专利名称：一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及显示技术领域，特别是指一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示
>J-U装直。
背景技术：
在阵列基板的制作过程中，通常在像素电极形成之前会形成一层平坦化层，以减少基板上的段差，使得像素电极更易形成且减少不良，同时为了减小像素电极与其它导电金属层之间形成的寄生电容，该平坦化层一般都制作成厚度较大的层。但是，在制作平坦化层上的过孔时，如像素电极与TFT漏电极连接的过孔，或者绑定驱动电路的绑定区域的过孔等，需要对平坦化层进行曝光处理，由于平坦化层比较厚，为了获得预期的过孔尺寸，需要较高的曝光能量，从而降低了曝光速度，影响生产效率。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，可以局部减小平坦化层的厚度，从而减少过孔形成所需要的曝光能量，进一步增加曝光速度，提高生产效率。本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括:在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔的位置，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。进一步的，所述平坦化层为亚克力材料形成。具体的，所述阵列基板的制作方法，包括:提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT ;在所述TFT上方形成平坦化层，并在所述平坦化层上形成有过孔；在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于所述衬底基板上方且所述平坦化层下方，且所述垫高层对应于所述平坦化层的过孔的位置。进一步的，所述在衬底基板上形成TFT的步骤具体包括:在所述衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层；所述在阵列基板上形成垫高层的步骤具体包括:在所述衬底基板上或者在所述栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层中任意一层上形成垫高层。进一步的，所述阵列基板的制作方法还包括:在所述平坦化层上方形成像素电极层，所述像素电极通过所述平坦化层上的过孔与所述TFT漏电极连接。进一步的，所述在衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层的步骤，还包括:在所述阵列基板的绑定驱动电路的周边区域中，与所述栅极同层形成绑定栅线，与所述源漏电极同层形成绑定数据线；所述绑定栅线和所述绑定数据线分别通过平坦化层上的过孔与驱动电路绑定。具体的，在所述TFT上方形成平坦化层的步骤包括:
在形成有垫高层的所述衬底基板上涂覆亚克力材料层；对所述亚克力材料层进行低压干燥和烘烤；对低压干燥和烘烤后的所述亚克力材料层进行曝光；对曝光后的所述亚克力材料层进行显影和烘烤。本发明的实施例还提供一种阵列基板，包括平坦化层，还包括垫高层，所述垫高层位于平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔处，其中，所述平坦化层由热熔性材料形成。具体的，所述热熔性材料为亚克力材料。具体的，所述阵列基板，包括:衬底基板以及形成于所述衬底基板上的TFT ；形成在所述衬底基板上方的垫高层；形成在所述垫高层上方的平坦化层，所述平坦化层上具有过孔，所述垫高层对应所述平坦化层的过孔的位置。进一步的，所述TFT包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极，所述垫高层位于所述衬底基板上或者位于栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层中的任意一层上。进一步的，所述阵列基板还包括:像素电极层，所述像素电极层位于平坦化层上方，所述像素电极通过所述平坦化层上的过孔与TFT漏电极连接。进一步的，所述阵列基板还包括钝化层，所述钝化层位于所述平坦化层的下方，所述钝化层具有与所述平坦化层的过孔上下相通的过孔，所述像素电极与TFT漏电极通过所述平坦化层的过孔和钝化层的过孔连接。进一步的，所述阵列基板还包括:在所述阵列基板的绑定驱动电路的周边区域，与源漏电极同层形成的绑定数据线，以及与栅极同层形成的绑定栅线；所述绑定数据线与所述绑定栅线分别通过所述平坦化层上的过孔与驱动电路连接。本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。本发明的上述技术方案的有益效果如下:上述方案中，通过在阵列基板的平坦化层的过孔下方，设计垫高层，利用形成平坦化层的亚克力材料易于流动的性质，局部减小平坦化层的厚度，从而减少形成过孔所需要的曝光能量，进一步增加曝光时的曝光速度，提高生产效率。
