专利名称：一种半导体电阻的制备方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体电阻的制备方法。
背景技术：
随着科技的发展，例如随着铁路的快速发展，铁轨越铺越长，尤其是高寒高铁的建设需要更多大容量耐寒的电阻器件，但是目前的方法制备的电阻容量小、耐寒性差。因此，寻找一种能够消除上述缺点的电阻的制备方法成为亟需解决的问题。
发明内容
本发明提供 一种半导体电阻的制备方法，半导体电阻其包括30_60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20_40wt%的矿渣砂，其特征在于，包括如下步骤(a)、将按配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；(b)、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为20_30°C，处理时间为9-15小时；(C)、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为80-100°C，干燥时间为9-12小时。有益效果本发明制备的电阻经过测试分析，显示电阻性能良好，而且该方法工艺要求简单，制造成本低。
具体实施例方式下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1该半导体电阻的制备方法包括如下步骤(a)、将按30wt%的水玻璃、10wt%的氟娃酸钠、10wt%的石墨、10wt%的矿洛粉以及40wt%的矿渣砂的配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；(b)、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为20°C，处理时间为15小时；(C)、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为80°C，干燥时间12小时。实施例2该该半导体电阻的制备方法包括如下步骤(a)、将按60wt%的水玻璃、5wt%的氟娃酸钠、10wt%的石墨、5wt%的矿洛粉以及20wt%的矿渣砂的配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；
(b)、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为30°C，处理时间为9小时；(C)、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为100°C，干燥时间为9小时。实施例3该半导体电阻的制备方法包括如下步骤(a)、将按30wt%的水玻璃、7wt%的氟娃酸钠、13wt%的石墨、30wt%的矿洛粉以及20wt%的矿渣砂的配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；(b)、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为25°C，处理时间为12小时；
(C)、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为90°C，干燥时间为10小时。
权利要求
1.一种半导体电阻的制备方法，半导体电阻其包括30_60wt%的水玻璃、5_10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20-40wt%的矿渣砂，其特征在于，包括如下步骤(a)、将按配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；(b)、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为20-30°C，处理时间为9-15 小时；(C)、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为80-100°C，干燥时间为9-12小时。
2.如权利要求1所述的制备方法，其中，(a)、将按30wt%的水玻璃、7wt%的氟娃酸钠、13wt%的石墨、30wt%的矿洛粉以及20wt% 的矿渣砂的配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；(b)、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为25°C，处理时间为12小时； (C)、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为90°C，干燥时间为10小时。
全文摘要
本发明提供一种半导体电阻的制备方法，半导体电阻其包括30-60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20-40wt%的矿渣砂，其特征在于，包括如下步骤(a)、将按配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；(b)、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为20-30℃，处理时间为9-15小时；(c)、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为80-100℃，干燥时间为9-12小时。
文档编号H01C17/00GK103050206SQ20121057989
公开日2013年4月17日 申请日期2012年12月27日 优先权日2012年12月27日
发明者李岗, 国欣鑫, 张晓辉 申请人:青岛艾德森能源科技有限公司