具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法
【专利摘要】一种具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法，其中发光二极管元件包括发光二极管元件基板、发光二极管晶粒及透光封装层，而发光二极管元件基板则包括基板本体、凹陷侧边电极、致能回路及厚膜遮蔽层，在制作过程中，需在一片区分出多个基板本体的基片上，钻出多个贯穿基板本体的侧面穿孔，并于基板本体的上表面及侧面穿孔的壁面溅镀及电镀致能回路及凹陷侧边电极，再将厚膜遮蔽层由上方遮蔽凹陷侧边电极，其中厚膜遮蔽层更形成有一个环绕遮蔽的环绕壁，可供设置在基板本体上的发光二极管晶粒受环绕壁所环绕，再由透光封装层完整覆盖封装。
【专利说明】具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法【【技术领域】】
[0001]本发明是关于一种具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法，尤其是一种可使出光均匀及保护侧边电极的发光二极管元件及其制造方法。
【【背景技术】】
[0002]目前发光二极管(LED)已相当普及，LED组件不仅体积小、反应时间快、使用寿命长、亮度不易衰减、且耐震动，因此LED组件渐渐取代包括显示器背光光源、照相机闪光灯、交通号志、车头及车尾灯，甚至逐渐有取代照明灯泡的趋势。
[0003]一般太阳光所提供的白光，在光谱分布上相当广泛，且各种波长的成分均具备。但是对于人类视觉而言，真正可以被视觉神经感测的色光，依照其光波长主要区分为波长约为622nnT780nm的红光、波长约为492nnT577nm的绿光、及波长约为455nnT492nm的蓝光，只要三种色光兼备，且彼此以一个预定的比例组合，就会被认定为白光。所以为能提供人类视觉上所认知的白光光源，可以采取红、绿、蓝三色的LED晶粒光源组合；但是更简单的方式，则是如图1所示，将蓝光LED晶粒I设置在基板40上，经由焊垫42供电使其发出短波长的蓝光，再于LED晶粒I发光处涂上一层混有发出黄色荧光的荧光层2，或者是同时混入可发红光的荧光材料与绿光的荧光材料，LED晶粒I所发的蓝光因而被荧光层2部分吸收，并受到激发而从荧光层2射出与蓝光互补的黄光或红绿光，并与LED晶粒I发出且未被吸收而透射出的蓝光混合，便可欺骗人类视觉而混合出肉眼所认定的白光。
[0004] 但在公知技术的制造过程中，由于荧光层2是以胶状被倾倒在焊接于基板40的LED晶粒I之上，并且任其凝结固着，一旦分布于LED晶粒I上的荧光层2厚度不均则形成如图上标号所示的较薄区域21及较厚区域22，故当LED晶粒I发光时，较薄区域21因为荧光材质较少，透射出的蓝光较多，受激发射出的黄色荧光较少，使得射出颜色偏蓝；相反地，较厚区域22所吸收蓝光与所放射出的黄色荧光较多，使得该区域所发黄光比例较高，使荧光层厚度不同的区域的色光分布不均。
[0005]为解决荧光层厚度分布不均的问题，已有业者提出如图2所示的结构，在基板40’上一体化地烧结形成一个杯状部44’，杯状部44’中自然形成向内凹陷的容置空间440’ ；LED晶粒I’则是以覆晶方式成形于一个基板上，并且将基板与LED晶粒I’一同放置于一个模具中，从而将含有荧光粉的胶均匀成形在LED晶粒I’的外表面上，使得将来成形的覆晶LED单体10’具有完整包覆LED晶粒I’的平坦荧光层2’。
[0006]另一方面，由于成形LED晶粒的过程，通常是在一片晶圆上同时规划成形例如两万颗LED晶粒，最后再将布局好电路的晶圆分离为众多的晶粒，因此在分离的过程中，往往会有一定比例的晶粒，其边界并非完全笔直，而是有些许凹凸的部分存在。上述公知技术在将晶粒覆晶固定于基板上后，需要将LED晶粒反向置入模具中，藉以成形包覆该LED晶粒的荧光层，此时，一旦LED晶粒边界有所突出，将造成制作上的困难，降低产品良率从而提升制造成本。
