发光器件和用于制造发光器件的方法
【专利摘要】在不同的实施例中提供一种发光器件（100），所述发光器件具有：半透明的第一电极（104）；在第一电极（104）上或其上方的有机电致发光层结构（106，108）；在有机电致发光层结构（106，108）上或其上方的半透明的第二电极（112）；在第二电极（112）上或其上方的光学半透明的层结构（116），其中光学半透明的层结构（116）具有光致发光材料（120）；以及在光学半透明的层结构（116）上或其上方的镜层结构（118）。
【专利说明】发光器件和用于制造发光器件的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种发光器件和一种用于制造发光器件的方法。
【背景技术】
[0002]在有机发光二极管(OLED)中，例如借助于有机基体中的有机色中心(发色团)的电致发光来产生光。所述有机基体通常位于有机传输材料和例如衬底上的至少两个导电电极组成的层堆中。两个导电电极中的至少一个导电电极是半透明的、例如透明的，并且与层堆和第二导电电极一起形成光学微腔，必要时结合用于光学匹配的附加的介电层一起形成光学微腔，所述介电层同样能够是有机发光二级管的一部分。
[0003]色中心和有机材料的选择以及层堆的结构对OLED的特征数据，例如其效率、使用寿命和显色指数(CRI)产生影响。色中心和层堆关于显色指数方面的优化通常需要在另外的特征数据方面做出妥协以及需要尽可能耗费的匹配和协调层堆中的有机传输材料和有机基体材料。对于特定的客户期望而言，具有一个或多个OLED的OLED片(OLED-Kachel)的色温的协调是相对耗费的。
[0004]在有机发光二级管中通常通过调节有机层堆和光学微腔(包括导电电极和必要时同样设置的抗反射层)来设定显色性和色温。然而这由于光学特性和电学特性的多种交互相关性至今仅能够以相对高的研发耗费实现。
【发明内容】
[0005]在不同的实施例中，提供发光器件。发光器件能够具有:半透明的第一电极；在第一电极上或其上方的有机电致发光的层结构；在有机电致发光的层结构上或其上方的半透明的第二电极；在半透明的第二电极上或其上方的光学半透明的层结构，其中光学半透明的层结构具有光致发光材料；以及在光学半透明的层上或其上方的镜层结构。
[0006]在不同的实施例中提供发光器件，其中对于光学半透明的层结构和包含在其中的光致发光材料而言在材料选择方面实现大的设计自由度，因为对于所述层结构和包含在其中的光致发光材料而言仅需要光致发光特性，然而并不需要电致发光特性，所述电致发光特性当然同样能够可选地存在。
[0007]因此，在不同的实施例中，直观地不借助电流来泵浦光学半透明的层结构或光致发光材料，而是主要或者仅仅借助光来泵浦。
[0008]术语“半透明”或者“半透明层”在不同的实施例中能够理解为:层对于光是可穿透的，例如对于由发光器件产生的、如一个或多个波长范围的、例如对于可见光波长范围中的光(例如至少在380nm至780nm波长范围的局部范围中的)光是可穿透的。例如，术语“半透明层”在不同的实施例中能够理解为:基本上全部耦合输入到结构(例如层)中的光量也能够从结构(例如层)中耦合输出，其中光的一部分能够被散射。
[0009]术语“透明层”在不同的实施例中能够理解为:层对于光是可穿透的(例如至少在380nm至780nm波长范围的局部范围中)，其中耦合输入到结构(例如层)中的光基本上在没有散射或光转换的情况下也从结构(例如层)中耦合输出。因此，“透明”能够视作为“半透明”的特殊情况。
[0010]对于例如应当提供发射光的单色的或发射光谱受限的电子器件的情况而言足够的是:光学半透明的层结构对于至少在期望的单色光的波长范围的局部范围中的辐射或者对于受限的发射光谱是半透明的。
[0011 ] 在一个设计方案中，第二电极能够设立为，使得光学半透明的层结构与有机电致发光的层结构光学耦合。
[0012]在另一设计方案中，光致发光材料能够具有出自下述材料族中的至少一种的材料:有机染料分子；无机磷光体；纳米点；纳米微粒。
[0013]在另一设计方案中，在第二电极和光学半透明的层结构之间能够设有电绝缘层。
[0014]在另一设计方案中，在第二电极和光学半透明的层结构之间能够设有阻挡层/薄层封装部。
[0015]在另一设计方案中，光学半透明的层结构的折射率能够基本上匹配于有机电致发光层结构的折射率。
[0016]在另一设计方案中，光学半透明的层结构附加地具有一种或多种散射材料。
[0017]在多个实施例中提供发光器件。发光器件能够具有:镜层结构；在镜层结构上或其上方的光学半透明的层结构，其中光学半透明的层结构具有光致发光材料；在光学半透明的层结构上或其上方的半透明的第一电极；在第一电极上或其上方的有机电致发光层结构；以及在有机电致发光层结构上或其上方的半透明的第二电极。
[0018]在另一设计方案中，发光器件还能够在半透明的第一电极和光学半透明的层结构之间具有电绝缘层。
[0019]在另一设计方案中，发光器件还能够在第一电极和光学半透明的层结构之间具有阻挡层/薄层封装部。
[0020]在不同的实施例中，提供用于制造发光器件的方法。所述方法能够包括:提供半透明的第一电极；在第一电极上或其上方形成有机电致发光层结构；在有机电致发光层结构上或其上方形成半透明的第二电极；在第二电极上或其上方形成光学半透明的层结构，其中在光学半透明的层结构中形成光致发光材料；以及在光学半透明的层上或其上方形成镜层结构。
[0021]在一个设计方案中，第二电极能够构成为，使得光学半透明的层结构与有机电致发光层结构光学耦合。
[0022]在另一设计方案中，作为光致发光材料能够使用出自下述材料族中的至少一个的材料:有机染料分子；无机磷光体；纳米点；纳米微粒。
[0023]在另一设计方案中，方法还能够包括:在第二电极上或其上方形成电绝缘层；其中能够在电绝缘层上或其上方形成光学半透明的层结构。
[0024]在另一设计方案中，方法还能够包括:形成阻挡层(可选地后续地形成薄膜封装部以便保护电致发光层)。
[0025]在另一设计方案中，光学半透明的层结构的折射率能够基本上匹配于有机电致发光层结构的折射率。
[0026]在另一设计方案中，光学半透明的层结构能够附加地具有一种或多种散射材料。[0027]在另一设计方案中，能够借助于蒸镀形成光学半透明的层结构。
[0028]在另一设计方案中，能够将光致发光材料在原位嵌入到光学半透明的层结构中，例如在原位在蒸镀期间嵌入。
[0029]在另一设计方案中，能够借助于湿法化学工艺形成光学半透明的层结构。
