盆式绝缘子的制作方法

文档序号:7129178阅读:318来源:国知局
专利名称:盆式绝缘子的制作方法
技术领域
本实用新型涉及高压开关设备技术领域,特别是一种用于高压开关设备中的盆式绝缘子。
背景技术
对于高压开关设备,其电压等级的高低主要取决于绝缘子的各项电气性能指标和机械性能指标,电压等级越高,对绝缘子的要求就越高。如IlOOkV GIS产品用大型盆式绝缘子,要求其具有在1100 kV电压等级下的绝缘性能,这对盆式绝缘子的沿面电场分布提出了更高的要求。文献号为CN 20153603.4 U的中国专利公开了一种新型盆式绝缘子,该绝缘子包括由环氧树脂浇注而成的呈盆状的绝缘浇注体,绝缘浇注体由盆沿、盆身和盆底构成,其中·盆身呈锥形,盆身的内壁面与盆沿和盆底的相应表面分别通过对应相切的第一弧面段和第二弧面段光滑连接,在绝缘浇注体的盆底还设有中心导体,中心导体通过浇注与绝缘浇注体粘接在一起。这种结构的盆式绝缘子,在使用中由于其沿面电场分布不均容易引起绝缘子闪络放电,目前,通常采用外加均压环的方法来改善电场分布不均的问题,但是改善的效果却因均压环的尺寸和所安装的位置不同而有很大的差别,这种改善绝缘子沿面电场分布的方法对于如1100 kV高电压等级的盆式绝缘子不适用,不能满足高电压等级的要求。

实用新型内容本实用新型的目的是提供一种能够很好改善绝缘子沿面电场分布以适应高电压等级下电场要求的盆式绝缘子。为实现上述目的,本实用新型采用如下技术方案盆式绝缘子,包括呈盆状的绝缘浇注体,绝缘浇注体的盆身的内壁面与盆沿和盆底的相应表面分别通过对应相切的第一弧面段和第二弧面段光滑连接,在绝缘浇注体的盆身与盆沿的连接部埋设有与绝缘浇注体同轴的、用于改善绝缘子沿面电场分布的屏蔽环,该屏蔽环的形状与绝缘浇注体的盆口形状相一致;在绝缘子的过轴线的纵截面上,所述第一弧面段的轮廓线为圆弧段,屏蔽环的环体截面呈圆形或者椭圆形,屏蔽环环体截面的对称轴与所述圆弧段对应的圆心角的角平分线重合,屏蔽环环体截面的中心与绝缘浇注体顶面之间的距离不小于最小绝缘距离。所述屏蔽环的环体截面处于由所述圆弧段和该圆弧段两端的半径线所围成的扇形区域内。所述屏蔽环环体截面的轮廓线与所述圆弧段两端的半径线相切。所述屏蔽环的环体上设有用于导电连接外法兰的导电连接柱体。所述绝缘浇注体的盆身的内壁面由上、下两锥面段和光滑连接该两锥面段的过渡圆弧面段组成,该过渡圆弧面段的两端与上、下锥面段对应相切,上锥面段与所述的第一弧面段相连,下锥面段与所述的第二弧面段相连,上锥面段的锥形夹角小于下锥面段的锥形夹角。[0010]本实用新型通过在绝缘浇注体盆身和盆沿连接部位埋设屏蔽环,并且屏蔽环的圆形或者椭圆形环体截面的对称轴与所述角平分线重合,使得屏蔽环环体与所述圆弧段两端的距离相等,从而保证了屏蔽环沿面与绝缘子沿面电场方向基本一致,极大程度地改善了绝缘子沿面电场分布状况,而在其他位置引入屏蔽环时,则无法实现屏蔽环与绝缘子沿面电场方向的一致性,进而影响电场改善效果。基于电磁场理论并利用软件对IlOOkV盆式绝缘子不安装屏蔽环及安装不同形状尺寸屏蔽环时的表面场强分布和沿路径电场分布进行了计算,计算方式为模拟将绝缘子安装于带有中心导体的圆形筒体上,进行建模,在2010年I月出版的《SF6高压电器》(黎斌著)第56页的表4-1和第82页的表6-1场强设计基准值中选取判据,进行电场分析计算。不安装屏蔽环与在本实用新型所述位置安装屏蔽环的电场计算结果见下表
'麵賴糊大j場顯麵I· *.. ^ I, k V IHlW K 1. Ι.Λ· _匪! >
観·.......................-,WWWA-........................................................叩叩挪叩"4°.........叩WWW讓讓一1!-. °-讓讓■—-; -.-..............~看......................................---------------.......................
