专利名称：导电膜、导电膜的制造方法及其触摸屏的制作方法
技术领域：
本发明涉及触摸屏技术领域，特别是涉及一种导电膜、导电膜的制造方法及其应用该导电膜的触摸屏。
背景技术：
触摸屏是可接收触摸等输入信号的感应式装置。触摸屏赋予了信息交互崭新的面貌，是极富吸引力的全新信息交互设备。触摸屏技术的发展引起了国内外信息传媒界的普遍关注，已成为光电行业异军突起的朝阳高新技术产业。目前，导电层是触摸屏模组中至关重要的组成部分。一般的触摸屏中的导电层通常采用真空蒸镀或者磁控溅射方式将透明导电材料氧化铟锡(ITO)镀制在PET基板上形成。然而，铟元素是一种稀土元素，在大自然中储量比较小，价格比较昂贵，从而使得导电薄膜的成本较高，因此，近年来以金属作为导电层来产生触摸屏的研究热潮异军突起。但是以金属作为导电层也有一系列的问题，表现较突出的是金属在空气中容易氧化，在生产过程中或是触摸屏经过长时间使用后，导电层金属表面部分会被氧化成金属氧化物，故而会影响导电层的导电性，当应用到触摸屏和触摸显示屏上时，还会降低其感应灵敏度。
发明内容
基于此，有必要针对导电层的导电性变差的问题，提供一种导电膜、导电膜的制造方法以及应用该导电膜的触摸屏。—种导电膜,包括:基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置；第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格；第一抗氧化层，覆盖于所述第一导电层。在其中一个实施例中，所述第一导电层直接形成于所述基片的第一表面，所述抗氧化层覆盖于所述第一导电层的第一导电区。在其中一个实施例中，所述基片的第一表面设有第一基质层，所述第一基质层远离所述基片的表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中，所述第一基质层中含有化学还原剂。在其中一个实施例中，所述基片的第一表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。在其中一个实施例中，所述第一绝缘区包括由金属化合物所形成的金属网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。在其中一个实施例中，所述第一导电区的金属网格和所述第一绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补。
在其中一个实施例中，所述第一导电区包括第一轴向导电列及第二轴向导电列；所述第一轴向导电列包括第一轴向导电单元及电连接第一轴向导电单元的第一连接部，所述第二轴向导电列包括第二轴向导电单元及电连接第二轴向导电单元的第二连接部，所述第一连接部与第二连接部之间设有绝缘件，所述绝缘件使所第一连接部与所述第二连接部相互绝缘。在其中一个实施例中，还包括第二导电层，与所述第一导电层在所述基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，所述第二导电层包括第二导电区及第二绝缘区，所述第二导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第二导电层覆盖有第二抗氧化层。在其中一个实施例中，所述第二抗氧化层覆盖于所述第二导电区。在其中一个实施例中，还包括第二基质层，所述第二导电层嵌设于所述第二基质层中，所述第二基质层中掺有化学还原剂。在其中一个实施例中，所述第二基质层覆盖所述第一导电层，所述第二基质层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，且所述第二基质层、第一导电层及所述第二导电层其同位于该基片的同侧。在其中一个实施例中，所述第二基质层设于所述基片的第二表面。在其中一个实施例中，所述第二基质层远离所述基片的表面设有第二凹槽，所述第二导电层收容于所述第二凹槽中。在其中一个实施例中，所述基片的第二表面设有第二收容槽，所述第二导电层收容于所述第二收容槽中。在其中一个实施例中，所述第二导电层直接形成于所述基片的第二表面。在其中一个实施例中，所述第二导电区的金属网格和所述第二绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补。在其中一个实施例中，所述第二绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格线，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。一种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，还包括以上所述的导电膜，所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线与第一导电层所述第一导电区的金属网格连接，所述导电线路与电极弓I线连接。