专利名称：层叠型陶瓷电容器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种层叠型陶瓷电容器，属于电容器技术领域。
背景技术：
近年来，伴随着携带电话等移动机器的普及、作为个人电脑等的主要部件的半导体元件的高速化及高频化，对于搭载于此种电了机器中的叠层陶瓷电容器，为了满足作为旁通电容器的特性，小型、高容量化的要求不断提高。但存在以下技术问题:
现有陶瓷电容器体积较大，提高电容量会导致占用电子产品的较大的空间，因此在减小器件体积时增加电容量成为技术难点，且现有射频用电容的馈入点及接地点设置在固定的位置，故在将天线安装至电路板时，只能安装于电路板特定位置，不能灵活设置；
其次，陶瓷电容器需要将基板两面上的相互分离电路点做导通连接或者是做基板两面间的导热处理时，容易发生于连接孔中未完全填满而有孔洞，从而在产品的良率控管上有其瓶颈。因此，如何解决上述技术问题，成为本领域普通技术人员努力的方向。
发明内容
本发明目的是提供一种层叠型陶瓷电容器，该陶瓷电容器在高频下具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数；其次，大大降了烧结时连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率。为达到上述目的，本发明采用的技术方案是:一种层叠型陶瓷电容器，包括氮化铝基片和氧化铝基片，此氮化铝基片和氧化铝基片之间夹有具有位于同一平面的第一 U型导电层、第二 U型导电层，此第一 U型导电层和第二 U型导电层之间电隔离；所述氮化铝基片、第一 U型导电层和氧化铝基片中具有两个贯通三者的第一连通孔，此第一连通孔内填充有第一金属柱，所述氮化铝基片、第二 U型导电层和氧化铝基片中具有两个贯通三者的第二连通孔，此第二连通孔内填充有第二金属柱，所述第一金属柱、第二金属柱由位于中心的铜柱和包覆于铜柱四周的钨层组成；一用于与电路板电接触的金属贴片固定于第一金属柱、第二金属柱两端的表面。上述技术方案中进一步改进的技术方案如下:
作为优选，所述第一 U型导电层、第二 U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极；所述第一U型导电层的一个侧电极嵌入由第二U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内。作为优选,一银衆焊接层位于金属贴片与第一金属柱、第二金属柱之间。由于上述技术方案运用，本发明与现有技术相比具有下列优点和效果:1.本发明层叠型陶瓷电容器，其陶瓷烧结体由氮化铝基片和氧化铝基片组成，此氮化铝基片的下表面和氧化铝基片的上表面之间具有导电层，既具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数，也便于机械加工。2.本发明层叠型陶瓷电容器，其第一金属柱、第二金属柱由位于中心的铜柱和包覆于铜柱四周的钨层组成，减小了连通孔电阻率和基板信号响应时间，也有效防止铜的扩散，大大提高了产品的可靠性。3.本发明层叠型陶瓷电容器，其第一 U型导电层、第二 U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极；所述第一 U型导电层的一个侧电极嵌入由第二 U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内，减小器件体积时增加了电容量，从而有利于器件小型化，提闻了广品的可罪性和良率。4.本发明层叠型陶瓷电容器，其银浆焊接层分别覆盖于所述氮化铝基片的第一连通孔、氧化铝基片的第二连通孔各自的端面，由于银浆未固化前流延性好，大大降了连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率。
附图1为本发明层叠型陶瓷电容器中间层结构示意 附图2为本发明层叠型陶瓷电容器截面结构示意图。以上附图中:1、氮化铝基片；2、氧化铝基片；3、第一 U型导电层；4、第二 U型导电层；5、第一连通孔；6、第一金属柱；7、第二连通孔；8、第二金属柱；9、银浆焊接层；10、金属贴片；11、侧电极；12、底电极；13、凹槽区；14、铜柱；15、钨层。
具体实施例方式下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述:
实施例1:一种层叠型陶瓷电容器，包括氮化铝基片I和氧化铝基片2，此氮化铝基片I和氧化铝基片2之间夹有具有位于同一平面的第一 U型导电层3、第二 U型导电层4，此第一 U型导电层3和第二 U型导电层4之间电隔离；所述氮化铝基片1、第一 U型导电层3和氧化铝基片2中具有两个贯通三者的第一连通孔5，此第一连通孔5内填充有第一金属柱6，所述氮化铝基片1、第二 U型导电层4和氧化铝基片2中具有两个贯通三者的第二连通孔7，此第二连通孔7内填充有第二金属柱8 ;，所述第一金属柱6、第二金属柱8由位于中心的铜柱14和包覆于铜柱14四周的钨层15组成；一用于与电路板电接触的金属贴片10固定于第一金属柱6、第二金属柱8两端的表面。实施例2: —种层叠型陶瓷电容器，包括氮化铝基片I和氧化铝基片2，此氮化铝基片I和氧化铝基片2之间夹有具有位于同一平面的第一 U型导电层3、第二 U型导电层4，此第一 U型导电层3和第二 U型导电层4之间电隔离；所述氮化铝基片1、第一 U型导电层3和氧化铝基片2中具有两个贯通三者的第一连通孔5，此第一连通孔5内填充有第一金属柱6，所述氮化铝基片1、第二 U型导电层4和氧化铝基片2中具有两个贯通三者的第二连通孔7，此第二连通孔7内填充有第二金属柱8 ；，所述第一金属柱6、第二金属柱8由位于中心的铜柱14和包覆于铜柱14四周的钨层15组成；一用于与电路板电接触的金属贴片10固定于第一金属柱6、第二金属柱8两端的表面。上述第一 U型导电层3、第二 U型导电层4均包括两个侧电极11和连接两个侧电极11底端的底电极12 ;所述第一 U型导电层3的一个侧电极11嵌入由第二 U型导电层4的侧电极11和底电极12形成的凹槽区13内。
—银衆焊接层9位于金属贴片10与第一金属柱6、第二金属柱8之间。采用上述层叠型陶瓷电容器时，其陶瓷烧结体由氮化铝基片和氧化铝基片组成，此氮化铝基片的下表面和氧化铝基片的上表面之间具有导电层，既具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数，也便于机械加工；其次，其第一金属柱、第二金属柱由位于中心的铜柱和包覆于铜柱四周的钨层组成，减小了连通孔电阻率和基板信号响应时间，也有效防止铜的扩散，大大提高了产品的可靠性；再次，其第一 U型导电层、第二 U型导电层均包括两个侧电极和连接两个侧电极底端的底电极；所述第一 U型导电层的一个侧电极嵌入由第二 U型导电层的侧电极和底电极形成的凹槽区内，减小器件体积时增加了电容量，从而有利于器件小型化，提高了产品的可靠性和良率；再次，其银浆焊接层分别覆盖于所述氮化铝基片的第一连通孔、氧化铝基片的第二连通孔各自的端面，由于银浆未固化前流延性好，大大降了连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提闻了广品的可罪性和良率。上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种层叠型陶瓷电容器，其特征在于:包括氮化铝基片(I)和氧化铝基片(2)，此氮化铝基片(I)和氧化铝基片(2)之间夹有具有位于同一平面的第一 U型导电层(3)、第二 U型导电层(4)，此第一 U型导电层(3)和第二 U型导电层(4)之间电隔离；所述氮化铝基片(I)、第一 U型导电层(3)和氧化铝基片(2)中具有两个贯通三者的第一连通孔(5)，此第一连通孔(5)内填充有第一金属柱(6)，所述氮化铝基片(I)、第二 U型导电层(4)和氧化铝基片(2)中具有两个贯通三者的第二连通孔(7)，此第二连通孔(7)内填充有第二金属柱(8)，所述第一金属柱(6)、第二金属柱(8)由位于中心的铜柱(14)和包覆于铜柱(14)四周的钨层(15)组成；一用于与电路板电接触的金属贴片(10)固定于第一金属柱(6)、第二金属柱(8)两端的表面。
2.根据权利要求1所述的层叠型陶瓷电容器，其特征在于:所述第一U型导电层(3)、第二 U型导电层(4)均包括两个侧电极(11)和连接两个侧电极(11)底端的底电极(12);所述第一 U型导电层(3)的一个侧电极(11)嵌入由第二 U型导电层(4)的侧电极(11)和底电极(12)形成的凹槽区(13)内。
3.根据权利要求1所述的层叠型陶瓷电容器，其特征在于:一银浆焊接层(9)位于金属贴片(10)与第一金属柱(6)、第二金属柱(8)之间。
全文摘要
本发明公开一种层叠型陶瓷电容器，包括氮化铝基片和氧化铝基片之间夹有第一U型导电层、第二U型导电层；所述氮化铝基片、第一U型导电层和氧化铝基片中具有两个贯通三者的第一连通孔，此第一连通孔内填充有第一金属柱，所述氮化铝基片、第二U型导电层和氧化铝基片中具有两个贯通三者的第二连通孔，此第二连通孔内填充有第二金属柱；第一金属柱、第二金属柱由位于中心的铜柱和包覆于铜柱四周的钨层组成；一用于与电路板电接触的金属贴片固定于第一金属柱、第二金属柱两端的表面。本发明具有高品质因数，从而降低了高频损耗，且具有稳定的温度系数；其次，大大降了烧结时连接孔内的金属表面产生凹陷的几率，从而有效避免了空洞的产生，提高了产品的可靠性和良率。
文档编号H01G4/242GK103077826SQ20131002805
公开日2013年5月1日 申请日期2013年1月25日 优先权日2013年1月25日
发明者乔金彪 申请人:苏州斯尔特微电子有限公司