专利名称：功率mosfet的器件结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及MOSFET芯片技术领域，具体涉及一种功率MOSFET的器件结构。
背景技术：
随着电子制造技术的快速发展，消费电子产品越来越向小型、便携的趋势发展，这也导致了这些电子产品的内部能够用于布置电学元件的空间变得越来越有限。在此情况下，采用的电学元件势必越薄越好，这也成为了目前电子元件制造也的发展趋势。四方扁平无引脚封装(QFN)工艺恰好可以满足这一需求。附图I所示是现有技术中一种典型的QFN封装结构的剖面示意图，包括芯片900，散热片920、引线框架930、多个导线940，以及包裹上述结构的绝缘胶950。芯片900粘附在散热片920上，引线框架930具有多个相互绝缘的管脚，芯片900表面的焊盘通过导线940连接在引线框架93。相应的管脚上。绝缘胶950将上述结构全部包裹起来，以将其同外界 隔离，仅将引线框架930的各个管脚和散热片920与芯片900相对的表面暴露在空气中。引线框架930暴露出来的管脚用于实现被封装的芯片900同外界的电学连接，而散热片920暴露出来的作用在于将芯片900工作时产生的热量通过暴露的表面散发到环境中去。
发明内容本实用新型目的是提供一种功率MOSFET的器件结构，此器件结构有效避免了由于连接栅极的金属线较细在使用中容易断的技术缺陷，从而延长了产品的使用寿命并提高了可靠性。为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是一种功率MOSFET的器件结构，包括MOSFET芯片、环氧树脂层，所述MOSFET芯片上表面设有源极和栅极，下表面设有漏极，还包括导电基盘、第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过导电焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚区；若干根第一金属线跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间，第二金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。上述技术方案中进一步改进的方案如下I、上述方案中，所述第一导电焊盘和第二导电焊盘各自的焊接区与MOSFET芯片位于同一水平面。2、上述方案中，所述第一金属线的数目为至少四根。3、上述方案中，所述第一导电焊盘的引脚区由至少四根源极引脚组成。4、上述方案中，所述第二导电焊盘的引脚区由一根栅极引脚组成。由于上述技术方案运用，本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果I、本实用新型功率MOSFET的器件结构中导电基盘，其同时兼备了现有技术中导电焊盘、散热片和基岛三个部件功能，既有利于进一步缩小器件的体积，也减少器件中部件的数目，同时由于散热区和基盘引脚区为一个整体，提高了电性能的稳定性。2、本实用新型功率MOSFET的器件结构中焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚区，并保证了第一、第二导电焊盘的焊接区与MOSFET芯片的栅极在同一水平面，从而有效避免了由于连接栅极的第二金属线较细在使用中容易断的技术缺陷，从而延长了产品的使用寿命并提高了可靠性。
图I为现有技术结构示意图；图2为本实用新型功率MOSFET芯片的封装体结构示意图；图3为附图2中沿A-A线的剖视图。以上附图中I、MOSFET芯片；2、环氧树脂层；3、导电基盘；31、散热区；32、基盘引脚区；4、第一导电焊盘；5、第二导电焊盘；6、导电焊料层；7、焊接区；8、引脚区；9、折弯部；10、第一金属线；11、第二金属线。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述实施例I :一种功率MOSFET的器件结构，包括MOSFET芯片I、环氧树脂层2，所述MOSFET芯片上表面I设有源极和栅极，下表面设有漏极，还包括导电基盘3、第一导电焊盘4和第二导电焊盘5，所述导电基盘3由散热区31和基盘引脚区32组成，所述散热区31位于MOSFET芯片I正下方且与MOSFET芯片I下表面之间通过导电焊料层6电连接；所述第一导电焊盘4和第二导电焊盘5位于MOSFET芯片I另一侧，第一导电焊盘4和第二导电焊盘5均包括焊接区7和引脚区8，焊接区7与引脚区8的连接处具有一折弯部9，从而使得焊接区7高于引脚区8 ;若干根第一金属线10跨接于所述MOSFET芯片I的源极与第一导电焊盘4的焊接区7之间，第二金属线11跨接于所述MOSFET芯片I的栅极与第二导电焊盘5的焊接区7之间。上述第一导电焊盘4和第二导电焊盘5各自的焊接区7与MOSFET芯片位于同一水平面。上述第一金属线10的数目为至少四根。上述第一导电焊盘4的引脚区由至少四根源极引脚组成。上述第二导电焊盘5的引脚区由一根栅极引脚组成。上述实施例只为说明本实用新型的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本实用新型的内容并据以实施，并不能以此限制本实用新型的保护范围。凡根据本实用新型精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种功率MOSFET的器件结构，包括MOSFET芯片(I )、环氧树脂层(2)，所述MOSFET芯片上表面(I)设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于还包括导电基盘(3)、第一导电焊盘(4)和第二 导电焊盘(5)，所述导电基盘(3)由散热区(31)和基盘引脚区(32)组成，所述散热区(31)位于MOSFET芯片(I)正下方且与MOSFET芯片(I)下表面之间通过导电焊料层(6)电连接；所述第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)位于MOSFET芯片(I)另一侧，第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)均包括焊接区(7)和引脚区(8)，焊接区(7)与引脚区(8)的连接处具有一折弯部(9)，从而使得焊接区(7)高于引脚区(8);若干根第一金属线(10)跨接于所述MOSFET芯片(I)的源极与第一导电焊盘(4)的焊接区(7)之间，第二金属线(11)跨接于所述MOSFET芯片(I)的栅极与第二导电焊盘(5 )的焊接区(7 )之间。
2.根据权利要求I所述的器件结构，其特征在于所述第一导电焊盘(4)和第二导电焊盘(5)各自的焊接区(7)与MOSFET芯片位于同一水平面。
3.根据权利要求I所述的器件结构，其特征在于所述第一金属线(10)的数目为至少四根。
4.根据权利要求I所述的器件结构，其特征在于所述第一导电焊盘(4)的引脚区由至少四根源极引脚组成。
5.根据权利要求I所述的器件结构，其特征在于所述第二导电焊盘(5)的引脚区由一根栅极引脚组成。
专利摘要本实用新型公开一种功率MOSFET的器件结构，包括导电基盘、第一导电焊盘和第二导电焊盘，所述导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过导电焊料层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚区；若干根第一金属线跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间，第二金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本实用新型器件结构有效避免了由于连接栅极的金属线较细在使用中容易断的技术缺陷，从而延长了产品的使用寿命并提高了可靠性。
文档编号H01L29/78GK202796931SQ201220421198
公开日2013年3月13日 申请日期2012年8月23日 优先权日2012年8月23日
发明者胡乃仁, 杨小平, 李国发, 钟利强 申请人:苏州固锝电子股份有限公司