专利名称：适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。
背景技术：
长期以来，半导体芯片封装时打线一直采用金线，随着近年来市场竞争的白热化，产品的成本降低、产品的可靠性已经成为各个封装厂家产品竞争力的主要标准。各封装厂家为了降低生产成本，逐渐由目前的金线改为铜线或铝线，对半导体芯片正面压点铝层有了更高要求。而作为分立器件制造中的最后一道工序一背面金属化，由于该工序为了保证芯片的可靠性，降低背面接触电阻，需对背面进行去氧化层的泡酸处理，泡酸过程中对正面铝层的保护成为一道难道。 在本实用新型作出以前，常用的适用于半导体芯片背面金属化前处理的泡酸工艺主要采用以下两个技术现行工艺一、将需要进行泡酸处理的芯片全部浸入酸液中一段时间。其不足之处在于I、半导体芯片正面压点铝层存在一定的腐蚀，半导体芯片正面压点铝层质量下降，影响后期制程；2、背面氧化层不能完全去除干净，造成背面金属化工艺不稳定，易造成致命失效；3、与后续工艺配合不佳。现行工艺二、将半导体芯片的正面用胶膜进行保护，再进行泡酸作业。其不足之处在于I、成本较高；2、操作复杂，硅片较薄时不易加工。综上所述现行的两种工艺无法达成既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的要求。
发明内容本实用新型的目的在于克服上述不足，提供一种既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置。本实用新型的目的是这样实现的一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置，它包括泡酸容器，所述泡酸容器中设置有衬垫，所述衬垫上浸满酸液，所述酸液的液位比衬垫高出0 2mm。所述衬垫为耐酸多孔衬垫。与现有技术相比，本实用新型的有益效果是[0017]本实用新型适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置具有既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的优点。
图I为本实用新型适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置的结构示意图。其中半导体芯片I·泡酸容器2衬垫3酸液4。
具体实施方式
本实用新型涉及的一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置，它包括泡酸容器2，所述泡酸容器2中设置有衬垫3，所述衬垫3上浸满酸液4，所述酸液4的液位比衬垫3高出Olmm，所述衬垫3的上表面放置半导体芯片1，所述衬垫3为耐酸多孔衬垫。
权利要求1.一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置，其特征在于它包括泡酸容器(2)，所述泡酸容器(2)中设置有衬垫(3)，所述衬垫(3)上浸满酸液(4)，所述酸液(4)的液位比衬垫(3)高出0 2_。
2.根据权利要求I所述的一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置，其特征在于所述衬垫(3)为耐酸多孔衬垫。
专利摘要本实用新型涉及一种适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置，其特征在于它包括泡酸容器(2)，所述泡酸容器(2)中设置有衬垫(3)，所述衬垫(3)上浸满酸液(4)，所述酸液(4)的液位比衬垫(3)高出0~2mm。本实用新型适用于半导体芯片背面金属化前处理的单面泡酸装置具有既能保证半导体芯片正面压点铝层质量、又能保证半导体芯片背面氧化层完全去除干净、同时还能够不增加成本的优点。
文档编号H01L21/687GK202662585SQ20122031407
公开日2013年1月9日 申请日期2012年7月2日 优先权日2012年7月2日
发明者王新潮, 冯东明, 丁军, 王光伟, 叶新民 申请人:江阴新顺微电子有限公司