—种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，还包括以上所述的导电膜，所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线包括第一电极引线及第二电极引线，所述第一电极引线与第二电极引线在所述基片的厚度方向上相互间隔，所述第一电极引线与第一导电层的金属网格线连接，所述第二电极引线与第二导电层的金属网格线连接，所述导电线路与电极引线连接。一种导电膜的制造方法，包括以下步骤:提供一基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置；形成金属网格，在所述基片的第一表面形成金属网格，构成第一导电层；图形化遮蔽，以在所述第一导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区，未被保护层覆盖的为第一绝缘区；氧化第一导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化；置于H2S氛围中，使所述第一导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区由金属网格形成，第一绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜；涂布，以形成第一抗氧化层，防止所述第一导电层在使用中被氧化。在其中一个实施例中，所述形成金属网格具体包括以下步骤:压印，在所述基片开设凹槽第一凹槽；填充金属衆至所述第一凹槽并烧结，形成金属网格，构成第一导电层。在其中一个实施例中，所述形成金属网格具体包括以下步骤:涂布，在所述基片的第一表面进行涂布，形成第一基质层；添加化学还原剂，使所述第一基质层中分布有化学还原剂；压印，在所述第一基质层开设第一凹槽；填充金属浆至所述第一凹槽并烧结，形成嵌入第一基质层中的金属网格，构成第一导电层。在其中一个实施例中，所述形成金属网格具体包括以下步骤:涂布，在所述基片的第一表面涂布纳米金属浆；烘烤，以烘干第一表面涂布的纳米金属浆中溶剂，使纳米金属浆中纳米金属线相互搭接，形成第一导电层；压实，对第一导电层进行压实，使纳米金属浆中纳米金属线相互连接形成金属网格。在其中一个实施例中，在所述置于H2S氛围中步骤后，还包括形成第二导电层的步骤，具体包括以下步骤:形成金属网格，在所述基片的第一导电层表面或者所述基片的第二表面得到金属网格，构成第二导电层；图形化遮蔽，在所述第二导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第二导电区，未被保护层覆盖的为第二绝缘区；氧化第二导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化；置于H2S氛围中，使所述第二导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第二导电区由金属网格形成，第二绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜；涂布，以形成第二抗氧化层，防止所述第二导电层在使用中被氧化。在其中一个实施例中，对图形化遮蔽后的第一导电层和第二导电层进行氧化的方式包括:将第一导电层和第二导电层置于氧化氛围中，所述氧化氛围包括过氧化氢、稀硝酸、热浓硫酸或者盐酸；或者在第一导电层和第二导电层表面涂布氧化材料，形成第一绝缘区和第二绝缘区。在其中一个实施例中，所述保护层通过光刻胶、喷墨打印或者图形化丝网印刷形成。上述导电膜，通过在基片的第一表面或者基质层压印形成凹槽，并使凹槽中填充有金属材料，形成嵌入基质层中的金属网格线；第一导电层表面覆盖有第一抗氧化层，若在生产过程中第一导电区金属网格线被氧化，所述第一抗氧化层中可以将被氧化的金属网格线还原，维持导电层方阻的稳定，保持导电层的导电性维持一致，同时还可以吸收经过氧化反应生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。
图1为导电膜的一实施例的结构示意图；图2为导电膜的一实施例的另一视角的结构示意图；图3为导电膜的另一实施例中结构示意图；图4为导电膜的另一实施例中的另一视角的结构示意图；图5为导电膜的另一实施例的结构不意图；图5A为图5的另一视角的结构示意图；图6为导电膜另一实施例的结构示意图；图6A为图6中A的局部放大图；图6B为图6中B的局部放大图；图6C为图6中C的局部放大图；图7为图6应用到触摸屏的一实施例的结构示意图；图8为导电膜应用到触摸屏的另一实施例的结构示意图；图8A为图8中C的局部放大图；图8B为图8中D的局部放大图；图9为导电膜应用到触摸屏的另一实施例的结构示意图；图10为第一实施例的导电膜的制造方法流程图；图11为第二实施例的导电膜的制造方法流程图；图12为第三实施例的导电膜的制造方法流程图；图13为第四实施例的导电膜的制造方法流程图。
