孔(参看图6D中的113a和113b)，从而使位于有源区域103a两侧的源极区域103b和漏极区域103c暴露。
[0063]源极电极117a和漏极电极117b可形成在每个像素区域P内具有第一半导体接触孔113a和第二半导体接触孔113b的第一夹层绝缘层113上。源极电极117a和漏极电极117b可以是彼此分离的，并分别与通过第一半导体接触孔113a和第二半导体接触孔113b暴露的源极区域103b和漏极区域103c接触。
[0064]在每个像素区域P内，可将第二夹层绝缘层121形成于在源极电极117a和漏极电极117b之间暴露的第一夹层绝缘层113上。第二夹层绝缘层121可包括漏极接触孔(未示出)，用于通过该孔暴露出漏极电极117b。
[0065]这里，源极电极117a和漏极电极117b、具有与所述电极117a和117b相接触的源极区域103b和漏极区域103c的半导体层103、形成在半导体层103上的栅极绝缘层107、以及栅极电极109a可构成驱动TFT DTr0
[0066]虽然并未示出，但开关TFT (未示出)具有与驱动TFT相同的结构，并可与驱动TFT相连接。
[0067]在附图中示例性示出开关TFT和驱动TFT DTr作为顶部栅极类型，其中半导体层103由多晶硅制成。同时，作为变形，开关TFT和驱动TFT DTr可以实现为底部栅极类型，其中半导体层103由纯和不纯的非晶硅制成。
[0068]第一电极125a，有机发光层131和第二电极133可按顺序地形成在第二夹层绝缘层121处实际显示图像的区域上。
[0069]这里，第一电极125a、第二电极133、以及夹在这两个电极之间的有机发光层131可构成OLED E0
[0070]第一电极125a可与驱动TFT的漏极电极117b电连接。第一电极125a可优选由氧化铟锡(ΙΤ0)制成，该材料具有相对高的功函数数值，从而可用作为阳极。[0071]这里，第一电极125a可形成在每个像素区域上。堤状物129可位于形成在相邻像素区域上的第一电极125a之间。此处，堤状物129a可以以栅格结构的矩阵图案形成在第一基板101上。堤状物129a可为每个像素区域界定出开口，并与相邻像素区域P之间的边界相一致，使得第一电极125a对每个像素区域P是分开的。并且，堤状物129a还可形成在显示区域AA的最外部上，在非显示区域NA上，或在显示区域AA和非显示区域NA的整个最外部上。
[0072]有机发光层131可形成在位于像素区域内的第一电极125a上。根据底部发光方法,来自于有机发光层131的光可向下方发射,穿过第一电极125a。
[0073]有机发光层131可具有由发光材料制成的单层。或是,虽然并未不出，但有机发光层131也可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、发射材料层、电子传输层以及电子注入层的多层，用以提高发射效率。
[0074]第二电极133可形成在具有有机发光层131和堤状物129a的第一基板101的整个表面上。这里，第二电极133可由具有相对低的功函数数值的铝(Al)或铝合金(例如，AlNd)制成，从而用作为阴极。
[0075]并且，防潮湿渗入图案135可在第一基板101上界定的作为面板边缘部分的非显示区域NA上形成。防潮湿渗入图案135可防止在将在随后步骤期间形成的钝化层137上产生外来物质，或是防止由于外来物质所产生的潮湿渗入到显示区域AA中。特别的，防潮湿渗入图案135可沿着作为面板边缘部分的非显示区域NA的外周部分形成，以环绕显示区域AA，由此防止潮湿从面板边缘部分渗入到面板内。防潮湿渗入图案135优选可形成在堤状物129a上，所述堤状物129a位于作为面板边缘部分的非显示区域NA内，但并不局限于该位置。防潮湿渗入图案135还可形成在位于面板边缘部分内的区域上，例如，潮湿最容易通过其渗入的区域。
[0076]防潮湿渗入图案135可以以聚合物层来实现。聚合物层可以是大于几μπι的厚度，所述厚度可顾及克服现有技术中的缺陷，即由于通过随后步骤形成的钝化层137上的损伤而造成的不能平坦化，所述损伤是由大于几μ m的外来物质所造成或是由于外来物质所引起的潮湿渗入所造成。
[0077]钝化层137可形成在具有防潮湿渗入图案135的第一基板101的整个表面上。
[0078]本公开内容的另一示例性实施方式在形成防潮湿渗入图案135之前，可在具有第二电极133的基板的整个表面上形成第一钝化层(未不出)。然后，可在第一钝化层上形成防潮湿渗入图案135，可再在防潮湿渗入图案135上形成第二钝化层137。
