有机电子器件用基板的制作方法

有机电子器件用基板的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机电子器件用基板、其制造方法以及有机电子装置。本发明的示例性基板，例如，当在该基板的上部上形成有机发光二极管时，即使在所述器件以大面积构成时能够有效地调整电极的表面电阻，由此能够确保优异的发光亮度和发光均匀度。
【专利说明】有机电子器件用基板
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种有机电子器件用基板、其制造方法、以及有机电子器件。
【背景技术】
[0002]有机电子器件(0ED ；Organic Electronic Device)是指通过电极和有机物之间的电荷交换来发挥各种功能的器件，例如包括有机发光二极管(0LED)、有机太阳能电池、有机光导体(OPC)或者有机晶体管等。
[0003]电极特性在有机电子器件中是非常重要的。例如，用于照明的有机发光二极管，通常由具有一边的长度为5cm或者以上的发光面积的像素(pixel)构成。由于具有这种大发光面积，因此如果电极的表面电阻大，则电子或者空穴在整个面积上不能均匀地注入，由此产生发光斑点，从而不能在整个发光区域得到均匀的亮度。
[0004]通常，有机电子器件包括两个电极，其中至少一个电极由透明电极构成，使得可以进行光的提取或入射。然而，尤其为确保透明性，透明电极不能过度增加厚度，从而使调整表面电阻变得更难。

【发明内容】

[0005]发明要解决的课题
[0006]本发明的目的在于，提供一种有机电子器件用基板、其制造方法、以及有机电子器件。
[0007]解决课题的方法
[0008]本发明例示的有机电子器件用基板可以包括:衬底；粘合剂层，其形成于上述衬底的主表面；导电图形，其陷入上述粘合剂层。其中，导电图形露出于上述粘合剂层的与上述衬底相反的表面，包括上述露出的导电图形表面的上述粘合剂层的相反表面形成最大高度粗糖度(maximum height roughness)为Iym以下的平坦面。
[0009]并且，例如，上述有机电子器件用基板可以以如下方法制造，该方法包括:在离型性衬底的离型表面形成导电图形的步骤；在形成有导电图形的衬底上形成粘合剂层的前驱物的步骤；层压(laminate)粘合剂层的前驱物和衬底，并且将上述前驱物转换为粘合剂层的步骤；以及去除上述离型性衬底的步骤。
[0010]发明的效果
[0011]根据本发明示例性的基板，例如，当该基板上部形成有机发光二极管时，即使在上述器件以大面积构成时，也能够有效地调整电极的表面电阻，由此确保优异的发光亮度和发光均匀度。
【专利附图】

【附图说明】
[0012]图1至图3是示出示例性基板的示意图。
[0013]图4是示例性地示出露出于基板平坦面的导电图形的形状的图。[0014]图5和图6是示出示例性基板的制造方法的示意图。
[0015]图7和图8是示出根据实施例制造的基板的图。
[0016]图9是示出根据实施例制造的基板的最大高度粗糙度的图。
【具体实施方式】
[0017]本发明的示例性的有机电子器件用基板可以包括:衬底；粘合剂层，其形成于上述衬底的主表面；以及导电图形，其陷入上述粘合剂层。其中，上述导电图形露出于上述粘合剂层的与上述衬底相反的表面，上述粘合剂层的相反表面(包括上述露出的导电图形的表面)形成最大高度粗糙度(maximum height roughness) Slym以下的平坦面。
[0018]在本说明书中，用语“平坦面或相反表面”可以指:在上述基板的结构中，上述导电图形露出的一侧的粘合剂层的表面和上述导电图形的露出表面一起形成的表面。并且，上述粘合剂层的表面，包括粘合剂自身的表面是当然的，例如在下面所述，当粘合剂层包括表面层时，还可以包括所述表面层的表面。
[0019]一实施例中，上述平坦面可以是在其上部形成有有机电子器件的平坦面。
