太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法

太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法
【专利摘要】本发明涉及一种太阳能电池以及一种用于制造这种太阳能电池的方法，在所述方法中制造太阳能电池芯，在所述太阳能电池芯中在光入射到太阳能电池的前侧时提供到发射极的和到位于与太阳能电池的发射极相对置的一侧上的基极的电荷分离和电荷传输；制造呈接触指形式的能导电的发射极接触结构，所述接触指与发射极直接电接触；并且制造呈汇流排形式的发射极端子结构，所述汇流排与发射极接触结构直接电接触并且横向地连接发射极接触结构的接触指；其中在太阳能电池的相对置的侧上的发射极和基极接触。本发明的目的是，提出一种所述类型的简单构成的且可靠工作的太阳能电池以及一种相应的太阳能电池制造方法，借助所述太阳能电池制造方法能够降低太阳能电池制造成本。所述目的通过所述类型的太阳能电池和太阳能电池制造方法来实现，其中至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制造可焊接的金属的发射极端子结构并且将焊料或者被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到所述发射极端子结构上。
【专利说明】太阳能电池和用于制造太阳能电池的方法

【技术领域】
[0001]本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法，其包含下述方法步骤:制造太阳能电池芯，在所述太阳能电池芯中在光入射到太阳能电池的前侧时设置到发射极的和到位于与太阳能电池的发射极相对置的一侧上的基极的电荷分离和电荷传输；制造呈接触指形式的能导电的发射极接触结构，所述接触指与发射极直接电接触；并且制造呈汇流排形式的能焊接的金属的发射极端子结构，所述汇流排与发射极接触结构直接电接触并且横向地连接发射极接触结构的接触指；其中在太阳能电池的相对置的侧上的发射极和基极接触。本发明还涉及一种太阳能电池，其具有:太阳能电池芯，在所述太阳能电池芯中在光入射到太阳能电池的前侧时设置到发射极的和到位于与太阳能电池的发射极相对置的一侧上的基极的电荷分离部和电荷传输部；能导电的发射极接触结构，所述发射极接触结构与发射极直接电接触；和能焊接的金属的发射极端子结构，所述金属的发射极端子结构与发射极接触结构直接电接触；其中在太阳能电池的相对置的侧上的发射极和基极接触。

【背景技术】
[0002]所述类型的方法在工业制造太阳能电池时建立。例如，根据该方法制造标准太阳能电池，其中太阳能电池芯具有由硼掺杂的结晶硅制成的基极和位于太阳能电池的前侧上的磷掺杂的发射极。所述太阳能电池的发射极典型地通过由银构成的接触指接触。接触指通过通常称作为母线的汇流排彼此连接。为了太阳能电池的外部互联将连接带焊接到所述汇流排上。
[0003]在标准太阳能电池中，根据现有技术的接触指和汇流排在一个共同的方法步骤中通过丝网印刷由银膏制造。在此，典型地与太阳能电池的后侧上的发射极相对置的基极例如通过铝层进行接触，其中铝层形成基极接触结构。因为铝不可焊接，所以将可焊接的银端子结构施加到所述基极接触结构上。
[0004]在根据至今已知的工艺制造太阳能电池时的问题在于其高的制造成本。在制造标准太阳能电池时所使用的银膏在此为制造成本的显著份额。因此在现有技术中存在尤其通过限制银的消耗来降低太阳能电池的制造成本的方法措施。
[0005]从参考文献DE 10 2010 014 554 Al中已知一种太阳能电池，其中代替银导线使用铜线作为汇流排，所述铜线电镀到接触指上。该太阳能电池和其所属的制造方法的缺点是需要专用的、适合于该方法的电镀设备。此外，在应用铜时存在下述危险:所述铜扩散到太阳能电池的硅中。为了避免这种情况，需要在硅和铜之间的极其良好的阻挡部。还有问题的是，仅在与接触指的小的交叠区域处将用作为汇流排的铜线与太阳能电池连接。由于小的接触面积，这种太阳能电池的可靠性是受到质疑的。
[0006]此外，从文献DE 10 2009 016 268 Al中已知后侧接触式太阳能电池，例如所谓的叉指状背面接触电池(IBC)，其中基极还有发射极都在太阳能电池后侧上接触，其中在已知的厚层银层的位置处使用多层式薄层金属化部。该太阳能电池的缺点是，其制造是极其耗费的并且与相应高的成本联系在一起。高的工艺成本例如从相对细工的后侧结构，其中必须确保η型和ρ型区域的分离并且所述后侧结构仅能够以与在制造标准太阳能电池时相比更大的耗费来实现。


【发明内容】

[0007]因此，本发明的目的是:提出一种所述类型的简单构成的且可靠工作的太阳能电池，其与现有技术中的太阳能电池相比是更加低成本的。此外，本发明的一个目的是:提出一种用于制造这种太阳能电池的相应的制造方法。
[0008]所述目的通过开始所述类型的方法来实现，其中至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制成可焊接的金属的发射极端子结构并且将焊料或者被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到所述发射极端子结构上。
[0009]根据本发明的方法与至今常见的、发射极接触结构和发射极端子结构在太阳能电池的前侧上同时在一个方法步骤中制造的标准太阳能电池制造方法的区别在于:现在发射极接触结构和发射极端子结构依次在不同的方法步骤中制造并且发射极端子结构不由在标准太阳能电池中被证明的极其良好传导的银构成。代替于此，根据本发明使用已知的相对差传导的材料、例如镍或锡或者由镍或锡构成的合金来构成发射极端子结构。所述材料主要由镍或锡构成，但也能够是镍锡合金。原则上，也能够使用镍和/或锡的其他的合金、例如具有钒的合金。然而，发射极端子结构不必仅由包含镍、镍合金、锡和/或锡合金的层构成。因此，根据本发明，也能够将附加的层、例如增附层或覆盖层在含镍和/或锡的层的上方或下方施加到太阳能电池上。