[0030]在不同的实施例中，提供用于制造发光器件的方法。所述方法能够包括:提供镜层结构；在镜层结构上或其上方形成光学半透明的层结构，其中在光学半透明的层结构中形成光致发光材料；在光学半透明的层结构上或其上方形成半透明的第一电极；在第一电极上或其上方形成有机电致发光层结构；以及在有机电致发光层结构上或其上方形成半透明的第二电极。
[0031]在一个设计方案中，方法还能够包括:在光学半透明的层结构上或其上方形成电绝缘层；其中在电绝缘层上或其上方形成第一电极。
[0032]在另一设计方案中，方法还能够包括:形成阻挡层(可选地后续地形成薄膜封装部以便保护电致发光层)。
[0033]直观地，不同实施例的优点源自于下述附加的自由度:在没有干预OLED(通常为发光器件)的电学功能的情况下改变从OLED腔中发射的光的色彩份额。由此一方面，与至今为止在常规的OLED层堆中可行的相比更多不同的色中心能够同时有助于产生光。另一方面，根据不同实施例的方案扩大可能的发色团的选择，因为其没有强加关于电传输和电致发光的限制。根据不同实施例的在一个或多个外部腔中的发色团的主要特性是量子效率以及激发光谱和发射光谱。例如，也能够使用无机发色团。从具有互补的发射光谱的多个色中心中进行适宜的选择能够实现高的显色性和色温的简化的协调以及降低生产研发中的耗费。
[0034]通过根据不同实施例将色中心设置在外部腔中，能够比例如借助OLED构件表面上的磷光体能够实现的光转换效率相比实现更高的光转换效率。
[0035]此外，通过根据不同实施例将色中心设置在外部腔之内，能够实现关于观察角度改变色彩失真。在此也能够根据纯光学标准进行色中心的设置，而不需要考虑其电学传输特性，如这在至今为止纯电致发光OLED层堆中所需要的那样。
[0036]根据不同实施例的其他可能的优点是发光器件的较高的效率和使用寿命。这能够通过下述方式实现:必要时能够通过一个或多个外部的腔中的光致发光的色中心来取代具有受限制的效率和使用寿命的电致发光的色中心。
【专利附图】
【附图说明】
[0037]在附图中示出本发明的实施例并且在下面详细地阐明。
[0038]附图示出
[0039]图1示出根据不同实施例的发光器件；
[0040]图2示出根据不同实施例的发光器件；
[0041]图3示出根据不同实施例的发光器件；
[0042]图4示出根据不同实施例的发光器件；
[0043]图5示出根据不同实施例的发光器件；以及
[0044]图6A至6F示出在制造发光器件期间的不同时间点处的根据不同的实施例的发光器件。【具体实施方式】
[0045]在下面详细的描述中参考附图，所述附图形成所述描述的一部分，并且其中为了图解说明示出能够实施本发明的具体的实施形式。在此方面，相关于所描述的附图的定向而应用方向术语例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前部”、“后部”等等。因为实施形式的组成部分能够以多个不同的定向来定位，所以方向术语用于图解说明并且不以任何方式受到限制。要理解的是，能够使用其他的实施形式并且能够进行结构上的或逻辑上的改变，而不偏离本发明的保护范围。不言而喻，除非另作特别说明，在此描述的不同的示例的实施形式的特征能够互相组合。因此，下面详细的描述不应解释为受限制的，并且本发明的保护范围不由所附的权利要求来限定。
[0046]在本说明书的范围内，术语“连接”、“联接”以及“耦合”用于描述直接的和间接的连接、直接的或间接的联接以及直接的或间接的耦合。在附图中，只要是适宜的，相同的或类似的元件就设有相同的附图标记。
[0047]在不同的实施例中，发光器件能够构成为有机发光二级管(organic lightemitting diode，0LED)、或者构成为有机发光晶体管。在不同的实施例中，发光器件能够是集成电路的一部分。此外，能够设有多个发光器件，所述多个发光器件例如安装在共同的壳体中。
[0048]图1示出作为根据不同实施例的发光器件的实施方案的有机发光二极管100。
[0049]呈有机发光二极管100形式的发光器件能够具有衬底102。衬底102例如能够用作为用于电子元件或层的、例如发光元件的承载元件。例如，衬底102能够具有玻璃、石英和/或半导体材料或任意其他适合的材料或由所述材料形成。此外，衬底102能够具有塑料薄膜或具有带有一个或多个塑料薄膜的叠层或由其形成。塑料能够具有一种或多种聚烯烃(例如具有高密度或低密度的聚乙烯(PE)或聚丙烯(PP))或由其形成。此外，塑料能够具有聚氯乙烯(PVC)、聚苯乙烯(PS)、聚酯和/或聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚醚砜(PES)和/或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或由其形成。此外，衬底102例如能够具有金属薄膜，例如铝薄膜、不锈钢薄膜、铜薄膜或组合或对此的层堆。衬底102能够具有一种或多种上述材料。衬底102能够构成为是半透明的、例如透明的、部分半透明的、例如部分透明的、或也能够构成为是不透明的。
[0050]在衬底102上或其上方能够施加有第一电极104(例如呈第一电极层104的形式)。第一电极104 (下面也称为底部电极104)能够由导电材料形成或是导电材料，例如由金属或透明导电氧化物(transparent conductive oxide, TC0)形成或由相同的或不同的金属的和/或相同的或不同的TCO的多个层的层堆来形成。透明导电氧化物是透明的、导电的材料，例如金属氧化物，例如氧化锌、氧化锡、氧化镉、氧化钛、氧化铟或铟锡氧化物(ITO)。除了 二元的金属氧化物，例如Zn0、Sn02或In2O3以外，三元的金属氧化物，例如AlZn0、Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、Mgln204、Galn03、Zn2In2O5或In4Sn3O12或不同的透明导电氧化物的混合物也属于TCO族。此外，TCO非强制性地符合化学计量的组分并且还能够是P型掺杂的或η型掺杂的。
[0051]在不同的实施例中，第一电极104能够具有金属:例如Ag、Pt、Au、Mg、Al、Ba、In、Au、Ca、Sm或Li以及这些材料的化合物、组合物或合金(例如AgMg合金)。[0052]在不同的实施例中，能够由在TCO层上的金属的层的组合的层堆形成第一电极104，或者反之亦然。一个示例是施加在铟锡氧化物层(ITO)上的银层(ΙΤ0上的Ag)或ITO-Ag-1TO 复层。
[0053]在不同的实施例中，替选于或除了上述材料之外，第一电极能够设有下述材料中的一种或多种:由金属的纳米线或纳米微粒构成的网络、例如由Ag制成；由碳纳米管构成的网络；石墨微粒和石墨层；由半导体纳米线构成的网络。
