形成含有硅的euv抗蚀剂下层膜的组合物的制作方法
【专利摘要】本发明的课题是提供一种EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。作为解决本发明课题的方法涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式(1)表示：(式(1)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数1～10的烷氧基，X为碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数2～10的酰氧基或卤基。)。(R2)n2-R1-(CH2)n1-si(X)3--?(1)
【专利说明】形成含有硅的EUV抗蚀剂下层膜的组合物
【技术领域】
[0001]本发明涉及用于在半导体装置的制造中所使用的基板与抗蚀剂(例如，EUV抗蚀齐IJ)之间形成下层膜的组合物。详细地说，涉及用于在半导体装置制造的光刻工序中形成在抗蚀剂的下层使用的下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。此外，涉及使用了该形成下层膜的组合物的抗蚀剂图案的形成方法。
【背景技术】
[0002]一直以来，在半导体装置的制造中，通过使用了光致抗蚀剂的光刻进行微细加工。上述微细加工为在硅片等半导体基板上形成光致抗蚀剂的薄膜，在其上介由描绘有半导体器件图案的掩模图案来照射紫外线等活性光线，进行显影，将所得的光致抗蚀剂图案作为保护膜对基板进行蚀刻处理，从而在基板表面形成与上述图案对应的微细凹凸的加工法。然而，近年来，半导体器件的高集成度化进展，所使用的活性光线也有从KrF准分子激光(248nm)向ArF准分子激光(193nm)、EUV光(13.5nm)短波长化的倾向。
[0003]需要这种程度以上地控制图形(抗蚀剂形状)、提高与基板的密合性。
[0004]此外，作为半导体基板与光致抗蚀剂之间的下层膜，使用了作为包含硅等金属元素的硬掩模而已知的膜。在该情况下，对于抗蚀剂和硬掩模，由于其构成成分有大的差异，因此它们的通过干蚀刻而被除去的速度很大程度依赖于干蚀刻中使用的气体种类。而且，通过适当地选择气体种类，不会导致光致抗蚀剂的膜厚的大幅减少，能够通过干蚀刻除去硬掩模。这样，在近年来的半导体装置的制造中，为了实现各种效果，渐渐在半导体基板与光致抗蚀剂之间配置抗蚀剂下层膜(参照专利文献1、2)。
[0005]而且，迄今为止也进行了抗蚀剂下层膜用组合物的研究，但从其要求特性的多样性等出发，期望开发出抗蚀剂下层膜用的新材料。
[0006]现有技术文献
[0007]专利文献
[0008]专利文献1:日本特开2008-076889
[0009]专利文献2:日本特开2010-237667
【发明内容】
[0010]发明所要解决的课题
[0011]本发明的目的是提供能够利用矩形抗蚀剂图案进行微细的基板加工，可以用于制造半导体装置的形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。本发明的目的，详细地说，是提供用于形成可作为硬掩模使用的抗蚀剂下层膜的形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物。此外，本发明的目的是提供EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高，不发生与抗蚀剂的混合，与抗蚀剂相比具有大的干蚀刻速度，用EUV光曝光时释气发生少的光刻用抗蚀剂下层膜和用于形成该下层膜的形成抗蚀剂下层膜的组合物。
[0012]用于解决课题的方法[0013]本发明中，作为第I观点，是一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四
甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由下述式⑴表示，
[0014](R2)n2-R1-(CH2)nl-Si ⑴ 3 式(I)
[0015](式(I)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环内的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数I?10的烷氧基，X为碳原子数I?10的烷氧基、碳原子数2?10的酰氧基或卤基。nl为O或I的整数，在苯环的情况下，n2为I?5的整数，在萘环的情况下，n2为I?9的整数。)，
[0016]作为第2观点，是第I观点所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(I)的R1为苯环，