[0010]因此，本发明采用完全非常规的方式进行太阳能电池接触。在此，明确弃用昂贵的材料、如银来制造发射极端子结构，并且趋向于显著较差导电的材料、例如镍、锡或由所述材料中的至少一种构成的合金。所述材料的导电性仍毫无问题地足以适合于电接触发射极接触结构。此外，例如镍、锡和/或由所述材料构成的合金是可极其良好焊接的，使得能够极其良好地将焊料或者被焊料覆盖的带状装置施加到由所述材料制成的发射极端子结构上以用于太阳能电池的接触。在最终效果中，能够借助根据本发明的方法以与现有技术相比显著更低的成本来制造太阳能电池，因为根据本发明放弃使用高价格的材料、例如银来制造发射极端子结构。此外，通过一方面借助于发射极接触结构提供极其良好的电接触并且另一方借助于发射极端子结构提供极其良好的可焊接性的处理方法能够制造具有高质量的太阳能电池。
[0011]根据本发明的方法相对于将银母线用作为发射极端子结构的太阳能电池标准工艺的另一优点在于:根据本发明所提出的发射极端子结构材料不对硅表面产生负面影响。在常规的太阳能电池中，代替于此存在下述效果:设置用于焊料的银母线穿过设置在太阳能电池上的氮化硅直到硅表面上。这降低了太阳能电池的效率。这种情况在现有技术中通过下述方式来避免:在太阳能电池上印制接触指，随后执行煅烧步骤，此后施加银母线并且随后仅干燥银母线，使得能够防止银直到太阳能电池的硅芯的渗透。这种效果尤其在根据本发明提出的发射极端子结构材料例如被溅射时是不必担忧的。
[0012]如上面已经提及，可焊接的金属的发射极端子结构同样如例如由银构成的常规的发射极端子结构那样是可焊接的。由此，借助根据本发明的方法制造的太阳能电池能够在标准生产方法中在没有较大的生产改装的情况下被进一步处理。太阳能电池与其他的太阳能电池或太阳能模块的靠外的端子极的外部的互联能够在不改变方法流程的情况下进行。在根据本发明的方法中，例如能够将含锡的焊料和能导电的带状装置施加到发射极端子结构上。能导电的带状装置例如能够由两个铜编织带构成，所述铜编织带整面地焊接到两个汇流条上。在该示例中，由两个铜带制成的带状装置承担太阳能电池面的电流输出和电流收集功能。
[0013]在根据本发明的方法的另外的可能的实施例中，电流传输不能够经由能导电的带状装置在发射极端子结构的区域中进行，而是直接地经由具有足够大横截面的焊料来进行，所述焊料能够导出在太阳能电池中产生的电流。发射极端子结构本身在此必须仅垂直于发射极接触结构将电流传输至焊料或被焊料覆盖的、能导电的带状装置。而在发射极端子结构中不提供在更大的距离上的横向的电流传输。
[0014]根据本发明所应用的术语太阳能电池芯根据当前的太阳能电池类型而含义有所不同。在标准太阳能电池中，太阳能电池芯包括太阳能电池的典型的η型传导的形成基极的结晶芯、太阳能电池的前侧上的高η型传导的通过将磷扩散到太阳能电池芯中构成的发射极层以及高P型掺杂的通过与铝反应制造的后侧层。位于前侧上的氮化硅抗反射层用于光学的反射最小化并且不再属于太阳能电池芯。
[0015]在另一实施例中，借助根据本发明的方法制造的太阳能电池能够是所谓的异质结太阳能电池，所述异质结太阳能电池利用P型传导的原始晶圆来制造。异质结太阳能电池的太阳能电池芯例如通过沉积未掺杂的、即本征半导体层、η型传导的半导体层和透明的且能导电的表面层来构成。透明的能导电的表面层例如由铟锡氧化物制成。其一方面承担抗反射覆层的功能并且另一方面也具有电气功能，如构成太阳能电池芯的电的外部接触部。
[0016]在太阳能电池的前侧上期望尽可能大的用于光入射的面。与此相应，发射极端子结构应当覆盖并且遮挡太阳能电池前侧的尽可能小的面积。因此，在太阳能电池前侧上有利的是，尽可能细长地构成发射极端子结构。因此，为了良好的导电性，在太阳能电池前侧上整个发射极端子结构借助焊料或被焊料覆盖的能导电的带状装置得以增强。而在发射极位于后侧上的太阳能电池中，并非在每种情况下都需要或期望减小端子结构的面积。在太阳能电池的后侧上通常能够大面积地施加发射极端子结构，其中在该情况下仅能够提出借助焊料或被焊料覆盖的能导电的带状装置来覆盖发射极端子结构的子面。
[0017]在根据本发明的方法的一个设计方案中，该方法还具有下述步骤:制造基极接触结构，所述基极接触结构与基极直接电接触；制造能焊接的金属的基极端子结构，所述金属的基极端子结构与基极接触结构直接电接触，所述金属的基极端子结构至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制成；并且将焊料或被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到基极端子结构上。
[0018]在根据本发明的方法的一个实施方式中，借助下述方法制造基极端子结构，所述方法类似于根据本发明的用于制造发射极端子结构的方法。在此，发射极和基极位于太阳能电池的相对置的侧上。对发射极端子结构和基极端子结构的要求大部分从可焊接性、用于外部连接的材料和对太阳能电池整体的要求中得出。
[0019]在太阳能电池的前侧上，相应设置的端子结构应当与其是否为发射极端子结构和基极端子结构位于太阳能电池前侧上的太阳能电池无关地遮挡尽可能小的面积。因此，在此也有意义的是，基极端子结构位于太阳能电池前侧上，所述基极端子结构的结构尺寸尽可能小地构成并且为了实现在整个基极端子结构上的良好的导电性而设有焊料或被焊料覆盖的能导电的带状装置。在太阳能电池后侧上不一定需要这样整面地覆盖基极端子结构。
[0020]根据与发射极端子结构相邻或与基极端子结构相邻的层序列，能够产生对相应的接触结构的特定的要求。因此要求例如相对于铜的阻挡作用，通常必须防止铜扩散到太阳能电池芯中。当相应的端子结构的相邻层能够实现将铜扩散到太阳能电池芯中时，那么相应的接触结构本身必须为铜的扩散阻挡部。而如果相应的接触结构位于另外的层上、例如位于作用为铜的扩散阻挡部的氮化硅抗反射层上，那么相应的端子结构本身不必具有相对于铜的扩散阻挡作用。