[0020]图1表示一个示例性的上述基板I的结构，包括衬底11、形成在上述衬底11上的粘合剂层12、以及陷入粘合剂层12的内部的导电图形13。
[0021]对衬底无特别限定，可以根据需要使用适当的材料。一实施例中，当上述有机电子器件为下部发光(bottom emission)型有机发光二极管时，例如上述衬底可以是透光性衬底如可见光区域——如400nm至700nm波长区域——的透光率为50%以上、60%以上、70%以上或者50至98%。透光性衬底可以例举玻璃衬底或者透明聚合物衬底。玻璃衬底可以例举出钠钙玻璃、含钡/锶玻璃、铅玻璃、铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、硼硅酸钡玻璃或石英等衬底；聚合物衬底可以例举出所示的基底可以是PC (聚碳酸酯,polycarbonate)、丙烯酸树脂，PET (聚(对苯二甲酸乙二醇酯),PES (聚(醚)或PS (聚砜，polysulfone),但并不限于此。另外，根据需要，上述衬底可以是具有驱动用TFT的TFT衬底。
[0022]并且，当上述有机电子器件为顶部发光(top emission)型时，上述衬底不一定非透光性衬底不可。在上述情况下，根据需要，可以在衬底表面形成使用铝等的反射层。
[0023]粘合剂层可以在上述衬底的至少一个主表面上形成，并起到保持上述导电图形的作用。只要粘合剂层起到如上所述的作用，就可以使用各种各样的材料。
[0024]粘合剂层，例如，透光性粘合剂层可以使用包含粘合剂的粘合剂层，该粘合剂对于可见光区域、例如400nm至700nm波长的光的穿透率为70%以上、80%以上、90%以上、70至90%、或者 70 至 99%。
[0025]作为粘合剂层可以使用包含室温固化型、湿固化型、热固化型、活性能量射线固化型、或者混合固化型的有机或无机粘合剂的粘合剂层。例如，粘合剂可以包含:丙烯酸树脂、有机硅树脂、聚氨酯、环氧树脂、氟树脂或者苯乙烯树脂等粘合树脂；或者锆醇盐、钛醇盐、或硅醇盐的缩合反应物。在本说明书中，用语“固化”是表示:通过所包含的组分的化学或物理反应、作用来表现出可以用作粘合剂层的物理特性的过程。室温固化型、湿固化型、热固化型、活性能量射线固化型、或混合固化型可以是:通过在室温下维持、施加湿气、施加热量或者活性能量射线的照射来诱导如上所述的固化；或组合上述中的两个以上的方式而被固化的粘合剂。并且，在如上所述的用语“活性能量射线”的范畴中，可以包含:微波(microwaves)、红外线(IR)、紫外线(UV)、X-射线；或者Y-射线或α-粒子射线(alpha-particle beam)、质子束(proton beam)、中子束(neutron beam)或电子线(electron beam)的粒子束等。
[0026]在一实施例中，从工序或者体现特性的便利性的方面考虑，作为上述粘合剂层可以使用包含活性能量射线固化型粘合剂的粘合剂层。
[0027]在一实施例中，当上述有机电子器件形成在上述平坦面上时，上述粘合剂层可以是高折射粘合剂层，例如可以具有与形成在上述平坦面上部的有机电子器件相同或者类似、或高于其的折射率。在一实施例中，上述粘合剂层的折射率和形成在上述平坦面上部的有机电子器件的折射率之差的绝对值可以是I以下、0.8以下、0.6以下、0.4以下或者0.2以下。在一实施例中，上述粘合剂层的折射率可以是1.6以上、1.7以上、1.8以上或者1.9以上。在这种折射率的范围内，例如上述有机电子器件为有机发光二极管时，将从器件产生的光在使全反射现象等最小化的同时有效地入射至粘合剂层。并且，只要上述粘合剂层的折射率的上限在与有机电子器件类似或高于其的范围内，就无特别限制，例如可以是4.0以下、3.5以下、3.0以下、2.5以下或者2.0以下。
