倒置型有机电致发光器件及其制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种倒置型有机电致发光器件，包括依次层叠设置的基板、阴极层、pn结层、有机发光功能层以及阳极层，其中，阴极层为透明导电氧化物薄膜，pn结层包括靠近阴极层的p型层及设在p型层上的n型层，有机发光功能层中设有发光层。该倒置型有机电致发光器件采用透明导电氧化物薄膜形成阴极层并作为出光电极，并在阴极层上设计了一个pn结pn结层，该pn结层在外部电场下发生电荷分离，电子和空穴从pn结pn结层的结点分别向有机发光功能层和阴极层传输，从而使电子注入到有机发光功能层中，解决了电子注入困难的问题，在此基础上制备的倒置型有机电致发光器件，可以获得较高的发光效率。
【专利说明】倒置型有机电致发光器件及其制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及电致发光【技术领域】，尤其是涉及一种倒置型有机电致发光器件及其制 作方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光（Organic Light Emission Diode,以下简称0LED)，具有亮度高、材 料选择范围宽、驱动电压低、全固化主动发光等特性，同时拥有高清晰、广视角以及响应速 度快等优势，是一种极具潜力的显示技术和光源，符合信息时代移动通信和信息显示的发 展趋势以及绿色照明技术的要求，是目前国内外众多研究者的关注重点。
[0003] 目前，0LED的发展十分迅速，为了获得其更多的应用领域，研究者们开发了多种结 构的0LED发光器件，例如顶发射发光器件或倒置型发光器件等。目前0LED器件可以与TFT 配置制备成大面积，高效率的AM0LED器件，现有使用的TFT包括P型和N型两种。P型包括 LTPS和氧化物TFT，N型TFT处理用a -Si制备外，也可以使用LTPS和氧化物制备，采用倒 置型的0LED可以扩展AM0LED的制备方案并降低成本。
[0004] 但是对于下出光的倒置0LED发光器件，通常需要一个高透明的电极作为阴极，传 统常用的薄层金属其透过率只有60?70%左右，并且过薄的金属薄膜给器件的封装带来挑 战。而透明导电氧化物薄膜虽然其透过率高，但是由于其功函较高，对电子的注入不利，使 器件的发光效率难以提高。
【发明内容】
[0005] 基于此，有必要提供一种发光效率较高的倒置型有机电致发光器件及其制作方 法。
[0006] -种倒置型有机电致发光器件，包括依次层叠设置的基板、阴极层、pn结层、有机 发光功能层以及阳极层，所述阴极层为透明导电氧化物薄膜，所述pn结层包括靠近所述阴 极层的P型层及设在所述P型层上的η型层，其中，所述p型层的材料为碘化亚铜、碘化锌、 碘化铯或碘化亚锡掺杂在酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒中形成的复合材料，所述碘化亚铜、碘 化锌、碘化铯或碘化亚锡占所述Ρ型层的质量百分数为1?20% ;所述η型层的材料为十六 氟酞菁铜或十六氟酞菁锌；所述有机发光功能层中设有发光层。
[0007] 在其中一个实施例中，所述透明导电氧化物薄膜为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物 薄膜、铝锌氧化物薄膜或镓锌氧化物薄膜。
[0008] 在其中一个实施例中，所述有机发光功能层还包括设在所述发光层一侧的靠近所 述阳极层的空穴传输层以及设在所述发光层另一侧的靠近所述阴极层的电子传输层中的 至少一种。
[0009] 在其中一个实施例中，所述空穴传输层的材料为4,4 7，4 三（2-萘基苯基 氨基）三苯基胺、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（1-萘基）-1，1'-联苯_4,4'-二胺、 4,4'，4"_三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、Ν，Ν'-二苯基-Ν，Ν'-二（3-甲 基苯基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺或4,4'，4"-三（咔唑-9-基）三苯胺。
[0010] 在其中一个实施例中，所述电子传输层的材料为2- (4-联苯基)-5- (4-叔丁基） 苯基-1，3, 4-二唑、4, 7-二苯基-邻菲咯啉、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、 2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或1，2, 4-三唑衍生物。