[0021]在根据本发明的方法的一个优选的构造方案中，发射极端子结构和/或基极端子结构以小于5μπι的层厚度制造。在标准太阳能电池中，通常应用由银制成的具有大约20 μ m层厚度的发射极或基极端子结构。在此，需要这种尺寸的银层厚度，因为焊料和银能够良好地融入彼此中并且应当防止由银制成的接触结构的完全溶解以便不会损坏太阳能电池芯。而在根据本发明的方法的所提到的实施例中，发射极和/或基极端子结构优选显著更薄并且以小于5μπ?的层厚度制造。这通过下述方式而是可行的:即镍在施加到发射极和/或基极端子结构上的焊料中具有低的可溶性并且在焊接时将仅几纳米的由镍制成的端子结构溶解在焊料中。由此一方面得到与在常规工艺中相比显著更低的材料消耗。另一方面，现在，为了施加这种薄层也考虑至今为止由于所需要的厚的层厚度出于效率的原因而不适合的方法、例如溅射方法。
[0022]出于进一步最小化成本的原因有利的是，将层厚度选择得尽可能小。因此，按照根据本发明的方法的一个改进形式，发射极端子结构和/或基极端子结构优选以在50nm和500nm之间的层厚度制造。根据太阳能电池的类型，在用于发射极端子结构和/或基极端子结构的制造方法中，对于端子结构的功能而言，在50nm和500nm之间的层厚度是足够的。在制造厚的且低误差的层的层制造方法中，通常更薄的层厚度足以用于制造相应的端子结构。而在制造具有较低质量的层的层制造方法中需要稍大的层厚度。
[0023]按照根据本发明的方法的另一选项尤其优选的是:发射极端子结构和/或基极端子结构以在10nm和150nm之间的层厚度制造。所述层厚度在实际执行根据本发明的方法时被证实为是最佳的，因为其能够尤其有效的进行制造进而引起太阳能电池的低的制造成本，此外，允许极其良好地电接触发射极和/或基极接触结构并且还能够极其良好地焊接。
[0024]在根据本发明的方法的一个有利的变型形式中，发射极接触结构和/或基极接触结构由金属膏和/或从电解池中制造。能够由金属膏低成本地且快速地制造厚的金属层。此外，金属膏能够包含用于刻蚀的组分，使得例如在为了制造金属而对金属膏进行热处理时同时可以局部地刻蚀和打开抗反射层。用于制造厚的金属层的或用于提高薄的晶核层(Keimschicht)的厚度的另一低成本的方法是从电解池中进行制造。在电解池中存在金属离子，所述金属离子通过电势或电化学电势沿朝接触结构的方向移动并且在那里积聚。电解材料沉积能够用于改进或加强不同方式制成的接触结构。
[0025]优选地，发射极接触结构和/或基极接触结构以在5 μ m和50 μ m之间的层厚度构成。这种大的层厚度为了满足发射极和/或基极接触结构的方法方面和结构的任务而被证实为是有利的。根据比电阻，发射极接触结构和/或基极接触结构需要最小的传导横截面，以便实现接触结构的所需的小的传导电阻。此外，接触结构的所需的层厚度也取决于用于制造发射极和/或基极接触结构的方法。例如，由金属膏制造金属层例如是厚层方法，所述厚层方法仅在较大的层厚度的情况下是无错地运行。当由具有比由金属膏制成的接触结构相比更小的比电阻的材料制造接触结构时，或者当接触结构在太阳能电池的后侧上占据较大的面积时，那么5 μ m或还更小的层厚度也是足够大的。
[0026]在根据本发明的方法的一个尤其适当的变型形式中，呈接触指形式的发射极接触结构由银膏制成。在太阳能电池的前侧上由银膏制成的发射极接触结构在太阳能电池的工业制造中建立。然而，在工业传播的方法中不仅制造接触指，而且也由银膏制造与接触指电连接的汇流排。为了制造相对宽的汇流排，在现有技术中，需要大量的银，银占太阳能电池的总成本的显著份额。借助根据本发明的方法，在制造时所使用的银量能够通过下述方式被显著降低:尤其不由银制成汇流排、即发射极端子结构，由此根据本发明的方法发挥其经济上有利的作用。银接触指对于太阳能电池前侧是典型的，然而也能够制造在后侧上具有由银制成的接触指的太阳能电池。
[0027]在根据本发明的方法的另一实施方式中，发射极端子结构和/或基极端子结构通过局部进行的层沉积来制造。为了在太阳能电池的子面上构成端子结构，原则上存在整面地沉积后续地被结构化的层的可行性，或者存在局部进行层沉积的可行性。优选地，采用局部进行的层沉积，因为所述层沉积是更加简单且更加低成本的。此外，局部进行的层沉积对于相对简单的发射极/基极端子结构而言也是足够精确的。对于局部的层沉积而言存在不同的可行性、例如用金属墨进行局部的喷墨印制。
[0028]使用阴影掩膜借助物理真空沉积方法来沉积发射极端子结构和/或基极端子结构被证实为是根据本发明的方法的尤其适当的实施变型形式。借助物理的真空沉积方法、例如溅射制造高质量的金属层，所述金属层的特征在于大的密度和良好的导电性。此外，在物理真空沉积方法中典型地进行定向的覆层，使得经由阴影掩膜能够充分锐利地制造期望的结构。然而原则上，其他的沉积方法、例如化学气相沉积、激光增强的气相沉积或金属膏的丝网印刷用于制造发射极和/或基极的端子结构也是可行的。
[0029]在根据本发明的方法的一个有利的构造形式中，在一个方法步骤中同时地制造发射极端子结构和基极端子结构。通过同时执行这两个方法步骤实现快速的且低成本的制造。实际上，同时的制造例如通过同时运行两个溅射源在太阳能电池的前侧和后侧上进行。
[0030]按照根据本发明的方法的一个有利的设计方案，在至少一个方法步骤中，首先通过丝网印刷金属膏来制造发射极接触结构和/或基极接触结构，并且在一个后续的方法步骤中制造发射极端子结构和/或基极端子结构。该方法变型形式尤其适合于以与现有技术相比改型的方式制造标准太阳能电池。在此，首先大面积地将铝膏印制到太阳能电池的后侧上。随后，在太阳能电池前侧上通过丝网印刷制造银接触指。而形成发射极端子结构或基极端子结构的汇流排不被丝网印刷到太阳能电池的前侧上。随后，煅烧太阳能电池，以便将丝网印刷的膏转换成金属层。在太阳能电池的后侧上，铝在此与硅发生反应，使得形成与铝后侧层良好电接触的高掺杂的后侧层。在太阳能电池的前侧上，指在煅烧步骤之后烧入抗反射层中并且接触太阳能电池前侧上的发射极。此后，在该根据本发明的方法变型形式中，在太阳能电池的前侧和后侧上制造端子结构，例如通过溅射镍来制造。在太阳能电池的前侧上优选经由溅射掩膜来进行溅射。而太阳能电池的后侧优选大面积地被覆层，因为由此在后侧上省去用于制造和清洁溅射掩膜的耗费。在煅烧步骤之后，典型地进行所生产的太阳能电池的最终测量。在根据本发明的方法中，能够需要的是:必须修改最终测量，因为尖的测量尖部能够损坏薄的、通过溅射制成的镍层。
