专利名称：一种阵列基板及显示器件的制作方法
技术领域：
本实用新型属于显示技术领域，特别是涉及一种阵列基板及显示器件。
背景技术：
由于液晶显示器具有低电压、微功耗、易彩色化、轻便、高分辨率等特点，得到了极其广泛的发展。液晶显示器的显示面板通常包括阵列基板、彩膜基板和滴注在两者之间的液晶。现有技术中常用的阵列基板的结构如图1所示，玻璃基板I上形成有薄膜晶体管的栅极2和存储电容的电容电极3，栅极2和电容电极3上覆盖有栅绝缘层4，栅绝缘层4上形成有图案化的由半导体层5和掺杂半导体层6组成的有源层，有源层上方形成有源电极 7、漏电极8和两者之间的沟道区9，形成有源电极7、漏电极8和沟道区9的基板上覆盖有保护层10，保护层10上开有过孔11，形成在保护层10上的图案化透明像素电极层12通过过孔11与漏电极8相接触。根据传统的阵列基板的结构，栅极与漏电极之间存在不可避免的重叠电容，当有源层在栅极金属的外侧时，会因为光照射而引起光漏电流；而把有源层做在栅极金属的内侧，则会使栅极与漏电极的重叠电容增大，从而使像素电位差波动增大，而且会在源电极和漏电极与有源层相接的地方，在栅极电压为负值的时候，有源层会产生空穴漏电流，引起闪烁等显示器的不良。
实用新型内容(一)要解决的技术问题本实用新型要解决的技术问题是如何减小阵列基板中栅极与漏电极之间的重叠电容与漏电流，提闻广品的良率。(二)技术方案为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种阵列基板，包括依次形成在基板上的栅极和电容电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层、保护层和透明像素电极层，所述有源层包括半导体层以及形成在所述半导体层和源漏电极层之间的掺杂半导体层，漏电极下方的半导体层上开设有孔，漏电极下方的掺杂半导体层通过所述孔与所述栅绝缘层连接。其中，所述孔与所述源漏电极层上的沟道区在竖直方向错开。其中，所述栅极的边缘与所述半导体层的边缘在竖直方向错开。其中，所述半导体层为非晶硅层，所述掺杂半导体层为轻掺杂的非晶硅层。本实用新型还公开了一种显示器件，其包括上述任一项所述的阵列基板。(三)有益效果上述技术方案所提供的阵列基板，通过在漏电极下方的有源层半导体层上开孔，使有源层的掺杂半导体层通过该孔与栅绝缘层连接，从而将漏电极下方的半导体层与沟道区对应的半导体层隔离，不仅可以减小空穴漏电流，还可以减小栅极与漏电极的重叠电容，进而降低显示器的闪烁等不良，提高产品的良率；由于开孔的存在，半导体层与栅极在竖直方向上不完全重置，还可以减小TFT的光电流，提闻广品的良率。
图1是现有技术中阵列基板的机构不意图；图2-6是本实用新型实施例的阵列基板在制作过程中各阶段的结构示意图，其中图6是本实用新型实施例的阵列基板制作完成后的结构示意图。其中，1:基板；2 :栅极；3 :电容电极；4 :栅绝缘层；5 :半导体层；6 :掺杂半导体层；7 :源电极；8 :漏电极；9 :沟道区；10 :保护层；11 :过孔；12 :透明像素电极层。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本实用新型的具体实施方式
作进一步详细描述。以下实施例用于说明本实用新型，但不用来限制本实用新型的范围。实施例1图6是本实施例中阵列基板的结构示意图，该阵列基板与现有技术中的阵列基板的结构相类似，包括依次形成在基板I上的栅极2和电容电极3、栅绝缘层4、有源层、源电极7、漏电极8、保护层10和透明像素电极12，有源层包括形成在栅绝缘层4上且位于栅极2上方的半导体层5以及分别形成在半导体层5和源电极7、漏电极8之间的掺杂半导体层6，其中与现有技术的区别之处在于，漏电极8下方的半导体层5上开设有孔，漏电极8下方的掺杂半导体层6通过所述孔与所述栅绝缘层4连接，实现栅极2与半导体层5之间的不完全重叠，以及通过所述孔的设置，将漏电极下方的半导体层与沟道区对应的半导体层隔离。通过上述孔的设置半导体层5被分为两个区域，半导体层5作为有源层，其间隔设置的两个区域必然要实现电连接，采用掺杂半导体材料来连接所述两个区域既能满足以上要求，又能减小电容。优选地，半导体层5选用非晶硅材料形成，掺杂半导体层6选用轻掺杂的非晶硅材料形成，掺杂半导体层6作为连接半导体层5两个区域的介质，能够简化本实施例阵列基板的制作工艺，减少制作工艺中掩膜版的使用数量，工艺简单易操作，节省成本。本实施例中，所述孔与所述源漏电极层上的沟道区在竖直方向错开，以避免破坏沟道区9，从而将漏电极下方的半导体层与沟道区对应的半导体层隔离，以减少栅极2和漏电极8之间的重叠电容和空穴漏电流，降低显示器的闪烁等不良，提高产品的良率。