具体实施例方式下面结合附图，对本发明作进一步说明。请参阅图1和图2,在第一实施例中，一种导电膜100,包括:基片110、第一基质层120、第一导电层130、第一凹槽140和第一抗氧化层150,基片110包括第一表面112和第二表面114,所述第一表面112和所述第二表面114相对设置；第一基质层120覆盖于所述基片110的第一表面112 ;第一凹槽140开设于所述第一基质层120远离所述第一表面112的一面；第一导电层130收容于所述第一凹槽140，形成嵌入式网格，包括第一导电区132和第一绝缘区134，所述第一导电区132包括由金属所形成的金属网格线，所述第一绝缘区134不导电，所述第一绝缘区134包括由金属化合物所形成的金属网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。第一抗氧化层150覆盖于所述第一导电区132表面,所述第一基质层120含有还原剂。所述第一抗氧化层150含有还原剂，防止金属网格在使用中被氧化。上述导电膜100，第一导电层130包括第一导电区132和第一绝缘区134，第一导电区132由金属网格线构成，且表面覆盖有含有还原剂的第一抗氧化层150，若在生产过程中或者使用过程中第一导电区132的金属网格线被氧化，第一抗氧化层150中的还原剂可以将被氧化的金属网格线还原，保持导电层的导电性维持一致，维持导电层方阻的稳定，同时还原剂还可以吸收已生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。上述导电膜100中，第一基质层120中也分散有化学还原剂，因此既作为第一导电区132的成型基质，又作为第一导电区132的抗氧化层。构成第一导电区132的金属线直接与第一基质层120接触，因此，第一基质层120可以吸收第一导电区132周围多余的氧气，防止第一导电区132的金属线被进一步氧化，以维持该导电膜的第一导电区132的导电性在稳定水平。本实施例中，当用银作为第一导电区132的材料时，银被氧化生成的氧化银经光照或加热会分解成银和氧气，此时，第一基质层120中分散的化学还原剂可以吸收氧化物分解产生的氧气，以避免在第一基质层120或者第一基质层120与金属细线的界面处形成气泡。需要指出的是，第一基质层120中掺杂化学还原剂只是进一步地防止金属网格被氧化，如不设置第一基质层120，亦不影响第一抗氧化层150对金属网格的保护作用，故第一基质层120并不是必须的。在第一实施例中，基片110为预制成一定厚度的片体，材料为聚对苯二甲酸乙二酯、聚对苯二甲酸丁二酯、玻璃等。第一基质层120为紫外固化胶，为涂布于该基片110上的紫外固光胶涂层固化形成，具体为无溶剂紫外固化亚克力树脂。在其他实施例中，该基质层120还可以为其他类型的光固胶以及热固胶、自干胶等。其中，该光固胶由预聚物、单体、光引发剂及助剂以摩尔配比为:3(T50% =40^60%:Γ6%:0.2 1%组成的混合胶。其中，预聚物选自:环氧丙烯酸酯、聚氨酯丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯及丙烯酸树脂等；单体选自:单官能、二官能、及三官能及多官能；引发剂选自:二苯甲酮，二苯乙酮等；助剂可加可不加，一般作为粘接剂使用，常用助剂包括:对苯二酚、对甲氧基苯酚、对苯醌及2，6一二叔丁基甲苯酚等。在第一实施例中，第一基质层120中分散有化学还原剂，该化学还原剂可以吸收第一基质层120中以及周围的氧气。该化学还原剂可以为分散于第一基质层120中的金属单质，如K，Na，Mg等，或者为非金属单质，如C粉，Si粉等，还可以为低价态的化合物，如HI，Fe2+等。可以根据所选用的第一基质层120的成份来选择合适的还原剂，但应以不与第一基质层120中的成分反应为条件。第一基质层120上形成有第一凹槽140，本实施例中，第一基质层120的厚度为4um，凹槽150的宽度为2um，第一凹槽140的深度为3um。第一导电层130包括若干相互间隔的第一导电区132。所述第一导电区132为金属细线交叉形成的导电网格。所述金属可以为金、银、铜、铝和锌中的其中一种或者至少两种的合金，其相对于ITO具有较低的材料成本。所述金属细线的线宽在500nm到IOum之间，优先范围为Ium到5um之间，可以满足视觉上的透明。组成第一导电区132的金属细线收容于所述第一基质层120的第一凹槽140中。第一基质层120即作为第一导电区132的成型基质，又对第一导电区132形成保护，防止第一导电区132在后续涂布或贴合程序中被破坏，进一步地，在本实施例中，所述第一凹槽140的深度大于第一导电区132的厚度，第一导电区132收容于第一凹槽140中，使第一基质层120的表面具有较小的凹凸度，便于后续涂布及贴合工艺的进行。在其他的实施例中 ，当第一导电层130直接形成于第一表面112时，可以不设置第一基质层120。例如，当第一凹槽140开设于基片的第一表面112时,直接在第一表面112的第一凹槽140中填充导电材料，即可形成嵌入式的第一导电层130。在另一个实施例中，还可以直接在基片的第一表面112进行涂布，将金属浆直接涂布于第一表面112，烘干后即可得到相互交叉的金属细线，经过在第一表面114压实，即可得到第一导电层130。故而，所述第一基质层120并不是必须的。请参阅图3和图4，在其他实施例中，第一绝缘区134为空白区域，也能达到与第一导电区132绝缘的目的。故而第一绝缘区134设置金属化合物网格并不是必须的。在本实施例中，第一抗氧化层150覆盖于第一导电区132和第一绝缘区134,可对第一导电层130的金属网格起到保护作用，防止第一导电区132的金属网格被氧化。