[0031]在根据本发明的方法的另一选项中，所述方法执行为，使得在至少一个方法步骤中首先制造发射极端子结构和/或基极端子结构，并且在后续的方法步骤中制造发射极接触结构和/或基极接触结构。在该方法变型形式中，首先将发射极端子结构和/或基极端子结构施加到太阳能电池芯上或者设置在其上的抗反射层上。发射极接触结构和/或基极接触结构稍后才制造，使得接触结构在端子结构的区域中不与太阳能电池芯直接接触。在太阳能电池的前侧上的汇流排的区域中，也不需要接触结构和太阳能电池芯之间的接触。代替于此，在接触结构和太阳能电池芯之间的接触尤其在大面积的掺杂轮廓部的情况下与所期望的那样相比是更加不利的。所描述的方法变型形式能够在不同的技术中使用。例如，以该方式在标准太阳能电池中防止银接触指在煅烧银膏时在母线的区域中煅烧穿过抗反射层。
[0032]在另一实施例中，上述方法变型形式能够在制造异质结太阳能电池时使用。异质结太阳能电池具有温度敏感的、薄的层，所述层限定制造方法的温度上限。相应地，异质结太阳能电池的制造方法显著地区别于标准太阳能电池的制造方法。这种区别是沉积透明的能导电的氧化物作为抗反射层来代替介电的抗反射层。透明的能导电的氧化物用作为电导体，使得将银膏烧入到介电的抗反射层中的银膏煅烧步骤不是必要的。在异质结太阳能电池的制造方法中也证实了，在发射极接触结构和/或基极接触结构之前制造发射极端子结构和/或基极端子结构。
[0033]在根据本发明的方法的一个典型的构造方案中，借助金属聚合物膏来丝网印刷发射极接触结构和/或基极接触结构，并且随后在小于300°C的温度下执行热处理以将金属聚合物膏转换成至少一个金属层。在制造异质结太阳能电池时，例如在制造标准太阳能电池期间煅烧银膏时850°C的高温是不允许的。所允许的温度在此非常低、例如低于350°C。用于在允许的低温下制造金属结构的经试验的变型形式是利用金属聚合物膏来丝网印刷结构，所述金属聚合物膏通过低于300°C的热处理而能够转换成能导电的金属结构。然而例如银聚合物膏的所述金属聚合物膏是高价格的产品，使得将金属聚合物膏最小化的需求是令人感兴趣的。借助根据本发明的方法的所提及的实施方式，在不使用金属聚合物膏的情况下制造发射极端子结构和/或基极端子结构，使得与也由金属聚合物膏制造端子结构的方法相比使用仅小部分量的金属聚合物膏。
[0034]在根据本发明的方法的一个优选的变型形式中，在至少一个方法步骤中将焊料以至少20 μ m的层厚度施加到发射极端子结构和/或基极端子结构上，或者将被焊料覆盖的铜带装置焊接到发射极端子结构和/或基极端子结构上。以该方式，在端子结构上产生传导横截面，所述传导横截面对于在太阳能电池中产生的电流的传导而言是足够大的。在此尤其优选的是，焊接铜带装置，即通过铜带加强每个汇流排。铜带能够是实心的铜带。然而，其也能够是铜编织物，所述铜编织物在机械方面是更软的并且引起太阳能电池的更小的机械负荷。但是，端子结构也能够不同地进行加强，例如能够将焊料以大的层厚度施加到端子结构上或者能够电镀地加强端子结构。
[0035]本发明的目的还通过一种这种类型的太阳能电池来实现，其中能焊接的金属的发射极端子结构至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制造，其中将焊料或者被焊料覆盖的、能导电的带状装置施加到可焊接的、金属的发射极端子结构上。
[0036]在根据本发明的太阳能电池中，不如现有技术中常见的那样由银构成太阳能电池的前侧端子结构，而是代替于此由镍、镍合金、锡和/或锡合金构成太阳能电池的前侧端子结构。该材料对此是已知的，即其相对于银具有显著更小的导电性。由于上述内容，这种材料、如镍或锡或者其合金至今为止完全不考虑用于构成太阳能电池上的端子结构。当然，如镍、锡和其合金的材料的特征在于:其是可极其良好焊接的。因此，根据本发明施加到发射极端子结构上的焊料或者被焊料覆盖的带状装置能够极其良好地焊接到由镍或锡或者镍和/或锡合金构成的发射极端子结构上。此外，由镍或锡或者其合金构成的发射极端子结构的导电性绝对足以建立发射极接触结构和发射极端子结构之间的适宜的电接触。因此，根据本发明可行的是，通过显著更低成本的材料来取代作为发射极端子结构在现有技术中应用的、通常至超过90%由银制成的进而更加昂贵的母线，进而节约制造太阳能电池时的显著的成本。
[0037]在太阳能电池中，在设置用于用阳光辐照的太阳能电池前侧上存在发射极，使得在该太阳能电池类型中发射极端子结构能够理解为前侧的端子结构。在其他类型的太阳能电池中，在太阳能电池的后侧上也能够设有发射极端子结构，那么其中在根据本发明的太阳能电池中的基极端子位于相对置的前侧上。在发射极端子结构设置在太阳能电池的后侧上的情况下，所述发射极端子结构在一个实施方式中能够相对于前侧端子结构设置，以便从前侧补偿机械力。但是发射极端子结构也能够在另一实施例中例如大面积地或几乎整面地构成，例如以便实现简化的制造。在该情况下，在可焊接的金属的发射极端子结构上设有焊料或被焊料覆盖的能导电的带状装置。焊料或能导电的带状装置在发射极端子结构上形成传导横截面的需要用于传输所产生的光流的显著的部分。
[0038]在根据本发明的太阳能电池的一个有利的改进形式中，以与基极直接电接触的方式设有基极接触结构，并且以与基极接触结构直接电接触的方式设有能焊接的、金属的基极端子结构，所述金属的基极端子结构至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制成，其中在能焊接的、金属的基极端子结构上设有焊料或被焊料覆盖的、能导电的带状装置。在该改进形式中，不仅将发射极接触机构构成在太阳能电池的一侧上，而且也将基极接触结构构成在由镍、镍合金、锡和/或锡合金构成的太阳能电池的另一侧上。以该方式，对于这两个端子结构而言都不需要银，并且实现相对于由银构成的端子结构的尤其大的节约效果。