[0054]此外，所述电极能够具有导电聚合物或过渡金属氧化物或透明导电氧化物。
[0055]在不同的实施例中，有机发光二极管能够构成为所谓的顶部发射体和/或所谓的底部发射体。顶部发射体在不同的实施例中能够理解为下述有机发光二级管，其中光从有机发光二级管中穿过覆盖层或与衬底相对置的一侧、例如穿过第二电极放射。底部发射体在不同的实施例中能够理解为下述有机发光二级管，其中光从有机发光二级管中向下、例如穿过衬底和第一电极放射。
[0056]在不同的实施例中，第一电极104能够构成为是反射的或半透明的或透明的。
[0057]对于发光器件100放射穿过衬底的光的情况而言，第一电极104和衬底102能够构成为是半透明的或透明的。在该情况下，对于第一电极104由金属形成的情况而言，第一电极104例如能够具有小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约18nm的层厚度。此外，第一电极104例如能够具有大于或等于大约IOnm的层厚度、例如大于或等于大约15nm的层厚度。在不同的实施例中，第一电极104能够具有大约IOnm至大约25nm范围内的层厚度、例如大约IOnm至大约18nm范围内的层厚度、例如大约15nm至大约18nm范围内的层厚度。此外，对于透明的或半透明的第一电极104的情况而言并且对于第一电极104由透明导电氧化物(TCO)形成的情况而言，第一电极104例如能够具有大约50nm至大约500nm范围内的层厚度、例如大约75nm至大约250nm范围内的层厚度、例如大约IOOnm至大约150nm范围内的层厚度。此外，对于透明的或半透明的第一电极104的情况而言并且对于第一电极104由例如由如Ag制成的例如能够与导电聚合物组合的金属纳米线制成的网络形成、由例如由能够与导电聚合物组合的碳纳米管构成的网络或者由石墨层和复合物形成的情况而言，第一电极104例如能够具有大约Inm至大约500nm范围内的层厚度、例如大约IOnm至大约400nm范围内的层厚度、例如大约40nm至大约250nm范围内的层厚度。
[0058]对于发光器件100仅向上放射光的情况而言，第一电极104也能够设立为是不透明的或反射的。对于第一电极104是反射的并且由金属构成的情况而言，第一电极104能够具有大于或等于大约40nm的层厚度、例如大于或等于大约50nm的层厚度。
[0059]第一电极104能够构成为阳极、即构成为空穴注入的电极，或者构成为阴极、即构成为电子注入的电极。
[0060]第一电极104能够具有第一电接口，能够将第一电势(由能量源114 (例如电流源或电压源)提供)施加到所述第一电接口上。替选地，第一电势能够施加到衬底102上或者已施加到衬底102上并且然后经由此间接地输送给第一电极104或者已输送给第一电极104。第一电势例如能够是接地电势或者不同地预设的参考电势。
[0061]此外,发光器件100能够具有有机电致发光层结构,所述有机电致发光层结构施加在第一电极104上或其上方或者已施加在第一电极上或其上方。[0062]有机电致发光层结构能够包含例如具有发突光的和/或发磷光的发射体的一个或多个发射体层108以及一个或多个空穴传导层106。
[0063]能够使用在根据发射体层108的不同的实施例的发光器件中的发射体材料的示例包括:有机的或有机金属的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亚苯基的衍生物(例如2-或2，5-取代的聚对亚苯基亚乙烯基)；以及金属络合物，例如铱络合物，如发蓝色磷光的FIrPic (双(3，5-二氟-2- (2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)_铱III)、发绿色磷光的Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱 III)、发红色磷光的 Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))(三[4，4’ -二-叔-丁基-(2，2’)-联吡啶]钌(III)络合物)、以及发蓝色荧光DPAVBi (4，4-双[4_( 二-对-甲苯基氨基)苯乙烯基]联苯)、发绿色荧光的TTPA (9，10-双[N，N- 二-(对-甲苯基)-氨基]蒽)和发红色荧光的DCM2 (4-二氰基亚甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作为非聚合物发射体。这样的非聚合物发射体例如能够借助于热蒸镀沉积。此外，能够使用聚合物发射体，所述聚合物发射体尤其能够借助于湿法化学法、例如旋涂来沉积。
[0064]发射体材料能够以适合的方式嵌入到基体材料中。
[0065]发光器件100的发射体层108的发射体材料例如能够选择为，使得发光器件100发射白光。发射体层108能够具有多种发射不同颜色(例如蓝色和黄色或蓝色、绿色和红色)的发射体材料，替选地发射体层108也能够由多个子层形成，如发蓝色荧光的发射体层108或发蓝色磷光的发射体层108、发绿色磷光的发射体层108和发红色磷光的发射体层108。通过不同颜色的混合，能够得到具有白色色彩印象的光的发射。替选地，也能够提出，在通过所述层产生的初级发射的光路中设置有转换材料，所述转换材料至少部分地吸收初级辐射，并且发射其他波长的次级辐射，使得从(还不是白色的)初级辐射通过将初级辐射和次级辐射组合得到白色的色彩印象。
[0066]有机的电致发光层结构通常能够具有一个或多个电致发光层。一个或多个电致发光层能够具有有机聚合物、有机低聚物、有机单体、有机的小的、非聚合物的分子(“小分子(smallmolecules) 〃)或上述材料的组合。
[0067]例如,有机电致发光层结构能够具有构成为空穴运输层106的一个或多个功能层，使得例如在OLED的情况下实现将空穴有效地注入到电致发光的层中或电致发光的区域中。
[0068]例如，在不同的实施例中，有机电致发光层结构能够具有一个或多个功能层，所述功能层构成为电子运输层106，使得例如在OLED的情况下实现将电子有效地注入到电致发光的层中或电致发光的区域中。
[0069]例如能够使用叔胺、咔唑衍生物、导电的聚苯胺或聚乙烯二氧噻吩作为用于空穴传输层106的材料。在不同的实施例中，一个或多个功能层能够构成为电致发光层。
[0070]在不同的实施例中，空穴运输层106能够施加、例如沉积在第一电极104上或其上方，并且发射体层108能够施加、例如沉积在空穴运输层106上或其上方。
