专利名称：发光二极管晶圆吸附平台的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及发光二极管晶圆，尤其涉及发光二极管晶圆的固定装置，即发光二极管晶圆吸附平台。
背景技术：
请参阅图I与图2所示，发光二极管晶圆I在制造完成之后，必须进行晶圆研磨作业，以进行后续的晶圆切割、封装等作业。已知发光二极管晶圆I在研磨作业时，必须加以固定不动，由于发光二极管晶圆I的厚度相当的薄，为避免裂缝或破片，无法使用一般半导体制程使用的真空吸附固定装置，已知为将多个发光二极管晶圆I利用固定腊2黏着固定于一工作台3上，以进行研磨与抛光。然而此固定方式，在研磨及抛光作业完毕之后，必须使用锹子将被固定腊2固定的发光二极管晶圆I翘出，此一作业若施力稍有不当，极易使发光二极管晶圆I产生破片或裂缝，其为目前发光二极管晶圆I提升制程良率的瓶颈之一。请再参阅图3所示，为解决上述已知固定方式的问题，已有人利用一真空产生装置4以及一多孔性吸附隔垫5来吸附固定发光二极管晶圆1，其中该多孔性吸附隔垫5具有多个交错且贯通的气孔流道(图未示)并被一固定环6所围绕与固定，并该多孔性吸附隔垫5供放置该发光二极管晶圆1，据此利用该真空产生装置4产生负压，并通过气孔流道的分压，于该多孔性吸附隔垫5产生均匀的吸力，而避免发光二极管晶圆I产生破片或裂缝。然而，此一固定方式，由于该多孔性吸附隔垫5利用分散气流来解决局部吸力过强的问题，然而相对的其可以产生的气流相当的薄弱，因此在进行研磨与抛光作业时，发光二极管晶圆I有可能会因高速移动或旋转所产生的惯性力而偏移，其会造成制程上的困扰，而降低制程良率。
实用新型内容于是，本实用新型的主要目的在于披露一种发光二极管晶圆吸附平台，其不但可提供均匀的吸力，也可确实卡制发光二极管晶圆，避免该发光二极管晶圆因惯性力而偏移。基于上述目的，本实用新型为一种发光二极管晶圆吸附平台，该发光二极管晶圆吸附平台供配合一真空产生装置使用，该真空产生装置具有一吸气面，该吸气面具有提供负压的多个吸气孔，该多个吸气孔用于吸附固定一发光二极管晶圆，该发光二极管晶圆吸附平台包含至少一多孔性吸附隔垫与一气密式固定盘，其中该至少一多孔性吸附隔垫具有一吸附面与一抽气面，且该至少一多孔性吸附隔垫具有多个交错且贯通该吸附面与该抽气面的气孔流道，而该至少一多孔性吸附隔垫镶嵌于该气密式固定盘内，并且该气密式固定盘的厚度大于该至少一多孔性吸附隔垫的厚度，而且所述气密式固定盘于该吸附面的环侧凸起而形成一卡抵面，并且该发光二极管晶圆设置于该吸附面上且所述发光二极管晶圆的边缘被该卡抵面卡制，该抽气面则连接该真空产生装置的吸气面并覆盖该多个吸气孔。进一步地，发光二极管晶圆吸附平台还包含数量与至少一多孔性吸附隔垫的数量相对应的至少一气密环，至少一气密环分设于气密式固定盘与至少一多孔性吸附隔垫之间并紧邻所述卡抵面。进一步地，至少一多孔性吸附隔垫环绕分布于气密式固定盘上。进一步地，卡抵面的高度为70 80微米据此，本实用新型的优点在于通过该真空产生装置于该吸气孔提供负压，并经过该多个气孔流道的均匀分压，可以于该吸附面产生均匀的吸附力，并通过该卡抵面的高度差可以确实卡制该发光二极管晶圆，可避免该发光二极管晶圆因高速移动或旋转时所产生的惯性力而位移，以满足确实固定该发光二极管晶圆的需求。
图I为已知发光二极管晶圆结构图。 图2为已知发光二极管晶圆固定示意图。图3为另一已知发光二极管晶圆固定示意图。图4为本实用新型结构分解图。图5为本实用新型结构组合剖视图。图6，为本实用新型吸附晶圆示意图。图7，为本实用新型实际实施示意图。
具体实施方式