[0039]在根据本发明的太阳能电池的一个优选的构造形式中，发射极端子结构和/或基极端子结构具有小于5 μ m的层厚度。发射极端子结构和/或基极端子结构不优先电流导体的任务，而是主要用于构成用于施加焊料或被焊料覆盖的能导电的带状装置的适当的基座。为了实现该目的，5 μ m的小的层厚度或者显著小于5 μ m的小的层厚度就已经是足够的。所需的层厚度还取决于用于构成相应的端子结构的制造方法。在产生不那么高质量的层的制造方法中，需要更大的层厚度，并且在产生厚的层的另外的制造方法中，显著更薄的层就已经足以构成适宜的发射极和/或基极端子结构。此外，由端子结构的材料在焊料中的可溶性确定所需的层厚度。端子结构通常必须是足够厚的，以便避免焊料中的或在被焊料覆盖的能导电的带状装置中的端子结构完全溶解。
[0040]在根据本发明的太阳能电池的有利的设计方案中，发射极端子结构和/或基极端子结构具有在50nm和500nm之间的层厚度。尤其优选地,发射极端子结构和/或基极端子结构具有在10nm和150nm之间的层厚度。借助该层厚度，制造完全运转的太阳能电池，其中端子结构的制造成本也是小的。
[0041]在根据本发明的太阳能电池的另一实施方式中，发射极端子结构和/或基极端子结构由金属膏和/或电解沉积的材料构成。由银膏制造发射极端子结构是在工业中建立的且简单的制造方法。然而在此有问题的是，还持续上涨的高的银价。然而，不仅能够使用银膏作为金属膏，在P型掺杂的发射极中也可以使用铝膏。此外，在不同类型的太阳能电池中也能够使用其他的金属膏、例如铜膏。然而，发射极端子结构不必一定由金属膏构成，其他的制造方法、例如电解沉积也是实际可用的。
[0042]在根据本发明的太阳能电池的一个优选的构造方案中，发射极端子结构和/或基极端子结构具有在5 μ m和20 μ m之间的层厚度。相应的端子结构的所需的层厚度从所需要的传导横截面和所允许的传导宽度得出。在太阳能电池的前侧上需要细长的导线，以便遮挡尽可能小的太阳能电池面积。在细长的导线的情况下，将相应更大的层厚度用于实现所需的横截面。在太阳能电池的后侧上通常不需要将导线如在太阳能电池前侧上那样细长地构成。因此，在传导宽度较大的情况下，较小的层厚度足以用于产生充足小的传导电阻。
[0043]尤其有利的是:在根据本发明的太阳能电池的一个实施例中发射极端子结构和/或基极端子结构具有由银膏构成的接触指。呈接触指形式的端子结构能够简单地控制进而在工业中是优选的结构。通过以常规的方式由银膏制造接触指，能够在仅稍微修改的生产线中制造根据本发明的太阳能电池。由此，在改装用于制造根据本发明的太阳能电池的生产线时仅存在小的阻力。
[0044]按照根据本发明的太阳能电池的一个可行的变型形式，发射极接触结构设置在太阳能电池芯和发射极端子结构之间，和/或基极接触结构设置在在太阳能电池芯和基极端子结构之间。在该构造方案中，经由接触结构在太阳能电池芯和端子结构之间建立直接的电接触。所述结构相应于标准太阳能电池中常见的结构。
[0045]在根据本发明的太阳能电池的一个优选的替选构造方案中，发射极端子结构设置在太阳能电池芯和发射极接触结构之间，和/或基极端子结构设置在在太阳能电池芯和基极接触结构之间。在该构造方案中，端子结构之下的面积不用于通过接触结构接触太阳能电池芯或者仅受限制地用于通过接触结构接触太阳能电池芯。所述面也不需要用于接触太阳能电池芯，代替于此，在端子结构的区域中引起太阳能电池芯的更小的损坏并且产生改进的扩散阻挡、例如相对于铜的扩散。

【专利附图】

【附图说明】
[0046]下面，根据附图详细阐明本发明的优选的实施方式、其结构、功能和优点，其中
[0047]图1示意地示出根据本发明的太阳能电池的一个实施方式的横截面；
[0048]图2示意地示出根据本发明的太阳能电池的前侧的视图的俯视图；
[0049]图3示意地示出根据本发明的太阳能电池的后侧的视图的俯视图；
[0050]图4示意地示出根据本发明的太阳能电池的一个替选的实施方式的横截面；
[0051]图5示意地示出根据本发明的太阳能电池的一个替选的实施方式的前侧的俯视图；和
[0052]图6示意地示出根据本发明的太阳能电池的一个替选的实施方式的后侧的俯视图。

【具体实施方式】
[0053]图1示意地示出根据本发明的太阳能电池I的一个实施例的横截面。太阳能电池I具有太阳能电池芯2，所述太阳能电池芯在太阳能电池芯2的相对置的侧上具有发射极3和基极4。在光入射到太阳能电池I中时，进行到发射极3和到位于与太阳能电池I的相对置的发射极3的侧上的基极4的电荷分离和电荷传输。太阳能电池芯2能够除了在图1中示出的层之外还具有其他的层、例如在发射极3和基极4之间的未掺杂的层或者在太阳能电池芯2的这两个表面中的一个上的能导电的层。
[0054]发射极3与能导电的发射极接触结构5直接电接触。此外，在发射极接触结构5上设有发射极端子结构6，所述发射极端子结构横向地连接发射极接触结构5的各个连接片。通过直接电接触，能够将电流沿朝太阳能电池表面的方向从太阳能电池芯2中流动到发射极接触结构5中直至发射极端子结构6中。术语直接电接触也包括太阳能电池芯2具有另外的在此没有示出的层、例如透明导电氧化物的情况。
[0055]在图1中示出的实施例中，发射极接触结构5位于太阳能电池I的前侧9上，所述前侧设置用于用光进行辐照。发射极接触结构5在所示出的实施方式中为由银制成的细线或指，所述银由银膏制成。在根据本发明的太阳能电池I的所示出的实施例中，仅由银制成发射极接触结构5，而由薄的镍层构成发射极端子结构6。在本发明的没有示出的其他的实施方式中，发射极端子结构6也能够由锡、镍合金或锡合金构成。
[0056]发射极端子结构6在图1中示出的实施例中由通常也称作母线的三个汇流排制成。然而，所示出的汇流排的数量不具有进一步的意义。在实践中，能够考虑任何数量的汇流排以用于构成发射极端子结构6。在根据本发明的太阳能电池I中，在该示例中由镍构成的发射极端子结构6上设有焊料或被焊料覆盖的能导电的带状装置11。电传导横截面的大的份额在太阳能电池I运行时由焊料或能导电的带状装置承担，使得发射极端子结构6本身不必是低欧姆的电导体。
