专利名称：晶体硅太阳能电池的正面电极结构的制作方法
技术领域：
本实用新型属于光伏技术领域，涉及一种用于晶体硅太阳能电池的正面电极结构。
背景技术：
作为21世纪最有潜力的能源，太阳能产业的发展潜力巨大，尤其是晶体硅太阳能电池产业，作为新兴的朝阳行业，再加上良好的政策环境、行业本身的特性，使得太阳能光伏产业具有较高的投资价值和发展潜力。晶体硅太阳能电池是一种能够有效吸收太阳能，并将之转化为电能的半导体器件，通过组装成系统，可用于各种用途的发电。当前制约晶体硅太阳能电池发展的因素主要有两个，即较低的光电转换效率和较高的制造成本。因此，不断的追求更高的光电转换效率和降低生产成本是当前太阳能电池行业的发展重点。晶体硅太阳能电池的正面电极是由主栅线和副栅线组成。晶体硅太阳能电池常规正面电极主栅线的宽度一般在1.4_一 2.1mm之间，主栅线将副栅线收集的光电流汇集起来，通过焊带传导出去。当副栅线的根数一定时，太阳能电池的转换效率，主要与副栅线的宽度相关，副栅线宽度越细，遮光面积越小，太阳能电池光电转换效率越高。但如副栅线的宽度太细，又容易出现断栅问题而降低副栅线收集电流的能力。因此，现有技术中副栅线的宽度通常小于等于0.1mm,但需大于等于0.04_。晶体硅太阳能电池正面电极是由丝网印刷的方式制得的，所用的印刷材料为导电银衆，由于导电银浆中80%以上为银粉，因此导电银浆的成本很高，在晶体硅太阳能电池的生产成本中占有较大的比重。因此，尽量降低导电银浆的消耗量，就成为降低晶体硅太阳能电池的生产成本的最重要的措施之一。
发明内容本实用新型的主要发明目的是提供一种光电转换效率高、导电银浆消耗量小的晶体硅太阳能电池的正面电极结构。本实用新型所用的技术方案是:一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构，包括主栅线和与主栅线垂直相交的副栅线，其中副栅线的宽度大于等于0.02mm、小于等于
0.03_，副栅线的同一侧的边栅线段之外端点均与一根端点连线相连。晶体硅太阳能电池的正面电极结构中，一般包含两到三根相互平行的主栅线，而每根副栅线则被这些相互平行的主栅线分成几段，其中夹在两根主栅线之间的中间副栅线段的两端均与主栅线相连，因此即便夹在两根主栅线之间的中间副栅线段的段中出现一个断点，也不会影响到副栅线对电流的收集作用。而副栅线的两侧的边副栅线段只有其里端点一个点与主栅线相连，一但边副栅线段的段中出现断点，则其外侧的一段副栅线段将无法参与对电流的收集工作。因此现有技术中，均要求副栅线的宽度不小于0.04mm,以减少副栅线出现断点的可能性。本实用新型，通过所述端点连线把同一侧的边副栅线段之外端点相连在一起，这样即使某一边副栅线段的段中出现一个断点，该边副栅线段的外侧一段可以通过端点连线的作用，依旧参与到对电流的收集工作中来，因此端点连线的设置就可以突破现有技术对副栅线宽度下限的限制要求，因此本实用新型的副栅线宽度取值可以小于现有技术要求的下限要求，这样一方面可以降低副栅线的遮光面积，有利于提高太阳能电池的光电转换效率，另一方面，则可以降低太阳能电池的导电银浆消耗量，从而有利于降低太阳能电池的制造成本，提高太阳能电池产品的性价比，从而有利于提高相应产品的市场竞争力。作为优选，副栅线的宽度为0.025mm。作为优选，端点连线的宽度等于副栅线的宽度。综上所述，本实用新型带来的有益效果是:太阳能电池的光电转换效率高、导电银浆消耗量小，从而有利于降低太阳能电池的制造成本，提高产品的性价比，从而有利于提高太阳能电池产品的市场竞争力。
图1是本实用新型的一种主视示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。如图1所示，本实用新型包括主栅线I和与主栅线I垂直相交的副栅线2，其中副栅线2的宽度大于等于0.02mm、小于等于0.03mm，副栅线2的同一侧的边栅线段之外端点均与一根端点连线3相连。作为优选，本实施例副栅线2的宽度为0.025mm、端点连线3的宽度等于副栅线2的宽度。本实用新型，通过端连线的设置，突破了现有技术对副栅线宽度的下限的限制要求，副栅线宽度取值可以小于现有技术要求的下限要求，这样一方面可以降低副栅线的遮光面积，有利于提高太阳能电池的光电转换效率，另一方面，可以降低太阳能电池的导电银浆消耗量。因此，本实用新型带来的有益效果是:太阳能电池的光电转换效率高、制造成本，有利于提高产品的性价比，从而有利于提高产品的市场竞争力。
权利要求1.一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构，包括主栅线(I)和与主栅线(I)垂直相交的副栅线(2)，其特征是:副栅线(2)的宽度大于等于0.02mm、小于等于0.03mm，副栅线(2)的同一侧的边栅线段之外端点均与一根端点连线(3)相连。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的正面电极结构，其特征是:副栅线(2)的宽度为0.025mm。
3.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的正面电极结构，其特征是:端点连线(3)的宽度等于副栅线(2)的宽度。
专利摘要本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池的正面电极结构，包括主栅线和与主栅线垂直相交的副栅线，其中副栅线的宽度大于等于0.02mm、小于等于0.03mm，副栅线的同一侧的边栅线段之外端点均与一根端点连线相连。本实用新型，通过端连线的设置，突破了现有技术对副栅线宽度的下限的限制要求，副栅线宽度取值可以小于现有技术要求的下限要求，这样一方面可以降低副栅线的遮光面积，有利于提高太阳能电池的光电转换效率，另一方面，可以降低太阳能电池的导电银浆消耗量。因此，本实用新型带来的有益效果是太阳能电池的光电转换效率高、制造成本，有利于提高产品的性价比，从而有利于提高产品的市场竞争力。
文档编号H01L31/0224GK203038933SQ20122070305
公开日2013年7月3日 申请日期2012年12月18日 优先权日2012年12月18日
发明者韩健鹏, 吴敏 申请人:横店集团东磁股份有限公司