[0007]再者，亦有业者提出在陶瓷基板上贴附一个预先成形的杯状环绕壁，并供LED晶粒及荧光层设置其中的解决方案，但一方面，以机械设备贴附的精度有限，误差常可达数十至数百微米；另一方面，贴附效果并非相当牢靠。尤其高亮度LED操作过程中发出高温，基板与环绕壁受冷热交互冲击，更易剥离，使得此种制程制造出的产品，品质不佳，产品定位因而较低。
[0008]为解决上述问题，更有业者提出基板形成有环绕壁的发光二极管元件，如图3所示，其环绕壁44”是透过高精度的光阻膜曝光显影而成，并非与基板40”同步烧结而成，使得制程较具弹性，可以完全配合市场需求尺寸，以确保环绕壁44”的大小尺寸精密而符合预期，还可进一步预留些许安装缝隙，从而容纳LED晶粒切割后在边界处形成的不平整边缘。但在批次制造发光二极管的过程中，制作侧边电极，往往需要先将发光二极管元件先以条状分离，并使各侧边暴露，叠置后进行例如溅镀，再将整条元件逐个分离，并随后滚镀而完成侧边电极，过程不仅繁杂，作业上也相当费时。
[0009]为能轻易的制作侧边电极，更有如图4所示的公知技术，是在尚未裁切的基片4”’上，先区分出多个基板40”’的范围，并在每个基板40”’与基板40”’间，预先形成多个贯穿基片的孔洞48”’，并以网版印刷的方式，在基板正面压印出如图5所示的正面的电极42”’以供二极管晶粒导电连接，随后再将晶粒焊接至例如其中一个正面的电极42”’上，以及焊接导线。最后点荧光胶封装晶粒及导线，为避免荧光胶流入孔洞48”’内而阻断未来的侧边电极46”’与正面的 电极42”’间顺利连结，此时业者会再度以网版印刷方式，将粘稠的玻璃胶3”’预先由基板40”’的正面封住孔洞48”’的上端，藉以避免粘稠度较低的荧光胶流入。
[0010]随后，经由切割基片4”’，使图中左右相连的基板40”’分离，孔洞48”’因而由侧面暴露，再从侧面在孔洞48”’处形成侧边电极46”’，使其与正面的电极42”’以及基板背面的电极(图未示)连结，完成上下电路的导通。但是如图5所示，即使玻璃胶3”’的粘稠度较高，仍有部分机率会占据孔洞48”’上端，让形成的侧边电极46”’无法顺利导接至正面的电极42”’，便会造成预定导接的回路中断，使得制作出的发光二极管元件成为无法发光或发光效果较差的不良品，良率因而不佳。
[0011]因此，如何能制作出一种具有环绕二极管晶粒的环绕壁，以便让注胶均匀，发光色彩均一；同时简化侧边电极的制作程序；以及确保侧边电极与正面的电极间导接关系，提升整体制造良率，这都会是本发明所要重视的焦点。
【
【发明内容】
】
[0012]本发明之一目的在于提供一种使LED晶粒外表的荧光层均匀平坦、使LED元件各不同位置所发的光的波长分布均匀的发光二极管元件。
[0013]本发明之一目的在于提供一种具有易于改变规划尺寸的环绕壁、故可因应客户需求而提供多样产品的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板。
[0014]本发明的又一目的在于提供一种具有环绕壁，使得LED晶粒置入时不受晶粒边界不整齐所限制的发光二极管元件基板。
[0015]本发明的再一目的在于提供一种批次制造时，可轻易设置侧边电极的发光二极管元件制造方法。
[0016]本发明的再一目的在于提供一种可以确保侧边电极和正面的电极间导接良好，提升产品良率的发光二极管元件制造方法。[0017]依照本发明揭示的一个具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板，是供发光二极管晶粒设置，该发光二极管元件基板包括:一片基板本体，具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘；至少一个成型于上述两端缘之一的凹陷侧边电极；一个布局在至少该上表面的致能回路，该致能回路至少包括一个供上述发光二极管晶粒安装的安装区，且上述凹陷侧边电极被导接至该致能回路；及一个设置于至少该上表面的厚膜遮蔽层，由上方遮蔽上述凹陷侧边电极，其中该厚膜遮蔽层形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，以及该环绕壁与该基板共同形成一个使该安装区被暴露的容置空间。