[0071]在不同的实施例中，有机电致发光层结构106 (即例如运输层106和发射体层108的厚度的总和)具有最大大约1.5 μ m的层厚度、例如最大大约1.2 μ m的层厚度、例如最大大约Iym的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构例如能够具有由多个直接彼此相叠地设置的OLED的堆，其中每个OLED例如能够具有最大大约1.5 μ m的层厚度、例如最大大约1.2 μ m的层厚度、例如最大大约I μ m的层厚度、例如最大大约800nm的层厚度、例如最大大约500nm的层厚度、例如最大大约400nm的层厚度、例如最大大约300nm的层厚度。在不同的实施例中，有机电致发光层结构例如能够具有三个或四个直接彼此相叠地设置的OLED的堆，在此情况下，有机电致发光层结构例如能够具有最大大约3 μ m的层厚度。
[0072]发光器件100可选地通常能够具有另外的有机功能层(在图1中借助于设置在一个或多个发射体层108上或其上方的层110表示)，所述有机功能层用于进一步改进发光器件100的功能性进而进一步改进其效率。
[0073]发光器件100能够构成为“底部发射体”和/或“顶部发射体”。
[0074]在有机电致发光层结构上或其上方或者必要时在一个或多个另外的有机功能层110上或其上方能够施加有第二电极112 (例如呈第二电极层112形式)。
[0075]在不同的实施例中，第二电极112能够具有与第一电极104相同的材料或者由其形成，其中在不同的实施例中金属是尤其适合的。
[0076]在不同的实施例中，第二电极112例如能够具有小于或等于大约50nm的层厚度、例如小于或等于大约45nm的层厚度、例如小于或等于大约40nm的层厚度、例如小于或等于大约35nm的层厚度、例如小于或等于大约30nm的层厚度、例如小于或等于大约25nm的层厚度、例如小于或等于大约20nm的层厚度、例如小于或等于大约15nm的层厚度、例如小于或等于大约IOnm的层厚度。
[0077]第二电极112通常能够以与第一电极104类似的或者与其不同的方式构成或已构成。第二电极112在不同的实施例中能够由一种或多种材料构成并且具有相应的层厚度(根据第二电极是否应当构成为是反射的、半透明的或透明的)，如这在上面结合第一电极104来描述。
[0078]第二电极112能够构成为阳极、即构成为空穴注入的电极、或者构成为阴极、即构成为电子注入的电极。
[0079]在所述层厚度的情况下，在下面还更详细阐明的附加的微腔能够与由一个或多个电致发光的层结构形成的微腔光学耦合。
[0080]第二电极112能够具有第二电接口，能够将由能量源114提供的第二电势(与第一电势不同)施加到所述第二电接口上。第二电势例如能够具有下述数值:所述数值使得与第一电势的差具有在大约1.5V至大约20V范围内的数值、例如大约2.5V至大约15V范围内的数值、例如大约5V至大约IOV范围内的数值。
[0081]在第二电极112上或其上方能够设有光学半透明的层结构116。光学半透明的层结构116可选地能够具有光致发光材料120。
[0082]光学半透明的层结构116原则上能够由任意的材料形成或者已经由任意的材料形成，例如介电材料、例如有机材料，所述有机材料例如形成有机基体，光致发光材料120能够嵌入到所述有机基体中或者已经嵌入到所述有机基体中。在光学半透明的层结构116上或其上方施加有镜层结构118。光学半透明的层结构116和镜层结构118直观地共同形成光学耦联到发光器件100、例如OLED的电致发光的微腔上的(直观地即外部的)光致发光的腔、例如微腔，其具有一种或多种光学活性的介质。
[0083]在不同的实施例中，光学半透明的层结构116对于至少在380nm至780nm波长范围的局部范围中的辐射而言是半透明的。
[0084]“外部的”光致发光腔的光学半透明的层结构116为此例如在该实施例中与OLED微腔的半透明的、透明的或半透光的第二电极112接触。“外部的”光致发光腔不参与或仅少量地参与经过OLED的电流传输，换言之，没有或者只有可忽略的小的电流经过“外部的”腔进而经过光学半透明的层结构116和镜层结构118。
[0085]如上面已经说明，“外部的”光致发光腔以及在此尤其光学半透明的层结构116在不同的实施例中能够用适宜的有机基体“填充”或者由其形成，在所述有机基体中能够嵌入有光致发光材料120或已嵌入有光致发光材料120，例如有机基体能够用有机的或无机的发色团和磷光体来掺杂。“外部的”光致发光腔能够具有两个镜或镜层结构，所述两个镜或镜层结构中的至少一个是半透明的、透明的或半透光的。半透明的、透明的或半透光的镜(或者半透明的、透明的或半透光的镜层结构)能够与OLED微腔的半透明的、透明的或半透光的第二电极112相同(所述实施例在附图中示出；然而在替选的实施例中还能够在第二电极112和光学半透明的层结构116之间设有附加的半透明的、透明的或半透光的镜层结构)。
[0086]在不同的实施例中，能够将低分子有机化合物(“小”分子、“small molecules”)设置作为有机基体的材料，如例如alpha-NPD或1-TNATA，所述有机化合物例如能够借助于在真空中蒸镀来施加。在替选的实施例中，有机基体能够由聚合物材料形成或构成，所述聚合物材料例如形成光学半透明的聚合物基体(环氧化物、聚甲基丙烯酸甲酯、PMMA、EVA、聚酯、聚氨酯等)，所述聚合物基体能够借助于湿法化学方法(例如旋涂或压印)来施加。在不同的实施例中，例如能够为有机基体应用每种有机材料，如所述有机材料能够应用在有机电致发光的层结构中。此外，在替选的实施例中，光学半透明的层结构116能够具有无机半导体材料、例如SiN、Si02、GaN等或由其形成，所述无机半导体材料例如借助于低温沉积方法(例如从气相)(即例如在小于或等于大约100°C的温度的情况下)形成。在不同的实施例中，OLED功能层106、108和光学半透明的层结构116的折射率能够尽可能地彼此匹配，其中光学半透明的层结构116也能够具有高折射率的聚合物，例如具有直至n=l.7折射率的聚酰胺或直至n=l.74折射率的聚氨酯。
[0087]在不同的实施例中，能够在聚合物中设有添加剂。因此，高折射率的聚合物基体直观地能够通过将适宜的添加剂混入正常折射率的聚合物基体中来实现。适宜的添加剂例如为氧化钛-或氧化锆-纳米颗粒或为具有氧化钛或氧化锆的化合物。
[0088]在不同的实施例中，在半透明的第二电极112和光学半透明的层结构116之间还能够施加有电绝缘层或者已施加有电绝缘层，例如SiN、例如具有在大约30nm至大约