故而，第一抗氧化层150既可仅覆盖于第一导电区132，仅对第一导电区132起到保护作用。也可以同时覆盖于第一导电区132和第一绝缘区134，同时对第一导电层130起到保护作用。请参阅图1，在一实施例中，所述第一导电区132的金属网格线和所述第一绝缘区134的不导电金属化合物网格线形状互补。使得第一导电区132和第一绝缘区134的网格类型和密度完全相同，其透过率完全一致，从而不会形成明暗交替的色块。请参阅图3，在其它的实施例中，第一绝缘区134的不导电金属化合物网格也可以不与第一导电区132的金属网格线互补，例如第一绝缘区134的金属化合物网格线可以与导电区的金属网格线出现肉眼不可见的空白区域，也能实现透过率相同。还可以将不导电金属化合物网格线划分开，使不导电金属化合物网格线之间形成肉眼不可见的间隔，也能使透过率相同。故而所述第一导电区132的金属网格线和所述第一绝缘区134的不导电金属化合物网格线形状互补并不是必须的。请参阅图5和图5A，在第二实施例中，一种导电膜200，包括基片110、第一基质层120、第一导电层130、第一凹槽140和第一抗氧化层150，还包括第二基质层210、第二凹槽220、第二导电层230和第二抗氧化层240。所述第二基质层210覆盖于所述第一抗氧化层150，且开设有第二凹槽220。第二导电层230收容于所述第二凹槽220，形成嵌入式网格，包括第二导电区232和第二绝缘区234。其中，基片110、第一基质层120、第一导电层130、第一凹槽140和第一抗氧化层150均与第一实施例中相同，这里不再赘述。第二基质层210与第一基质层120材质相同，且均分散有化学还原剂。第一抗氧化层150与第一基质层120共同构成第一导电层130的防止金属网格氧化的抗氧化层，第二基质层210与第二抗氧化层240共同构成第二导电层230的防止金属网格氧化的抗氧化层。所述第二基质层210、第一导电层120及所述第二导电层230其同位于该基片110的同侧。上述导电膜，因为在第一导电层130和第二导电层230均设有抗氧化层，故而可防止在生产过程中或者使用过程中第一导电区132和第二导电区232的金属网格线被氧化，第一抗氧化层150和第二抗氧化层240中中的还原剂可以将被氧化的金属网格线还原，保持导电层的导电性维持一致，维持导电层方阻的稳定，同时还原剂还可以吸收已生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。第二抗氧化层140覆盖于第二导电区132表面，对第二导电区132起到保护作用，防止第二导电区132的金属网格线被氧化。第二氧化层240中还可以含有还原剂，这与第一实施例中相同，这里不再赘述。当然，在其它的实施例中，所述第一绝缘区134和第二绝缘区234也可以为空白区。这并不影响第一基质层120中的化学还原剂和/或者第一抗氧化层150对第一导电层130被氧化的金属网格线部分的还原，第二基质层210中的化学还原剂和/或者第二抗氧化层240对第二导电层130被氧化的金属网格线部分的还原。第二实施例中，金属材料跟第一实施例中相同，都取自金、银、铜、铝和锌中的其中一种或者任意两种的合金，且凹槽的深度均大于或者等于导电层的厚度，这里不再详述。第二基质层210与第一实施例中的第一基质层120 —样，这里不再赘述。在其它的实施例中，第二导电层230还可以设置在基片110的第二表面114。即第二导电层230可以收容于直接开设与基片的第二表面114的第二凹槽220，这样也能使第二导电层230位于第二表面114，故而，所述第二基质层210并不是必须的。在其它的实施例中，还可以不开设凹槽，通过直接在基片的第二表面114形成交错分布的金属网格，金属网格由若干相互交叉的金属细线组成。省去了开设凹槽这一步骤，且通过在基片的第二表面114压实形成的金属网格，可以得到任意图案。请参阅图6、图6A和图6B、图6C和图7，为触摸屏的第一实施例，一种触摸屏300，包括透明面板310，还包括图6至图6C所示的实施例中的导电膜100，透明面板310覆盖于第一导电层130表面。上述触摸屏，即通常所说的单层多点结构的触摸屏，以横向为X轴，纵向为Y轴，以Y轴为第一轴向导电列1322,以X轴为第二轴向导电列1324。所述第一导电区132包括第一轴向导电列1322及第二轴向导电列1324 ;所述第一轴向导电列1322包括第一轴向导电单元13222及电连接第一轴向导电单元13222的第一连接部13224，所述第二轴向导电列1324包括第二轴向导电单元13242及电连接第二轴向导电单元13242的第二连接部13244，所述第一连接部13224与第二连接部13244之间设有绝缘件1326，所述绝缘件1326使所第一连接部13224与所述第二连接部13244相互绝缘。第一轴向导电列1322和第二轴向导电列1324分别构成触摸屏的感应电极和驱动电极。第一轴向导电列和第二轴向导电列以外的区域为覆盖有金属化合物网格的第一绝缘区134。第一抗氧化层150覆盖于第一导电区132。因为第一抗氧化层150覆盖于第一导电区132，若在生产过程中或者使用过程中第一导电区132的金属网格线被氧化，第一抗氧化层150可以将被氧化的金属网格线还原，保持导电层的导电性维持一致，维持导电层方阻的稳定，提高触摸屏的灵敏度。