[0017]作为第3观点，是第I观点或第2观点所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(I)的R2为甲氧基、甲氧基甲氧基、氟原子、氯原子或溴原子，
[0018]作为第4观点，是第I观点?第3观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式⑴的X为甲氧基，
[0019]作为第5观点，是第I观点?第4观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式⑴Wnl为0，
[0020]作为第6观点，是第I观点?第5观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合
物，烧基二甲氧基娃烧为甲基二甲氧基娃烧，
[0021]作为第7观点，是第I观点?第6观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，水解性硅烷以相对于四甲氧基硅烷70摩尔为10?35摩尔的比例包含烷基三甲氧基硅烷、为2?25摩尔的比例包含芳基三烷氧基硅烷，
[0022]作为第8观点，是权利要求1?7的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，上述硅烷，在全部硅烷中以甲氧基:乙氧基=100:0?80:20的比例(摩尔比)含有甲氧基和乙氧基作为水解性基团，
[0023]作为第9观点，是第I观点?第8观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含酸，
[0024]作为第10观点，是第I观点?第9观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含水，
[0025]作为第11观点，是第I观点?第10观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含铵化合物、环状铵化合物、环状胺化合物或化合物，
[0026]作为第12观点，是一种抗蚀剂下层膜，其为通过将第I观点?第11观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤而获得的，
[0027]作为第13观点，是一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序:将第I观点?第11观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在上述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将上述抗蚀剂膜进行曝光的工序；在曝光后将上述抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序；按照上述抗蚀剂图案对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；和按照被图案化了的上述抗蚀剂膜和上述抗蚀剂下层膜对上述半导体基板进行加工的工序，和[0028]作为第14观点，是一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序:在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布第I观点?第11观点的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在上述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将上述抗蚀剂膜进行曝光的工序；在曝光后将上述抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序；按照上述抗蚀剂图案对上述抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；按照被图案化了的上述抗蚀剂下层膜对上述有机下层膜进行蚀刻的工序；和按照被图案化了的上述有机下层膜对上述半导体基板进行加工的工序。
[0029]发明的效果
[0030]根据本发明，由该组合物通过EUV光刻形成的抗蚀剂下层膜可以作为对氧系干蚀刻气体具有耐干蚀刻性的硬掩模使用，使基板的微细加工容易。
[0031]此外，根据本发明，由该组合物形成的抗蚀剂下层膜可以使该下层膜上所设置的EUV抗蚀剂的曝光灵敏度提高。
[0032]此外，根据本发明，可以形成用EUV光曝光时释气发生少，不发生与抗蚀剂的混合，与抗蚀剂相比具有大的干蚀刻速度的光刻用抗蚀剂下层膜。
[0033]此外，根据本发明，通过适用该组合物，能够制造使用了具有这样良好的性能的抗蚀剂下层膜的半导体装置。
【具体实施方式】