[0079]这里，当在形成防潮湿渗入图案135之前形成第一钝化层时，可能由于在第一钝化层上产生的外来物质造成无法实现表面平坦化。相反地，当在含有外来物质的第一钝化层上形成防潮湿渗入图案135时，防潮湿渗入图案135可覆盖外来物质。这可以虑及表面平坦化并防止由于外来物质所引起的潮湿的渗入。也就是说，可在形成防潮湿渗入图案之前和之后分别形成钝化层，使得具有多钝化层结构。这可致使由于潮湿渗入造成的产量减退最小化。
[0080]可利用由面密封剂制成的粘合剂层143将第二基板141贴合到第一基板101上，由此防止例如外部引入的潮湿或气体这样的污染物渗入到第一基板101和第二基板141内的显示区域中。[0081]利用OLED装置100的构造，当响应于选定的色彩信号，向第一电极125a和第二电极133施加预定电压时，从第一电极125a注入的空穴和第二电极133所提供的电子可传输到有机发光层131，并由此可通过空穴和电子产生激子。于是，光可通过电子从激发态跃迁到基态而产生。所产生的光可因而以可见射线的形式经由透明的第一电极125a发射出，从而使得OLED装置100能够显示图像。
[0082]下文中，将参考附图6A到6M，说明根据示例性实施方式的制造OLED装置的方法。
[0083]图6A到6M是示出根据本公开内容典型实施方式的OLED装置制造步骤的截面图。
[0084]根据光发射方向将OLED装置分为顶部发光类型和底部发光类型。下文中将对底部发射类型OLED装置进行说明。
[0085]如图6A中所示，可在第一基板101上沉积非晶硅，以形成非晶硅层(未示出)。可向非结硅照射激光束或实施热处理，使非晶硅层结晶化成为多晶硅层102。
[0086]接下来，可在多晶硅层102上涂覆第一光敏膜(未示出)，然后使其构图形成第一光敏膜图案105。
[0087]如图6B中所不,可将第一光敏膜图案105用作为刻蚀掩模,对多晶娃层102进行刻蚀，由此形成纯多硅状态的半导体层103。这里，在形成非晶硅层之前，可将无机绝缘材料，例如氧化硅SiO2或氮化硅SiNx，沉积在第一基板101的整个表面上，从而形成缓冲层(未示出)。
[0088]在移除第一光敏膜图案105之后,可在具有半导体层103的第一基板101上沉积氧化娃SiO2,由此形成栅极绝缘层107。
[0089]然后，可在栅极绝缘层107上沉积一种低电阻金属，例如，铝(Al)、铝合金(例如，AINd)、铜(Cu)和铜合金，由此形成第一金属层109。可在第一金属层109上涂覆第二光敏膜(未不出)。
[0090]然后可将第二光敏膜通过掩模处理构图形成为第二光敏膜图案111。
[0091]如图6C中所示，可将第二光敏膜图案111用作为蚀刻掩模对第一金属层109进行刻蚀，由此形成栅极电极109a。
[0092]在移除第二光敏膜图案111之后，将栅极电极109a用作为遮挡掩模，可在第一基板101的整个表面上掺杂杂质，即三合体(triad)或五合体(pentad),在位于栅极电极109a外的部分上形成半导体层103的源极区域103b和漏极区域103c。对应于栅极电极109a下部的不掺杂的半导体层103的部分可形成纯多硅的有源区域103a。
[0093]之后，可在具有栅极电极109a的栅极绝缘层107上沉积一种无机绝缘材料，例如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)，由此形成第一夹层绝缘层113。可将第三光敏膜(未示出)涂覆在第一夹层绝缘层113上。
[0094]接下来，可通过掩模处理使第三光敏膜构图为第三光敏膜图案115。
[0095]如图6D中所示，可将第三光敏膜图案115用作为蚀刻掩模，对第一夹层绝缘层113和下面的栅极绝缘层107按顺序地进行刻蚀，由此形成第一半导体接触孔113a和第二半导体接触孔113b，用于分别暴露源极区域103b和漏极区域103c。
[0096]如图6E中所示，在移除第三光敏膜图案115之后，可在具有第一半导体接触孔113a和第二半导体接触孔113b的第一夹层绝缘层113上沉积一种金属，例如铝(Al)、铝合金(例如，AlNd)铜(Cu)以及铜合金，以便形成第二金属层117。可在第二金属层117上涂覆第四光敏膜(未示出)。
[0097]可通过掩模处理使第四光敏膜构图为第四光敏膜图案119。