同时还原剂还可以吸收经过氧化反应生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。请参阅图8、图8A、图8B和图9，为触摸屏的第二实施例，一种触摸屏400，还包括图5和图5A所不的实施例中的导电膜200,所述透明面板410覆盖于所述第二导电层230表面，所述电极引线420包括第一电极引线及第二电极引线，所述第一电极引线与第二电极引线在所述基片的厚度方向上相互间隔，所述第一电极引线与第一导电层的金属网格线连接，所述第二电极引线与第二导电层的金属网格线连接，导电线路与电极引线连接。上述触摸屏，第一导电层130和第二导电层230的导电区和绝缘区呈条形，且第一导电层130和第二导电层230的条形相互垂直。第一导电层130和第二导电层230的导电区被电极引线420引出，与导电线路连接，形成感应电极和驱动电极。因为第一导电区132和第二导电区232均包括由金属形成的金属网格线，第一绝缘区134和第二绝缘区234均包括由不导电金属化合物形成的不导电金属化合物网格线，其中不导电金属化合物是由金属经过反应生成。第一抗氧化层150覆盖于第一导电区132，第二抗氧化层240覆盖于第二导电区，若在生产过程中或者使用过程中第一导电区132和第二导电区232的金属网格线被氧化，第一抗氧化层150和第二抗氧化层240可以将被氧化的金属网格线还原，保持导电层的导电性维持一致，维持导电层方阻的稳定，提高触摸屏的灵敏度。同时还原剂还可以吸收经过氧化反应生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。请参阅图10，还提供了制造导电膜的方法，在导电膜的制造方法的第一实施例中，包括以下步骤:步骤S110，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置。基片110厚度为125微米。基片110的材料均为对苯二甲酸乙二酯。在其它的实施例中，该基片110还可以为其它材质，例如聚对苯二甲酸丁二酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯塑料以及玻璃等，以透明绝缘材料为佳。步骤S120，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。具体包括以下步骤:步骤S122，压印，在所述基片110压印形成第一凹槽140。凹槽为网格状，凹槽的深度为3微米，宽度为2.2微米。步骤S124，填充金属浆至所述第一凹槽140，并进行烧结，形成金属网格，构成第一导电层130。在所述第一凹槽140填充金属衆,然后进行烧结,得到第一导电层130。本实施例中使用刮涂技术在网格状的凹槽中填充纳米银墨水，然后在150摄氏度的条件下烧结，使纳米银墨水中的银单质烧结成导电银细线，其中银墨水的固含量为35%，溶剂在烧结中挥发，所以导电银细线的厚度小于凹槽。步骤S130，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如菱形网格、正方形网格、长方形网格等图形。步骤S140，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。步骤S150，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。步骤S160，涂布，以形成第一抗氧化层，防止所述第一导电层在使用中被氧化。可以仅在第一导电区进行涂布，形成仅覆盖于第一导电区的第一抗氧化层。当然，也可以在整个第一导电层进行涂布，形成覆盖于整个第一导电层的第一抗氧化层。因为将导电膜进行涂布后形成第一抗氧化层150，若在生产过程中或者使用过程中第一导电区132的金属网格线被氧化，第一抗氧化层150可以将被氧化的金属网格线还原，保持导电层的导电性维持一致，维持导电层方阻的稳定，同时还原剂还可以吸收已生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。请参阅图11，在导电膜的制造方法的第二实施例中，包括以下步骤:步骤S210，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置；步骤S220，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。具体包括以下步骤:步骤S222，涂布，在所述基片110的第一表面112进行涂布，形成第一基质层120。步骤S223，添加化学还原剂，使所述第一基质层中分布有化学还原剂。该化学还原剂可以吸收第一基质层120中以及周围的氧气。该化学还原剂可以为分散于第一基质层120中的金属单质，如K，Na, Mg等，或者为非金属单质，如C粉，Si粉等，还可以为低价态的化合物，如HI，Fe2+等。可以根据所选用的第一基质层120的成份来选择合适的还原剂，但应以不与第一基质层120中的成分反应为条件。步骤S224，压印，在所述第一基质层120压印形成第一凹槽140。步骤S226，填充金属浆至所述第一凹槽140，进行烧结，形成嵌入第一基质层120中的金属网格，构成第一导电层130。