[0034]在本发明中，通过涂布法在基板上形成抗蚀剂下层膜，或者介由基板上的有机下层膜通过涂布法在其上形成抗蚀剂下层膜，在该抗蚀剂下层膜上形成抗蚀剂膜(例如，EUV抗蚀剂)。然后，通过曝光和显影来形成抗蚀剂图案，使用该抗蚀剂图案对抗蚀剂下层膜进行干蚀刻来进行图案的转印，按照该图案对基板进行加工，或者通过对有机下层膜进行蚀刻进行图案转印，按照该有机下层膜进行基板加工。
[0035]在形成微细图案方面，为了防止图案倒塌而倾向于使抗蚀剂膜厚变薄。由于抗蚀剂的薄膜化，因而如果用于向存在于其下层的膜上转印图案的干蚀刻的蚀刻速度不高于上层的膜，则无法进行图案转印。在本发明中，在基板上，介由有机下层膜或不介由有机下层膜，在其上被覆本申请抗蚀剂下层膜(含有无机系硅系化合物)，在其上依次被覆抗蚀剂膜(有机抗蚀剂膜)。通过选择蚀刻气体而使有机系成分的膜与无机系成分的膜的干蚀刻速度大不相同，有机系成分的膜在氧系气体下干蚀刻速度高，无机系成分的膜在含卤气体下干蚀刻速度高。
[0036]例如形成抗蚀剂图案，用含卤气体对存在于其下层的本申请抗蚀剂下层膜进行干蚀刻，从而在抗蚀剂下层膜上转印图案，使用含卤气体按照该被转印到抗蚀剂下层膜的图案来进行基板加工。或者，使用被图案转印了的抗蚀剂下层膜，利用氧系气体对其下层的有机下层膜进行干蚀刻，从而对有机下层膜进行图案转印，使用含卤气体按照该被图案转印了的有机下层膜进行基板加工。
[0037]在本发明中，该抗蚀剂下层膜作为硬掩模起作用，结构中的烷氧基、酰氧基、卤基等水解性基团水解或部分水解，然后通过硅烷醇基的缩合反应而形成聚硅氧烷结构的聚合物。该聚有机硅氧烷结构具有作为硬掩模的充分的功能。
[0038]而且，聚有机硅氧烷结构(中间膜)在其下所存在的有机下层膜的蚀刻、基板的加工(蚀刻)中作为硬掩模是有效的。即，对基板加工时、有机下层膜的氧系干蚀刻气体具有充分的耐干蚀刻性。
[0039]本发明中使用的硅烷化合物中的芳基三烷氧基硅烷的烷氧基芳基、卤代芳基能够在用EUV光使上层所存在的EUV抗蚀剂曝光时降低照射EUV的曝光量，即能够以低曝光量进行图案形成。
[0040]此外，本发明中使用的硅烷化合物中的水解性基团优选使用甲氧基。硅烷化合物水解，将其水解缩合物(聚硅氧烷)用于形成抗蚀剂下层膜的组合物，但有时不会完全水解，部分以硅烷醇基、烷氧基的状态存在。
[0041]该下层膜中的烷氧基有时在随后的处理工序中残留于膜中。在EUV曝光时有时该残留烷氧基、或其成分成为释气并附着于曝光机的镜等而成为曝光机的污染、故障的原因。本发明中，通过作为水解性基团使用以甲氧基作为主体的基团，而不是使用以乙氧基作为主体的基团，从而可以解决这些问题。
[0042]本发明涉及一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烷与芳基三烷氧基硅烷的组合，该芳基三烷氧基硅烷由上述式(I)表示。
[0043]本发明的形成抗蚀剂下层膜的组合物包含上述水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，还包含溶剂。而且作为任意成分，可以包含酸、水、醇、固化催化剂、产酸剂、其它有机聚合物、吸光性化合物和表面活性剂等。
[0044]本发明的形成抗蚀剂下层膜的组合物中的固体成分为例如0.1~50质量％，或
0.1~30质量％，0.1~25质量％。这里所谓固体成分，为从形`成抗蚀剂下层膜的组合物的全部成分中除去了溶剂成分后的成分。
[0045]水解性硅烷、其水解物和其水解缩合物在固体成分中所占的比例为20质量％以上，为例如50~100质量％，或60~100质量％，或70~99.5质量％。
[0046]式(I)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数I~10的烷氧基，X为碳原子数I~10的烷氧基、碳原子数2~10的酰氧基或卤基。nl为O或I的整数，n2为I~5的整数。nl为I的情况为将娃原子与芳香族环以亚甲基连接的情况，nl为O的情况为娃原子与芳香族环直接结合的情况。
[0047]式(I)的R2的卤原子为氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。
[0048]式(I)的R2的烷氧基可举出碳原子数I~10的具有直链、支链、环状的烷基部分的烷氧基，可举出例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3-甲基-正丁氧基、