[0028]对粘合剂层赋予高折射率方法无特别限制。例如，作为形成粘合剂层的粘合树脂或者粘合剂层的添加剂可以使用:导入有在结构中包含如苯酚等芳香基或者除氟以外的卤素原子、硫原子、磷原子或氮原子等的单体；或导入包含其单体的树脂等，由此提高基体(matrix)自身的折射率的粘合剂。可以采用在粘合剂中分散例如钛、锆、铝、铟、锌、锡或锑等的金属氧化物或氢化物的具有高折射特性的颗粒的方法来调整折射率。作为上述可以实现高折射率的单体，可以具体例举出双(4-甲基丙烯酰氧基硫代-苯基)硫醚、乙烯基萘、乙烯基苯基硫醚、甲基丙烯酸4-羟基-苯基-4'-甲氧基-苯基硫醚等，但并不限于此。
[0029]粘合剂层还可以包含散射颗粒。在本说明书中，用语“散射颗粒”可以是:具有与包含上述散射颗粒的粘合剂层不同的折射率的颗粒。这种颗粒可以是起到对入射至粘合剂层的光进行散射的功能的颗粒。例如，将粘合剂层的折射率调整为与如上所述的有机电子器件类似或高于其的水准，并且包含散射颗粒时，可以提高将从器件产生的光向外部引导的比率、所谓的光提取效率。作为散射颗粒，只要具有与上述粘合剂层不同的折射率，就无特别限制，可以使用各种各样的有机颗粒、无机颗粒或者有机/无机复合颗粒。作为有机颗粒，可以例举出由聚苯乙烯或者其衍生物、丙烯酸树脂、有机硅树脂或者酚醛清漆树脂等有机聚合物形成的颗粒等；作为无机颗粒可以例举出由二氧化硅、氧化铝、氧化钛或者氧化锆等金属氧化物形成的颗粒。除此之外，例如可以使用:核(core)/壳(shell)结构的颗粒或呈现在颗粒中分散微细颗粒形态的颗粒、或者中空颗粒等。例如，上述散射颗粒的平均粒径可以在0.2 μ m至20 μ m、0.5 μ m至15 μ m、或者I至10 μ m的范围内。
[0030]图3示出一实施例的上述基板3的结构，其包括衬底11、在上述衬底11上形成的粘合剂层12、以及陷入该粘合剂层12的内部的导电图形13和散射颗粒14。
[0031]在一实施例中，粘合剂层可以进一步包括形成上述相反表面的表面层。图2是示例性示出形成有表面层21的基板2的示意图。
[0032]在一实施例中，在采用后述方法制造上述基板的过程中，上述表面层可以是起到调整与离型性衬底之间的附着力的作用的层。此时，上述表面层表现出与上述离型性衬底表面的适当的粘合力，优选地，上述表面层在工序过程中稳定地附着在上述离型性衬底，而在离型性衬底的去除过程中用作能够有效地去除离型性衬底的材料，并且优选为表现出与粘合剂层的高附着力的材料。
[0033]在一实施例中，表面层可以包含透光率为、例如对于可见光区域，具体为400nm至700nm的波长的光的穿透率为70%以上、80%以上或者90%以上，并且可以包括具有如上所述的附着特性的材料。
[0034]例如,表面层可以包含作为如上所述的材料的如PC (聚碳酸酯，polycarbonate)、PET (聚(对苯二甲酸乙二醇酯)等聚酯；如丙烯酸树脂、PES (聚(醚))、聚氨酯树脂、环氧树月旨、烯烃树脂、PS (聚砜,polysulfone)或者聚酰亚胺等有机聚合物；或氧化娃如SiO2、氮化硅或者FeO等的无机材料。包含这种材料的表面层可以通过如湿式涂布法等涂布方法、或者溅射法或真空沉积方法等来形成。
[0035]在一实施例中，上述表面层可以由导电物质形成，或者可以是包含导电物质的导电表面层。通过这种方式能够更有效地调整上述相反表面的表面电阻。作为构成表面层、或者可以包含在表面层的导电物质，例如列举出JnPEDOT (聚(3，4-二氧乙基噻吩))或者PED0T/PSS (聚苯乙烯磺酸和PEDOT的混合物)等聚噻吩系聚合物、如聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚荷、聚四硫富瓦烯、聚萘、聚(P-聚苯硫醚)或聚(对苯乙烯撑，para-phenylenevinylene)等导电性聚合物；或者如铝、铜、钯、铬、钼金、或金等金属物质，或者掺杂选自Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、S1、Zr、Mo、N1、Cr、Mg、Mn、Co 和 Sn 中的一个以上，或者为上述物质的合金的银、铝、铜、钯、铬、钼金、或金；或者碳纳米管等导电性物质，对于使用这种物质的表面层，例如可以通过湿式涂布方法或者沉积方法来形成。