步骤S230，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如菱形网格、正方形网格、长方形网格等图形。步骤S240，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。步骤S250，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。步骤S260，涂布，以形成第一抗氧化层150，防止所述第一导电层130在使用中被氧化。本实施例中，步骤S210、步骤S230、步骤S240、步骤S250和步骤S260与导电膜制造方法的第一实施例中的步骤S110、步骤S130、步骤S140、步骤S150、步骤S160相同，步骤S224、步骤S226与导电膜制造方法的第一实施例中的步骤S122、步骤S124相同，这里不再赘述。因为将导电膜进行涂布后形成第一抗氧化层150，若在生产过程中或者使用过程中第一导电区132的金属网格线被氧化，第一抗氧化层150可以将被氧化的金属网格线还原，保持导电层的导电性维持一致，维持导电层方阻的稳定，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。同时第一基质层120中的还原剂还可以吸收已生成的金属氧化物分解产生的氧气，有利于防止收容于第一凹槽中的第一导电层被迁移进来的氧气氧化，可以进一步防止第一导电层内部被氧化。请参阅图12，在导电膜的制造方法的第三实施例中，包括以下步骤:步骤S310，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置；步骤S320，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。具体包括以下步骤:步骤S322，涂布，在所述基片110的第一表面112涂布金属浆。在所述基片110的第一表面112涂布金属浆。具体的为在基片110上涂布纳米银墨水，银墨水为纳米银材料亲水性溶剂形成，其中溶质为直径2(Γ40纳米，长1(Γ20微米的单质银线。步骤S324，烘烤，将第一表面112的金属浆烘干使纳米金属浆中纳米金属线相互搭接，形成第一导电层。其中金属细线为纳米银线，且纳米印象相互交错分布。步骤S324，压实，对第一导电层进行压实，使纳米金属浆中纳米金属线相互连接形成金属网格，可形成任意图案。步骤S330，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如菱形网格、正方形网格、长方形网格等图形。步骤S340，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。步骤S350，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。步骤S360，涂布，以形成第一抗氧化层150，防止所述第一导电层130在使用中被氧化。本实施例中，步骤S310、步骤S330、`步骤S340、步骤S350、步骤S360均与第一实施例的步骤S110、步骤S130、步骤S140、步骤S150、步骤S160相同，这里不再赘述。因为将导电膜进行涂布后形成第一抗氧化层150，若在生产过程中或者使用过程中第一导电区132的金属网格线被氧化，第一抗氧化层150可以将被氧化的金属网格线还原，保持导电层的导电性维持一致，维持导电层方阻的稳定，同时还原剂还可以吸收已生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。请参阅图13，在第四实施例中，还包括形成第二导电层230的步骤，具体包括以下步骤:步骤S410，提供一基片110，包括第一表面112和第二表面114，所述第一表面112和第二表面114相对设置；步骤S420，形成金属网格，所述金属网格形成于所述基片110的第一表面112，构成第一导电层130。与第一实施例的步骤S120、第二实施例的步骤S220或者第三实施例中的步骤S320任意一个相同，这里不再赘述。步骤S430，图形化遮蔽，以在所述第一导电层130表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区132，未被保护层覆盖的为第一绝缘区134。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如条状图形。步骤S440，氧化第一导电层130，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。步骤S450，置于H2S氛围中，使所述第一导电层130未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区132由金属网格形成，第一绝缘区134由不导电的金属化合物网格形成。即绝缘区形成难溶且不导电的Ag2S。步骤S460，涂布，以形成第一抗氧化层，防止所述第一导电层在使用中被氧化。步骤S470，形成金属网格，在所述第一导电层130表面或者所述基片的第二表面114得到金属网格，构成第二导电层230。