.............................................................................................................................................................................1I^5.....................................J.....................................................1....................................................
ISfe ; .^,4, Λ J - Ii’ I-ι,
j与》 杯等电位s __I__I_二_结果表明在本实用新型所述的位置引入屏蔽环后,改善了盆式绝缘子沿面电场分布不均匀的状况,盆式绝缘子沿面电场强度仅为10. 056kV/mm,远低于以往盆式绝缘子12kV/mm的水平,有效的降低了绝缘子周围电场强度,从而抑制闪络与击穿的发生,大幅度提高了盆式绝缘子的绝缘性能。通过试验,该大型盆式绝缘子的电性能通过AC工频耐1270kV/lmin,雷电冲击耐受电压2800 kV(l. 2 /50 μ s峰值),局放由原来的通用要求3 pC以下降低到IpC以下。另外,由于屏蔽环靠近法兰设置,对开关中筒体等位置可能导致放电的外围异物也起到了良好的屏蔽效果,保证了绝缘件的绝缘性能。本实用新型将屏蔽环环体截面的轮廓线与所述圆弧段两端的半径线相切后,能够保证所述扇形区域内的电场在沿扇形半径方向上均匀降低,从而防止产生畸变。本实用新型中,绝缘浇注体的盆身采用由两锥面段和一相切的过渡圆弧面段光滑过渡连接的构成方式,这样既可保证绝缘子具有平缓的坡度,又可以减小绝缘子的直径和高度,使得绝缘子的结构更加紧凑;进一步地,还能够保证在不降低水压破坏强度的前提下,相应减小绝缘浇注体的厚度,实现高电压等级大型盆式绝缘子的小型化、轻量化、降低成本的目的。

图I是本实用新型一种实施例的结构示意图;图2是图I中屏蔽环的局部示意图;图3是图I中屏蔽环导电连接柱体处的局部剖视图。
具体实施方式
本实用新型提供的盆式绝缘子的实施例见图I-图3所示,其包括由盆底13、盆身11和盆沿12构成的呈盆状的绝缘浇注体1,绝缘浇注体的盆底13设有通过浇注与之形成一个整体的中心导体2,绝缘浇注体的盆身11的内壁面与盆沿12和盆底13的相应表面分别通过对应相切的第一弧面段ab和第二弧面段ef连接,第一弧面段为圆弧面段,所述盆身11的内壁面由上、下两锥面段bc、de和连接该两锥面段的过渡圆弧面段Cd组成,该过渡圆弧面段Cd的两端与上、下锥面段对应相切,上锥面段be与盆沿的对应表面通过与两者均相切的第一弧面段ab光滑连接,下锥面段de与盆底的对应表面通过与之均相切的第二弧面段ef光滑连接,并且上锥面段be的锥形夹角小于下锥面段de的锥形夹角。本实施例中,在绝缘浇注体的盆身11与盆沿12的连接部还埋设有用于改善绝缘子沿面电场分布、降低绝缘子周围电场强度的屏蔽环3,该屏蔽环3与绝缘浇注体同轴设置,并且屏蔽环的形状与绝缘浇注体的盆口形状相一致,本实施例中两者形状均为圆形;在绝缘子的过轴线的纵截面上,第一弧面段ab的轮廓线为圆弧段,屏蔽环3的环体截面呈圆形,并且屏蔽环3的环体截面处于由该圆弧段和圆弧段两端的半径线oa和ob所围成的扇形区域内,点O是该圆弧段的圆心,并且该圆弧段两端的半径线与屏蔽环环体截面的轮廓线相切;另外,屏蔽环的环体截面的中心与绝缘浇注体顶面之间的距离h应不小于最小绝 缘距离,以防止击穿。