[0011] 在其中一个实施例中，所述发光层的材料为磷光材料掺杂在主体材料中形成的 复合材料，其中，所述磷光材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7,7_四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基 吡啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三 (1-苯基-异喹啉)合铱及三（2-苯基吡啶)合铱中的至少一种，所述主体材料为4, 4 7 -二 (9-咔唑）联苯、8-羟基喹啉铝、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯或N，V -二 苯基-N，-二（1-萘基）-1，P -联苯-4, 4 7 -二胺所述磷光材料与所述主体材料的 质量百分比为1?10%。
[0012] 在其中一个实施例中，所述发光层的材料为4，r -二（2,2_二苯乙烯 基-联苯、4,4> -双[4-(二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联苯或5, 6, 11，12-四苯 基萘并萘。
[0013] 在其中一个实施例中，所述阳极层的材料为Ag、Al、Au及Pt中的至少一种。
[0014] 一种倒置型有机电致发光器件的制作方法，包括如下步骤：
[0015] 在真空镀膜系统中，在基板的表面溅射一层透明导电氧化物薄膜作为阴极层；
[0016] 在真空镀膜系统中，通过热蒸发技术，在所述阴极层表面蒸镀制备p型层并在所 述P型层的表面蒸镀制备η型层，形成pn结层，其中，所述p型层的材料为碘化亚铜、碘 化锌、碘化铯或碘化亚锡掺杂在酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒中形成的复合材料，所述碘化亚 铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡占所述P型层中的质量百分数的1?20%，所述η型层的材料 为十六氟酞菁铜或十六氟酞菁锌；
[0017] 在真空镀膜系统中，在所述η型层上蒸镀制备包含发光层的有机发光功能层，并 利用热蒸发或者电子束蒸发技术在所述有机发光功能层上制备阳极层，得到所述倒置型有 机电致发光器件。
[0018] 上述倒置型有机电致发光器件采用透明导电氧化物薄膜形成阴极层并作为出光 电极，并在阴极层上设计了一个pn结层，该pn结层在外部电场下发生电荷分离，电子和空 穴从pn结层的结点分别向有机发光功能层和阴极层传输，从而使电子注入到有机发光功 能层中。在外部电子的注入方面，由于采用了 P型半导体与透明导电氧化物薄膜的结合，解 决了电子注入困难的问题，因此电子注入比较容易，在此基础上制备的倒置型有机电致发 光器件，可以获得较高的发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0019] 图1为一实施方式的倒置型有机电致发光器件的结构不意图；
[0020] 图2为实施例1与对比例1制作的倒置型有机电致发光器件的电压-电流密度特 性曲线。
【具体实施方式】
[0021] 以下结合附图及具体实施例对倒置型有机电致发光器件作进一步详细的说明。
[0022] 如图1所示，一实施方式的倒置型有机电致发光器件100包括依次层叠设置的基 板110、阴极层120、pn结层130、有机发光功能层140以及阳极层150。
[0023] 基板110优选采用透明玻璃制作。
[0024] 阴极层120为透明导电氧化物薄膜，如铟锡氧化物（ΙΤ0)薄膜、铟锌氧化物（ΙΖ0) 薄膜、铝锌氧化物（ΑΖ0)薄膜或镓锌氧化物（GZ0)薄膜。阴极层120的厚度在70?200nm 之间。
[0025] pn结层130包括靠近阴极层120的p型层132及设在p型层132上的η型层134。 Ρ型层132的材料为所述ρ型层的材料为碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡掺杂在酞菁 铜、酞菁锌或酞菁氧钒中形成的复合材料，其中，碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡占Ρ 型层132的质量百分数为1?20%。ρ型层132的厚度为4?15nm。η型层134的材料为 十六氟酞菁铜或十六氟酞菁锌。η型层134的厚度为1?10nm。
[0026] 有机发光功能层140包括设在pn结层130上的电子传输层142、设在电子传输层 142上的发光层144以及设在发光层144上的空穴传输层146。
[0027] 电子传输层142的材料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3, 4-二唑（PBD)、 4,7-二苯基-邻菲咯啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)、 2, 9-二甲基-4,7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)或1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)。电子传输 层142的厚度在20?60nm之间。
