专利名称：照明装置的制作方法
技术领域：
照明装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种照明装置。
背景技术：
[0002]有具备发光二极管(Light Emitting Diode :LED)等发光元件和含有突光体的波长变换层的照明装置。根据该照明装置，与使用现有的灯丝的白炽灯泡或荧光灯等相比，可以降低消耗电力。另外，可以延长照明装置的寿命。在这种照明装置中，由难燃性的树脂形成的反射部等可能产生光劣化。因此，期望提高耐光劣化性的照明装置的开发。[0003]专利文献1:特开2005 - 166578号公报实用新型内容[0004] 本实用新型要解决的课题在于，提供一种能够提高耐光劣化性的照明装置。[0005]为了解决上述课题，本实用新型的第一方式是提供一种照明装置，其具备具有发光元件的光源、由具有难燃性的树脂形成且设于光源的照射侧的反射部主体、由基本上不含卤素及磷的树脂形成且设于反射部主体的表面的反射层。该照明装置由于具备由基本上不含卤素及磷的树脂形成的反射层，所以可以提高对于光劣化的耐性。[0006]第二方式在第一方式的基础上，提供照明装置，反射层的接近光源的部分的厚度尺寸比远离光源的部分的厚度尺寸厚。该照明装置中，由于接近反射层的光源的部分的厚度尺寸厚，所以可以进一步提高对于光劣化的耐性。[0007]第三方式在第一或第二方式的基础上，提供照明装置，反射层的厚度尺寸为10微米以上、2毫米以下。该照明装置中，由于反射层的厚度尺寸为10微米以上，所以能够抑制光劣化的发生。另外，由于反射层的厚度尺寸为2毫米以下，所以可以维持合并反射层和反射部主体时的综合的难燃性。[0008]第四方式在第一 第三方式中任一方式的基础上，提供照明装置，基本上不含卤素及磷的树脂含有选自液晶聚合物(LCP Liquid CrystalPolymer)、聚醚酰亚胺(PEI polyetherimide)> 聚醚醚酮(PEEK :polyetheretherketone)、聚苯醚(PPE : PoIyphenyIeneether)> 聚苯撑氧(PPO PoIyphenyIeneoxide)> 聚对苯二甲酸丁二醇酯 (PBT Poly ButhyleneTerephthalete)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET Poly Ethylene Terephthalate)、聚酰胺(PA Polyamide)> 聚芳酯(PAR Polyarylate)> 聚碳酸酯(PC Polycarbonate)构成的组中的至少一种。该照明装置中，由于具备由这些树脂形成的反射层，所以可以提高对于光劣化的耐性。[0009]第五方式在第一 第四方式中任一方式的基础上，提供照明装置，具有难燃性的树脂含有卤素及磷中至少任一个。该照明装置由于具备由含有卤素及磷中至少任一个的树脂形成的反射部主体，所以可以设为具有难燃性的照明装置。[0010]实用新型效果[0011]根据本实用新型的实施方式，可以提供一种能够提高耐光劣化性的照明装置。
图1是用于例示本实施方式的照明装置的示意立体图；[0013]图2是图1表示的照明装置10的示意局部剖面图；[0014]图3是用于例示比较例的照明装置110的示意局部剖面图；[0015]图4是用于例示比较例的照明装置110的点亮试验后的反射部114的外观的示意图5是用于例示比较例的照明装置110的点亮试验后的光源200的外观的示意图；[0017]图6是图5表示的剥离片400的局部示意放大图；[0018]图7 (a) (d)是进一步放大了图5及图6表不的剥尚片400的局部的不意图；[0019]图8 (a) (d)是表示电极焊盘和波长变换层的界面的组成分析的结果的图表；[0020]图9是表示比较例的照明装置110的反射部114所使用的含有溴的PBT的反射光谱AR的坐标图；[0021]图10是表示比较例的照明装置110的反射部114所使用的含有溴的PBT的吸收光谱AS的坐标图；[0022]图11是用于例示其它实施方式的照明装置的示意剖面图；[0023]图12是用于例示其它实施方式的照明装置的示意剖面图；[0024]图13是用于例示其它实施方式的照明装置的示意图；[0025]图14是用于例示其它实施方式的照明装置的示意图；[0026]图15 (a)、(b)是用于例示其它实施方式的照明装置的示意图；[0027]图16 (a)、(b)是用于例示其它实施方式的照明装置的示意图。