同时，栅极2的边缘和半导体层5的边缘在竖直方向错开，即栅极2和其上方的半导体层5之间有一定的错位，由此可以减少薄I旲晶体管的光电流，提闻广品良率。本实施例的阵列基板的制作工艺步骤如下步骤1:提供基板1，在基板I上表面形成第一金属层，并利用光刻技术图案化第一金属层，在基板I上形成薄膜晶体管的栅极2和储存电容的电容电极3，如图2所示。步骤2 :在栅极2和电容电极3形成后，在其上沉积栅绝缘层4，在栅绝缘层4上覆盖由非晶硅层形成的半导体层5和由轻掺杂的非晶硅层形成的掺杂半导体层6，其中，利用光刻技术图案化半导体层5，在对应形成漏电极的半导体层5的区域上开设孔，在半导体层5上形成掺杂半导体层6时，掺杂半导体层6将所述孔填充，将半导体层5分为两个区域，如图3所示。步骤3 :在完成步骤2后，在基板上覆盖第二金属层，并利用光刻技术图案化第二层金属层，形成薄膜晶体管的源电极7、漏电极8以及源电极7和漏电极8之间的沟道区9，如图4所示。步骤4 :在完成步骤3后，在第二金属层上覆盖保护层10，并利用光刻技术图案化保护层10，在漏电极8处形成过孔11，以便漏电极8和透明像素电极连接，如图5所示。步骤5 :在完成步骤4后，在保护层10上覆盖透明电极，并利用光刻技术图案化透明像素电极层12，如图6所示。实施例2本实施例提供了一种基于实施例1中所述阵列基板的显示器件，具体地，可利用上述阵列基板制备形成薄膜晶体管液晶显示器件。该显示器件可以为液晶面板、液晶电视、液晶显示器、电子纸、数码相框、电子纸、AMOLED显示器等，由于该显示器件阵列基板上漏电极下方的半导体层与沟道区对应的半导体层隔离，空穴漏电流减小，栅极与漏电极的重叠电容也相应减小，能够显著降低显示器的闪烁等不良，提高产品的良率。由以上实施例可以看出，本实用新型通过在漏电极下方的有源层半导体层上开孔，使有源层的掺杂半导体层通过该孔与栅绝缘层连接，从而将漏电极下方的半导体层与沟道区对应的半导体层隔离，不仅可以减小空穴漏电流，还可以减小栅极与漏电极的重叠电容，进而降低显示器的闪烁等不良，提高产品的良率；由于开孔的存在，半导体层与栅极在竖直方向上不完全重置，还可以减小TFT的光电流，提闻广品的良率。以上所述仅是本实用新型的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型技术原理的前提下，还可以做出若干改进和替换，这些改进和替换也应视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.一种阵列基板，包括依次形成在基板上的栅极和电容电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层、保护层和透明像素电极层，其特征在于，所述有源层包括半导体层以及形成在所述半导体层和源漏电极层之间的掺杂半导体层，漏电极下方的半导体层上开设有孔，漏电极下方的掺杂半导体层通过所述孔与所述栅绝缘层连接。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述孔与所述源漏电极层上的沟道区在竖直方向错开。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极的边缘与所述半导体层的边缘在竖直方向错开。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层为非晶硅层，所述掺杂半导体层为轻掺杂的非晶娃层。
5.一种显示器件，其特征在于，包括上述权利要求1-4中任一项所述的阵列基板。
专利摘要本实用新型公开了一种阵列基板及显示器件，包括依次形成在基板上的栅极和电容电极、栅绝缘层、有源层、源漏电极层、保护层和透明像素电极层，有源层包括半导体层以及形成在半导体层和源漏电极层之间的掺杂半导体层，漏电极下方的半导体层上开设有孔，漏电极下方的掺杂半导体层通过孔与栅绝缘层连接。本实用新型中，有源层的掺杂半导体层通过孔与栅绝缘层连接，从而将漏电极下方的半导体层与沟道区对应的半导体层隔离，不仅可以减小空穴漏电流，还可以减小栅极与漏电极的重叠电容，进而降低显示器的闪烁等不良，提高产品的良率；由于开孔的存在，半导体层与栅极在竖直方向上不完全重叠，还可以减小TFT的光电流，提高产品的良率。
文档编号H01L27/12GK202839613SQ201220542058
公开日2013年3月27日 申请日期2012年10月22日 优先权日2012年10月22日
发明者赵利军, 林允植 申请人:京东方科技集团股份有限公司