1.5μπι范围中的层厚度，例如具有在大约200nm至大约I μπι范围中的层厚度，以便例如在湿法化学工艺期间保护电学非稳定的材料。
[0089]在不同的实施例中，可选地还能够形成阻挡薄层/薄层封装部。
[0090]“阻挡薄层”或“阻挡薄膜”在本申请的范围中例如能够理解为下述层或层结构，所述层或层结构适合于形成相对于化学杂质或大气物质、尤其相对于水(湿气)和氧气的阻挡。换言之，阻挡薄层构成为，使得其不能够或至多极其少的份额能够被大气物质、例如水或氧气穿过。阻挡薄层的适宜的设计方案例如能够在专利申请DE 10 2009 014543.DE 102008 031 405、DE 10 2008 048 472 和 DE 2008 019 900 中得出。[0091]根据一个设计方案，阻挡薄层能够构成单独的层(换言之，构成为单层)。根据一个替选的设计方案，阻挡薄层能够具有多个彼此重叠构成的子层。换言之，根据一个设计方案，阻挡薄层能够构成为层堆(Stack)。阻挡薄层或阻挡薄层的一个或多个子层例如能够借助于适当的沉积方法形成，例如借助于根据一个设计方案的原子层沉积方法(Atomic layer Deposition (ALD))来形成、例如为等离子增强的原子层沉积方法(PlasmaEnhanced Atomic layer Deposition(PEALD))或无等离子的原子层沉积方法(Plasma-lessAtomic layer Deposition (PLALD)),或借助于根据另一设计方案的化学气相沉积方法(Chemical Vapor Depostion (CVD))来形成，例如为等离子增强的化学气相沉积方法(Plasma Enhanced Chemical Vapor Depostion (PECVD))或无等离子的化学气相沉积方法(Plasma-less Chemical Vapor Depostion (PLCVD)),或者替选地借助于另外适当的沉积方法形成。
[0092]通过应用原子层沉积(ALD)能够沉积极其薄的层。特别地，能够沉积层厚度位于原子层范围内的层。
[0093]根据一个设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层中，能够借助于原子层沉积方法形成全部子层。仅具有ALD层的层序列也称作“纳米叠层(Nanolaminat)”。
[0094]根据一个替选的设计方案，在具有多个子层的阻挡薄层中，能够借助于不同于原子层沉积方法的沉积方法来沉积阻挡薄层中的一个或多个子层，例如借助于气相沉积方法来沉积。
[0095]根据一个设计方案，阻挡薄层能够具有大约0.1nm (原子层)至大约IOOOnm的层厚度，例如根据一个设计方案为大约IOnm至大约IOOnm的层厚度、例如根据一个设计方案为大约40nm的层厚度。
[0096]根据一个设计方案，其中阻挡薄层具有多个子层，全部子层能够具有相同的层厚度。根据另一设计方案，阻挡薄层的各个子层能够具有不同的层厚度。换言之，子层中的至少一层能够具有不同于子层中的一个或多个其他的层的层厚度。
[0097]根据一个设计方案，阻挡薄层或阻挡薄层的各个子层能够构成为是半透明的或透明的层。换言之，阻挡薄层(或阻挡薄层的各个子层)由半透明的或透明的材料(或半透明的或透明的材料组合物)制成。
[0098]根据一个设计方案，阻挡薄层或者(在具有多个子层的层堆的情况下)阻挡薄层的一个或多个子层具有下述材料中的一种或多种或由下述材料中的一种或多种制成:氧化招、氧化锌、氧化错、氧化钛、氧化铪、氧化钽、氧化镧、氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂的氧化锌、以及它们的混合物和合金。
[0099]光致发光材料120能够具有出自下述材料族中的至少一个的材料或由其制成:有机染料分子；无机磷光体；和/或纳米点或纳米微粒。
[0100]有机染料分子例如能够理解为能够应用在有机电致发光层结构中的全部分子，例如上面描述的电致发光(发荧光或发磷光的)材料。但是有机染料分子也包括主要具有或仅具有光致发光特性的分子。所述有机染料分子也能够包括例如使用在染料激光器中或者用作为荧光标记的颜料，例如发荧光的染料:香豆精、萘亚甲基、恶唑、二萘嵌苯、二萘嵌苯二酰亚胺、芘、芪、苯乙烯基、黄原胶。
[0101]无机磷光体例如能够理解为用于在例如发光二级管(LED)或发光材料管中进行光转换的全部材料，例如:
[0102]?用于LED的本身典型的磷光体，例如基于YAG = Ce3+的磷光体；其中也能够掺杂Eu、Tb、Gd或其他的稀土来代替Ce，其中能够通过Ga取代Al的一部分，例如:(YhGda)(Al1^bGab)5O12: (Ce, Tb, Gd);掺杂有稀土的β-SiAlON ;基于CaAlSiN3的磷光体；以及这些材料的混合物和合金；或
[0103]?用于荧光灯的本身典型的磷光体例如是(Ba，Eu) Mg2Al16O27 ； (Ce, Tb)MgAl11O19 ；BaMgAl10017: Eu, Mn ；BaMg2Al16027: Eu (II), Mn (II) ；Ce0 67Tb0 33MgAI11O19: Ce, Tb ；Zn2Si04:Mn, Sb2O3 ；CaSi03:Pb, Mn ；CaffO4 ；CaffO4:Pb ;MgffO4 ； (Sr, Eu, Ba, Ca) 5) (PO4)3Cl ；(PO4) 3:Eu (II) ； (Ca, Sr, Ba) 3 (PO4) 2C12:Eu ； (Sr, Ca, Ba) 10 (PO4) 6C12:Eu; Sr2P2O7: Sn (II)；Sr6P5BO20IEu ;Ca5F (PO4) 3: Sb ； (Ba, Ti)2P207:Ti ；3Srs (PO4)2.SrF2: Sb, Mn ;Sr5F (PO4) 3: Sb, Mn ；Sr5F (PO4) 3: Sb, Mn ； (La, Ce, Tb) PO4 ； (La, Ce, Tb) PO4: Ce, Tb ；Ca3 (PO4)2.CaF2: Ce, Mn ；(Ca, Zn, Mg) 3 (PO4) 2: Sn ; (Zn, Sr) 3 (PO4) 2: Mn ; (Sr, Mg) 3 (PO4) 2: Sn ; (Sr, Mg) 3 (PO4) 2: Sn (I I)；Ca5 (F, Cl) (PO4) 3: Sb, Mn ； (Y, Eu) 203 ; Y2O3: Eu (111) ；Mg4(F) (Ge, Sn) O6: Mn ；Y(P, V)O4:Eu; Y2O2S:Eu ；3.5Mg0.0.5MgF2.GeO2:Mn ;Mg5As20n:Mn ;以及这些金属的混合物和合金。