图1为没有垫高层的阵列基板的剖面结构示意图；图2为本发明一实施例的阵列基板的剖面结构示意图；图3为本发明另一实施例的阵列基板的剖面结构示意图；图4为本发明另一实施例的阵列基板的剖面结构示意图；图5为本发明另一实施例的阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施例方式为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本发明的实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括:在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于阵列基板的平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔的位置，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。所述热熔性材料为在加热到一定温度时具有流动性的材料。具体的，所述阵列基板的制作方法，包括:提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT ;在所述TFT上方形成平坦化层，并在所述平坦化层上形成有过孔；在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于所述衬底基板上方且所述平坦化层下方，且所述垫高层对应于所述平坦化层的过孔的位置。具体的，所述热熔性材料可以为亚克力材料。亚克力材料是以丙烯酸及其酯类聚合所得到的聚合物，统称丙烯酸类树酯，相应的塑料统称聚丙烯酸类塑料，具有质轻、价廉，易于成型等优点；它的成型方法有浇铸，射出成型，机械加工、热成型等，尤其是射出成型，可以大批量生产，制程简单，成本低。当然，本发明实施例中平坦化层并不限于亚克力材料，任何材料只要在加热时具有流动性，并且常温又可以保持固化，都可以在本发明实施例阵列基板的制作方法中用作平坦化层的材料。所述平坦化层的过孔可以为显示区像素电极与TFT漏电极连接的过孔但不限于此。在阵列基板的周边区域，需要绑定驱动电路为阵列基板提供栅扫描信号和数据信号，驱动电路通过过孔分别与阵列基板上设置的绑定栅线和绑定数据线连接，因此，所述平坦化层的过孔也可以为绑定数据线与驱动电路绑定的过孔，或者为绑定栅线与驱动电路绑定的过孔。当然所述过孔不限于此，如果其他阵列基板的制作方法的变形中需要在平坦化层上形成过孔，都可以采用本发明实施例所述的阵列基板的制作方法。下面以所述过孔为像素电极与TFT漏电极连接的过孔为例进行说明。本发明的实施例提供的阵列基板的制作方法包括:SI,提供一衬底基板11，在所述衬底基板上形成TFT ；S2，在所述衬底基板11上方形成垫高层；S3，在所述垫高层上方形成平坦化层15，并在所述平坦化层15上形成过孔(⑶2所示的部分)，其中所述垫高层位于所述过孔位置的下方。在上述步骤SI中，在所述衬底基板上形成TFT的步骤，具体包括:在所述衬底基板11上形成栅极层(图中未示出)、栅绝缘层12、有源层13、源漏电极层14 ；在上述步骤S2中，在所述衬底基板上方形成垫高层的步骤，具体包括:在所述衬底基板上或者在所述栅极层，所述栅绝缘层12、所述有源层13、所述源漏电极层任意一层上形成垫高层。需要说明的是，所述栅极层为TFT的栅极所在的层，所述源漏电极层为TFT源电极和漏电极所在的层。因为在像素电极和TFT漏电极连接的过孔位置下方一般不具有栅极层，所以图中未示出。如果在其他一些阵列基板的制作方法中，在像素电极和TFT漏电极连接的过孔位置下方具有所述栅极层，则所述垫高层也可以形成在所述栅极层上。一般而言，所述垫高层可以和与之相邻的层材料相同，也可以不同，只要其不影响TFT以及阵列基板的正常工作即可，但是，当所述过孔为像素电极和TFT漏电极连接的过孔，所述垫高层形成于所述源漏电极层上时优选为导电材料，使得像素电极和TFT漏电极能实现电连接。