另外,屏蔽环的环体上设有用于导电连接外法兰的导电连接柱体31,导电连接柱体31的端面径向向外延伸到绝缘浇注体盆沿12的圆周面上,导电连接柱体的端面上开设有连接孔32,在装配时,通过连接件将屏蔽环与绝缘子的外法兰电连接在一起,实现两者等电位,由于外法兰与筒体装配在一起,筒体接地,从而使得周围电场强度在沿扇形的半径方向迅速下降。本实用新型提供的盆式绝缘子的另一实施例,其与上述实施例的不同之处在于在绝缘子的过轴线的纵截面上,屏蔽环的环体截面呈椭圆形状,此时椭圆的对称轴需要与所述圆弧段所对应的圆心角的角平分线重合。本实用新型提供的其他实施例中,在绝缘子的过轴线的纵截面上,屏蔽环环体截面的轮廓线可以不与所述圆弧段两端的半径线相切,但此时环体截面的中心位于所述圆弧段所对应圆心角的角平分线上,环体截面可以处于所述的扇形区域内,也可以超出所述的扇形区域,同样也能起到改善绝缘子沿面电场分布的作用。上述各实施例的结构特别适合生产大型盆式绝缘子时采用,对于其他不需要减小绝缘子结构尺寸的中小型盆式绝缘子,其盆身则可以采用现有盆身结构形式,仅在上述实施例中描述的绝缘浇注体盆口的特殊位置埋设屏蔽环即可实现改善沿面电场分布、降低绝缘子周围场强的目的。
权利要求1.盆式绝缘子,包括呈盆状的绝缘浇注体,绝缘浇注体的盆身的内壁面与盆沿和盆底的相应表面分别通过对应相切的第一弧面段和第二弧面段光滑连接,其特征在于在绝缘浇注体的盆身与盆沿的连接部埋设有与绝缘浇注体同轴的、用于改善绝缘子沿面电场分布的屏蔽环,该屏蔽环的形状与绝缘浇注体的盆口形状相一致;在绝缘子的过轴线的纵截面上,所述第一弧面段的轮廓线为圆弧段,屏蔽环的环体截面呈圆形或者椭圆形,屏蔽环环体截面的对称轴与所述圆弧段对应的圆心角的角平分线重合,屏蔽环环体截面的中心与绝缘浇注体顶面之间的距离不小于最小绝缘距离。
2.根据权利要求I所述的盆式绝缘子,其特征在于所述屏蔽环的环体截面处于由所述圆弧段和该圆弧段两端的半径线所围成的扇形区域内。
3.根据权利要求2所述的盆式绝缘子,其特征在于所述屏蔽环环体截面的轮廓线与所述圆弧段两端的半径线相切。
4.根据权利要求I或2或3所述的盆式绝缘子,其特征在于所述屏蔽环的环体上设有用于导电连接外法兰的导电连接柱体。
5.根据权利要求I或2或3所述的盆式绝缘子,其特征在于所述绝缘浇注体的盆身的内壁面由上、下两锥面段和光滑连接该两锥面段的过渡圆弧面段组成,该过渡圆弧面段的两端与上、下锥面段对应相切,上锥面段与所述的第一弧面段相连,下锥面段与所述的第二弧面段相连,上锥面段的锥形夹角小于下锥面段的锥形夹角。
6.根据权利要求5所述的盆式绝缘子,其特征在于所述屏蔽环的环体上设有用于导电连接外法兰的导电连接柱体。
专利摘要本实用新型涉及一种盆式绝缘子,包括呈盆状的绝缘浇注体,绝缘浇注体的盆身的内壁面与盆沿和盆底的相应表面分别通过对应相切的第一弧面段和第二弧面段光滑连接,在绝缘浇注体的盆身与盆沿的连接部埋设有与绝缘浇注体同轴的、用于改善绝缘子沿面电场分布的屏蔽环,该屏蔽环的形状与绝缘浇注体的盆口形状相一致;在绝缘子的过轴线的纵截面上,所述第一弧面段的轮廓线为圆弧段,屏蔽环的环体截面呈圆形或者椭圆形,屏蔽环环体截面的对称轴与所述圆弧段对应的圆心角的角平分线重合,屏蔽环环体截面的中心与绝缘浇注体顶面之间的距离不小于最小绝缘距离。本结构很好的改善了绝缘子沿面电场分布,防止闪络发生,满足了高电压等级绝缘子的使用要求。
文档编号H01B17/42GK202720974SQ20122041805
公开日2013年2月6日 申请日期2012年8月22日 优先权日2012年8月22日
发明者郝留成, 田 浩, 李宏楼, 杨保利, 袁端鹏, 刘随军, 王路平 申请人:河南平高电气股份有限公司, 平高集团有限公司, 国家电网公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1