[0098]如图6F中所示，可将第四光敏膜图案119用作为蚀刻掩模，对第二金属层117进行刻蚀，由此形成源极电极117a和漏极电极117b，这两个电极经由第一半导体接触孔113a和第二半导体接触孔113b分别与源极区域103b和漏极区域103c相接触。这里，半导体层103、栅极绝缘层107、栅极电极109a、第一夹层绝缘层113以及彼此分开的源极电极117a和漏极电极117b可构成驱动TFT DTr0虽然并未示出，但开关TFT (未示出)具有与驱动TFTDTr相同的结构，并可与驱动TFT DTr相连接。
[0099]在附图中示例性示出开关TFT和驱动TFT DTr为顶部栅极类型，其中半导体层103由多晶硅制成。同时，作为变形，开关TFT和驱动TFT DTr也可是以底部栅极类型实现，其中半导体层103由纯和不纯的非晶硅制成。
[0100]在移除第四光敏膜图案119之后，可在第一基板101的整个表面上沉积无机绝缘材料，例如氧化硅SiO2或氮化硅SiNx，以形成第二夹层绝缘层121。可将第五光敏膜(未示出)涂覆在第二夹层绝缘层121上。
[0101]可通过掩模处理使第五光敏膜构图为第五光敏膜图案123。
[0102]如图6G中所示，可将第五光敏膜图案123用作为掩模，对第二夹层绝缘层121进行刻蚀，由此形成漏极接触孔(附图标记未给出)，用于通过该接触孔使漏极电极117b暴露。
[0103]在移除第五光敏膜图案123之后，可在具有漏极接触孔的第二夹层绝缘层121上沉积透明的导电材料,例如ITO或ΙΖ0，由此形成透明导电层125。
[0104]在将第六光敏膜(未示出)涂覆在透明导电层125上之后，可通过掩模处理使第六光敏膜构图为第六光敏膜图案127。
[0105]如图6H中所示，可将第六光敏膜图案127用作为蚀刻掩模，对透明的导电层125进行刻蚀，由此形成第一电极125a。这里，第一电极125a、将通过后面处理形成的第二电极(参看图6J中的附图标记133)，以及有机发光层131可构成OLED (未示出)。
[0106]第一电极125a与驱动TFT DTr的漏极电极117b电连接。第一电极125a可优选由具有相对高的功函数数值的ITO制成，以便用作为阳极。
[0107]仍然参看图6H，在移除第六光敏膜图案127之后，可将有机绝缘层129涂覆到具有第一电极125a的第二夹层绝缘层121上。这里，有机绝缘层129可由有机绝缘材料例如具有光敏性质的光刻胶或光丙烯醒基(photoacryl)制成。
[0108]如图61中所示，可选择性地使有机绝缘层129构图，以形成界定出每个像素区域的开口的堤状物129a。这里，堤状物129a可形成在位于临近非显示区域NA的显示区域AA的最外部上像素的非开口上，形成在非显示区域NA上，或形成在显示区域AA和非显示区域NA的整个最外部上。
[0109]如图6J中所示，可在位于显示区域AA的像素区域中的第一电极125a上形成有机发光层131。这里，第一电极125a、将通过后面处理形成的第二电极(参看图6J中附图标记133)、以及有机发光层131可构成OLED E。此处，有机发光层131可具有由发光材料制成的单层结构，或具有包括空穴注入层、空穴传输层、发射材料层、电子传输层和电子注入层的多层以便提闻发射效率。
[0110]之后可在具有有机发光层131的堤状物129a上形成第二电极133。这里，优选由作为具有相对低功函数数值的材料的铝(Al)或铝合金(例如，AlNd)制成第二电极133，从而用作为阴极。
[0111]如图6K中所示，在利用掩模的掩模或印刷过程中，将厚度大于几μ m的聚合物层涂覆在位于作为面板边缘部分的非显示区域NA内的第二电极133上，由此形成防潮湿渗入图案135。这里，防潮湿渗入图案135可沿着作为面板边缘部分的非显示区域NA的外周部分形成，从而围绕显示区域AA，由此虑及外来物质的校平(leveling)并防止潮湿渗入，因而延长装置的寿命。另外，面板边缘部分可以并不局限于是非显示区域，而还包括显示区域AA的最外部分，非显示区域NA，以及处于显示区域AA的最外部分与非显示区域NA之间的区域。
[0112]如图6L中所示，可在具有防潮湿渗入图案135和第二电极133的第一基板101的整个表面上，沉积无机绝缘材料，例如氧化硅SiO2或氮化硅SiNx，由此形成钝化层137。这里，钝化层可另外地在形成防潮湿渗入图案之前形成。据此，当分别在形成聚合物层之前和之后形成钝化层时，钝化层可具有多钝化层结构，使由于潮湿渗入造成的产量减退最小化。
[0113]如图6M中所示，可在第一基板101与第二基板141之间形成由面密封剂制成的粘合剂层143，从而将两基板彼此贴合，由此封装该第一基板101和第二基板141。