[0028]符号说明[0029]10照明装置、IOa照明装置、IOb照明装置、12主体部、14反射部主体、20光源、26 安装焊盘、28电极焊盘、30发光元件、32金属线、34金属线、40光源、42发光元件、50照明装置、52主体部、62光源、64连接部件、66配线、70扩散抑制部、80过滤器、82反射层、150照明装置具体实施方式
[0030]下面，参照附图对实施方式进行例示。此外，各图中，对于同样的要件标注同一符号并适宜省略详细的说明。图1是用于例示本实施方式的照明装置的示意立体图。此外， 图1是从光射出面侧观察照明装置10的立体图。[0031]如图1所示，照明装置10具备主体部12、反射部主体14、具有发光元件30的光源 20。在框状的主体部12中收容有反射部主体14。在反射部主体14上设有多个凹部14a。 这些凹部14a中各自设有光源20。此外，图1中例示的照明装置10只不过是一例，例如凹部14a及光源20的形状或数量等可以适宜变更。例如，凹部14a及光源20也可以分别仅设置一个。[0032]图2是图1所示的照明装置10的示意局部剖面图。此外，图2是照明装置10的反射部主体14的一个凹部14a附近的纵剖面图。在反射部主体14的上方设有透明罩16。此外，图1中表示拆下了透明罩16后的状态。[0033]反射部主体14被设于光源20的照射侧。反射部主体14由具有难燃性的树脂形成。照明装置10中，由于光源20的温度高，所以利用具有规定的难燃性的树脂形成反射部主体14及透明罩16。该情况下，例如优选使用相当于UL94规格的等级为V— I等级以上、 即V —1、V — 0、5VB、5VA中任一等级的树脂。具有这种难燃性的树脂有含有溴(Br)等卤素及磷的至少之一的树脂。例如，可例示含有溴的PBT (polybutyleneterephthalate)等。[0034]在反射部主体14的表面密合地设有反射层82。反射层82为抑制反射部主体14 光劣化而设置。即，反射层82为了抑制所含有的元素或其化合物(例如溴或含溴的化合物等)从形成反射部主体14的树脂脱离而设置。此外，有关反射部主体14的光劣化的详情后述。另外，反射层82还具有反射从光源20照射的光，并且阻碍从光源20照射的光到达反射部主体14的表面的功能。即，反射层82相对于从光源20照射的光具有反射性和遮光性。[0035]反射层82可以使用在从光源20照射光时所含的元素或其化合物不会脱离的树脂形成。例如，反射层82可以使用基本上不含卤素及磷的树脂形成。而且，考虑到反射层82 反射从光源20照射的光，并阻碍从光源20照射的光到达反射部主体14的表面，优选使用白色的树脂形成。[0036]作为用于反射层82的形成的树脂，可例示例如液晶聚合物(LCP =Liquid Crystal Polymer)、聚醚酸亚胺(PE1:polyetherimide)、聚醚醚酮(PEEK poIyetheretherketone)> 聚苯醚(PPE PoIyphenyIeneether)> 聚苯撑氧(PPO PoIyphenyIeneoxide)> 聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT Poly Buthylene Terephthalete)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET Poly Ethylene Terephthalate)、聚酸胺(PA :Polyamide)、聚芳酯(PAR :Polyarylate)、聚碳酸酯(PC Polycarbonate)等。