1,1_ 二甲基_正丙氧基、I, 2_ 二甲基-正丙氧基、2，2_ 二甲基-正丙氧基、1-乙基_正丙氧基、正己氧基、1-甲基-正戊氧基、2-甲基-正戊氧基、3-甲基-正戊氧基、4-甲基-正戊氧基、I, 1- 二甲基_正丁氧基、1，2_ 二甲基-正丁氧基、1，3_ 二甲基-正丁氧基、2，2_ 二甲基_正丁氧基、2，3- 二甲基_正丁氧基、3，3- 二甲基_正丁氧基、1-乙基_正丁氧基、2_乙基-正丁氧基、1，1，2-三甲基-正丙氧基、I, 2，2-三甲基-正丙氧基、1-乙基-1-甲基-正丙氧基和1-乙基-2-甲基-正丙氧基等，此外作为环状的烷氧基，可举出环丙氧基、环丁氧基、1-甲基-环丙氧基、2-甲基-环丙氧基、环戊氧基、1-甲基-环丁氧基、2-甲基-环丁氧基、3_甲基-环丁氧基、I, 2- 二甲基_环丙氧基、2，3- 二甲基_环丙氧基、1-乙基_环丙氧基、2-乙基-环丙氧基、环己氧基、1-甲基-环戊氧基、2-甲基-环戊氧基、3-甲基-环戊氧基、1-乙基-环丁氧基、2-乙基-环丁氧基、3-乙基-环丁氧基、I, 2- 二甲基-环丁氧基、1，3- 二甲基-环丁氧基、2，2- 二甲基-环丁氧基、2，3- 二甲基-环丁氧基、2，4- 二甲基_环丁氧基、3，3_ 二甲基-环丁氧基、1-正丙基_环丙氧基、2_正丙基_环丙氧基、1-异丙基-环丙氧基、2-异丙基-环丙氧基、1，2，2-三甲基-环丙氧基、I, 2，3-三甲基-环丙氧基、2，2, 3- 二甲基_环丙氧基、1-乙基_2_甲基-环丙氧基、2_乙基-1-甲基-环丙氧基、2-乙基_2_甲基_环丙氧基和2_乙基-3_甲基_环丙氧基等。
[0049]此外，式(I)的R2的烷氧基还包含烷氧基烷氧基。可举出例如甲氧基甲氧基、乙
氧基乙氧基、甲氧基乙氧基、乙氧基甲氧基等。
[0050]式⑴的R2的烷氧基中，可以优选使用甲氧基、甲氧基甲氧基。
[0051]作为式(I)的X的碳原子数I~10的烷氧基，可举出碳原子数I~10的具有直链、支链、环状的烷基部分的烷氧基，可举出例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、1-甲基-正丁氧基、2-甲基-正丁氧基、3_甲基-正丁氧基、I, 1- 二甲基_正丙氧基、1，2_ 二甲基-正丙氧基、2，2_ 二甲基-正丙氧基、1_乙基-正丙氧基、正己氧基、1_甲基-正戍氧基、2_甲基-正戍氧基、3_甲基-正戍氧基、4-甲基-正戍氧基、I，1-二甲基_正丁氧基、1,2-二甲基-正丁氧基、1,3-二甲基-正丁氧基、2，2- 二甲基-正丁氧基、2，3- 二甲基-正丁氧基、3，3- 二甲基-正丁氧基、
1-乙基-正丁氧基、2_乙基-正丁氧基、1，1，2_二甲基-正丙氧基、1，2，2_ 二甲基-正丙氧基、1_乙基_1_甲基_正丙氧基和1_乙基-2-甲基_正丙氧基等，此外作为环状的烧氧基，可举出环丙氧基、环丁氧基、1-甲基-环丙氧基、2-甲基-环丙氧基、环戊氧基、1-甲基-环丁氧基、2-甲基-环丁氧基、3-甲基-环丁氧基、1，2_ 二甲基-环丙氧基、2，3-二甲基-环丙氧基、1-乙基-环丙氧基、2-乙基-环丙氧基、环己氧基、1-甲基-环戊氧基、2-甲基-环戊氧基、3-甲基-环戊氧基、1-乙基-环丁氧基、2-乙基-环丁氧基、3-乙基-环丁氧基、1，2- 二甲基-环丁氧基、1，3- 二甲基-环丁氧基、2，2- 二甲基-环丁氧基、2，3- 二甲基-环丁氧基、2，4- 二甲基-环丁氧基、3，3- 二甲基-环丁氧基、1-正丙基-环丙氧基、
2-正丙基_环丙氧基、1-异丙基_环丙氧基、2-异丙基_环丙氧基、I,2, 2-二甲基-环丙氧基、1，2，3- 二甲基_环丙氧基、2，2，3- 二甲基_环丙氧基、1-乙基_2_甲基-环丙氧基、
2-乙基-1-甲基-环丙氧基、2-乙基-2-甲基-环丙氧基和2-乙基-3-甲基-环丙氧基
坐寸ο
[0052]式(I)的X的碳原子数2~10的酰氧基可举出例如甲基羰氧基、乙基羰氧基、正丙基擬氧基、异丙基擬氧基、正丁基擬氧基、异丁基擬氧基、仲丁基擬氧基、叔丁基擬氧基、正戊基擬氧基、1_甲基_正丁基擬氧基、2-甲基-正丁基擬氧基、3-甲基-正丁基擬氧基、1，1-二甲基-正丙基羰氧基、1，2-二甲基-正丙基羰氧基、2，2-二甲基-正丙基羰氧基、1-乙基_正丙基擬氧基、正己基擬氧基、1-甲基_正戊基擬氧基、2-甲基-正戊基擬氧基、
3-甲基-正戊基擬氧基、4-甲基-正戊基擬氧基、1，1-二甲基-正丁基擬氧基、1，2- 二甲基-正丁基擬氧基、1，3- 二甲基-正丁基擬氧基、2，2- 二甲基-正丁基擬氧基、2，3- 二甲基-正丁基擬氧基、3，3_ 二甲基-正丁基擬氧基、1_乙基-正丁基擬氧基、2_乙基-正丁基擬氧基、1，1，2- 二甲基-正丙基擬氧基、1，2，2- 二甲基-正丙基擬氧基、1-乙基-1-甲基_正丙基擬氧基、1-乙基_2_甲基-正丙基擬氧基、苯基擬氧基和甲苯横酸基擬氧基等。
[0053]作为式(I)的X的卤基，可举出氟、氯、溴、碘等。
[0054]可以优选使用式⑴中R1为苯环的情况，R2为甲氧基、甲氧基甲氧基、氟原子、氯原子或溴原子的情况，X为甲氧基的情况，m的整数为O的情况。
[0055]式(I)的水解性硅烷可以例如以下所例示。
[0056]
【权利要求】
1.一种形成EUV光刻用抗蚀剂下层膜的组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的混合物，该水解性硅烷包含四甲氧基硅烷与烷基三甲氧基硅烧与芳基二烷氧基硅烷的组合，该芳基二烷氧基硅烷由下述式(I)表不，