即第二导电层230可以位于第一导电层130表面，也可以位于基片的第二表面114。第二导电层230与第一导电层130结构相同。重复步骤S430，图形化遮蔽，在所述第二导电层230表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第二导电区232，未被保护层覆盖的为第二绝缘区234。在所述第一导电层130表面通过图形化遮蔽形成被保护层覆盖的第一导电区132和未被保护层覆盖的第一绝缘区134。图形化后可形成例如条状等图形。步骤S440，氧化第二导电层230，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化。 步骤S450，置于H2S氛围中，使所述第二导电层230未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第二导电区232由金属网格形成，第二绝缘区234由不导电的金属化合物网格形成的导电膜。步骤S460，涂布，以形成第一抗氧化层，防止所述第一导电层在使用中被氧化。在本实施例中，其它步骤例如S410至S460与第一实施例中的步骤SllO至步骤S160、第二实施例中的步骤S210至步骤S260或者第三实施例中的步骤S310至步骤S360相同，这里不再赘述。上述实施例中，对图形化遮蔽后的第一导电层130和第二导电层230进行氧化的方式包括:将第一导电层130和第二导电层230置于氧化氛围中，所述氧化氛围包括过氧化氢、稀硝酸、热浓硫酸或者盐酸；或者在第一导电层130和第二导电层230表面涂布氧化材料，形成第一绝缘区134和第二绝缘区234。其中，所述保护层通过光刻胶、喷墨打印或者图形化丝网印刷形成。以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
权利要求
1.一种导电膜，其特征在于，包括: 基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相对设置； 第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格； 第一抗氧化层，覆盖于所述第一导电层。
2.根据权利要求1所述的导电膜，其特征在于，所述第一导电层直接形成于所述基片的第一表面，所述抗氧化层覆盖于所述第一导电层的第一导电区。
3.根据权利要求2所述的导电膜，其特征在于，所述基片的第一表面设有第一基质层，所述第一基质层远离所述基片的表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中，所述第一基质层中含有化学还原剂。
4.根据权利要求2所述的导电膜，其特征在于，所述基片的第一表面设有第一凹槽，所述第一导电层收容于所述第一凹槽中。
5.根据权利要求1至4中任意一项所述的导电膜，其特征在于，所述第一绝缘区包括由金属化合物所形成的金属网格，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。
6.根据权利要求5所述的导电膜，其特征在于，所述第一导电区的金属网格和所述第一绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补。
7.根据权利要求6所述的导电膜,其特征在于,所述第一导电区包括第一轴向导电列及第二轴向导电列；所述第一轴向导电列包括第一轴向导电单元及电连接第一轴向导电单元的第一连接部，所述第二轴向导电列包括第二轴向导电单元及电连接第二轴向导电单元的第二连接部，所述第一连接部与第二连接部之间设有绝缘件，所述绝缘件使所第一连接部与所述第二连接部相互绝缘。
8.根据权利要求6所述的导电膜，其特征在于，还包括第二导电层，与所述第一导电层在所述基片的厚度方向上相互间隔且绝缘，所述第二导电层包括第二导电区及第二绝缘区，所述第二导电区包括由金属所形成的金属网格，所述第二导电层覆盖有第二抗氧化层。
9.根据权利要求8所述的导电膜，其特征在于，所述第二抗氧化层覆盖于所述第二导电区。
10.根据权利要求9所述的导电膜，其特征在于，还包括第二基质层，所述第二导电层嵌设于所述第二基质层中，所述第二基质层中掺有化学还原剂。
11.根据权利要求10所述的导电膜，其特征在于，所述第二基质层覆盖所述第一导电层，所述第二基质层位于所述第一导电层与所述第二导电层之间，且所述第二基质层、第一导电层及所述第二导电层其同位于该基片的同侧。
12.根据权利要求10所述的导电膜，其特征在于，所述第二基质层设于所述基片的第二表面。
13.根据权利要求11或12所述的导电膜，其特征在于，所述第二基质层远离所述基片的表面设有第二凹槽，所述第二导电层收容于所述第二凹槽中。
14.根据权利要求12所述的导电膜，其特征在于，所述基片的第二表面设有第二收容槽，所述第二导电层收容于所述第二收容槽中。
15.根据权利要求12所述的导电膜，其特征在于，所述第二导电层直接形成于所述基片的第二表面。
16.根据权利要求13所述的导电膜，其特征在于，所述第二导电区的金属网格和所述第二绝缘区的不导电金属化合物网格形状互补。
17.根据权利要求13所述的导电膜，其特征在于，所述第二绝缘区包括由不导电金属化合物所形成的绝缘网格线，其中所述不导电金属化合物由所述金属反应产生。
