专利名称：一种薄型led芯片封装的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种薄型LED芯片封装，属于LED技术领域。
背景技术：
1962年，GE、Monsanto、IBM的联合实验室开发出了发红光的磷砷化镓(GaAsP)半导体化合物，从此可见光发光二极管步入商业化发展进程。1965年，全球第一款商用化发光二极管诞生，它是用锗材料做成的可发出红外光的LED，当时的单价约为45美元。其后不久，Monsanto和惠普公司推出了用GaAsP材料制作的商用化红色LED。这种LED的效率为每瓦大约0.1流明，比一般的60至100瓦白炽灯的每瓦15流明要低上100多倍。1968年，LED的研发取得了突破性进展，利用氮掺杂工艺使GaAsP器件的效率达到了 I流明/瓦，并且能够发出红光、橙光和黄色光。1971，业界又推出了具有相同效率的GaP绿色芯片LED。到20世纪70年代，由于LED器件在家庭与办公设备中的大量应用，LED的价格直线下跌。事实上，LED在那个时代主打市场是数字与文字显示技术应用领域。1990年，业界又开发出了能够提供相当于最好的红色器件性能的AlInGaP技术，这比当时标准的GaAsP器件性能要高出10倍。今天，效率最高的LED是用透明衬底AlInGaP材料做的。在1991年至2001年期间，材料技术、芯片尺寸和外形方面的进一步发展使商用化LED的光通量提高了将近30倍。1994年，日本科学家中村修二在GaN基片上研制出了第一只蓝色发光二极管，由此引发了对GaN基LED研究和开发的热潮。1996年由日本Nichia公司(日亚)成功开发出白色LED。20世纪90年代后期，研制出通过蓝光激发YAG荧光粉产生白光的LED，但色泽不均匀，使用寿命短，价格高。随着技术的不断进步，近年来白光LED的发展相当迅速，白光LED的发光效率已经达到381m/W，实验室研究成果可以达到701m/W，大大超过白炽灯，向荧光灯逼近。近几年来，随着人们对半导体发光材料研究的不断深入，LED制造工艺的不断进步和新材料(氮化物晶体和荧光粉)的开发和应用，各种颜色的超高亮度LED取得了突破性进展，其发光效率提高了近1000倍，色度方面已实现了可见光波段的所有颜色，其中最重要的是超高亮度白光LED的出现，使LED应用领域跨越至高效率照明光源市场成为可能。曾经有人指出，高亮度LED将是人类继爱迪生发明白炽灯泡后，最伟大的发明之一。然而任何伟大的发明都有其缺陷和不足，当然LED也不例外，如LED芯片的散热问题，就是大家一直在探索的，LED芯片的耐温能力比较弱，长期在温度较高的环境下工作，会加快光衰，所以LED芯片的散热问题是我们目前亟待解决的。
发明内容本实用新型的目的，公开了一种薄型LED芯片封装，如图1所示，薄型LED芯片封装俯视示意图，其由芯片和支架构成，所述的支架为3528型支架，芯片为2020芯片，支架的高度由传统的1.8mm改成为0.8_，增加了出光效率。支架的基底为金属基底，通过把传统的塑料基底更换成金属基底，增加了芯片在工作过程中的散热。[0006]本实用新型中所述的金属基底选自铜基底,其厚度由原来的0.1mm改为0.2mm,以此提闻散热效果。本实用新型中把支架中的铜基底由两部分组成，两部分之间不导通，分别为正极和负极，正极和负极之间间隔在与基板接触部分为0.5±0.05mm，在芯片侧面为0.2mm,间隔材料与支架侧壁一样为不导电的绝缘材料，防止正负极出现短路。支架中的铜基底与电源基板接触部分的负极的宽度为2.0mm，正极的宽度为1.0mm,如图2所示。本实用新型通过把两颗芯片取代单颗芯片固定于一个支架内，以此提高芯片的散热效果。芯片直接固定于负极，并且芯片与芯片之间及芯片与绝缘材料之间的距离相等，以使芯片之间及支架对芯片的出光干扰因素降至最低。本实用新型的发明人通过实验发现芯片通过胶固定于基底上后，在基底上涂布有一层透明的硅胶，硅胶厚度与芯片上表面最高点持平，而后在上面再点有荧光胶，相对直接在上面点荧光胶，光效更佳，不会出现光晕或光分布不均现象。
本实用新型中附图仅为了对本发明进一步解释，不得作为本实用新型发明范围的限制。图1薄型LED芯片封装俯视示意图图2薄型LED芯片封装仰视示意图I为正负极之间的绝缘材料；2为支架碗杯侧壁；3为负极金属基底；4为芯片；5为
正极金属基底
具体实施方式
本实用新型的实施例仅为对本发明进行解释，便于本领域普通技术人员能根据本发明内容实施本发明，不得作为本实用新型发明范围的限制。对传统3528型支架进行改进,把支架的高度由传统的1.8mm改成为0.8mm,通过降低支架的高度，提高LED芯片的出光率，支架的基底改为金属基底，通过把传统的塑料基底更换成金属基底，并且提高金属基底的厚度，由原0.1mm改成0.2mm,从而提高了散热效果，导电金属由两部分组成，两部分之间不导通，分别为正极和负极，正极和负极之间间隔在与电源基板接触部分为0.5±0.05mm，在芯片侧面为0.2mm,间隔材料与支架侧壁一样为不导电的绝缘材料，防止正负极出现短路。另外在芯片侧的距离小于电源基板接触部分的正负极之间的距离，目的是为了缩小引线的长度，防止引线过长而出现断裂等导致良率降低的现象。两颗芯片取代单颗芯片固定于一个支架内，并且芯片之间距离平均分布，如图1所/In 与以此提闻芯片的散热效 果。芯片固定于基底上后，进行引线，而后在基底上涂布一层透明硅胶，硅胶厚度与芯片最高点持平，而后在上面再点有荧光胶，相对直接在上面点荧光胶，光效更佳，不会出现光晕或光分布不均现象。
权利要求1.一种薄型LED芯片封装，包括3528支架与2020芯片，其特征在于，所述的3528支架其高度为0.8mm，基底为金属基底。
2.如权利要求1所述的封装，其特征在于金属基底选自铜基底，其厚度为0.2mm。
3.如权利要求2所述的封装，其特征在于铜基底由两部分组成，两部分之间不导通，分别为正极和负极，正极和负极之间间隔在与电源基板接触部分为0.5±0.05mm，在芯片面为0.2mm,间隔材料为不导电的绝缘材料。
4.如权利要求3所述的封装，其特征在于电源基板接触部分的负极的宽度为2.0mm，正极的宽度为1.0mm。
5.如权利要求1所述的封装，其特征在于一个封装中有两颗2020芯片。
6.如权利要求5所述的封装，其特征在于两颗2020芯片均固定于负极，并芯片与芯片之间及芯片与绝缘材料之间的距离相等。
7.如权利要求6所述的封装，其特征在于芯片通过胶固定于基底上后，在基底上涂布有一层透明的硅胶，硅胶厚度与芯片上表面持平，而后在上面再点有荧光胶。
专利摘要本实用新型公开了一种薄型LED芯片封装，属于LED技术领域，所述的薄型LED芯片封装，为支架3528的封装，其为超薄型0.8mm的方形碗杯，包括双芯片及垂直导热基底设计，以此提高LED在工作过程中出光效率及散热效果。
文档编号H01L33/64GK202917536SQ20122064520
公开日2013年5月1日 申请日期2012年11月30日 优先权日2012年11月30日
发明者张研, 孙明, 庄文荣 申请人:江苏汉莱科技有限公司