而且，在使用其中之一的情况下，也可以使用基本上不含卤素及磷的材料。据此，可以提高照明装置10对于光劣化的耐性。另·外，也可以使用含有50重量％以上的上述的树脂的复合树脂。如果使用复合树脂，则耐热性及难燃性的设计变得容易。[0037]此外，在本说明书中，“基本上不含有”是指含量为零或虽然含量为零但为不对照明装置10所要求的产品寿命带来影响的范围内的含量。例如，在照明装置10所要求的寿命为4万小时的情况下，只要在实现其寿命的范围内(例如相对于树脂总量为IOOOppm以上、 2500ppm以下左右)，则也可以含有卤素或磷。[0038]在此，基本上不含卤素及磷的树脂有难燃性降低的趋势。因此，如果反射层82的厚度尺寸太厚，则包含反射部主体14的整体的难燃性可能脱离UL94规格的等级。另一方面，如果反射层82的厚度尺寸太薄，则可能不能抑制卤素及磷的脱离，或者不能阻碍从光源20照射的光到达反射部主体14的表面。[0039]因此，优选反射层82的厚度尺寸为10微米以上、2毫米以下。该情况下，反射层 82可以设置为厚度尺寸均匀。[0040]但是，如图2中所例示，若接近光源20的区域的厚度尺寸加厚，则可以提高抑制卤素及磷的脱离、或阻碍从光源20照射的光到达反射部主体14的表面的效果。该情况下，如图2中所例示，随着接近光源20，反射层82的厚度尺寸也可以逐渐加厚，随着接近光源20， 反射层82的厚度尺寸也可以阶段性加厚。即，反射层82的接近光源20的部分的厚度尺寸可以设为比远离光源20的部分的厚度尺寸厚。[0041]另外，如图2中所例示，反射层82可以设置为覆盖反射部主体14的表面整体。该情况下，也可以仅在反射部主体14的表面中至少从光源20照射的光接触的部分设置反射层82。但是，如果以覆盖反射部主体14的表面整体的方式设置反射层82，则可以提高抑制卤素及磷的脱离的效果。[0042]反射层82的形成方法没有特别限定，例如可以通过喷雾涂装法等在反射部主体 14的表面形成反射层82。另外，也可以预先将反射层82形成为薄膜状，且将其粘贴于反射部主体14的表面。[0043]其次，返回图2，对设于照明装置10的其它要件进行例示。在反射部主体14的凹部14a的下方设有光源20。光源20具有金属性的支承基板22和覆盖其表面的绝缘层24。 在绝缘层24上分别形成有安装焊盘26和电极焊盘28。在安装焊盘26上搭载有多个发光元件30。这些发光元件30通过金属线32例如串联连接。另外，发光元件30通过金属线 34与两侧的电极焊盘28连接。因此，通过在上述一对电极焊盘28之间流过电流，可以使发光兀件30发光。[0044]作为发光元件30，可例示例如发光二极管。若作为发光二极管的活性层的材料例如使用氮化镓(GaN)系化合物半导体，则得到波长500纳米以下的短波长光。即，从光源20 照射的光在波长500纳米以下具有强度的波峰。但是，活性层的材料不限于氮化镓系化合物半导体。[0045]另外，作为发光元件30，除发光二极管外，例如还可以使用有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode :0LED)、无机场致发光(Inorganic Electro Luminescence)发光元件、有机场致发光(Organic Electro Luminescence)发光元件、或其它场发光型的发光元件等。[0046]在安装焊盘26及电极焊盘28的表面设有银(Ag)或含银的合金。银相对于蓝色光等短波长具有高的反射率。因此，通过在安装焊盘26及电极焊盘28的表面设置银或银合金，可以以高的反射率反射从发光元件30照射的光并将其取出到外部。即，光源20具有含银的要件。[0047]发光元件30及金属线32、34由波长变换层36覆盖。波长变换层36例如具有树脂中分散有荧光体的构造。波长变换层36被形成于其周围的框体38包围。