[0018]依照本发明揭示的一个具有厚膜环绕壁的发光二极管元件，包括:一片发光二极管元件基板，包括一片基板本体，具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘；至少一个成型于上述两端缘之一的凹陷侧边电极；一个布局在至少该上表面的致能回路，该致能回路至少包括一个安装区，且上述凹陷侧边电极被导接至该致能回路；及一个设置于至少该上表面的厚膜遮蔽层，由上方遮蔽上述凹陷侧边电极，其中该厚膜遮蔽层形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，以及该环绕壁与该基板共同形成一个使该安装区被暴露的容置空间；且该发光二极管元件还包括:至少一个安装于上述安装区、并被导接至上述致能回路的发光二极管晶粒；及一层完整覆盖该发光二极管晶粒的透光封装层。
[0019]依照本发明揭示的一种具有厚膜环绕壁的发光二极管元件的制造方法，是供至少一个具有一组致能端部的发光二极管晶粒设置，并将一片基片预先区划成多个基板本体，前述各基板本体分别具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘，其中该二极管元件的制造方法包括下列步骤:
[0020]a)分别在前述各基板本体对应前述端缘位置形成多个贯穿前述上下表面的侧面穿孔；
[0021]b)分别将多个具有一个安装区的致能回路布局在前述各基板本体上表面，并至少分别在前述两端缘之一及对应该端缘的侧面穿孔设置一个导接该对应致能回路的凹陷侧边电极；及
[0022]c)将一个厚膜遮蔽层设置于各前述上表面，从上方遮蔽各前述凹陷侧边电极，其中每一上述厚膜遮蔽层分别形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，并与各上述对应基板本体共同形成有使各上述对应安装区被暴露的容置空间。
[0023]由于本发明所揭示的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法，是以光阻膜曝光显影叠层出厚膜遮蔽层，其中厚膜遮蔽层形成的环绕壁是以光学方式成形，因此尺寸能够达到符合预期的精准程度，亦不需针对不同尺寸分别准备特定的不同模具，使得尺寸与形状的弹性不会受限。
[0024]而且在批次的制作过程中，可在尙未切割的基片上先形成多个贯穿的侧面穿孔，有助于凹陷侧边电极的设置，无需再透过额外的侧边电极设置程序，简化整体作业流程；另方面，由于厚膜遮蔽层是以整片覆盖在基板的表面，受到厚膜遮蔽层整片张力的支撑，令厚膜遮蔽层只会保持在能遮蔽住侧面穿孔的开口处，而不会侵入至侧面穿孔内，使得凹陷侧边电极能够更容易的被设置在侧面穿孔内，增加生产良率，进而达成上述所有之目的。【【专利附图】
【附图说明】】
[0025]图1是一种公知技术的发光二极管元件结构侧视图；
[0026]图2是另一种公知技术的发光二极管元件结构爆炸图；
[0027]图3是又一种公知技术的发光二极管元件结构侧视图；
[0028]图4是再一种公知技术的发光二极管元件结构侧视图；
[0029]图5是图4发光二极管元件的孔洞设有玻璃胶的侧视图；
[0030]图6是本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法的第一较佳实施例的制作流程图；
[0031]图7是本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板尚未切割的俯视图；
[0032]图8是图7的发光二极管元件基板的侧视图；