如图2所示，所述垫高层16可以直接在所述衬底基板11上形成。所述垫高层可以为在衬底基板上通过一次构图工艺形成，或者与所述栅极层同一次构图工艺形成。如图3所示，所述垫高层16可以在所述栅绝缘层12上形成。所述垫高层可以为在所述栅绝缘层上通过一次构图工艺形成，或者与所述栅绝缘层同一次构图工艺通过半曝光技术形成。如图4所示，所述垫高层16可以在所述有源层13上形成。所述垫高层可以为在所述有源层上通过一次构图工艺形成，或者与所述有源层同一次构图工艺通过半曝光技术形成。如图5所示，所述垫高层16还可以在所述源漏电极层14上形成。所述垫高层可以为在所述源漏电极层上通过一次构图工艺形成，或者与所述源漏电极层同一次构图工艺通过半曝光技术形成，当然为了保证像素电极和TFT漏电极的电连接，所述垫高层需要采用导电材料。在上述步骤S3中，在所述垫高层上方形成平坦化层15，并在所述平坦化层15上形成过孔的步骤，具体包括:在形成有垫高层的衬底基板上涂覆一层亚克力材料；对所述亚克力材料层进行低压干燥和烘烤；对低压干燥和烘烤后的所述亚克力材料层进行曝光；对曝光后的所述亚克力材料层进行显影和烘烤。需要说明的是，其中，对所述亚克力材料层进行低压干燥和烘烤，是通过在低压环境中对其进行干燥以及在加热的条件下进一步使其固化来完成所述亚克力材料层的成型；对曝光后的所述亚克力材料层进行显影是利用显影液形成所述过孔，烘烤是为了将残留的显影液以及清洗显影液的清洗剂去除。进一步的，所述阵列基板的制作方法，还包括:在所述平坦化层的上方形成像素电极层，所述像素电极通过所述过孔与所述TFT漏电极连接。其中，所述像素电极层为像素电极所在的层。如果所述过孔为阵列基板的周边区域中绑定驱动电路的绑定数据线和驱动电路连接的过孔，或者为绑定驱动电路的绑定栅线和驱动电路连接的过孔，则在上述步骤SI中，所述在所述衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层的步骤，还包括:在所述阵列基板的绑定驱动电路的绑定区域中，与所述栅极同层形成绑定栅线，与所述源漏电极同层形成绑定数据线；所述绑定栅线和所述绑定数据线分别通过平坦化层上的过孔与驱动电路绑定。需要说明的是，由于平坦化层上可以形成有多个过孔，因此垫高层也可以形成在多个位置，在不同位置的过孔下方的垫高层可以同层形成，也可以不同层形成，但为了工艺的简化，优选所述垫高层形成在同层，如在所述衬底基板上，对应像素电极和TFT漏电极连接的过孔处、绑定栅线与驱动电路绑定的过孔处以及绑定数据线与驱动电路绑定的过孔处，同时形成垫高层。需要说明的是，在上述阵列基板的制作方法中，在对应于所述平坦化层的过孔处的下方，所述栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层不一定全都存在，如在对应像素电极和TFT漏电极连接的过孔处的下方，可以不具有栅极层，在绑定驱动电路的绑定栅线与驱动电路连接的过孔处的下方，可以不具有栅绝缘层和有源层等。当然，所述栅极层、栅绝缘层，有源层、源漏电极层的顺序也不限于图中所示，图中仅示出了底栅型TFT阵列基板，对于顶栅型TFT阵列基板以及其他结构的变形，本发明实施例的阵列基板的制作方法同样适用。当然，在上述阵列基板的制作方法中还可以包括在源漏电极层上方形成钝化层的步骤，所述平坦化层形成于所述钝化层上方，所述过孔还应当穿过所述钝化层。具体可以采用一次Mask工艺制作该贯穿该钝化层以及该平坦化层的过孔；也可以采用两次Mask工艺分别制作该贯穿平坦化层上的过孔，以及贯穿该钝化层的过孔。在其它一些阵列基板的制作方法中，还可以包括:在衬底基板上形成缓冲层(缓冲层可以包括:氮化硅缓冲层和氧化硅缓冲层)；在形成所述缓冲层后再形成所述栅绝缘层、有源层和源漏电极层；所述垫高层还可以形成于所述缓冲层上。在其它一些阵列基板的制作方法中，如在顶栅型低温多晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)阵列基板的制作方法中，还可以包括:在所述包括栅极的层和源漏电极层之间形成层间绝缘层；所述垫高层还可以形成于所述层间绝缘层上。总之，所述垫高层16可以在衬底基板上或者在衬底基板和平坦化层之间任意一层上形成，如可以在所述栅极层上形成，或者所述栅绝缘层上形成，或者在所述有源层上形成，或者在所述源漏电极层上形成。当然，如果在对应平坦化层的过孔的位置，在所述衬底基板和所述平坦化层之间还包括其他的层，所述垫高层也可以形成在这些层上，只要在形成平坦化层时，能通过增加平坦化层对应过孔的位置下方的高度使得具有热熔性的材料如亚克力材料在形成过孔的位置的厚度减小即可。