[0036]上述基板中，在上述粘合剂层的内部陷入有导电图形。导电图形露出于粘合剂层的与衬底相反的表面、即上述粘合剂层的与上述衬底相接触的面的相反面，并作为上述平坦面的一部分而存在。即，上述导电图形的露出表面和上述粘合剂层的表面为相同的表面而形成平坦面，在一实施例中，当上述粘合剂层包括上述表面层时，形成上述平坦面的粘合剂层的表面可以为上述表面层的表面。
[0037]由于导电图形露出于平坦面，因此有机电子器件的电极形成于平坦面时，上述电极和上述导电图形可以互相接触，由此可以根据需要将上述电极的表面电阻调整在适当的范围内。
[0038]对导电图形露出于平坦面而形成的图形形状无特别限制，可以根据需要进行调整。例如，对上述露出的图形而言，当从上部观察平坦面时，多个露出面在分别具有条(stripe)形状的同时，或互相平行而配置，或者形成方格图案，或形成斜线型或者蜂窝型，又或者形成非常规型的无定型图形。
[0039]图4示出一实施例的导电图形13的露出部分的图形，露出的导电图形13与粘合剂层12或表面层21 —起形成平坦面。
[0040]在一实施例中，上述导电图形露出的上述平坦面的表面电阻可以为10Ω/ □以下，优选可以为5Ω/ □以下。但是，上述表面电阻值为示例性数值，例如，根据所需的电极表面电阻值，调整上述导电图形露出于平坦面的面积、或者露出图形或陷入粘合剂层的导电图形的深度等进行变更。
[0041]并且，对导电图形露出于平坦面的面积无特别限制，例如，可以根据所需的电极表面电阻值，适当地进行调整。在一实施例中，导电图形露出的面积可以具有整个平坦面面积的0.01%至40%、0.1%至40%、或者0.1%至20%的比例。在具有如上所述的面积比率的情况下，可以通过导电图形来有效地调整电极的表面电阻，同时也可以将基板的整体透光性维持在适当的范围。
[0042]导电图形的尺寸，可以根据导电图形的形状或者用于导电图形的导电性物质或者所需的电极表面电阻值等进行调整。在一实施例中，导电图形可以具有0.01 μ m至50 μ m、
0.01 μ m 至 40 μ m、0.01 μ m 至 30 μ m、0.01 μ m 至 20 μ m、或者 0.Ιμπι 至 ΙΟμπι 的厚度。并且，当露出于平坦面的导电图形的形状为条形状或由条形状形成的规定图形时，各个条形状可以具有 0.1 μ m 至 500 μ m、0.1 μ m 至 400 μ m、0.1 μ m 至 300 μ m、0.1 μ m 至 200 μ m、或者I μ m至100 μ m的线宽。
[0043]在一实施例中，导电图形可以包含:如PEDOT或者PED0T/PSS等聚噻吩；如聚乙炔、聚吡咯、聚苯胺、聚芴、聚(3-烷基噻吩)、聚四硫富瓦烯、聚萘、聚(P-聚苯硫醚)或者聚(对苯乙烯撑)等导电性聚合物；如Ag、Al、Cu、Pd、Cr、Pt或者Au等金属；如选自Ag、Au、Pd、Al、Pt、Cu、Zn、Cd、In、S1、Zr、Mo、N1、Cr、Mg、Mn、Co和Sn中的两个以上的合金物质或者碳
纳米管等碳基物质等。
[0044]如后述一样，优选地，包含如上所述的物质的导电图形，例如在使用上述物质而制造干燥型或者塑性型导电浆料或者油墨制造后，通过使用该浆料或者油墨的印刷方法形成上述导电图形。
[0045]在上述基板中，导电图形的露出表面与粘合剂层或者表面层的表面一起形成相同表面的平坦面。上述平坦面的最大高度粗糙度为Iym以下，优选可以为0.5 μπι以下。在本说明书中，最大高度粗糙度是指，在截面(cut off)内的粗糙度曲线中，与中心线平行的同时经过上述粗糙度曲线的最高点的直线和经过最低点的直线之间的距离，这种最大高度粗糙度例如可以通过后述实施例中所记载的方法来测量。在本说明书中，最大高度粗糙度可以是，在具有100 μ m2面积的平坦面的任意一个区域中测量的最大高度粗糙度。上述的任意一个区域是指，在基板的平坦面中随机选择的IOOym2面积的区域。即，在优选的实施例中，上述基板的平坦面只存在最大高度粗糙度为Iym以下、优选0.5 μπι以下的区域。如上所述，如果平坦面具有优异平滑度，则可以在上述平坦面上有效地形成有机电子器件，并且，例如上述有机电子器件依次在平坦面上具有电极、有机物层以及电极时，可以防止在电极之间发生短路等不良现象。平坦面的最大高度粗糙度值越小，就意味着形成的表面平滑度越优异，因此对其下限无特别限制。