[0033]图9是图8的发光二极管元件基板开设有多个侧面穿孔的侧视图；
[0034]图10是图9的发光二极管元件基板的上表面、下表面及侧面穿孔的壁面溅镀一层种子层的侧视图；
[0035]图11是图10的发光二极管元件基板位于上表面的种子层设置一层牺牲光阻膜及光罩的侧视图；
[0036]图12是图11的发光二极管元件的种子层电镀增厚及蚀刻成致能回路及凹陷侧边电极的侧视图；
[0037]图13是图12的发光二极管元件的上表面附着一层第一光阻膜及光罩的侧视图；
[0038]图14是图13的第一光阻膜曝光及显影后形成一个预定形状的侧视图；
[0039]图15是图14的第一光阻膜上再附着一层第二光阻膜的侧视图；
[0040]图16是图15的第一光阻膜及第二光膜共同构成一个具有环绕壁的厚膜遮蔽层；
[0041]图17是图16的发光二极管元件基板设置有厚膜遮蔽层的俯视图；
[0042]图18是图17的发光二极管元件基板设置有发光二极管晶粒，并连接导线至凹陷侧边电极的侧视图；
[0043]图19是图18的环绕壁内设置荧光材质胶体的侧视图；
[0044]图20是图19的发光二极管元件基板设置一层封装透光层的侧视图；
[0045]图21是图20的发光二极管元件基板彼此分离，并完成发光二极管元件的侧视图；
[0046]图22是图21的发光二极管元件的发光二极管晶粒是连接两条线至对应的凹陷侧边电极的侧视图；
[0047]图23是本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法的第二较佳实施例的制作流程图；
[0048]图24是本发明的发光二极管元件基板另在厚膜遮蔽层上另设置一层牺牲光阻膜及光罩的侧视图 '及
[0049]图25是图24的厚膜遮蔽层设置一层金属反射薄膜层的侧视图。
[0050]图26是本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法的第三较佳实施例的侧视图；及
[0051]图27是图2 6的发光二极管元件的立体图。
[0052]【主要元件符号说明】[0053]1、1’ …LED 晶粒10’ …LED 单体
[0054]2…荧光层21…较薄区域
[0055]22…较厚区域40、40’、40”、40”’…基板
[0056]42…焊垫44’…杯状部
[0057]44”…环绕壁4”’…基片
[0058]48”’…孔洞46’”…侧边电极
[0059]5…封装透光层50…模具
[0060]6…发光二极管兀件基板 61、61”…凹陷侧边电极
[0061]610…种子层62、62’…厚膜遮蔽层
[0062]621…第一光阻膜622…第二光阻膜
[0063]629、629”…环绕壁620、620’…牺牲光阻层
[0064]65、65”…致能回路66…基片
[0065]67，…金属反射薄膜层 60、60’…基板本体
[0066]601、601’…上表面602…下表面
[0067]603…侧面604…端缘
[0068]600…侧面穿孔6010…安装区
[0069]7、7’…光罩8、8”…发光二极管晶粒
[0070]81…导线9、9”…焚光材质胶体
[0071]440’…容置空间42”’…电极
[0072]3”’…玻璃胶
【【具体实施方式】】
[0073]有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合说明书附图的较佳实施例的详细说明中，将可清楚呈现；此外，在各实施例中，相同的元件，将以相似的标号表
