有机半导体绝缘膜用组合物及有机半导体绝缘膜的制作方法
【专利摘要】本发明提供可形成膜表面的疏水性及平滑性优异且电稳定性优异的绝缘膜的有机半导体绝缘膜用组合物及使用其的有机半导体绝缘膜。本发明的有机半导体绝缘膜用组合物含有聚硅氧烷和有机高分子化合物，聚硅氧烷为具有氧杂环丁烷基的笼型倍半硅氧烷、及下式所示的具有氧杂环丁烷基的硅化合物中的至少一者。另外，下式的R1～R3分别独立地表示一价的有机基团(其中，R1～R3中的至少1个为具有氧杂环丁烷基的一价的有机基团。)。v、w、x及y分别独立地表示0或正数(其中，v、x及y中的至少1个和w为正数。)。
【专利说明】有机半导体绝缘膜用组合物及有机半导体绝缘膜
【技术领域】
[0001]本发明涉及有机半导体绝缘膜用组合物及有机半导体绝缘膜。进一步详细而言，本发明涉及可形成膜表面的疏水性及平滑性优异且电稳定性优异的绝缘膜的有机半导体绝缘膜用组合物、及使用了其的有机半导体绝缘膜。
【背景技术】
[0002]有机场效应晶体管(OFET)为在活性层使用有机半导体，期待着向有源矩阵显示器、电子纸等的柔性电子学的应用。0FET，为这些的基本的构成单元，原理是用施加于栅极的电压来控制漏电极和源极之间的电流，若提高栅极电压，则漏电极和源极间的电流量变多。为了使晶体管高速工作，需要半导体的电荷载流子迁移率和开/关电流比高。可通过旋涂、印刷这样的溶液工艺制作的涂布型0FET，可实现以往未实现的柔性化、低成本化进而大面积化，因此备受瞩目，正在积极地进行影响OFET的性能的有机半导体的开发。
[0003]另外，对于OFET的器件特性、工作稳定性而言，已知由于在有机半导体和栅极绝缘膜的界面附近进行电荷载流子的生成、迁移，因此也受到栅极绝缘膜的影响，栅极绝缘膜的性能方面也倍受重视。特别是，已知OFET中的迁移率、阈值电压、开关比等的基本特性强烈依赖于栅极绝缘膜的平滑性、表面状态，对栅极绝缘膜要求(I)膜表面具有疏水性、(2)膜表面的平滑性高、及(3)绝缘性高等的各特性。
[0004]作为以往的栅极绝缘膜，例如，已知由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚酰亚胺等构成的绝缘膜。进而，已知有由PVP和聚(三聚氰胺-CO-甲醛)构成的绝缘膜等(参照专利文献I)。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献1:日本特开2010-74188号公报
【发明内容】
[0008]发明所要解决的课题
[0009]然而，以往的绝缘膜，在表面的疏水性、平滑性及电稳定性中，未必可以说是最佳的材料，现状是寻求性能的进一步提高。进而，现状是寻求具备作为绝缘膜所需的上述的性能、且可赋予、控制新的物性的新型材料。
[0010]本发明，是鉴于上述现状而完成的，其目的在于，提供可形成膜表面的疏水性及平滑性优异且电稳定性优异的绝缘膜的有机半导体绝缘膜用组合物、及使用了其的有机半导体绝缘膜。
[0011]用于解决课题的手段
[0012]本发明如下。
[0013][I] 一种有机半导体绝缘膜用组合物，其为含有(A)聚硅氧烷和(B)有机高分子化合物的有机半导体绝缘膜用组合物，其特征在于，[0014]上述(A)聚硅氧烷为具有氧杂环丁烷基的笼型倍半硅氧烷、及由下述式(I)所示的具有氧杂环丁烷基的硅化合物中的至少一者。
[0015][化学式I]
【权利要求】
1.一种有机半导体绝缘膜用组合物，其含有(A)聚硅氧烷和(B)有机高分子化合物，其特征在于，所述(A)聚硅氧烷为具有氧杂环丁烷基的笼型倍半硅氧烷、及下述式(I)所示的具有氧杂环丁烷基的硅化合物中的至少一者，
2.根据权利要求1所述的有机半导体绝缘膜用组合物，其中，还含有固化催化剂。
3.一种有机半导体绝缘膜，其特征在于，使用权利要求1或2所述的有机半导体绝缘膜用组合物而成。
【文档编号】H01L51/05GK103828062SQ201280045962
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2012年11月13日 优先权日:2011年12月26日
【发明者】铃木浩, 北村昭宪, 滨田崇 申请人:东亚合成株式会社