[0057]发射极端子结构6在所示出的实施例中是150nm薄的镍层。然而在此，发射极端子结构6不限制于这种层厚度。在本发明的没有示出的另外的实施方式中，发射极端子结构6的层厚度能够位于10nm和150nm之间或者也位于50nm和500nm之间的或者也普遍小于5 μ m的层厚度。然而原则上，根据本发明也能够为发射极端子结构6使用5 μ m之上的层厚度。在图1中应用的镍层上可以在相同的焊接设备中焊接铜带，所谓的桁条，在所述桁条中也能够将带状装置焊接在现有技术中的标准太阳能电池上，所述标准太阳能电池具有由银制成的母线。
[0058]在太阳能电池I的后侧上存在基极接触结构7，所述基极接触结构在所示出的实施例中是大面积的铝层。在基极接触结构7的外侧上施加可焊接的金属的基极端子结构
8。在所示出的实施例中，基极端子结构8以由镍构成的三个汇流排的形式构成。在此，所示出的三个汇流排仅用于示范，其中通常任何数量的汇流排用于构成基极端子结构8是可行的。在本发明的没有示出的另外的实施变型形式中，为了制造基极端子结构8也能够应用锡、镍合金或锡合金。原则上，也能够使用其他的材料以用于制造基极端子结构8。
[0059]在图1中示出的实施例中，发射极端子结构6和基极端子结构8彼此相对置地分别通过经由溅射掩膜溅射镍来构成。在没有示出的另外的实施例中，基极端子结构8也能够整面地例如构成为锡合金层。
[0060]图2示意地示出图1中的根据本发明的太阳能电池I的实施方式的太阳能电池I的前侧9的俯视图。在此，相同的元件设有如在图1中的相同的附图标记。在所述视图中变得清楚的是，发射极端子结构6与发射极接触结构5相比占据大的面积，所述面积在由银构成发射极接触结构5的情况下与相应高的成本联系在一起。而在根据本发明的太阳能电池I中，发射极端子结构6由低成本的金属构成，使得根据本发明的太阳能电池I与由高价的材料、如银制成发射极接触结构和发射极端子结构的太阳能电池相比能够更加低成本地制造。
[0061]图3示意地示出图1和2中的根据本发明的太阳能电池I的实施例的后侧10的视图的俯视图。在此，基极接触结构7几乎整面地施加在太阳能电池I的后侧上。而基极端子结构8局部地以位于发射极端子结构6的条带相对置的三个条带构成。在所示出的实施例中，基极端子结构8通过经由溅射掩膜来溅射制造。在另外的方法变型形式中，条带也能够通过专用的线性的等离子源、通过相对于太阳能电池移动的点状的沉积源以电化学的方式或以另外的方式沉积。
[0062]在图4、5和6中示意地示出替选的根据本发明的太阳能电池I’的一个实施方式。在此，图4示出贯穿太阳能电池I’的横截面；图5示意地示出太阳能电池I’的前侧9的视图并且图6示出太阳能电池I’的后侧10的俯视图。在所示出的实施例中，太阳能电池芯2是异质结太阳能电池，其中基极4和发射极3由不同的材料制成。在所示出的实施例中，基极4是结晶硅晶圆，在所述结晶硅晶圆上沉积发射极3作为梯度层。在该情况下，太阳能电池芯2包括位于发射极3上的、但是在此没有示出的能导电的透明氧化物层，所述氧化物层用作为抗反射和端子层。在该实施例中，在太阳能电池芯2上，在前侧9上首先通过物理气相沉积制造发射极端子结构6。随后，通过用银聚合物膏进行丝网印刷并且随后在300°C下进行热处理来制造发射极接触结构5。在太阳能电池I’的后侧10上由铝层构成基本上整面的基极接触结构7并且紧随于此将可焊接的金属的基极端子结构8构成为同样整面的层。
[0063]所示出的实施例仅用于图解说明和阐述本发明。其绝不将本发明限制于所述实施例。相反，本领域技术人员基于其专业知识了解也能够在充分利本说明书的情况下不同地实现本发明。
[0064]从图1至6中示出的实施例中能够容易地推导出用于制造太阳能电池1、1’的根据本发明所应用的方法。在该方法中首先制造或提供太阳能电池芯2，在所述太阳能电池芯中在光入射到太阳能电池1、1’的前侧9中时提供到发射极3的和到位于与太阳能电池1、I’的与发射极3相对置的一侧10上的基极4的电荷分离和电荷传输。
[0065]随后，制造与发射极3直接电接触的能导电的发射极接触结构5。并行于此，也能够制造基极接触结构7。
[0066]在制造发射极接触结构5之后或者在其之前就已经制造可焊接的金属的发射极端子结构6，所述金属的发射极端子结构与发射极接触结构5直接电接触。并行于此或者在后续的步骤中，能够在太阳能电池1、1’的相对置的侧上制造基极端子结构8。
[0067]为了制造发射极端子结构6使用镍、镍合金、锡和/或锡合金。也有利的是，为了制造基极端子结构8而应用镍、镍合金、锡和/或锡合金。
[0068]发射极端子结构6优选以相对小的层厚度构成。因此，在根据本发明的方法的一个实施变型形式中，例如能够仅使用10nm至150nm厚的镍或镍I凡层作为在现有技术中所应用的银母线的取代物来作为发射极端子结构6。
[0069]根据本发明，在将电池进一步加工成电池互联的模块、S卩在所谓的串接(Stringing)时在模块工艺中,在所制成的娃太阳能电池上需要发射极端子结构6或母线。在此值得一提的是，尽管在根据本发明的太阳能电池1、1’的制造方法中根据本发明而执行改变，而不必要在用于制成的模块的另外的工艺流程中进行改变，如这在现有技术中已知的同样引起银膏的更小的成本的另外的技术中是这种情况。此外，能够借助标准电池连接器、标准焊料和标准模块仪器尤其在应用桁条的情况下进行工作。
[0070]例如用于制造发射极端子结构6的薄的镍层例如能够借助于真空沉积、如溅射沉积来进行沉积。镍在标准焊料材料中的溶解速率与银的溶解速率相比小得多，由此得到下述可行性:在制造发射极端子结构6时以上面给出的小的层厚度进行加工。
[0071]为了在沉积时就已经实现发射极端子结构6的相应的结构化，推荐在沉积分别用于发射极端子结构6的层时应用阴影掩膜，其中应产生母线(发射极端子结构6)的区域被空出并且被相应地覆层。
[0072]太阳能电池1、1’的后侧10能够如上面已经提及的那样为了制造基极端子结构8而整面地覆层或者同样利用阴影掩膜仅在要制造的母线(基极端子结构8)的特定的位置处构成。