[0028] 空穴传输层146的材料为4，^，4 三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺 (2-TNATA)、N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺（NPB)、 4, 4 '，4 "-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、N, N '-二苯 基州州'-二（3-甲基苯基）-1，1/-联苯-4,4'-二胺（丁卩0)或4,4/，4"-三（咔 唑-9-基）三苯胺（TCTA)。空穴传输层146的厚度在20?60nm之间。
[0029] 发光层144的材料磷光材料掺杂在主体材料中形成的复合材料。其中，磷光 材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃 (0〇1^)、双（4,6-二氟苯基吡啶州，02)吡啶甲酰合铱^1印丨〇)、双（4,6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合铱（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3)及三（2-苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)中的至少一种。主体材料为4,4 7 -二（9-咔唑）联苯（CBP)、8-羟基喹啉铝 (八193)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?8丨）或1^-二苯基，，^-二 (1-萘基）_1，P -联苯-4, 4 7 -二胺（NPB)。磷光材料与主体材料的质量百分比为1? 1〇%。或者发光层144的材料为4,4^-二（2,2-二苯乙烯基）-1，广-联苯（0?￥81)、 4, 4 7 -双[4-(二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联苯（DPAVBi)或5, 6, 11，12-四苯基萘并萘 (Rubrene)。发光层144的厚度在1?20nm之间。
[0030] 阳极层150的材料为Ag、Al、Au及Pt中的至少一种。
[0031] 上述倒置型有机电致发光器件采用透明导电氧化物薄膜形成阴极层并作为出光 电极，并在阴极层上设计了一个pn结层，该pn结层在外部电场下发生电荷分离，电子和空 穴从pn结层的结点分别向有机发光功能层和阴极层传输，从而使电子注入到有机发光功 能层中。在外部电子的注入方面，由于采用了 P型半导体与透明导电氧化物薄膜的结合，解 决了电子注入困难的问题，因此电子注入比较容易，在此基础上制备的倒置型有机电致发 光器件，可以获得较高的发光效率。
[0032] 此外，本实施方式还提供了一种倒置型有机电致发光器件的制作方法，包括如下 步骤：
[0033] 步骤一：在真空镀膜系统中，在洁净的基板表面溅射一层透明导电氧化物薄膜作 为阴极层。
[0034] 基板优选采用透明玻璃制作。
[0035] 阴极层为透明导电氧化物薄膜，如铟锡氧化物（ΙΤ0)薄膜、铟锌氧化物（ΙΖ0)薄 膜、铝锌氧化物（ΑΖ0)薄膜或镓锌氧化物（GZ0)薄膜。阴极层的厚度在70?200nm之间。
[0036] 步骤二：在真空镀膜系统中，通过热蒸发技术，在阴极层表面蒸镀制备p型层并在 P型层的表面蒸镀制备η型层，形成pn结层。
[0037] pn结层包括靠近阴极层的p型层及设在p型层上的η型层。p型层的材料为所述 Ρ型层的材料为碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡掺杂在酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒中 形成的复合材料，其中，碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡占Ρ型层的质量百分数为1? 20%。ρ型层的厚度为4?15nm。η型层的材料为十六氟酞菁铜或十六氟酞菁锌。η型层的 厚度为1?l〇nm。
[0038] 步骤三：在真空镀膜系统中，在η型层上蒸镀制备包含发光层的有机发光功能层， 并利用热蒸发或者电子束蒸发技术在有机发光功能层上制备阳极层，得到倒置型有机电致 发光器件。
[0039] 有机发光功能层包括设在pn结层上的电子传输层、设在电子传输层上的发光层 以及设在发光层上的空穴传输层。
[0040] 电子传输层的材料为2- (4-联苯基）-5- (4-叔丁基）苯基-1，3, 4-二唑（PBD)、 4,7-二苯基-邻菲咯啉（8口1^11)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)、 2, 9-二甲基-4,7-联苯-1，10-邻二氮杂菲（BCP)或1，2, 4-三唑衍生物（TAZ)。电子传输 层的厚度在20?60nm之间。