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[0074]本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法的第一较佳实施例，其制作流程如图6的流程图所示，首先如步骤101与图7及图8所示，是在一片基片66预先区划成多个彼此连结的多个基板本体60，并分别具有一个上表面601、一个下表面602、两个侧面603及两个端缘604，其中侧面603分别连接上表面601及下表面602，再于步骤102与图9所示，于每个基板本体60的端缘604方向之间，以工具钻出多个贯穿上表面601及下表面602的侧面穿孔600，再如步骤103与图10，在各基板本体60的上表面601、侧面穿孔600壁面及下表面602同时派镀一层种子层610。
[0075]接下来如步骤104及图11所示，在位于上表面601及下表面602的种子层610上，压印一层牺牲光阻层620，并以一个具有预定图案的光罩7设置在牺牲光阻层620表面，随即曝光，令被光照到的牺牲光阻层620部分固化，再将牺牲光阻层620被遮蔽且未固化部分显影去除，再来如步骤105及一并参考图11及图12，以电镀的方式将种子层610未被牺牲光阻层620遮敝到的部份增厚，并将剩下的牺牲光阻层620去除，而原先被牺牲光阻层遮敝而未被增厚的种子层610则是用化学蚀刻方式去除，即形成一个致能回路65，及一个导接该对应致能回路65的凹陷侧边电极61，其中致能回路65是布局在上表面601，并形成有一个安装区6010，凹陷侧边电极61则是成型于端缘604，并延伸至对应的侧面603。
[0076]步骤106如图13所示，于上表面601压印一层第一光阻膜621，并于步骤107将另一组光罩7覆盖于第一光阻膜621上进行曝光,使第一光阻膜621裸露部分被固化,随后将未被固化的第一光阻膜621进行显影去除，形成如图14所示的第一光阻膜621具有一个如预定的环绕形状，若压印的第一光阻膜621未达预定厚度时，步骤108再如图15所示，于已经显影的第一光阻膜621上，增加压印一层上层光阻膜，作为增厚用的第二光阻膜622，重复上述的曝光与显影流程，直到达成预定厚度，即成为如图16及图17所示，一层设置于上表面601的厚膜遮蔽层62，且凹陷侧边电极61及侧面穿孔600更可被厚膜遮蔽层62从上方所遮蔽，而原先未被固化而被显影去除的部份，则形成一个环绕壁629，其中环绕壁629是呈环绕遮蔽安装区6010，并与对应的基板本体60共同形成有一个容置空间，使对应的安装区6010被暴露出，即完成多个发光二极管元件基板6尚未进行分离的结构。
[0077]由于厚膜遮蔽层62是以整片覆盖，受到厚膜遮蔽层62整片张力的支撑，使得厚膜遮蔽层62只会保持在能遮蔽住侧面穿孔600的开口处，而不会侵入至侧面穿孔600内，在此阶段若再进行电镀增厚作业，由于侧面穿孔600内呈通畅且没有阻隔物，因此仍可保持回路的导电性。
[0078]接着进一步在发光二极管元件基板上进行后续加工，制作出本发明的发光二极管元件，接续步骤109，并如图18所示，将发光二极管晶粒8安装至容置空间中的安装区6010上，本例中的发光二极管晶粒8的二电极端中，其一是形成在发光二极管晶粒8的底部并接致能回路65，另一电极则形成在发光二极管晶粒8发光面的导电端，由导线81电气连接至与致能回路65断开的凹陷侧边电极61 ;再于步骤110—并参考如图19所示，将含有荧光材质的液态胶体的荧光材质胶体9注入环绕壁629内的容置空间中，直到完全覆盖住发光二极管晶粒8且充满环绕壁629内，待荧光材质胶体9厚度均匀时，使其固化，令发光二极管晶粒8发出的光穿透荧光材质胶体9即可改变，例如将黄色的荧光材质胶体9覆盖发出蓝色的发光二极管晶粒8，即可产生出白光。
[0079]步骤111进行封装作业，如图20所示，将尚未被分离的诸多发光二极管元件基板6所构成的完整基材共同置入一个模具50中，模具50内形成有多个分别对应各发光二极管元件基板6的预定形状模穴，并向模穴中注入透明材质树脂，经过一定时间后将模具50卸除，即会在各发光二极管元件基板6上形成一个预定形状的封装透光层5，并完整覆盖住发光二极管晶粒8、环绕壁629、及固化后的荧光材质胶体9 ;最后再于步骤112以例如工具切割或激光切割，令发光二极管元件基板6分离，制成如图21所示具有厚膜环绕壁的发光二极管元件。