[0046]例如，上述最大高度粗糙度的下限可以为O μ m、0.001 μ m或者0.01 μ m。
[0047]在一实施例中，上述平坦面可以是离型性衬底表面的转印表面。当平坦面为离型性衬底的转印表面时，可以形成具有更优异平滑度的平坦面。
[0048]在本说明书中，用语“离型性衬底的转印表面”可以是指，形成上述导电图形的露出表面和粘合剂层或表面层的表面的平坦面将离型性衬底的表面作为一种铸型，在首先与离型性衬底的表面接触而形成之后，去除上述离型性衬底，由此将上述离型性衬底的平滑度转印的表面。如上所述，为了使平坦面构成为离型性衬底表面的转印表面，例如使用后述的制造方法来形成上述平坦面即可。
[0049]在一实施例中，上述基板可以进一步包括形成于上述平坦面的导电层。例如，上述导电层可以形成有机电子器件的空穴注入电极或电子注入电极。[0050]在一实施例中，上述导电层是具有透明性的，其可以由具有高的功函数(workfunction)而能够起到作为空穴注入电极的作用的物质形成。作为这种物质可以例举出ITO、IZO、ZnO, Sn02 或者 In203 等，通常使用 ITO0
[0051]在另一实施例中，上述导电层是具有透明性的，其可以由具有相对较低的功函数(work function)而能够起到作为电子注入电极的作用的物质形成。作为这种物质可以是K、L1、Na、Mg、La、Ce、Ca、Sr、Ba、Al、Ag、In、Sn、Zn或者Zr等金属或者选自上述金属中的两种组分或者两种以上的合金系。作为上述合金系，可以例举出Ag/Mg、Al/L1、In/Mg或者Al/Ca 等。
[0052]上述导电层的厚度可以考虑所需的表面电阻、或光透过度等来适当地进行调整。
[0053]例如，如上所述的有机电子器件用基板可以通过如下的方法制造，该方法包括:在离型性衬底的离型表面形成导电图形的步骤；在形成有导电图形的衬底上形成粘合剂层的前驱物的步骤；层压粘合剂层的前驱物和衬底，并将上述前驱物转换为粘合剂层的步骤；以及去除上述离型性衬底的步骤。
[0054]图5是表示上述制造方法的示意图。
[0055]对在上述制造方法中使用的离型性衬底41的类型无特别限制。例如，作为离型性衬底可以使用:至少一个表面表现出与导电图形和粘合剂层或表面层适当的剥离特性，并且上述表面具有优异平滑度的通常的膜(f iIm)或者薄片(sheet)。
[0056]在上述离型性衬底41的离型表面形成导电图形42。对在该过程中形成导电图形的方法无特别限制，例如，使用用于形成导电图形的材料而制造干燥型或者塑性型的导电浆料或者油墨后，将上述浆料或者油墨用于印刷方法而形成导电图像。例如，作为印刷方法，可以例举出丝网印刷(screen printing),喷墨印刷,胶版印刷,照相凹版印刷(gravureprinting)或者反向照相凹版印刷(reverse gravure printing)方法等。
[0057]在印刷工序之后，也可以根据浆料或者油墨的形状，进行所需的塑性或者干燥工序，由此形成导电图形。
[0058]在形成导电图形42之后在形成图形的离型性衬底41的表面上，可以形成粘合剂层的前驱物43。例如，粘合剂层的前驱物作为通过所述固化反应来形成粘合剂层的物质，可以是室温固化型、湿固化型、热固化型、活性能量射线固化型或者混合固化型粘合剂的组成物、或者溶胶-凝胶涂布液。例如，上述溶胶-凝胶涂布液可以将锆醇盐、钛醇盐或者硅醇盐等金属醇盐溶解在乙醇或水等溶剂中，并根据需要，适当配合催化剂等而形成。并且，如以上所述，上述前驱物可以是包含在其内部分散有高折射纳米颗粒、或能够体现出高折射率的单体或者包含其单体的聚合物的前驱物，并且其内部可以进一步包含所述散射颗粒。在形成有导电图形的离型性表面上，例如通过棒式涂布(bar coating)、旋转涂布、凹版涂布(gravure coating)等方法来涂布这种粘合剂组成物或者溶胶-凝胶涂布液，由此可以形成上述前驱物层。