[0041] 空穴传输层的材料为4,4 7，4 "-三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺（2-TNATA)、 N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘基-联苯-4,4'-二胺（NPB)、4,4'，4"_三 (N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺（m-MTDATA)、N, N '-二苯基-N, N '-二（3-甲基苯 基-联苯-4,4'-二胺（TPD)或 4,4' ,4"-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。 空穴传输层的厚度在20?60nm之间。
[0042] 制备的发光层的材料磷光材料掺杂在主体材料中形成的复合材料。其中，磷光 材料为4-(二腈甲基）-2-丁基-6- (1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃 (DCJTB)、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合铱（FIrpic)、双（4, 6-二氟苯基吡 啶）-四（1-吡唑基）硼酸合铱（FIr6)、二（2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉）（乙酰丙酮） 合铱（Ir(MDQ)2(acac))、三（1-苯基-异喹啉）合铱（Ir(piq)3)及三（2-苯基吡啶）合铱 (Ir(ppy)3)中的至少一种。主体材料为4,4 7 -二（9-咔唑）联苯（CBP)、8-羟基喹啉铝 (八193)、1，3,5-三（1-苯基-1!1-苯并咪唑-2-基）苯（了?8丨）或1^-二苯基，，^-二 (1-萘基）_1，P -联苯-4, 4 7 -二胺（NPB)。磷光材料与主体材料的质量百分比为1? 1〇%。或者发光层的材料为4,4'-二（2,2-二苯乙烯基）-1，"-联苯（0?￥8丨）、4,4'-双
[4-(二对甲苯基氨基）苯乙烯基]联苯（0?4￥8丨）或5,6，11，12-四苯基萘并萘（1?1*代1^)。 发光层的厚度在1?20nm之间。
[0043] 阳极层的材料为Ag、Al、Au及Pt中的至少一种。
[0044] 该制备工艺中，制备的工作压强为IX 10_5?IX 10_3Pa，有机材料的蒸镀速度为 0. l-2nm/s之间，无机材料的蒸发速度为0. 01-0. 5nm/s之间，半导体氧化物薄膜的溉射速 度为l-5nm/s之间。
[0045] 上述制备过程原理简单，对设备要求低，便于推广应用。
[0046] 以下为具体实施例及对比例部分，其中，"/"表示层叠，"："表示前者掺杂在后者 中形成复合材料。
[0047] 实施例1
[0048] 倒置型有机电致发光器件的结构为：玻璃基板/IT0(100nm)/CuI:CuP C(5%，5nm)/ F16CuPc (4nm) /Bphen (30nm) /DCJTB: Alq3 (1%, lnm) /NPB (30nm) /Ag (100nm)。
[0049] 本实施例倒置型有机电致发光器件的制作方法，包括以下几个步骤：
[0050] 步骤一、提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗 干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
[0051] 步骤二、在真空度为5X l(T4Pa的真空镀膜系统中，在基板表面溅射制备一层厚度 为100nm的ΙΤ0薄膜作为阴极层。
[0052] 步骤三、在真空度为5Xl(T4Pa的真空镀膜系统中，在阴极层表面通过热蒸发技术 依次制备pn结层的p型层和η型层，其中，p型层的材料为Cul掺杂在CuPc中形成的混合 材料（Cul占p型层的质量百分数为10%)，厚度为5nm ;制备的η型层的材料为F16ZnPc，厚 度为4nm。
[0053] 步骤四、在pn结层表面依次制备厚度为30nm的Bphen作为电子传输层、厚度lnm 的DCJTB:Alq 3(l%)作为发光层以及厚度为30nm的NPB作为空穴传输层。其中发光层是发 光材料DCJTB掺杂在主体材料Alq 3中，DCJTB与Alq3的质量百分比为1%。
[0054] 步骤五、利用热蒸发技术在空穴传输层表面制备一层厚度为lOOnm的Ag作为阳极 层。
[0055] 上述制备工艺中，制备的工作压强为5X l(T4Pa，有机材料的蒸镀速度为0. lnm/s， 无机材料的蒸发速度为0. 〇lnm/s，IT0的溉射速度为5nm/s。
[0056] 实施例2
[0057] 倒置型有机电致发光器件的结构为：玻璃基板/AZO (70nm) /Znl2: ZnPc (20%， 15nm) /F16ZnPc (10nm) /TPBi (60nm) /Ir (piq) 3: CBP (8%，12nm) /2-TNATA (60nm) /A1 (70nm)。
[0058] 本实施例倒置型有机电致发光器件的制作方法，包括以下几个步骤：
[0059] 步骤一、提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗 干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
