专利名称：一种直插式大功率led的制作方法
技术领域：
本发明属于光电领域，特别是一种直插式大功率LED。
背景技术：
现有的直插式LED内封装的一般都是小功率的LED晶片，因此它的亮度较差，只能应用于起到指示或警示作用的地方，由于此类LED的亮度底，其发出的光线经常性地被人们忽视而不能引起注意，这样就失去了它的指示或警示作用，而不能起到应有的效果。另夕卜，现有的大功率LED由于它的散热要求，一般都被设计成贴片式的结构，不能适用于应用直插式LED的电路板上，所以大功率LED在上述的情状下不能解决直插式LED亮度低的实际问题。
发明内容本发明针对上述问题，提供一种直插式大功率LED，它完全能适用于应用直插式LED的电路板，而且其亮度也足够高，散热问题也能得到较好的解决。为了达到上述目的，本发明所采用的技术方案是:一种直插式大功率LED，包括两个电极，分别与电极电连接的LED晶片，以及将LED晶片与电极顶端包覆在内的封装层，其特征在于:所述LED晶片为大功率LED晶片，该LED晶片被固定于一个散热柱顶端，所述散热柱的顶端被包覆在封装层内，并且其底面位于封装层之外，所述散热柱的底端也可伸出封装层，在所述散热柱的顶端带有一个碗杯状的凹坑，所述LED晶片位于此凹坑内，且在此凹坑内填充有荧光粉，所述荧光粉覆盖在LED晶片上。与普通直插式LED相比，本发明采用大功率LED，其亮度高，能引起人们足够的注意，而能起到警示作用，甚至还能起到照明的作用；另外，它与贴片式大功率LED相比，它采用直插式的电极支架，可以完全适应于直插式LED所应用的电路板连接方式，而且采用散热柱为LED晶片散热，其散热问题也得到较好地解决。
图1为本发明的剖示图；图2为本发明的另一剖示图。
具体实施方式
本发明是一种直插式大功率LED，它包括两个电极1、散热柱2、晶片3、金线4及封装层5，如图1所示。晶片3通过导热硅脂粘贴固定在散热柱2的顶端，晶片3与电极I按极性通过金线4电连接，封装层5将电极I顶部、金线4、散热柱2及晶片3都封装在内部，散热柱2为导热性能良好的材料，比如铜柱，散热柱2的底面露在封装层5外，其底面与封装层5的底面平齐，如图1所示；散热柱2的底部也可以伸出封装层5底部，完全露在封装层5外，如图2所示。在散热柱2的顶部有一个碗杯状的凹坑，晶片3被固定在这个凹坑内，在凹坑内还填充有荧光粉，荧光粉完全覆盖晶片3。本发明采用直插式的LED结构封装大功率LED晶片，加配合散热柱对晶片散热，既沿袭了普通LED的应用方式，也提高了亮度，满足了指示或警示的亮度要求。
权利要求1.一种直插式大功率LED，包括两个电极，分别与电极电连接的LED晶片，以及将LED晶片与电极顶端包覆在内的封装层， 其特征在于:所述LED晶片为大功率LED晶片，该LED晶片被固定于一个散热柱的顶端，所述散热柱的顶端被包覆在封装层内，并且其底面位于封装层之外。
2.根据权利要求1所述的LED，其特征在于:所述散热柱的底端伸出封装层。
3.根据权利要求1所述的LED，其特征在于:所述散热柱的顶端带有一个碗杯状的凹坑，所述LED晶片位于此凹坑内，且在此凹坑内填充有荧光粉，所述荧光粉覆盖在LED晶片上。
专利摘要本实用新型是一种直插式大功率LED，包括两个电极，分别与电极电连接的LED晶片，以及将LED晶片与电极顶端包覆在内的封装层，其特征在于所述LED晶片为大功率LED晶片，该LED晶片被固定于一个散热柱顶端，所述散热柱的顶端被包覆在封装层内，并且其底面位于封装层之外，所述散热柱的底端也可伸出封装层，在所述散热柱的顶端带有一个碗杯状的凹坑，所述LED晶片位于此凹坑内，且在此凹坑内填充有荧光粉，所述荧光粉覆盖在LED晶片上。本实用新型采用直插式的LED结构封装大功率LED晶片，加配合散热柱对晶片散热，既沿袭了普通LED的应用方式，也提高了亮度，满足了指示或警示的亮度要求。
文档编号H01L33/48GK202996893SQ201220667060
公开日2013年6月12日 申请日期2012年12月5日 优先权日2012年12月5日
发明者钟细环 申请人:钟细环