[0080]当然，本例的凹陷侧边电极亦可如图22所示，分别设置在两个端缘604位置，令基板本体60的上表面601部分暴露而形成安装区6010，供发光二极管晶粒8贴附安装，且发光二极管晶粒8的二电极端，则是都形成在发光面的方向，是以导线81分别电气连接至两侧的凹陷侧边电极61，同样能制作出具有厚膜环绕壁的发光二极管元件。
[0081]另方面，在本例中，如果要发光二极管元件产生出白光，亦可将三种不同发光颜色的发光二极管晶粒(R.G.B)设置在同一个环绕壁内，令三个发光二极管晶粒发出的光彼此混色而转换为白光，因此，便可不需再额外在发光二极管晶粒上覆盖一层荧光材质胶体。
[0082]本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法的第二较佳实施例，在本例中，更可在厚膜遮蔽层上另设置一层金属反射薄膜层，其流程如图23所示，一开始如步骤201，并如图24所示，在基板本体60 ’的上表面601 ’及厚膜遮蔽层62 ’上设置一层牺牲光阻膜620’，并再以光罩7’覆盖，随即进行曝光及显影，使得牺牲光阻膜620’露出对应厚膜遮蔽层62’的部份，接下来如步骤202，在厚膜遮蔽层形成一个金属材质的种子层，再如步骤203，以电镀的方式令种子层增厚，再将剩于的牺牲光阻膜620’去除掉，最后进行同样的切割作业，使得本例的发光二极管元件，形成有如图25所示的金属反射薄膜层67’，可利用金属反光的特性，令出光效率有所提升。
[0083]本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法的第三较佳实施例，如图26及图27所示，在本例中，环绕壁629”的内缘是呈环绕圆状，而发光二极管晶粒8”的二电极端则是形成于晶粒底面，因此本例的发光二极管晶粒8”可利用覆晶技术，将锡球先附着于发光二极管晶粒8”的电极端，再利用高周波将发光二极管晶粒8”焊接于致能回路65”与断开的凹陷侧边电极61”，而荧光材质胶体9”在本例中则是例示为荧光粉末，并以喷粉的方式附着于发光二极管晶粒8”表面。
[0084]本发明的具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板、元件及制法，其厚膜环绕壁是以光阻膜曝光显影叠层所制成，并于基板成形后才设置形成于基板上，精度尺寸相当符合预期，误差可限制在ΙΟμπι以下，且以后制过程在例如陶瓷基板上成形环绕壁，可以提供绝佳的制造弹性，完全配合市场需求。
[0085]而且在批次的制作过程中，可在尙未切割的基片上先形成多个贯穿的侧面穿孔，使得凹陷侧边电极可在尙未切割基片的阶段，便可设置在基板本体的端缘，并延伸至对应的侧面，简化整体作业流程；再者，厚膜遮蔽层是以整片覆盖在基板的表面，由于受到厚膜遮蔽层整片张力的支撑，令厚膜遮蔽层只会保持在能遮蔽住侧面穿孔的开口处，而不会侵入至侧面穿孔内，由于侧面穿孔内通畅且没有阻隔物，因此再次进行电镀增厚作业时仍可保持回路的导电性，使得生产良率有所提升，进而达成上述所有的目的。
[0086]惟以上所述者，仅本发明的较佳实施例而已，当不能以此限定本发明实施的范围，即大凡依本发明权利要求书及说明书内容所作简单的等效变化与修饰，皆仍属本发明专利涵盖的范围内。
【权利要求】
1.一个具有厚膜环绕壁的发光二极管元件基板，是供发光二极管晶粒设置，该发光二极管元件基板包括: 一片基板本体，具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘； 至少一个成型于上述两端缘之一的凹陷侧边电极； 一个布局在至少该上表面的致能回路，该致能回路至少包括一个供上述发光二极管晶粒安装的安装区，且上述凹陷侧边电极被导接至该致能回路；及 一个设置于至少该上表面的厚膜遮蔽层，由上方遮蔽上述凹陷侧边电极，其中该厚膜遮蔽层形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，以及该环绕壁与该基板本体共同形成一个使该安装区被暴露的容置空间。