[0073]相应应用的溅射覆层能够在一个工艺步骤中通过从上方和下方并行覆层来进行。优选地，利用将置入有太阳能电池和其阴影掩膜的衬底载体或承载件借助太阳能电池晶圆装配分别应用的溅射覆层设备。在此，需要注意阴影掩膜和太阳能电池尽可能齐平，从而使其能够引起锐利的棱边和在太阳能电池的有源区域中尽可能没有过溅射(Hintersputterung)。
[0074]在后续的方法步骤中，例如借助于被焊料覆盖的能导电的带状装置11来设置构成发射极端子结构6的镍层条带并且与其焊接。串接工艺中的薄的镍层的可焊接性典型地是良好的。得到如在纯银母线中类似的抽拉力，即>2N。
[0075]根据本发明所应用的工艺流程在应用后侧钝化的标准太阳能电池(“PassivatedEmitter and Rear Contacts,钝化的发射极和后接触-结构”)的情况下如下进行:
[0076]-对呈接触指的形式的发射极和基极接触结构5、7进行丝网印刷；替选地构成在母线位置上中断的接触指结构；
[0077]-煅烧接触指结构；
[0078]-经由阴影掩膜以真空方法在太阳能电池的前侧和后侧9、10上沉积发射极和基极端子结构6、8 ;
[0079]-在闪光器上进行最终测量，其中在闪光器的测量台上优选必须通过测量条取代测量管脚，所述测量管脚通常套装在母线上。
[0080]在制造异质结太阳能电池时，根据本发明得到下述工艺流程:
[0081]-用透明导电氧化物(TCO)以溅射方法对太阳能电池芯2覆层；
[0082]-提取；
[0083]-安置阴影掩膜；
[0084]-在构成发射极端子结构6和基极端子结构8的情况下在太阳能电池的前侧和后侧9、10上进行NiV覆层(NiV覆层能够在如TCO覆层相同的设备中执行；然而也能够使用用于利用阴影掩膜进行双侧覆层的专门设计的PVD设备)；
[0085]-在构成银接触指的情况下在太阳能电池前侧9上印制发射极接触结构5(可能具有在镍母线之上的凹陷部)；
[0086]-干燥银膏；
[0087]-在闪光器(Flasher)上进行最终测量。
[0088]尽管在上面描述的范例的方法变型形式中基本上以借助PVD方法制造例如用于制造发射极和基极端子结构6、8的镍层为基础,完全也能够考虑借助于丝网印刷方法来制造所述层。为此，当然需要相应的膏。尽管被印制的层通常比被溅射的层更厚，然而这在太阳能电池的制造成本方面可承受，因为根据本发明所提出的材料、例如镍、锡、镍合金或锡合金比在现有技术中所应用的银明显更便宜。
[0089]通过根据本发明所提出的太阳能电池1、1’和相应提出的根据本发明的方法在标准(PERC)太阳能电池的太阳能电池制造工艺中能够节省掉50%至80%的否则应用的银膏。当使用根据本发明的方法来制造异质结太阳能电池时，实现尤其显著的节约。在此，能够节省多于50%的极其昂贵的聚合物银膏。
[0090]根据本发明的方法还引起借助有效的且低成本适宜的标准电池连接工艺显著地改进异质结太阳能电池的正面焊接，这在现有技术的这种形式中至今为止是不可行的。根据本发明的方法的特征还在于:其完全地与标准模块制造方法兼容。因此，例如能够在常规的桁条上进行焊接。在模块范围中的仪器的改型在应用根据本发明的方法时不是必要的，标准仪器能够不经改变地继续应用。
[0091]尽管存在上面提出的在应用根据本发明的方法时显著的节约可行性，根据本发明，电池连接的质量与标准焊接技术是相似的。得到>2N的抽拉力。此外，在根据本发明的太阳能电池1、1’上不会产生由于后侧母线引起的钝化的后侧或后表面区域上的损耗，这在根据本发明制造的太阳能电池1、1’中能够引起与现有技术相比高大约0.1%至0.2%的效率。
【权利要求】
1.一种用于制造太阳能电池(1，1’)的方法，其包含下述方法步骤: -制造太阳能电池芯(2)，在所述太阳能电池芯中在光入射到所述太阳能电池(1，1’ )的前侧(9)时提供到发射极(3)的和到位于与所述太阳能电池(1，1’ )的所述发射极相对置的一侧上的基极(4)的电荷分离和电荷传输； -制造呈接触指形式的能导电的发射极接触结构(5)，所述接触指与所述发射极(3)直接电接触；并且 -制造呈汇流排形式的能焊接的金属的发射极端子结构￠)，所述汇流排与所述发射极接触结构(5)直接电接触并且横向地连接所述发射极接触结构(5)的所述接触指； 其中在所述太阳能电池(1，1’ )的相对置的侧上的基极(4)和发射极(3)接触， 其特征在于， 至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制成能焊接的金属的所述发射极端子结构(6)并且将焊料或者被焊料覆盖的、能导电的带状装置(11)施加到所述发射极端子结构(6)上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还具有下述方法步骤: -制造基极接触结构(7),所述基极接触结构与所述基极(4)直接电接触； -制造能焊接的金属的基极端子结构(8),所述基极端子结构与所述基极接触结构(7)直接电接触，所述基极端子结构至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制成；并且 -将焊料或被焊料覆盖的、能导电的带状装置(12)施加到所述基极端子结构(8)上。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)以小于5 μ m的层厚度制造。
4.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构⑶以在50nm和500nm之间的层厚度制造。
5.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构⑶以在10nm和150nm之间的层厚度制造。
6.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，所述发射极接触结构(5)和/或所述基极接触结构(7)由金属膏和/或从电解池中制造。
7.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，所述发射极接触结构(5)和/或所述基极接触结构(7)以在5 μ m和50 μ m之间的层厚度构成。
