专利名称：半导体三极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种半导体分立器件的制造技术领域，特别是半导体三极管。
背景技术：
目前半导体三极管芯片生产技术在制作完成扩散和钝化工艺之后通过正面蒸发铝和背面蒸发多层金属来制作金属电极，需要两次蒸发以及一次正面刻蚀铝エ艺步骤，芯片在装配时发射极(晶闸管为阴极)和基极(晶闸管为门极)通过铝线和框架引脚相连。目前生产技术在芯片阶段金属化工艺成本较高，同时生产周期长；封装阶段装配铝线导热性能不佳，芯片工作时热量不能快速散发出去。本领域一直以来有如下认识对于电镀件防护性能来说，基体材料外表的粗糙度有着密切的关系，材料表面越粗糙，所获镀层的质量越差，孔隙越多，在大气中越容易锈蚀，反之质量越好。这是因为电解过程中氢在粗糙表面上的过电位小于光洁表面上的过电位，所以粗糙表面氢容易析出，金属离子就不容易放电沉积。为此，在结构设计中应适当降低表面粗糙度的要求，这是提高镀件表面防护性能的有效措施之一。
实用新型内容本实用新型目的是提供ー种エ艺简单，成本较低，散热较好的半导体三极管。本实用新型的技术方案是包括芯片、跳线和三根引线，所述芯片底面镀设有镍金集电极；所述芯片的顶面设有发射极窗口和基极窗ロ，在所述发射极窗口上镀设有镍金发射扱，在所述基极窗口上镀设有镍金基极；所述镍金集电极、镍金发射极和镍金基极分别通过跳线与各自的引线相连。所述发射极窗口和基极窗ロ的底面分别为粗糙度一致的吹砂粗糙面。所述连接集电极的引线包括底座和引线体，所述底座面积大于所述芯片的底面积。本实用新型在芯片顶面预设了两个镀镍金的区域(B卩发射极窗口和基极窗ロ)，然后一次性在芯片的两面镀设镍金集电极、镍金发射极和镍金基板。相对于现有技术在芯片生产阶段省去了原有的两道蒸发エ艺以及一道铝反刻エ艺，节约了成本，缩短了生产周期。在封装阶段通过铜连接片可以快速将芯片工作时产生的热量快速散发出去，改善了器件的高温特性。此外，将发射极窗口和基极窗ロ加工为粗糙面，克服了本领域一直以来的技术偏见，因为封装后，基体材料相关区域处于密封状态下，不会发生负面影响。
图I是本实用新型的结构示意图，图2是图I的俯视图，图3是本实用新型的装配示意图；图中I是发射极，2为基板，3为芯片，31为吹砂粗糙面一，32为吹砂粗糙面ニ，4为集电极，5为底座，6为跳线一，71为引线一，72是引线ニ，73为引线三，8为跳线三。
具体实施方式
本实用新型如图1-3所示，包括芯片3、跳线和三根弓I线，所述芯片I底面镀设有镍金集电极4 ;所述芯片I的顶面设有发射极窗口和基极窗ロ，在所述发射极窗口上镀设有镍金发射极1，在所述基极窗口上镀设有镍金基极2 ;所述镍金集电极4、镍金发射极I和镍金基极2分别通过跳线与各自的引线相连。所述发射极窗口和基极窗ロ的底面分别为粗糙度一致的吹砂粗糙面。如图I中所示吹砂粗糙面ー 31、吹砂粗糙面ニ 32。适当地増加粗糙度能增强镀层的结合力。所述连接集电极4的引线包括底座5和引线体(即引线ニ)，所述底座5面积大于所述芯片4的底面积。制成品如图3所示，发射极I通过跳线一 6连接引线ー 71 ;基极2通过跳线三8连接引线三73 ;集电极4通过底座5同于底座5连为一体的引线ニ 72相连。加工本实用新型时按如下实施步骤I)采用光刻エ艺将已完成扩散及钝化工艺的三极管刻蚀出正面基极和发射极(晶闸管为门极和阴极)电极窗ロ，粗面化后镀镍金(或镀镍后锡膏预焊)以形成金属电极。2)将电极窗ロ吹砂粗面化，以利于镀镍。3)镀镍金(或镀镍后锡膏预焊)形成金属电极，如图I纵向结构和图2横向结构(图中仅为示意图形，具体图形视具体情况不同)；4)芯片测试并打点以区分良品与不良品；5)切割并分选出良品芯片；6)将芯片与框架装配时，用铜连接片连接芯片发射极(晶闸管为阴极)与相应的框架管脚，用铜线连接芯片基极(晶闸管为门极)与相应的框架管脚，集电极(晶闸管为阳极)与框架底座相连，形成如图3所示装配结构；7)模压成型エ艺以下为通行的三极管封装エ艺。
权利要求1.半导体三极管，包括芯片、跳线和三根引线，其特征在于，所述芯片底面镀设有镍金集电极；所述芯片的顶面设有发射极窗口和基极窗口，在所述发射极窗口上镀设有镍金发射极，在所述基极窗口上镀设有镍金基极；所述镍金集电极、镍金发射极和镍金基极分别通过跳线与各自的引线相连。
2.根据权利要求I所述的半导体三极管，其特征在于，所述发射极窗口和基极窗口的底面分别为粗糙度一致的吹砂粗糙面。
3.根据权利要求I或2所述的半导体三极管，其特征在于，所述连接集电极的引线包括底座和引线体，所述底座面积大于所 述芯片的底面积。
专利摘要半导体三极管。涉及一种半导体分立器件的制造技术领域。提供一种工艺简单，成本较低，散热较好的半导体三极管。包括芯片、跳线和三根引线，所述芯片底面镀设有镍金集电极；所述芯片的顶面设有发射极窗口和基极窗口，在所述发射极窗口上镀设有镍金发射极，在所述基极窗口上镀设有镍金基极；所述镍金集电极、镍金发射极和镍金基极分别通过跳线与各自的引线相连。本实用新型在芯片顶面预设了两个镀镍金的区域，然后一次性在芯片的两面镀设镍金集电极、镍金发射极和镍金基极。相对于现有技术在芯片生产阶段省去了原有的两道蒸发工艺以及一道铝反刻工艺，节约了成本，缩短了生产周期。在封装阶段通过铜连接片改善了器件的高温特性。
文档编号H01L29/70GK202423294SQ20122000611
公开日2012年9月5日 申请日期2012年1月9日 优先权日2012年1月9日
发明者薛列龙 申请人:薛列龙