但是，为了过孔形成的便利，所述垫高层16优选设置于衬底基板上或者靠近衬底基板的层上。以所述过孔为像素电极和TFT漏电极连接的过孔为例，所述垫高层优选设置于衬底基板上或者源漏电极层下方的层上；以所述过孔为绑定数据线和驱动电路连接的过孔为例，所述垫高层优选设置于衬底基板上或者源漏电极层下方的层上；以所述过孔为绑定栅线和驱动电路连接的过孔为例，所述垫高层优选设置于衬底基板上或者栅极层下方的层上。在上述各阵列基板的制作方法中，平坦化层的厚度通常大于2 iim，在增加垫高层16之后，从整个阵列基板的上表面到平坦化层上表面，其总厚度不变；但由于垫高层的存在，在曝光工艺中，由于形成平坦化层的亚克力材料具有易于流动的性质，使过孔对应位置处的平坦化层厚度降低了 ；由于平坦化层厚度降低，导致在同样的曝光能量的条件下，其所得到的关键尺寸CD (过孔的直径)增加。如图1和图2所示，图1为没有垫高层的阵列基板的剖面结构图，图2为本发明一实施例设置有垫高层的阵列基板的剖面结构图。当设置垫高层厚度为H时，⑶(过孔的直径)改变量为:⑶2-⑶l=2XH/tga，其中，a为没有垫高层时，过孔位置的底部所在水平面与过孔的侧面的夹角。由于垫高层的存在，为了获得标准的过孔尺寸，需要的曝光能量较低，从而曝光速度得到提高，进一步增加设备产能。本发明的实施例还提供一种阵列基板，包括平坦化层，所述平坦化层上具有过孔，所述阵列基板还包括垫高层，所述垫高层位于阵列基板的平坦化层下方，且对应于平坦化层的过孔处，其中，所述平坦化层为热熔性材料。具体的，所述热熔性材料可以为亚克力材料。亚克力材料是以丙烯酸及其酯类聚合所得到的聚合物，统称丙烯酸类树酯，相应的塑料统称聚丙烯酸类塑料，具有质轻、价廉，易于成型等优点；它的成型方法有浇铸，射出成型，机械加工、热成型等，尤其是射出成型，可以大批量生产，制程简单，成本低。当然，本发明实施例中平坦化层并不限于亚克力材料，任何材料只要在加热时具有流动性，并且常温又可以保持固化的材料，都可以在本发明实施例阵列基板中用作平坦化层的材料。其中，所述对应于该平坦化层处的过孔可以为所述像素电极与TFT漏电极连接的过孔。在阵列基板的周边区域，驱动电路通过过孔分别与绑定栅线和绑定数据线连接实现绑定，为阵列基板提供行扫描信号和数据信号，因此，所述平坦化层上的过孔还可以为绑定驱动电路的绑定数据线与驱动电路连接的过孔，或者为绑定驱动电路的绑定栅线与驱动电路连接的过孔等。当然，本发明实施例的阵列基板中的过孔不限于以上几种，在其他阵列基板结构的变形中，只要在平坦化层上形成有过孔，都适用于本发明实施例所述的阵列基板的结构。具体的，以所述过孔为像素电极与TFT漏电极连接的过孔为例进行说明。本发明实施例提供一种阵列基板，包括:衬底基板以及形成在所述衬底基板上的TFT ；形成在所述衬底基板上方的垫高层；形成在所述垫高层上方的平坦化层，所述平坦化层上具有过孔，所述垫高层对应所述平坦化层的过孔的位置。具体的，所述TFT包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极；所述垫高层位于所述衬底基板上，或者位于所述栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层中的任意一层上。其中，所述栅极层为所述栅极所在的层，所述源漏电极层为所述TFT源电极和漏电极所在的层。当然，对于所述过孔为像素电极和TFT漏电极连接的过孔的情况，所述过孔下方一般不具有栅极层，所以图中未示出。如果所述过孔下方具有所述栅极层，则所述垫高层还可以位于所述栅极层上。一般而言，所述垫高层可以和与之相邻的层材料相同，也可以不同，只要其不影响TFT以及阵列基板的正常工作即可，但是，当所述过孔为像素电极和TFT漏电极连接的过孔时，所述垫高层形成于所述源漏电极层上时，优选为导电材料，使得像素电极和TFT漏电极能实现电连接。如图2所示，所述垫高层16可以位于所述衬底基板11上。具体的，所述垫高层可以为在所述衬底基板上单独形成的一层，或者与所述栅极同层形成。如图3所示，所述垫高层16可以位于所述栅绝缘层12上。具体的，所述垫高层可以为在所述栅绝缘层12上单独形成的一层，或者与所述栅绝缘层通过半曝光技术同层形成。如图4所示，所述垫高层16可以位于所述有源层13上。具体的，所述垫高层可以为在所述有源层13上单独形成的一层，或者与所述有源层通过半曝光技术同层形成。如图5所示，所述垫高层16还可以位于所述源漏电极层14上。