[0104]纳米点例如能够理解为能够用作为纳米点的全部材料:例如半导体纳米微粒；例如硅纳米点或由化合物半导体构成的纳米点；例如金属、如镉或锌的硫属化物(硒化物或硫化物或締化物)(CdSe或ZnS ;铜铟镓二硒醚；铜铟二硒醚；例如还有所谓的壳芯纳米点；或者CuInS2/ZnS。纳米微粒例如也能够具有磷光体纳米微粒。
[0105]通常，能够将任意每种适宜的光转换材料用作为光致发光材料120，所述光转换材料设立为转换光波长。
[0106]光致发光材料120能够以下述浓度存在于光学半透明的层结构116中:以大约O体积％至大约50体积％的范围，例如以大约I体积％至大约20体积％的范围，例如以大约I体积％至大约10体积％的范围。
[0107]光致发光材料120能够提供色中心，所述色中心由于光致发光而能够改变从OLED腔中发射的光的色彩份额。如上面描述的那样，光致发光材料120也能够具有引入到光学半透明的层结构116中(例如引入到有机基体中)的无机发色团，例如小的磷光体颗粒或量子点(纳米点或量子点)或纳米微粒。
[0108]除了光致发光材料120 (即直观地除了例如发荧光的或发磷光的组成部分)，在光学半透明的层结构116中能够包含附加的散射颗粒，例如介电散射颗粒、例如金属氧化物，如二氧化硅(Si02)、氧化锌(ZnO)、氧化锆(Zr02)、氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)、氧化镓(Ga20a)、氧化铝或氧化钛。其他的颗粒也能够是适合的，只要其具有与半透明的层结构的基体的有效折射率不同的折射率，所述颗粒例如为空气泡、丙烯酸盐或玻璃空心球。此外，例如也能够设有金属的纳米颗粒，例如设有如金、银、铁纳米颗粒等的金属，其中散射颗粒能够是覆层的或未覆层的。散射颗粒能够设立或设置用于改变由发光器件100发射的光的角分布以及必要时也用于随观察角度改进色彩移动。
[0109]在不同的实施例中，光学半透明的层结构116能够具有在大约IOnm至大约200 μ m范围中的层厚度、例如具有在大约IOOnm至大约IOOym范围中的层厚度、例如具有在大约500nm至大约50 μ m范围中的层厚度、例如具有在I μ m至25 μ m范围中的层厚度。如果光学半透明的层结构116构成为极其薄，那么光致发光材料120光学上强烈地耦合到光场上(在该情况下，外部的腔也能够称作为外部的微腔)。然而如果光学半透明的层结构116构成为是较厚的，那么例如能够实现关于观察角的低的色角偏移(在该情况下，外部的腔也能够称作为非相关的腔)。
[0110]极其薄的且极其透明的或半透明的外部的腔的极限情况能够观察到:光学半透明的层结构116中的(即例如基体中的)光致发光材料120 (即例如光致发光发色团)直接地施加在顶部接触部(例如半透明的第二电极112)上或施加在底部接触部(例如第一电极104)和衬底102之间(例如在下面还更详细阐明的实施例中)。外部的腔的“第二”镜或“第二”镜层结构能够在该情况下省略。
[0111]在不同的实施例中还在前段制程工艺中形成“外部的”光致发光腔的设置方式相对于借助于后段制程工艺在外部施加在本身已制成的有机发光构件上的腔而具有的可能的优点能够是:光致发光材料120强烈地光耦合到OLED底部接触部(例如第一电极104冲的或OLED顶部接触部(例如第二电极112)中的等离子体激元上。
[0112]有机发光二极管100能够构成为或已构成为底部发射体或顶部发射体或顶部和底部发射体。
[0113]在不同的实施例中，根据有机发光二级管100是否构成为顶部发射体和/或底部发射体，镜层结构118 (或者必要时能够在光学半透明的层结构116之下设置在第二电极112上或之上的镜层结构)能够是反射的或半透明的或透明的或半透光的。材料能够选自如在上面针对第一电极所详述的材料。根据有机发光二极管100的期望的构造，层厚度也能够在如其针对第一电极在上面描述的范围中来选择。
[0114]对于发光器件100主要或仅向上放射光(顶部发射体)以及镜层结构由金属形成的情况而言，镜层结构118(或者必要时能够在光学半透明的层结构116之下设置在半透明的第二电极112上或之上的镜层结构)能够具有一个或多个薄的金属薄膜(例如Ag、Mg、Sm、Ca、以及多重层和所述材料的合金)。所述一个或多个金属薄膜能够(分别)具有小于或等于在大约40nm范围中的层厚度、例如具有小于或等于在大约25nm范围中的层厚度、例如小于或等于在大约15nm范围中的层厚度。
[0115]然后，对于发光器件100主要或仅向下穿过衬底102放射光以及镜层结构由金属形成的情况而言，镜层结构118例如能够具有大于或等于大约40nm的层厚度、例如具有大于或等于大约50nm的层厚度。
[0116]在不同的实施例中，镜层结构118(或者必要时能够在光学半透明的层结构116之下设置在第二电极112上或之上的镜层结构)能够具有一个或多个介电镜。
[0117]镜层结构118能够具有一个或多个镜。如果镜层结构118具有多个镜，那么相应的镜借助于相应的介电层来彼此分开。
[0118]此外，有机发光二级管100还能够具有例如能够在后段制程工艺期间中施加的封装层，其中需要指出的是，在不同的实施例中，还在前段制程工艺的范围中形成外部的腔。
[0119]图2示出作为根据不同实施例的发光器件的实施方案的有机发光二极管200。
[0120]根据图2的有机发光二极管200基本上与根据图1的有机发光二极管100相同，因此下面仅更详细阐明根据图2的有机发光二极管200与根据图1的有机发光二级管100的区别；关于根据图2的有机发光二极管200的剩余的元件参考根据图1的有机发光二级管100的上述实施方案。[0121]与根据图1的有机发光二级管100不同的是，在根据图2的有机发光二极管200中，不在第二电极112上或其上方形成外部的腔，而是在第一电极104之下形成。
[0122]能量源114在该实施例中连接到第一电极104的第一电接口上以及连接到第二电极112的第二电接口上。
[0123]根据图2的有机发光二极管200能够构成为或已构成为底部发射体或顶部发射体或顶部和底部发射体。
[0124]在根据图2的有机发光二级管200中，与根据图1的有机发光二级管100的光学半透明的层结构116相同构成的光学半透明的层结构202设置在第一电极104下方。此外，与根据图1的有机发光二级管100的镜层结构118相同构成的镜层结构204设置在光学半透明的层结构202之下。
[0125]图3示出作为根据不同实施例的发光器件的实施方案的有机发光二极管300。