[0059]作为一个例子，在形成有导电图形的衬底上形成粘合剂层的前驱物的步骤中，上述粘合剂层的前驱物可以包含具有与粘合剂层不同折射率的散射颗粒。散射颗粒与上述说明相同。
[0060]在形成前驱物层43后，在其前驱物层43上层压衬底45，并在该状态下可以将上述前驱物层43转换为粘合剂层44。前驱物层转换为粘合剂层的过程，可以通过诱导根据所使用前驱物的形状的适当的固化、或诱导缩合反应来进行。
[0061]在形成粘合剂层44后剥离上述离型性衬底41，由此可以进行上述基板的制造。
[0062]图6作为上述制造方法的其他例示，在形成上述粘合剂层的前驱物层43的步骤之前，还进行在离型性衬底上形成如上所述的表面层51的步骤。
[0063]对于图6所示的示例性制造方法，在形成上述粘合剂层的前驱物的层43之前，除了实施形成表面层51的方法之外，还可以进行与图5所示的制造方法类似的方法。
[0064]并且，例如，上述表面层51可以通过使用用于形成上述表面层的材料的湿式涂布等的涂布方法、或沉积方式来形成。
[0065]在上述示例性的制造方法中进一步进行如下步骤:在去除上述离型性衬底后，在去除了该离型性衬底的面形成所述导电层的步骤。
[0066]对形成导电层的方法无特别限制，可以使用本领域通常的公知方法。例如，当上述导电层为ITO或者IZO等透明的导电性氧化物(TCO)时，上述导电层可以通过脉冲直流(DC)溅射法等溅射法来形成，或者可以通过湿式涂布法或者离子电镀法等来形成。并且，当导电层为电子注入性电极时，导电层可以通过电阻加热沉积法、电子束沉积法、反应性沉积法、离子电镀法或者溅射法等来形成。
[0067]本发明还涉及一种有机电子装置。本发明示例性的有机电子装置，可以包括上述基板和形成在上述基板的平坦面上的有机电子器件。
[0068]在一实施例中，上述有机电子器件可以是有机发光二极管(OLED )。当有机电子器件为有机发光二极管时，例如，上述有机电子器件可以具有:至少包括发光层的有机层介于空穴注入电极和电子注入电极之间的结构。并且，空穴注入电极或者电子注入电极可以是形成在如上所述的基板的平坦面上的导电层。
[0069]例示地，有机发光二极管可以具有以下形式:从基板的平坦面依次形成的(I)空穴注入电极/有机发光层/电子注入电极；(2)空穴注入电极/空穴注入层/有机发光层/电子注入电极；(3)空穴注入电极/有机发光层/电子注入层/电子注入电极；(4)空穴注入电极/空穴注入层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极；(5)空穴注入电极/有机半导体层/有机发光层/电子注入电极；(6)空穴注入电极/有机半导体层/电子阻挡层/有机发光层/电子注入电极；(7)空穴注入电极/有机半导体层/有机发光层/附着改善层/电子注入电极；(8)空穴注入电极/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极；O)空穴注入电极/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极；(10)空穴注入电极/无机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极态；(11)空穴注入电极/有机半导体层/绝缘层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极；