(R2)n2-R1-(CH2)nl-Si ⑴ 3 式(I) 式(I)中，R1表示由苯环或萘环构成的芳香族环、或者包含异氰脲酸结构的环，R2为芳香族环内的氢原子的取代基，为卤原子或碳原子数I~10的烷氧基，X为碳原子数I~10的烷氧基、碳原子数2~10的酰氧基或卤基，nl为O或I的整数，在苯环的情况下，n2为I~5的整数，在萘环的情况下，n2为I~9的整数。
2.根据权利要求1所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(I)的R1为苯环。
3.根据权利要求1或2所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(I)的R2为甲氧基、甲氧基甲氧基、氟原子、氯原子或溴原子。
4.根据权利要求1~3的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(I)的X为甲氧基。
5.根据权利要求1~4的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，式(I)的nl为O0
6.根据权利要求1~5的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，烷基三甲氧基硅焼为甲基二甲氧基硅烷。
7.根据权利要求1~6的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，水解性硅烷以相对于四甲氧基硅烷70摩尔·为10~35摩尔的比例包含烷基三甲氧基硅烷、为2~25摩尔的比例包含芳基三烷氧基硅烷。
8.根据权利要求1~7的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，所述硅烷，在全部硅烷中以摩尔比计为甲氧基:乙氧基=100:0~80:20的比例含有甲氧基和乙氧基作为水解性基团。
9.根据权利要求1~8的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含酸。
10.根据权利要求1~9的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含水。
11.根据权利要求1~10的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，其还包含铵化合物、环状铵化合物、环状胺化合物或化合物。
12.—种抗蚀剂下层膜，其为通过将权利要求1~11的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤而获得的。
13.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序:将权利要求1~11的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物涂布在半导体基板上，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将所述抗蚀剂膜进行曝光的工序；在曝光后将所述抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序；按照所述抗蚀剂图案对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；和按照被图案化了的所述抗蚀剂膜和所述抗蚀剂下层膜对所述半导体基板进行加工的工序。
14.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序:在半导体基板上形成有机下层膜的工序；在该有机下层膜上涂布权利要求1~11的任一项所述的形成抗蚀剂下层膜的组合物，进行烘烤，形成抗蚀剂下层膜的工序；在所述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂用组合物，形成抗蚀剂膜的工序；将所述抗蚀剂膜进行曝光的工序；在曝光后将所述抗蚀剂膜进行显影，获得抗蚀剂图案的工序；按照所述抗蚀剂图案对所述抗蚀剂下层膜进行蚀刻的工序；按照被图案化了的所述抗蚀剂下层膜对所述有机下层膜进行蚀刻的工序；和按照被图案化了的所述有机下层膜对所述半 导体基板进行加工的工序。
【文档编号】H01L21/027GK103827752SQ201280045182
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2012年10月2日 优先权日:2011年10月6日
【发明者】志垣修平, 谷口博昭, 坂本力丸, 何邦庆 申请人:日产化学工业株式会社