具体的，所述垫高层可以为在所述源漏电极层14上单独形成的一层，或者与所述源漏电极层通过半曝光技术同层形成。当然为了保证像素电极和TFT漏电极的电连接，所述垫高层为导电材料。进一步的，所述阵列基板还包括像素电极层，所述像素电极层位于平坦化层上方，所述平坦化层上的过孔用于连接所述像素电极和TFT的漏电极。其中，所述像素电极层为像素电极所在的层。如果所述平坦化层的过孔还包括绑定驱动电路的绑定数据线和驱动电路连接的过孔，以及绑定驱动电路的绑定栅线和驱动电路连接的过孔，则所述阵列基板，还包括:与所述栅极同层形成的绑定栅线，与所述源漏电极同层形成的绑定数据线；在阵列基板的绑定区域，所述绑定栅线和绑定数据线分别通过所述平坦化层上的过孔与驱动电路连接。需要说明的是，由于平坦化层上可以具有多个过孔，因此垫高层也可以形成在多个位置，在不同位置的过孔下方的垫高层可以在同层，也可以不在同层，但为了工艺的简化，优选所述垫高层形成在同层，如在所述衬底基板上，对应像素电极和TFT漏电极连接的过孔处、绑定栅线与驱动电路绑定的过孔处以及绑定数据线与驱动电路绑定的过孔处，同时形成垫高层。在对应于所述平坦化层的过孔处的下方，所述栅极层，栅绝缘层12，有源层13、源漏电极层14也不一定全都存在，如在对应像素电极和TFT漏电极连接的过孔处的下方，可以不具有栅极层，在绑定驱动电路的绑定栅线与驱动电路连接的过孔处的下方，不具有栅绝缘层和有源层。当然，所述栅极层，栅绝缘层12，有源层13、源漏电极层14的顺序也不限于图中所示，图中仅示出了底栅型TFT阵列基板，对于顶栅型TFT阵列基板，本发明实施例的阵列基板同样适用。当然，上述阵列基板中还可以包括在平坦化层下方形成的钝化层，则所述平坦化层的过孔还应当穿过所述钝化层，即所述过孔贯穿所述钝化层和所述平坦化层，所述像素电极与TFT漏电极通过所述过孔连接；或者在所述平坦化层的过孔下方，所述钝化层也形成有过孔，且钝化层过孔与平坦化层的过孔上下相通，所述像素电极与TFT漏电极通过所述平坦化层的过孔和钝化层的过孔连接。在其它一些阵列基板中，还可以包括:在衬底基板上形成的缓冲层(缓冲层可以包括:氮化硅缓冲层和氧化硅缓冲层)；在所述缓冲层上方形成有栅极层、栅绝缘层、有源层和源漏电极层；所述垫高层还可以位于所述缓冲层上。 在其它一些阵列基板中，如在顶栅型低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)阵列基板中，还可以包括:形成于所述栅极层和源漏电极层之间的层间绝缘层；所述垫高层还可以位于所述层间绝缘层上。总之，所述垫高层16可以位于衬底基板上或者在衬底基板和平坦化层之间任意一层上，如可以在所述栅极层上形成，或者所述栅绝缘层上形成，或者在所述有源层上形成，或者在所述源漏电极层上形成。当然，如果在对应平坦化层的过孔的位置，在所述衬底基板和所述平坦化层之间还包括其他的层，所述垫高层也可以位于这些层上，只要在形成平坦化层时，能通过增加平坦化层对应过孔的位置下方的高度使得具有热熔性的材料如亚克力材料在形成过孔的位置的厚度减小即可。但是，为了过孔形成的便利，所述垫高层16优选设置于衬底基板上或者靠近衬底基板的层上。以所述过孔为像素电极和TFT漏电极连接的过孔为例，所述垫高层优选设置于衬底基板上或者源漏电极层下方的层上；以所述过孔为绑定数据线和驱动电路连接的过孔为例，所述垫高层优选设置于衬底基板上或者源漏电极层下方的层上；以所述过孔为绑定栅线和驱动电路连接的过孔为例，所述垫高层优选设置于衬底基板上或者栅极层下方的层上。另外，本发明的实施例还提供一种显示装置，包括如上述实施例所述的阵列基板。本发明实施例的阵列基板以及显示装置同样由于在平坦化层过孔处下方存在垫高层，以及形成平坦化层的材料具有加热可流动的性质，使得在曝光工艺中，过孔对应位置处的平坦化层厚度降低；由于平坦化层厚度降低，使得为了获得标准的过孔尺寸，需要的曝光能量降低，从而提高曝光速度，进一步增加设备产能。以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于阵列基板的平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔的位置，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述热熔性材料为亚克力材料。