作为构成波长变换层36的树脂，例如可例示硅酮系树脂。另外，作为框体38的材料，例如也可以使用硅酮系的树脂。如果使用硅系的树脂，则即使在从发光元件30照射蓝色光或紫外光等短波长的光的情况下，也能够抑制光劣化。[0048]波长变换层36中包含的荧光体吸收从发光元件30照射的光并放射不同波长的光。例如，在从发光元件30照射波长450纳米 500纳米的蓝色光的情况下，可以利用荧光体将蓝色光变换成黄色光。因此，通过将从发光元件30照射的蓝色光的一部分变换成黄色光并与未变换而向外部照射的蓝色光进行混合，得到白色光。[0049]这样从光源20照射的白色光等光可以从反射部主体14的凹部14a经由透明罩16 取出到外部。另外，从光源20向斜方向照射的光由设于反射部主体14的斜面14b的 表面的反射层82反射，可以经由透明罩16取出到外部。但是，从本实施方式的照明装置10取出的光不限于白色光。[0050]另外，在作为直接或间接地照射来自光源20的光的其它要件的材料使用树脂的情况下，可以使用基本上不含卤素及磷的树脂。例如在图1及图2中例示的照明装置10的情况下，作为透明罩16的材料可以使用基本上不含卤素及磷的树脂。若使用基本上不含卤素及磷的树脂形成透明罩16，则虽然透明罩16的难燃性可能降低，但由于作为热源的光源 20和透明罩16之间分开，所以难燃性降低的影响小。[0051]作为直接或间接地照射来自光源20的光的其它要件的材料，如果使用基本上不含卤素及磷的树脂，则可以进一步提高照明装置10相对于光劣化的耐性。[0052]其次，对反射部114的光劣化等进行进一步说明。图3是用于例示比较例的照明装置110的示意局部剖面图。如图3所示，照明装置110具备反射部114、光源200等。具有斜面114b的反射部114与上述的照明装置10的反射部主体14相对应。但是，反射部114 由含有25000ppm的溴的PBT形成。另外，在反射部114的表面不设置反射层82。[0053]在光源200上设有支承基板22、绝缘层224、安装焊盘226、电极焊盘228、发光元件230、波长变换层236、框体238。光源200与上述的照明装置10的光源20相对应。光源200形成于白色的绝缘层224 (与绝缘层24相对应)之上，且在框体238 (与框体38相对应)中设有密封在波长变换层236 (与波长变换层36相对应)中的发光元件230 (与发光元件30相对应)。发光元件230被载置于安装焊盘226 (与安装焊盘26相对应)上。另外，在安装焊盘226的两侧设有电极焊盘228 (与电极焊盘28相对应)，利用金属线232、金属线234与发光元件230连接。安装焊盘226和电极焊盘228的表面由银被覆。[0054]其次，说明比较例的照明装置110的反射部114及电极焊盘228等劣化的机制。当光源200照射含有短波长的成分的光L时，其一部分由反射部114的斜面114b反射，被取出到外部。当对含卤素或磷的反射部114照射短波长的光时，产生分解或变质，卤素或磷、 或它们的化合物从反射部114脱离。[0055]另外，反射部114的分解或变质也可能促进温度变高。另外，如果温度变高，则构成反射部114的树脂的光的吸收率上升，也可能加速光的吸收带来的分解或变质。[0056]图3中，作为一例说明了含溴的有机物R — Br从反射部114脱离的情况。如箭头 300所表示，脱离的有机物R — Br经由波长变换层236到达安装焊盘226及电极焊盘228， 与其表面的银发生反应，产生发黑或凝集、剥离、断线等。另外，作为脱离的R — Br的侵入路径，例如箭头302所表示，也考虑经由框体238中或框体238的下侧界面的路径。另外， 认为在有机物R — Br到达安装焊盘226或电极焊盘228之前，或者到达之后，通过从发光元件230照射的短波长的光分解，形成更具活性的溴离子。[0057]此外，图3中，作为一例说明了含溴的情况，但不限于此。溴以外的卤素或磷也与溴相同，与银发生反应，产生发黑或凝集、剥离、断线等。