(12)空穴注入电极/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/绝缘层/电子注入电极的形态；或者(13)空穴注入电极/绝缘层/空穴注入层/空穴传输层/有机发光层/电子注入层/电子注入电极，根据情况有机发光二极管可以具有如下结构的有机层，其中在空穴注入电极和电子注入电极之间，至少两个发光层被具有电荷发生特性的中间电极或者电荷发生层(CGL: Charge Generating Layer )所划分,但并不限于此。
[0070]在本领域中，对于空穴或者电子注入电极和有机层，例如，用于形成发光层、电子注入或者传输层、空穴注入或者传输层的各种各样的材料和其形成方法已被公知,从而在制造上述有机电子装置时可以使用所有如上所述的方法。[0071]发明的实施方案
[0072]以下，通过本发明的实施例和非本发明的比较例更详细地说明本发明，但本发明范围并不限于以下描述的实施例。
[0073]以如下方法测量了下述实施例中的物理特性。
[0074]1.表面粗糙度的测量
[0075]基板平坦面的表面粗糙度，使用AFM仪器(型号:D3100，制造公司=DigitalInstrument)以轻敲模式(tapping mode)进行了测量,使用的针尖曲率半径为8nm。对于基板，在面积为IOOym2的区域任意指定三个部位，然后通过上述方法测量了指定区域的表面粗糙度。表1表示了测量结果的平均值。图9是表示测量实施例1的基板表面粗糙度的照片。
[0076]2.基板的表面电阻测量
[0077]基板的平坦面的表面电阻，使用了在测量表面电阻时通常使用的四探针仪(four-point probe)(仪器名称:MCP-T610，制造公司:MITSUBISHI CHEMICAL)，并利用针(pin)间为5mm的ESP型探针进行了测量。
[0078]3.光提取效率测量
[0079]在20mA的恒电流驱动条件下驱动有机发光二极管，并测量了提取的光的粗糙度而评估了光提取效率。在测量粗糙度时，利用积分球测量了从器件放出的光的量。
[0080]实施例1.[0081]在未进行底漆处理的PET膜的表面,利用Ag衆料以间接凹印(offset gravureprinting)方法印刷了网格状导电图形。在该过程中，导电图形的线宽调整为20 μ m，线间隔调整为280 μ m，导电图形的高度调整为约1 μ m。之后，将印刷的导电图形在150°C的温度下维持约30分钟而塑化了上述图形。接着，在形成有导电图形的PET膜的面，涂布了紫外线固化型粘合剂组成物(N0A65，Norland Products Inc.)，然后在其上部层压玻璃衬底，并通过橡胶辊施加压力而使上述组成物充分展开。而后，对上述组成物照射紫外线(2J/cm2)而形成了粘合剂层。在形成粘合剂层后，剥离上述PET膜而制造了有机电子器件用基板。图7和8表示已制造的基板的照片。
[0082]实施例2.[0083]除了在形成导电图形时线宽调整为40 μ m,线间隔调整为260 μ m,高度调整为约2μπι以外，按照与实施例1相同的方法制造了基板。
[0084]实施例3.[0085]在未进行底漆处理的PET膜的表面，利用Ag浆料以间接凹印方法印刷了网格状导电图形。在该过程中，导电图形的线宽调整为20 μ m，线间隔调整为280 μ m，导电图形的高度调整为约I μ m。之后，将印刷的导电图形在150°C的温度下维持约30分钟而塑化了上述图形。接着，在形成有导电图形的PET膜的面涂布了用于形成表面层的涂布液(TYT-80-01，Toyo ink)，然后在100°C的温度下进行约10分钟的干燥处理，并照射紫外线进行固化，由此形成了表面层。而后，在形成有导电图形和表面层的衬底涂布了紫外线固化型粘合剂组成物(N0A65, Norland Products Inc.),之后层压玻璃衬底,通过橡胶棍施加压力而使上述组成物充分展开。而后，对上述组成物照射紫外线(2J/cm2)而形成了粘合剂层，然后剥离上述PET膜而制造了有机电子器件用基板。[0086]分别对在上述实施例1至3中制造的基板的表面粗糙度和表面电阻进行了测量，并将其结果表示在表1中。
[0087]表1
[0088]
【权利要求】