18.一种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，其特征在于，还包括权利要求1至7中任意一项所述的导电膜，所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线与第一导电层所述第一导电区的金属网格连接，所述导电线路与电极引线连接。
19.一种触摸屏，包括透明面板、电极引线和导电线路，其特征在于，还包括权利要求8至17中任意一项所述的导电膜，所述透明面板覆盖于所述第一导电层表面，所述电极引线包括第一电极引线及第二电极引线，所述第一电极引线与第二电极引线在所述基片的厚度方向上相互间隔，所述第一电极引线与第一导电层的金属网格线连接，所述第二电极引线与第二导电层的金属网格线连接，所述导电线路与电极弓I线连接。
20.一种导电膜的制造方法，其特征在于，包括以下步骤: 提供一基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面相对设置； 形成金属网格，在所述基片的第一表面形成金属网格，构成第一导电层； 图形化遮蔽，以在所述第一导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第一导电区，未被保护层覆盖的为第一绝缘区； 氧化第一导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化； 置于H2S氛围中，使所述第一导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第一导电区由金属网格形成，第一绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜； 涂布，以形成第一抗氧化层，防止所述第一导电层在使用中被氧化。
21.根据权利要求20所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述形成金属网格具体包括以下步骤: 压印，在所述基片开设凹槽第一凹槽； 填充金属衆至所述第一凹槽并烧结，形成金属网格，构成第一导电层。
22.根据权利要求20所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述形成金属网格具体包括以下步骤: 涂布，在所述基片的第一表面进行涂布，形成第一基质层； 添加化学还原剂，使所述第一基质层中分布有化学还原剂； 压印，在所述第一基质层开设第一凹槽； 填充金属浆至所述第一凹槽并烧结，形成嵌入第一基质层中的金属网格，构成第一导电层。
23.根据权利要求20所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述形成金属网格具体包括以下步骤: 涂布，在所述基片的第一表面涂布纳米金属浆； 烘烤，以烘干第一表面涂布的纳米金属浆中溶剂，使纳米金属浆中纳米金属线相互搭接，形成第一导电层； 压实，对第一导电层进行压实，使纳米金属浆中纳米金属线相互连接形成金属网格。
24.根据权利要求20至23所述的导电膜的制造方法，其特征在于，在所述置于H2S氛围中步骤后，还包括形成第二导电层的步骤，具体包括以下步骤: 形成金属网格，在所述基片的第一导电层表面或者所述基片的第二表面得到金属网格，构成第二导电层； 图形化遮蔽，在所述第二导电层表面形成保护层，被所述保护层覆盖的为第二导电区，未被保护层覆盖的为第二绝缘区； 氧化第二导电层，以使未被保护层覆盖的金属网格被氧化； 置于H2S氛围中，使所述第二导电层未被保护层覆盖的金属网格反应生成不导电的金属化合物，形成不导电金属化合物网格，得到第二导电区由金属网格形成，第二绝缘区由不导电的金属化合物网格形成的导电膜； 涂布，以形成第二抗氧化层，防止所述第二导电层在使用中被氧化。
25.根据权利要求24所述的导电膜的制造方法，其特征在于，对图形化遮蔽后的第一导电层和第二导电层进行氧化的方式包括:将第一导电层和第二导电层置于氧化氛围中，所述氧化氛围包括过氧化氢、稀硝酸、热浓硫酸或者盐酸；或者在第一导电层和第二导电层表面涂布氧化 材料，形成第一绝缘区和第二绝缘区。
26.根据权利要求25所述的导电膜的制造方法，其特征在于，所述保护层通过光刻胶、喷墨打印或者图形化丝网印刷形成。
全文摘要
一种导电膜，包括基片，第一表面和第二表面相对设置；第一导电层，设于所述基片的第一表面，所述第一导电层包括第一导电区及第一绝缘区，所述第一导电区包括由金属所形成的金属网格；第一抗氧化层，覆盖于所述第一导电层；第一导电层表面覆盖有第一抗氧化层，若在生产过程中第一导电区金属网格线被氧化，所述第一抗氧化层中可以将被氧化的金属网格线还原，维持导电层方阻的稳定，保持导电层的导电性维持一致，同时还可以吸收经过氧化反应生成的金属氧化物分解产生的氧气，避免氧气在成型基质层中形成气泡，防止导电膜透光率降低。
文档编号H01B5/14GK103151100SQ20131004865
公开日2013年6月12日 申请日期2013年2月6日 优先权日2013年2月6日
发明者高育龙, 何钊 申请人:南昌欧菲光科技有限公司