根据以上所说明的机制，短波长的光的照射或温度的上升产生树脂的分解或变质，其结果是卤素及磷或含有其的化合物脱离。而且，通过脱离的卤素或磷或含有它们的化合物和电极焊盘228或安装焊盘226的银发生反应，产生照度的降低或金属线的断线等。[0058]其次，对比较例 的照明装置110中的反射部114或电极焊盘228等的劣化的状况做进一步说明。对于图3所例示的照明装置110实施点亮试验，探讨反射部114或电极焊盘228等的劣化。在点亮试验中，在以输出57瓦特点亮照明装置110后，随着经过时间，照度逐渐降低，以约4000小时成为非点亮状态。而且，对于成为非点亮状态的照明装置110的反射部114或电极焊盘228等观察劣化的状况。[0059]图4是用于例示比较例的照明装置110的点亮试验后的反射部114的外观的示意图。S卩，图4表示反射部114的斜面114b的表面状态。此外，斜面114b与图2的斜面14b 相对应。在点亮试验前，斜面114b为白色，点亮试验后的斜面114b发黑，局部产生裂纹115。 即，可知含溴的PBT的表面变质。认为由于这样的发黑或裂纹115导致斜面114b的反射率降低，照明装置110的照度降低。[0060]图5是用于例示比较例的照明装置110点亮试验后的光源200的外观的示意图。 如图5所示，朝向安装焊盘226，左侧的端部和右侧的部分分别发黑。另外，设于安装焊盘 226的上下的电极焊盘228也发黑。比较例的照明装置110中，认为因这样的发黑而导致光的反射率降低，照度降低。另外，详细调查电极焊盘228的部分，可知电极焊盘228的发黑的表面层剥离，金属线234的接合部也剥离。即，判明了金属线234成为断线状态，成非点売。[0061] 图5中也表示朝向光源200在左下的局部将剥离的剥离片400翻过来放置的情况。剥离片400具有安装焊盘226的表面层、电极焊盘228的表面层、密封其周围的波长变换层236、框体238的一部分。即，安装焊盘226或电极焊盘228的发黑的部分因表面变质， 所以会简单地剥离。[0062]图6是图5中表示的剥离片400的局部示意放大图。剥离的电极焊盘228的表面层黑化，呈现粒子状凝集的外观。另外，金属线234也从电极焊盘228的剩余部分(绝缘层 224上残留的部分)剥离。即，可知电极焊盘228的银变质。[0063]图7是进一步放大了图5及图6表示的剥离片400的局部的示意图。S卩，图7(a) 表示与电极焊盘228 —同剥离的金属线234的接合部前端。另外，图7 (b)是图7 (a)的 A部的示意放大图，图7 (c)是图7 Ca)的B部的示意放大图，图7 (d)是图7 Ca)的C部的示意放大图。[0064]金属线234的材料为金(Au)，通过与电极焊盘228的银层接合，其表面合金化。而且,在剥离的金属线234的表面也发现凝集的粒子状的构造。根据EPMA (Electron Probe Micro Analysis)分析的结果可知,该粒子状的构造含有银。S卩，可知在金属线234和电极焊盘228的接合界面也发生银的变质。[0065]图8是表示电极焊盘和波长变换层的界面的组成分析的结果的坐标图。在此，如图5 图7所例示的剥离片400，剥离电极焊盘上的波长变换层，在电极焊盘的位置通过 SIMS (Secondary Ion Mass Spectroscopy :2次离子质量分析)分别对剥离片的表面和残留于绝缘层24侧的电极焊盘的表面进行组成分析。[0066]图8 Ca)表示从本实施方式的照明装置10的光源20剥离的波长变换层36的电极焊盘28侧的表面的组成分析的结果。图8 (b)表示从本实施方式的照明装置10的光源 20剥离波长变换层36且残留于绝缘层24侧的电极焊盘28的表面的组成分析的结果。[0067]图8 (C)表示从比较例的照明装置110的光源200剥离的剥离片400的电极焊盘 28侧的表面的组成分析的结果。图8 (d)表示从比较例的照明装置110的光源200剥离剥离片400且残留于绝缘层224侧的电极焊盘228的表面的组成分析的结果。