1.一种有机电子器件用基板，包括: 衬底； 粘合剂层，其形成于所述衬底的主表面上；以及 导电图形，其陷入所述粘合剂层， 其中， 所述导电图形露出于与所述粘合剂层的与所述衬底侧表面相反的表面，包括露出的导电图形表面的所述粘合剂层的相反表面是最大高度粗糙度为Iym以下的平坦面。
2.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 平坦面为在其上形成有机电子器件的面。
3.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 衬底为对于可见光区域的光的穿透率为50%以上的透光性衬底。
4.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层为活性能量射线固化型粘合剂层。
5.根据权利要求2所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层的折射率和形成于平坦面上的有机电子器件的折射率之差的绝对值为I以 下。
6.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层包含散射颗粒，该散射颗粒具有与粘合剂层不同的折射率。
7.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 粘合剂层进一步包括形成所述平坦面的表面层。
8.根据权利要求7所述的有机电子器件用基板，其中， 表面层为导电表面层。
9.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 平坦面的表面电阻为10 Ω/ □以下。
10.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 露出于平坦面的导电图形的面积的比例为平坦面的整个面积的0.01%至40%。
11.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 导电图形包含导电性聚合物、金属、合金或者碳基物质。
12.根据权利要求1所述的有机电子器件用基板，其中， 平坦面为离型性衬底的表面的转印表面。
13.权利要求1所述的有机电子器件用基板，进一步包括: 形成在平坦面上的导电层。
14.一种有机电子器件用基板的制造方法，其中，所述制造方法包括: 在离型性衬底的离型表面上形成导电图形； 在形成有导电图形的衬底上形成粘合剂层的前驱物； 层压粘合剂层的前驱物和衬底，并将所述前驱物转换为粘合剂层；以及 去除所述离型性衬底。
15.根据权利要求14所述的有机电子器件用基板的制造方法，其中， 导电图形通过将导电浆料或者油墨印刷于离型性衬底的表面上而形成。
16.根据权利要求15所述的有机电子器件用基板的制造方法，其中， 印刷的方法为丝网印刷、喷墨印刷、胶版印刷、照相凹版印刷或者反向照相凹版印刷。
17.根据权利要求14所述的有机电子器件用基板的制造方法，其中， 在形成有导电图形的衬底上形成粘合剂层的前驱物的步骤中，所述粘合剂层的前驱物包含散射颗粒，该散射颗粒具有与粘合剂层不同的折射率。
18.根据权利要求15所述的有机电子器件用基板的制造方法，其中，在形成粘合剂层的前驱物之前将表面层形成于离型性衬底的表面上。
19.一种有机电子装置,包括: 权利要求1所述的有机电子器件用基板；和 形成于所述基板的平坦面上的有机电子器件。
20.根据权利要求19所`述的有机电子装置，其中，有机电子器件为有机发光二极管。
【文档编号】H01L51/52GK103608944SQ201280022759
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2012年3月29日 优先权日:2011年3月29日
【发明者】李渊槿, 文敬植, 张星守, 安庸植, 金正斗, 朴珉春, 金正凡 申请人:株式会社Lg化学