8.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，所述发射极接触结构(5)由银膏制成。
9.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)通过局部进行的层沉积来制造。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)使用阴影掩膜借助物理真空沉积方法来沉积。
11.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，在一个方法步骤中同时制造所述发射极端子结构(6)和所述基极端子结构(8)。
12.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，在至少一个方法步骤中首先通过丝网印刷金属膏来制造所述发射极接触结构(5)和/或所述基极接触结构(7)，并且在一个后续的方法步骤中制造所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)。
13.根据权利要求1至11中的至少一项所述的方法，其特征在于，在至少一个方法步骤中首先制造所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)，并且在后续的方法步骤中制造所述发射极接触结构(5)和/或所述基极接触结构(7)。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，借助金属聚合物膏来丝网印刷所述发射极接触结构(5)和/或所述基极接触结构(7)，并且随后在小于300°C的温度下执行热处理以将所述金属聚合物膏转换成至少一个金属层。
15.根据上述权利要求中的至少一项所述的方法，其特征在于，在至少一个方法步骤中将所述焊料以至少20 μ m的层厚度施加到所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)上，或者将铜带装置焊接到所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)上。
16.一种太阳能电池(1，1’)，具有 -太阳能电池芯(2)，在所述太阳能电池芯中在光入射到所述太阳能电池的前侧(9)时提供到发射极(3)的和到位于与所述太阳能电池(1，1’ )的所述发射极相对置的一侧上的基极(4)的电荷分离和电荷传输； -呈接触指形式的能导电的发射极接触结构(5)，所述接触指与所述发射极(3)直接电接触；和 -呈汇流排形式的能焊接的金属的发射极端子结构￠)，所述汇流排与所述发射极接触结构(5)直接电接触并且横向地连接所述发射极接触结构(5)的接触指； 其中在所述太阳能电池(1，1’ )的相对置的侧上的发射极(3)和基极(4)接触， 其特征在于， 至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制造能焊接的金属的所述发射极端子结构￠)，其中在能焊接的金属的所述发射极端子结构(6)上设有焊料或者被焊料覆盖的、能导电的带状装置(11)。
17.根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，以与所述基极(4)直接电接触的方式设有基极接触结构(7)，并且以与所述基极接触结构(7)直接电接触的方式设有能焊接的、金属的基极端子结构(8)，所述基极端子结构至少由镍、镍合金、锡和/或锡合金制成，其中在能焊接的、金属的所述基极端子结构(8)上设有焊料或被焊料覆盖的、能导电的带状装置(12)。
18.根据权利要求16或17所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)具有小于5 μ m的层厚度。
19.根据权利要求16至18中的至少一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)具有在50nm和500nm之间的层厚度。
20.根据权利要求16至19中的至少一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)具有在10nm和150nm之间的层厚度。
21.根据权利要求16至20中的至少一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)由金属膏和/或电解沉积的材料构成。
22.根据权利要求16至21中的至少一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)具有在5μηι和20 μ m之间的层厚度。
23.根据权利要求16至22中的至少一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极端子结构(6)和/或所述基极端子结构(8)具有由银膏构成的接触指。
24.根据权利要求16至23中的至少一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极接触结构(5)设置在太阳能电池芯(2)和发射极端子结构(6)之间，和/或所述基极接触结构(7)设置在太阳能电池芯(2)和基极端子结构(7)之间。
25.根据权利要求16至23中的至少一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述发射极端子结构(6)设置在太阳能电池芯(2)和发射极接触结构(5)之间，和/或所述基极端子结构⑶设置在太阳能电池芯⑵和基极接触结构(7)之间。
【文档编号】H01L21/283GK104185904SQ201280068873
【公开日】2014年12月3日 申请日期:2012年11月14日 优先权日:2011年12月1日
【发明者】迈克尔·格里姆, 威廉·施泰因, 马丁·普莱蒂希, 朱塞佩·奇塔雷拉 申请人:威廉·施泰因