自图8 (C)、 (d)表明，在比较例的照明装置110中，无论在剥离片400侧(图8 (c))，还是在绝缘层224 侧(图8 (d))都在横轴n / z为450 460的范围发现Ag2Br3的波峰，另外，在横轴η / ζ为640 650的范围发现Ag3Br4的波峰。另外，分析的结果也确认了 AgBr的波峰和AgBr2 的波峰。[0068]与之相对，自图8 (a)、(b)表明，在本实施方式的照明装置10中，无论在剥离片侧 (图8 (a))，还是在绝缘层24侧(图8 (b))都没有看到明显的波峰。该分析的结果可知，在比较例的照明装置110中，在进行点亮试验时，溴或含溴的化合物从反射部114脱离，其到达电极焊盘228的表面，与银发生反应，形成溴化银。而且，在这样形成溴化银的过程中，如图5及图6等表示，认为电极焊盘228及安装焊盘226的表面发黑，粒子状凝集并剥离，金属线234产生断线。另外，由于溴或含溴的化合物从反射部114脱离，如图4所表示，认为反射部114的斜面114b发黑，产生裂纹115。[0069]图9是表示比较例的照明装置110的反射部114所使用的含有溴的PBT的反射光谱AR的坐标图。另外，图10是表示比较例的照明装置110的反射部114所使用的含有溴的PBT的吸收光谱AS的坐标图。[0070]此外，图9及图10中，作为参考例，也表示在反射部114的表面蒸镀铝的试样的反射光谱CR和吸收光谱CS。另外，图9及图10也一并表示从光源200照射的光的发光光谱 ES。另外，图10中也表示在恒温槽中以150°C保持120小时，因热劣化而黄变的含有溴的 PBT的吸收光谱AS2。[0071]观察从光源200照射的光的发光光谱ES，包含以波长450纳米前后为波峰的蓝色光和以波长560纳米前后为波峰的光谱的宽度宽的黄色光。另一方面，含有溴的PBT的吸收光谱AS表示在初始状态下以波长420纳米前后为界，吸收率在短波长侧急剧变高的过渡。 但是，在150°C保持120小时后的吸收光谱AS2遍及波长400纳米至700纳米前后的宽的范围，相比吸收光谱AS，吸收率上升。[0072]另外，观察作为参考例的蒸镀了铝的反射部114的吸收光谱CS，在比波长440纳米更长波长侧，相比初始状态的含有溴的PBT，吸收率高。但是，可知即使是波长440纳米以下的波长，吸收率也不急增，从长波长侧到短波长侧能够维持低的吸收率。[0073]从图9及图10可知，PBT在初始状态下，吸收率的提高(420纳米前后)部分与光源200的蓝色光的波峰的斜坡重合。即，可知PBT在初始状态下也吸收从光源200照射的光的短波长成分，可能产生分解或变质。[0074]而且，当含溴的PBT产生分解或变质时，如图4所表示，表面发黑或产生裂纹115， 光的反射率降低。这引起照度的降低。从光源照射的光主要为可视光，在光量、温度均低时， 产生含溴的PBT的分解及变质这样的问题不显著。但是，在从光源照射的光包含大量短波长成分且大光量的情况下，在光源附近的要件中，可能表面发黑或产生裂纹115。[0075]而且，当含溴的PBT产生分解及变质时，溴或含溴的化合物脱离，与电极焊盘228 及安装焊盘226的银发生反应，产生发黑及凝集、剥离等。特别是在由透明罩16等密闭的空间中配置有光源200及反射部114的照明装置110中容易充满含有脱离的溴或含溴的化合物的气体，有容易引起发黑及凝集、剥离等问题的趋势。[0076]因此，在本实施方式的照明装置10中，在反射部主体14的表面设有反射层82。在此，如图10所示，如果在反射部114的表面蒸镀铝，则即 使为波长440纳米以下的波长，吸收率也不会急增，从长波长侧到短波长侧可以维持低的吸收率。即，如果由具有遮光性的材料覆盖反射部114的表面，则从长波长侧到短波长侧都可维持低的吸收率。[0077]另外，在比波长440纳米长的长波长侧，如果选择吸收光谱CS比铝低的材料，则从长波长侧到短波长侧可以进一步降低吸收率。在此，如图10所示，在比波长440纳米长的长波长侧，PBT比铝的吸收率低。但是，如果使用含有溴等的PBT来形成反射层82，则溴及含溴的化合物等从反射层82脱离。