有关本实用新型的详细说明及技术内容，现就配合图式说明如下请参阅图4、图5与图6所示，本实用新型为一种发光二极管晶圆吸附平台，供配合一真空产生装置10使用，该真空产生装置10具有一吸气面11，该吸气面11具有提供负压的多个吸气孔12而用于吸附固定一发光二极管晶圆20，该真空产生装置10可以内藏空气泵(图未示)，以利用空气泵排出气体而达成真空状态，以于该多个吸气孔12处提供负压。而本实用新型包含至少一多孔性吸附隔垫30与一气密式固定盘40，此处该至少一多孔性吸附隔垫30示出一个为例加以说明，其中该至少一多孔性吸附隔垫30具有一吸附面31与一抽气面32，且该至少一多孔性吸附隔垫30具有多个交错且贯通该吸附面31与该抽气面32的气孔流道33，该多孔性吸附隔垫30可以为多孔性陶瓷制成，如可以为氧化铝基板等材质制成。并该抽气面32连接该真空产生装置10的吸气面11并覆盖该多个吸气孔12，以接收负压，并经由该多个气孔流道33的均匀分压而于该吸附面31产生均匀的吸附力。又该至少一多孔性吸附隔垫30镶嵌于该气密式固定盘40内，并该气密式固定盘40的厚度大于该至少一多孔性吸附隔垫30，而于该吸附面31的环侧凸起形成一卡抵面41，且该卡抵面41的高度H，其优选值为70 80微米，并该发光二极管晶圆20设置于该吸附面31上且边缘被该卡抵面41卡制。另外，本实用新型还可包含数量对应该至少一多孔性吸附隔垫30的至少一气密环50，该至少一气密环50分设于该气密式固定盘40与该至少一多孔性吸附隔垫30之间并紧邻该卡抵面41。因而可以通过该气密环50的包覆效果，除了可防止漏气而加强该吸附面31的吸附力之外，还可保护该多孔性吸附隔垫30，以增加使用寿命。[0025]又请参阅图7所示，为本实用新型的实际实施方式之一，其中本实用新型的该 至少一多孔性吸附隔垫30，可以具有多个且环绕分布于该气密式固定盘40A上，如图所示，其示出4个为例加以说明，但本实用新型并不以此为限，其可使多个发光二极管晶圆20，同时进行研磨与抛光作业。如上所述，本实用新型通过该多个气孔流道的均匀分压，可以于该吸附面产生均匀的吸附力，并本实用新型还通过该卡抵面的高度差而限位卡制该发光二极管晶圆，可避免该发光二极管晶圆高速移动或旋转时会因为惯性力而偏移，而可满足确实固定该发光二极管晶圆的需求。
权利要求1.一种发光二极管晶圆吸附平台，所述发光二极管晶圆吸附平台供配合一真空产生装置使用，所述真空产生装置具有一吸气面，所述吸气面具有提供负压的多个吸气孔，所述多个吸气孔用于吸附固定一发光二极管晶圆，其特征在于，所述发光二极管晶圆吸附平台包含: 至少一多孔性吸附隔垫，所述至少一多孔性吸附隔垫具有一吸附面与一抽气面，且所述至少一多孔性吸附隔垫具有多个交错且贯通所述吸附面与所述抽气面的气孔流道；以及 一气密式固定盘，所述至少一多孔性吸附隔垫镶嵌于所述气密式固定盘内，并且所述气密式固定盘的厚度大于所述至少一多孔性吸附隔垫的厚度，而且所述气密式固定盘于所述吸附面的环侧凸起而形成一卡抵面，并且所述发光二极管晶圆设置于所述吸附面上且所述发光二极管晶圆的边缘被所述卡抵面卡制，所述抽气面则连接所述真空产生装置的所述吸气面并覆盖所述多个吸气孔。
2.根据权利要求I所述的发光二极管晶圆吸附平台，其特征在于，所述发光二极管晶圆吸附平台还包含数量与所述至少一多孔性吸附隔垫的数量相对应的至少一气密环，所述至少一气密环分设于所述气密式固定盘与所述至少一多孔性吸附隔垫之间并紧邻所述卡抵面。
3.根据权利要求I所述的发光二极管晶圆吸附平台，其特征在于，所述至少一多孔性吸附隔垫环绕分布于所述气密式固定盘上。
4.根据权利要求I所述的发光二极管晶圆吸附平台，其特征在于，所述卡抵面的高度为70 80微米。
专利摘要本实用新型提供发光二极管晶圆吸附平台，供配合一真空产生装置使用，真空产生装置具有一吸气面，吸气面具有提供负压的多个吸气孔，而用于吸附固定发光二极管晶圆，本实用新型包含多孔性吸附隔垫与气密式固定盘，其中多孔性吸附隔垫具有一吸附面与一抽气面，且多孔性吸附隔垫具有多个交错且贯通吸附面与抽气面的气孔流道，而至少一多孔性吸附隔垫镶嵌于气密式固定盘内，并于吸附面的环侧凸起形成一卡抵面，且发光二极管晶圆设置于吸附面上且边缘被卡抵面卡制，抽气面则连接真空产生装置的吸气面并覆盖该多个吸气孔，据此通过卡抵面的高度差而卡固发光二极管晶圆，避免发光二极管晶圆高速移动或旋转时，因惯性力而滑移，而满足使用上的需求。
文档编号H01L21/683GK202616216SQ20122016707
公开日2012年12月19日 申请日期2012年4月18日 优先权日2012年4月18日
发明者陈孟端 申请人:正恩科技有限公司