2.如权利要求1所述的发光二极管元件基板，更包括一层至少部分覆盖该厚膜遮蔽层的金属反射薄膜层。
3.如权利要求1或2所述的发光二极管元件基板，其中前述环绕壁系多层光阻叠层。
4.一个具有厚膜环绕壁的发光二极管元件，包括: 一片发光二极管元件基板，包括 一片基板本体，具有一 个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘； 至少一个成型于上述两端缘之一的凹陷侧边电极； 一个布局在至少该上表面的致能回路，该致能回路至少包括一个安装区，且上述凹陷侧边电极被导接至该致能回路；及 一个设置于至少该上表面的厚膜遮蔽层，由上方遮蔽上述凹陷侧边电极，其中该厚膜遮蔽层形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，以及该环绕壁与该基板本体共同形成一个使该安装区被暴露的容置空间；及 至少一个安装于上述安装区、并被导接至上述致能回路的发光二极管晶粒；及 一层完整覆盖该发光二极管晶粒的透光封装层。
5.如权利要求4所述的发光二极管元件，更包括一层设置在该容置空间内、介于上述发光二极管晶粒与该透光封装层间的荧光材质胶体。
6.一种具有厚膜环绕壁的发光二极管元件的制造方法，是供至少一个具有一组致能端部的发光二极管晶粒设置，并将一片基片预先区划成多个基板本体，前述各基板本体分别具有一个上表面、一个下表面、连接前述上下表面的两侧面及连接前述上下表面的两端缘，其中该二极管元件的制造方法包括下列步骤: a)分别在前述各基板本体对应前述端缘位置形成多个贯穿前述上下表面的侧面穿孔； b)分别将多个具有一个安装区的致能回路布局在前述各基板本体上表面，并至少分别在前述两端缘之一及对应该端缘的侧面穿孔设置一个导接对应该致能回路的凹陷侧边电极；及 c)将一个厚膜遮蔽层设置于各前述上表面，从上方遮蔽各前述凹陷侧边电极，其中每一上述厚膜遮蔽层分别形成有至少部分环绕遮蔽该安装区的环绕壁，并与各上述对应基板本体共同形成有使各上述对应安装区被暴露的容置空间。
7.如权利要求6所述的发光二极管元件的制造方法，其中该步骤c)中设置厚膜遮蔽层的步骤更包括下列次步骤: Cl)在每一上述基板本体上设置形成一第一层光阻膜； c2)当该第一层光阻膜厚度未达一预定厚度时，于上述光阻膜上增加一层上层光阻膜，直到达到该预定厚度； c3)将一对应该至少一个环绕壁形状及前述侧面穿孔的光罩覆盖于该光阻膜上进行曝光，使该光阻膜固化；及 c4)对该光阻膜进行显影，形成该至少一个环绕壁及厚膜遮蔽层。
8.如权利要求6所述发光二极管元件的制造方法，其中该步骤c)中设置厚膜遮蔽层的步骤更包括下列次步骤: c5)在该厚膜遮蔽层形成一个金属材质的种子层 '及 c6)在该种子层上电镀增厚、并形成一个金属反射薄膜层。
9.如权利要求6所述的发光二极管元件的制造方法，更包括在步骤c)后的下列步骤: d)将前述发光二极管晶粒分别安装在安装区，并将前述发光二极管晶粒的致能端部分别导接至前述侧边电极及/或致能回路； e)设置一组具有多个分别对应该等基板的预定形状模穴的模具于该基材上，并注入一透明材质，以形成多个符合该等模穴预定形状的封装，完整覆盖该等发光二极管晶粒、该等环绕壁、及该等固化后的含有荧光材质的胶体； f)切割该基片，形成多个发光二极管元件。
10.如权利要求9所述的发光二极管元件的制造方法，更包含在步骤d)与步骤e)间，将含有荧光材质的液态胶体注入该环绕壁的容置空间并覆盖前述发光二极管晶粒的步骤g)。
【文档编号】H01L33/62GK103928598SQ201310008963
【公开日】2014年7月16日 申请日期:2013年1月10日 优先权日:2013年1月10日
【发明者】陈建兴 申请人:并日电子科技(深圳)有限公司