因此，在本实施方式的照明装置10中，使用基本上不含卤素及磷的树脂形成反射层82。因此，相比蒸镀铝的情况，可以得到低的吸收率，并且可以在长波长侧到短波长侧维持低的吸收率。[0078]图11是用于例示其它实施方式的照明装置的示意剖面图。在图11所例示的照明装置IOa上设有覆盖光源20的扩散抑制部70。扩散抑制部70优选具有相对于从光源20 照射的光的透射率高且可以维持某种程度的气密性的材料及构造。作为扩散抑制部70的材料，可以使用有机材料或无机材料等。扩散抑制部70可以通过以覆盖光源20的方式涂布液体状的有机材料或无机材料并使之固化、干燥而形成。该情况下，作为扩散抑制部70 的原材料，可以使用水玻璃等。[0079]此外，扩散抑制部70未必需要与光源20接触形成。即，扩散抑制部70只要能够覆盖光源20的周围并抑制卤素及磷或含有它们的化合物进入光源20的内部即可。因此， 例如也可以从光源20离开并同时设置在光源20的周围。[0080]如果设置扩散抑制部70，则假如即使卤素或磷或含有它们的化合物透过反射层 82，也能够抑制卤素或磷或含有它们的化合物侵入光源20的内部。因此，假如即使在照明装置IOa的内部产生卤素或磷或含有它们的化合物，也能够抑制光源20的安装焊盘26或电极焊盘28等的发黑及凝集、金属线的断线等。[0081]图12也是用于例示其它实施方式的照明装置的示意剖面图。在图12所例示的照明装置IOb中设有过滤器80。过滤器80被设于光源20和反射部主体14之间。过滤器80 具有选择性地吸收从光源20照射的光中的短波长侧的光的光学特性。[0082]例如在使用基本上不含卤素及磷的PBT来形成反射层82的情况下，如图10中所例示，在波长420纳米以下，吸收率上升。因此，如果设置吸收比波长420纳米前后短的短波长侧的光的过滤器80，则可以减少反射层82吸收的短波长侧的光。此外，过滤器80如图 11中所例示的扩散抑制部70，也可以与光源20接触设置。[0083]图13 图15是用于例示其它实施方式的照明装置的示意图。此外，图13是照明装置的剖面图，图14是照明装置的立体分解部，图15 (a)及图15 (b)是照明装置的局部放大立体图。本实施方式的照明装置50被称作是所谓的“灯泡型”，可以直接安装于现有的白炽灯泡所使用的器具上。[0084]如图13 图15所示，在主体部52的一端部设有灯头部54。灯头部54可以拧入安装白炽灯泡的灯座。在主体部52的另一端部设有透明或半透明的罩56。在主体部52的内部收容有电源基板58。另外，在主体部52的另一端部固定有安装基板60，且在其上设有光源62。光源62与图1及图2所例示的光源20相对应，设有未图示的安装焊盘或电极焊盘、发光元件或波长变换层、金属线等。[0085]在安装基板60上设有连接部件64。连接部件64例如为连接器，将与电源基板58 连接的配线66和光源20连接。配线66具有由绝缘体被覆导体的芯线的构造。[0086]在本实施方式中，例如由基本上不含卤素及磷的树脂形成连接部件64或配线66 的被覆层等。由此，可以抑制构成连接部件64或配线66的被覆层等的树脂发生分解、变质，卤素及磷或它们的化合物脱离。因此，可以抑制卤素及磷或它们的化合物和设于光源62的安装焊盘或电极焊盘的银发生反应，产生发黑及凝集、金属线的断线等。其结果可以提供具有更高的可靠性的照明装置。[0087]此外，在图13 图15所例示的照明装置50的情况下，从光源62看，配线66配置于连接部件64的背阴侧。但是，从光源62照射的光的一部分通过安装基板60或罩56等要件反射，也向配线66照射。因此，连接部件64或配线66的被覆层等优选由基本上不含卤素及磷的树脂形成。[0088]另外，对于连接部件64或配线66的形状或配置，不限于例示。例如连接部件64 也可以是构架状设置于光源62的周围且经由接点连接的所谓的“接点连接器”。进而，优选由基本上不含卤素及磷的树脂形成的要件不限于反射部主体14、连接部件64、配线66。