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括: 51:提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成TFT ； 52:在所述衬底基板上方形成塾闻层； 53:在所述垫高层上方形成平坦化层，并在所述平坦化层上形成过孔，其中所述垫高层对应所述平坦化层的过孔的位置。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述在衬底基板上形成TFT的步骤，具体为:在所述衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层； 所述在衬底基板上方形成垫高层的步骤具体为:在所述衬底基板上或者在所述栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层中任意一层上形成垫高层。
5.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括: 在所述平坦化层上方形成像素电极层，所述像素电极通过所述平坦化层上的过孔与所述TFT漏电极连接。`
6.根据权利要求4所述的阵列基板的制作方法，其特征在于， 所述在衬底基板上形成栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层的步骤，还包括:在所述阵列基板的绑定驱动电路的周边区域中，与所述栅极同层形成绑定栅线，与所述源漏电极同层形成绑定数据线，所述绑定栅线和所述绑定数据线分别通过平坦化层上的过孔与驱动电路绑定。
7.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，在形成有垫高层的所述衬底基板上形成平坦化层的步骤包括: 在形成有垫高层的所述衬底基板上涂覆亚克力材料层； 对所述亚克力材料层进行低压干燥和烘烤； 对低压干燥和烘烤后的所述亚克力材料层进行曝光； 对曝光后的所述亚克力材料层进行显影和烘烤。
8.—种阵列基板，包括平坦化层，其特征在于，包括垫高层，所述垫高层位于平坦化层下方，且对应于平坦化层的过孔处，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述热熔性材料为亚克力材料。
10.根据权利要求8或9所述的阵列基板，其特征在于，包括: 衬底基板以及形成于所述衬底基板上的TFT ； 形成在所述衬底基板上方的塾闻层； 形成在所述垫高层上方的平坦化层，所述平坦化层上具有过孔，所述垫高层对应所述平坦化层的过孔的位置。
11.根据权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述TFT包括栅极、栅绝缘层、有源层、源漏电极，所述垫高层位于所述衬底基板上或者位于栅极层、栅绝缘层、有源层、源漏电极层中的任意一层上。
12.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于，还包括:像素电极层，所述像素电极层位于平坦化层上方，所述像素电极通过所述平坦化层上的过孔与TFT漏电极连接。
13.根据权利要求12所述的阵列基板，其特征在于，还包括钝化层，所述钝化层位于所述平坦化层的下方，所述钝化层具有与所述平坦化层的过孔上下相通的过孔，所述像素电极与TFT漏电极通过所述平坦化层的过孔和钝化层的过孔连接。
14.根据权利要求11所述的阵列基板，其特征在于， 在所述阵列基板的绑定驱动电路的周边区域，还包括与源漏电极同层形成的绑定数据线，以及与栅极同层形成的绑定栅线，所述绑定数据线与所述绑定栅线分别通过所述平坦化层上的过孔与驱动电路连接。
15.一种显示装置，包括如权`利要求8-14任一项所述的阵列基板。
全文摘要
本发明提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置，其中，所述阵列基板的制作方法包括在阵列基板上形成垫高层，所述垫高层位于平坦化层下方，且对应于所述平坦化层的过孔的位置，其中，所述平坦化层为热熔性材料形成。本发明的方案可以局部减小平坦化层的厚度，从而减少过孔形成所需要的曝光能量，进一步增加曝光时的曝光速度，提高生产效率。
文档编号H01L27/12GK103107135SQ201310053700
公开日2013年5月15日 申请日期2013年2月19日 优先权日2013年2月19日
发明者魏小丹, 张兴强, 陆忠, 张同局 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 成都京东方光电科技有限公司