[0126]根据图3的有机发光二极管300基本上与根据图2的有机发光二极管200相同，因此下面仅更详细阐明根据图3的有机发光二极管300与根据图2的有机发光二级管200的区别；关于根据图3的有机发光二极管300的剩余的元件参考根据图1的有机发光二级管100的上述实施方案。
[0127]此外，根据图3的有机发光二极管300能够附加地具有衬底102。镜层结构204根据该实施例设置在衬底102上或上方。
[0128]图4示出作为根据不同实施例的发光器件的实施方案的有机发光二极管400。
[0129]根据图4的有机发光二极管400基本上与根据图1的有机发光二极管100相同，因此下面仅更详细阐明根据图4的有机发光二极管400与根据图1的有机发光二级管100的区别；关于根据图4的有机发光二极管400的剩余的元件参考根据图1的有机发光二级管100的上述实施方案。
[0130]除了根据图1的有机发光二级管100的元件之外(要注意的是，衬底102在该实施例中被省略)，在根据图4的有机发光二级管400中还在第一电极104之下设有附加的外部的腔。
[0131]在所述实施例中，能量源114连接到第一电极104的第一电接口处并且连接到第二电极112的第二电接口处。
[0132]根据图4的有机发光二极管400能够构成为或已构成为底部发射体或顶部发射体或顶部和底部发射体。
[0133]在根据图4的有机发光二级管400中，将与根据图1的有机发光二级管100的光学半透明的层结构116相同构成的附加的光学半透明的层结构204附加地设置在第一电极102之下。此外，与根据图1的有机发光二级管100的镜层结构118相同构成的附加的镜层结构204设置在光学半透明的层结构204之下。
[0134]图5不出作为根据不同实施例的发光器件的实施方案的有机发光二极管500。
[0135]根据图5的有机发光二极管400基本上与根据图4的有机发光二极管400相同，因此下面仅更详细阐明根据图5的有机发光二极管500与根据图4的有机发光二级管400的区别；关于根据图5的有机发光二极管500的剩余的元件参考根据图4的有机发光二级管400的上述实施方案、参考根据图2的有机发光二级管200的上述实施方案以及参考根据图1的有机发光二级管100的上述实施方案。[0136]此外，根据图5的有机发光二级管500附加地具有衬底102。镜层结构204根据该实施例设置在衬底102上或其上方。
[0137]因此直观地，一个或多个外部的腔能够设置在OLED之下(即衬底侧)和/或OLED上(覆盖侧)。一个或多个外部的腔能够在其方面由具有一种或多种光致发光材料(例如发色团)和散射体的一种或多种如在上面描述的基体材料构成。
[0138]图6A至图6F示出在有机发光器件制造期间的不同时间点的根据不同的实施例的有机发光器件。以相应的方式制造另外的发光器件200、300、400、500。
[0139]图6A示出在制造发光器件期间的第一时间点600处的发光器件100。
[0140]在该时间点处，将第一电极104施加到、例如沉积到衬底102上，例如借助于CVD法(chemical vapor deposition 化学气相沉积法)或借助于 PVD 法(physical vapordeposition物理气相沉积法PVD,例如派射、离子增强沉积法或热蒸镀法)；替选地借助于电镀法；浸溃沉积法、旋涂法(spin coating);印刷；刮涂或喷涂。
[0141]在不同的实施例中，等离子增强化学气相沉积法(plasma enhancedchemicalvapor deposition, PE-CVD)能够用作CVD法。在此，在上面应施加要施加的层的元件上方和/或周围，在一定体积中能够产生等离子，其中将至少两种气态的初始化合物输送给所述体积，所述初始化合物在等离子中离子化并且进行诱导以用以相互反应。通过产生等离子能够实现的是，与无等离子的CVD法相比能够降低元件表面所要加热到的温度，以便能够实现产生介电层。例如，当例如要形成的发光的电子器件的元件在温度高于最高温度的情况下被损害时，上述方式能够是有利的。最大温度例如能够在根据不同实施例的要形成的发光的电子器件中为大约120°C，使得例如施加介电层的温度能够小于或等于120°C，并且例如小于或等于80°C。
[0142]图6B示出在制造发光器件期间的第二时间点602处的发光器件100。
[0143]在该时间点处,将一个或多个空穴传导层106施加到、例如沉积到第一电极104上，例如借助于CVD法(chemical vapor deposition化学气相沉积法)或借助于PVD法(physical vapor deposition物理气相沉积法PVD,例如派射、离子增强沉积法或热蒸镀法)；替选地借助于电镀法；浸溃沉积法、旋涂法(spin coating);印刷；刮涂或喷涂。
[0144]图6C示出在制造发光器件期间的第三时间点604处的发光器件100。
[0145]在该时间点处，将一个或多个发射体层108施加到、例如沉积到一个或多个空穴传导层106上,例如借助于CVD法(chemical vapor deposition化学气相沉积法)或借助于PVD法(physical vapor deposition物理气相沉积法PVD,例如派射、离子增强沉积法或热蒸镀法)；替选地借助于电镀法；浸溃沉积法、旋涂法(spin coating);印刷；刮涂或喷涂O
[0146]图6D示出在制造发光器件期间的第四时间点606处的发光器件100。
[0147]在该时间点处，可选地，将一个或多个有机功能层110施加到、例如沉积到一个或多个发射体层108上,例如借助于CVD法(chemical vapor deposition化学气相沉积法)或借助于PVD法(physical vapor deposition物理气相沉积法PVD,例如派射、离子增强沉积法或热蒸镀法)；替选地借助于电镀法；浸溃沉积法、旋涂法(spin coating);印刷；刮涂或喷涂。
[0148]图6E示出在制造发光器件期间的第五时间点608处的发光器件100。[0149]在该时间点处，将第二电极112施加到、例如沉积到一个或多个另外的有机功能层110 (如果存在的话)上或者一个或多个发射体层108上，例如借助于CVD法(chemicalvapor deposition 化学气相沉积法)或借助于 PVD 法(physical vapor deposition 物理气相沉积法PVD，例如溅射、离子增强沉积法或热蒸镀法)；替选地借助于电镀法；浸溃沉积法、旋涂法(spin coating);印刷；刮涂或喷涂。
[0150]图6F示出在制造发光器件期间的第六时间点610处的发光器件100。