SP， 如果是主体部52、安装基板60、罩56、其它设于照明装置的各种要件且直接或间接照射从光源62照射的光的要件，则优选由基本上不含卤素及磷的树脂形成。[0089]图16也是用于例示其它实施方式的照明装置的示意图。此外，图16 Ca)是照明装置的俯视图，图16 (b)是图16 (a)的A — A’线方向的局部剖面图。本实施方式的照明装置150主要具有散热体9、光源40、框体8。[0090]在散热体9上设有多个散热翅片21。另外，散热体9具有筒状的侧壁部18。在侧壁部18的外壁也设有多个散热翅片21。光源40具有基板41和安装于基板41上且由波长变换层覆盖的发光元件42。基板41的安装有发光元件42的安装面的相反侧的背面与散热体9的基板支承面11接触。[0091]发光元件42将光的照射面朝向基板41的安装面的相反侧安装。另外，在基板41 的安装面上也安装有未图示的连接器。在该连接器上连接有配线46。配线46与图16(b) 所示的端子台92连接。端子台92被安装在螺丝紧固于散热翅片21的上端的安装板91上。 端子台92通过导出到照明装置150的外方的配线35与未图示的外部电源连接。[0092]框体60作为覆盖散热体9的侧壁部18的内表面及下端部的装饰框起作用。另外， 框体60也具有控制从光源40照射的光的配光或遮光的功能。框体60具有与散热体9的侧壁部18的内侧重合的筒部61。筒部61包围光源40的下方的空间。在筒部61的下端设有向筒部61的外侧折弯的下端部63。下端部63形成为环状，覆盖散热体9的侧壁部18 的下端。[0093]如图16 (b)所示，在筒部61的内侧的空间设有反射板51。在反射板51上，作为贯通孔形成有多个导光孔53。反射板51设于基板41上。另外，在将反射板51设于基板41 上的情况下，发光元件42位于导光孔53的内部。导光孔53的内壁面作为反射面起作用。[0094]另外，在筒部61的内侧的空间，以覆盖反射板51的方式设有透光罩54。如图16 (a)所示，在散热体9的侧壁部18的外壁设有多个(例如3个)安装弹簧安装部17。在各安装弹簧安装部17中插入固定有作为板簧的安装弹簧83的一端部。而且，照明装置150利用安装弹簧83的弹性安装于设置在顶棚上的埋入孔。即，本实施方式的照明装置150为嵌顶灯型的照明装置。[0095]在本实施方式的照明装置150中，设于照明装置150的各种要件、且被直接或间接地照射从光源40照射的光的要件优选由基本上不含卤素及磷`的树脂形成。[0096]如上例示了本实用新型的几个实施方式，但这些实施方式作为例子进行了提示，并非限定本实用新型保护的范围。这些新的实施方式可以以其它各种方式实施，在不脱离本实用新型的宗旨的范围内可以进行各种省略、置换、变更等。这些实施方式及其变形例包含于实用新型的范围及宗旨内，并且包含于权利要求所记载的实用新型和其均等的范围内。另 外，上述的各实施方式可以相互组合来实施。
权利要求1.一种照明装置，其中，具备 光源，其具有发光兀件； 反射部主体，其由具有难燃性的树脂形成，并设置于所述光源的照射侧； 反射层，其由基本上不含卤素及磷的树脂形成，设置于所述反射部主体的表面。
2.如权利要求1所述的照明装置，其中， 所述反射层的接近所述光源的部分的厚度尺寸比所述反射层的远离所述光源的部分的厚度尺寸厚。
3.如权利要求1或2所述的照明装置，其中， 所述反射层的厚度尺寸为10微米以上、2毫米以下。
专利摘要本实用新型提供一种可以提高耐光劣化性的照明装置。本实用新型的照明装置具备具有发光元件的光源、由具有难燃性的树脂形成且设于所述光源的照射侧的反射部主体、由基本上不含卤素及磷的树脂形成且设于所述反射部主体的表面的反射层。
文档编号H01L33/56GK202888240SQ20122048818
公开日2013年4月17日 申请日期2012年9月21日 优先权日2012年6月29日
发明者浅见健一, 松永启之, 中田慎二, 酒井诚, 久安武志, 玉井浩贵, 樋口一斋, 河野仁志, 川鹤滋久 申请人:东芝照明技术株式会社