[0114]如前所述，根据本公开内容的OLED装置以及制造该装置的方法，可以在作为面板边缘部分的非显示区域与显示区域之间沉积钝化层之前涂覆聚合物，用于使外来物质平坦化并防止潮湿渗入，所述聚合物可防止钝化层缺陷以及防止潮湿从面板边缘渗入，使得延长装置的寿命。
[0115]同时，根据本公开内容的OLED装置以及制造该装置的方法，可在涂覆用于防止潮湿渗入的聚合物处理步骤之前和之后，通过处理而形成钝化层，从而实现多钝化层结构，所述多钝化层结构可以使得由于潮湿渗入所造成的产量减退最小化。
[0116]前面的实施方式和优点仅仅是示例性的，并不将其解释为对本公开内容的限制。本教导可易于运用于其他类型的设备中。本说明意在解释，并不限制权利要求的范围。对于本领域技术人员来说很多替代方式，变形方式和变化是显而易见的。这里所说明的示例性实施方式的特征、结构、方法以及其他特点可以以各种方式组合，从而获得其他和/或替代性的示例性实施方式。
[0117]由于无需违背其特征就可用很多形式来具体化本发明的特点，因此还应该理解的是前述实施方式不受前面所述任何细节的限制，除非另有说明，相反的，应当在如所附权利要求中所限定的范围内对其进行广泛的解释，因而落入到权利要求边界和界限内的所有改变和变形，或者该边界和界限的等同方式，均意在包含在所附权利要求之内。
【权利要求】
1.一种有机发光二极管(OLED)装置,包括: 第一基板，由在上面具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的面板边缘部分界定; 薄膜晶体管，形成在所述第一基板的所述显示区域上； 第一电极，形成在所述第一基板上并与所述薄膜晶体管相连接； 堤状物，形成在所述第一基板上并界定每个像素的开口 ； 有机发光层，形成在所述第一基板的所述显示区域上； 第二电极，形成在具有所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上； 防潮湿渗入图案，形成在位于所述面板边缘部分处的堤状物上的所述第二电极上；钝化层，形成在包括有所述防潮湿渗入图案和所述第二电极的所述第一基板的整个表面上； 第二基板，贴合于所述第一基板；以及 粘合剂层，夹在所述第一基板和所述第二基板之间以将这两个基板彼此贴合。
2.根据权利要求1所述的装置，其中所述面板边缘部分包括所述显示区域的最外部分、非显示区域以及介于所述显示区域的最外部分与所述非显示区域之间的区域。
3.根据权利要求1所述的装置，其中所述防潮湿渗入图案被构造为聚合物层。
4.根据权利要求1所述的装置，其中所述防潮湿渗入图案沿着所述面板边缘部分的外周形成以围绕所述显示区域。
5.根据权利要求1所述的装置，还进一步包含形成在所述防潮湿渗入图案与所述第二电极之间的钝化层。
6.一种用于制造有机发光二极管(OLED)装置的方法，包括: 提供第一基板，由上面具有多个像素的显示区域和围绕所述显示区域的面板边缘部分界定； 在所述第一基板的所述显示区域上形成薄膜晶体管； 在所述第一基板上形成第一电极以与所述薄膜晶体管相连接； 形成堤状物以界定每个像素的开口； 在所述第一电极上形成有机发光层； 在包括所述有机发光层的所述第一基板的整个表面上形成第二电极； 在位于所述面板边缘部分处堤状物上的所述第二电极上形成防潮湿渗入图案； 在包括有所述防潮湿渗入图案和所述第二电极的所述第一基板的整个表面上形成钝化层；以及 用夹在所述第一基板和第二基板之间的粘合剂层将这两个基板彼此贴合。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述面板边缘部分包括所述显示区域的最外部分，非显示区域以及介于所述显示区域最外部分与所述非显示区域之间的区域。
8.根据权利要求6所述的方法，其中所述防潮湿渗入图案被构造为聚合物层。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述防潮湿渗入图案沿着所述面板边缘部分的外周形成以围绕所述显示区域。
10.根据权利要求6所述的方法，还进一步包含在所述防潮湿渗入图案与所述第二电极之间形成钝化层。
【文档编号】H01L21/77GK103681740SQ201210567796
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年12月24日 优先权日:2012年9月10日
【发明者】权当, 孙正浩, 李定玹 申请人:乐金显示有限公司