[0151]在该时间点处，将光学半透明的层结构116施加到第二电极112上，其中将光致发光材料120引入到光学半透明的层结构116中。
[0152]这能够以不同的方式进行:
[0153]1.根据一个实施方案，能够将一种或多种材料、例如有机材料蒸镀到第二电极112上，其中光致发光材料120在原位嵌入光学半透明的层结构116的材料中。接下来，能够蒸镀镜层结构118，其中这两个蒸镀工艺能够在相同的机器中执行。
[0154]2.根据另一实施方案,能够以湿法化学的方式将一种或多种材料、例如有机材料施加在第二电极112 (或用于对第二电极112进行化学保护的施加在其上的薄膜阻挡部)上。在该实施方案中，能够将光致发光材料120 (部分局部地)混入(分散)到以湿法化学的方式施加的材料中。
[0155]需要指出的是，对于光学半透明的层结构116、204具有多个层的情况而言，能够将光致发光材料120引入到一个或多个层中，然而不必引入到全部层中。以该方式，例如能够简单地限定光致发光材料120距镜层结构118、204的间距。这能够引起光致发光的增强、和/或引起颜色转换效率的改进。此外，能够实现观察角相关性的设定。
【权利要求】
1.一种发光器件(100)，具有: ?第一电极(104)； ?在所述第一电极(104)上或其上方的有机电致发光层结构(106,108)； ?在所述有机电致发光层结构(106，108)上或其上方的半透明的第二电极(112)； ?在所述第二电极(112)上或其上方的光学半透明的层结构(116)，其中所述光学半透明的层结构(116)具有光致发光材料(120);以及 ?在所述光学半透明的层结构(116)上或其上方的镜层结构(118)。
2.根据权利要求1所述的发光器件(100)，还具有选自下述层中的一个或多个层: ?在所述第二电极(112)和所述光学半透明的层结构(116)之间的电绝缘层；和/或 ?在所述第二电极(112)和所述光学半透明的层结构(116)之间的阻挡层或封装层。
3.一种发光器件(200)，具有 ?镜层结构(204)； ?在所述镜层结构(204)上或其上方的光学半透明的层结构(202)，其中所述光学半透明的层结构(202)具有光致发光材料(120)； ?在所述光学半透明的层结构(116)上或其上方的半透明的第一电极(104)； ?在所述第一电极(104)上或其上方的有机电致发光层结构(106，108);以及 ?在所述有机电致发光层 结构(106，108 )上或其上方的第二电极(112)。
4.根据权利要求3所述的发光器件(200)，还具有选自下述层中的一个或多个层: ?在所述第一电极(104)和所述光学半透明的层结构(202)之间的电绝缘层；和/或 ?在所述第一电极(104)和所述光学半透明的层结构(202)之间的阻挡层或封装层。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的发光器件(100，200)，其中所述光致发光材料(120)具有出自下述材料族中的至少一种材料: ?有机染料分子； ?无机磷光体；和/或 ?纳米点或纳米微粒。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光器件(100，200)，其中所述光学半透明的层结构(116，202)附加地具有一种或多种散射材料。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光器件(100，200)，其设立为有机发光二极管、或设立为有机发光晶体管。
8.一种用于制造发光器件(100)的方法，其中所述方法包括: ?提供第一电极(104)； ?在所述第一电极(104)上或其上方形成有机电致发光层结构(106,108)； ?在所述有机电致发光层结构(106，108)上或其上方形成半透明的第二电极(112);?在所述第二电极(112)上或其上方形成光学半透明的层结构(116)，其中在所述光学半透明的层结构(116)中形成光致发光材料(120);以及 ?在所述光学半透明的层(116)上或其上方形成镜层结构(118)。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括: ?在所述第二电极(I 12)上或其上方形成电绝缘层； ?其中在所述电绝缘层上或其上方形成所述光学半透明的层结构(116)。
10.一种用于制造发光器件(200)的方法，其中所述方法包括: ?提供镜层结构(204)； ?在所述镜层结构(204)上或其上方形成光学半透明的层结构(202)，其中在所述光学半透明的层结构(202)中形成光致发光材料(I 20)； ?在所述光学半透明的层结构(202)上或其上方形成半透明的第一电极(104)； ?在所述第一电极(104)上或其上方形成有机电致发光层结构(106,108);和 ?在所述有机电致发光层结构(106，108)上或其上方形成第二电极(112)。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括以下一个或二个步骤: ?在所述光学半透明的层结构(202)上或其上方形成电绝缘层； ?其中在所述电绝缘层上或其上方形成所述第一电极(104);和/或 ?在所述第一电极(104)和所述光学半透明的层结构(202)之间形成封装层或阻挡层。
12.根据权利要求8至11中任一项所述的方法，其中作为光致发光材料(120)使用出自下述材料族中的至少一种材料: ?有机染料分子； ?无机磷光体；和/或 ?纳米点或纳米微粒。
13.根据权利要求8至12中任一项所述的方法，其中所述光学半透明的层结构(116，202)附加地具有一种或多种散射材料。
14.根据权利要求8至13中任一项所述的方法，其中借助于蒸镀形成所述光学半透明的层结构(116，202)。
15.根据权利要求14所述的方法，其中将所述光致发光材料(120)在原位嵌入到所述光学半透明的层结构(116，202)中。
16.根据权利要求8至13中任一项所述的方法，其中借助于湿法化学工艺形成所述光学半透明的层结构(116，202)。
17.根据权利要求8至16中任一项所述的方法，其中将所述发光器件(100，200)设立为有机发光二极管、或设立为有机发光晶体管。
【文档编号】H01L51/52GK103650197SQ201280034807
【公开日】2014年3月19日 申请日期:2012年5月31日 优先权日:2011年7月13日
【发明者】托马斯·多贝廷, 埃尔温·兰, 蒂洛·罗伊施, 丹尼尔-斯特芬·塞茨 申请人:欧司朗光电半导体有限公司