[0060] 步骤二、在真空镀膜系统中，在基板表面溅射制备一层厚度为70nm的AZ0薄膜作 为阴极层。
[0061] 步骤三、在真空度为lXl(T3Pa的真空镀膜系统中，在阴极层表面通过热蒸发技 术，依次制备pn结层的p型层和η型层，其中，制备的p型层的材料为Znl 2掺杂在ZnPc中 形成的混合材料（Znl2占p型层的质量百分数为20%)，厚度为15nm ;制备的η型层的材料 为 F16ZnPc，厚度为 10nm。
[0062] 步骤四、在pn结层表面依次制备厚度为60nm的TPBi作为电子传输层、厚度为 12nm的Ir(piq) 3:CBP(8%)作为发光层以及厚度为60nm的2-TNATA作为空穴传输层。其中 发光层是发光材料Ir (piq) 3掺杂在主体材料CBP中，Ir (piq) 3与CBP的质量百分比为8%。
[0063] 步骤五、利用电子束蒸发技术在空穴传输层表面制备厚度为70nm的A1层作为阳 极层。
[0064] 该制备工艺中，制备的工作压强为IX l(T3Pa，有机材料的蒸镀速度为2nm/s，无机 材料的蒸发速度为〇. 5nm/s，AZO的溉射速度为2nm/s。
[0065] 实施例3
[0066] 倒置型有机电致发光器件的结构为：玻璃基板/GZ0(200nm)/SnI2:V0Pc(l%，4nm)/ F 16CuPc (lnm) /PBD (20nm) /Ir (ppy) 3: CBP (10%, 15nm) /m-MTDATA (20nm) /Au (200nm)。
[0067] 本实施例的倒置型有机电致发光器件的制作方法，包括以下几个步骤：
[0068] 步骤一、提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗 干净后依次用异丙醇、丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
[0069] 步骤二、在真空镀膜系统中，在基板表面溅射制备厚度为200nm的GZO薄膜作为阴 极层。
[0070] 步骤三、在真空度为lXl(T5Pa的真空镀膜系统中，在阴极表面通过热蒸发技术， 依次制备pn结层中的p型层和η型层，其中制备的p型层的材料为Snl 2掺杂在VOPc中 形成的混合材料（Snl2占p型层的质量百分数为5%)，厚度为4nm ;制备的η型层的材料为 F16CuPc，厚度为 lnm。
[0071] 步骤四、在pn结层表面依次制备厚度为20nm的PBD层作为电子传输层、厚度为 1511111的11^? 7)3仰？（10%)作为发光层以及厚度为2〇11111的111-101^4作为空穴传输层。其 中发光层是发光材料Ir (ppy) 3掺杂在主体材料CBP中，Ir (ppy) 3与CBP的质量百分比为 10%。步骤五、利用热蒸发技术在空穴传输层表面制备厚度为200nm的Au层作为阳极层。
[0072] 该制备工艺中，制备的工作压强为IX l(T5Pa，有机材料的蒸镀速度为lnm/s，无机 材料的蒸发速度为〇. lnm/s，GZ0的溉射速度为lnm/s。
[0073] 实施例4
[0074] 倒置型有机电致发光器件的结构为：玻璃基板/IZ0(100nm)/CSI :CuPc(2%，8nm)/ F16CuPc (10nm) /BCP (30nm) /DPVBi (20nm) /TPD (40nm) /Pt (70nm)。
[0075] 本实施例的倒置型有机电致发光器件的制作方法，包括以下几个步骤：
[0076] 步骤一、提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗 干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
[0077] 步骤二、在真空镀膜系统中，在基板表面溅射制备一层厚度为lOOnm的IZ0薄膜作 为阴极层。
[0078] 步骤三、在真空度为5Xl(T4Pa的真空镀膜系统中，在阴极表面通过热蒸发技术， 依次制备pn结层的p型层和η型层，制备的p型层的材料为Csl掺杂在CuPc中形成的混 合材料（Csl占p型层的质量百分数为2%)，厚度为8nm ;制备的η型层的材料为F16CuPc，厚 度为10nm。
[0079] 步骤四、在pn结层表面依次制备厚度为30nm的BCP作为电子传输层、厚度为20nm 的DPVBi作为发光层以及厚度为40nm的ΤΗ)作为空穴传输层。
[0080] 步骤五、利用电子束蒸发技术在空穴传输层表面制备一层厚度为70nm的Pt作为 阳极层。
[0081] 该制备工艺中，制备的工作压强为5X l(T4Pa，有机材料的蒸镀速度为lnm/s，无机 材料的蒸发速度为〇. lnm/s，ΙΖ0的溉射速度为2nm/s。
[0082] 对比例1
[0083] 倒置型有机电致发光器件的结构为：玻璃基板/ΙΤ0 (100nm) /Bphen (30nm) / DCJTB:Alq3(l%，lnm)/NPB(30nm)/Ag(100nm)。
[0084] 该倒置型有机电致发光器件的制作方法，包括以下几个步骤：
[0085] 步骤一、提供玻璃基板，将基板放在含有洗涤剂的去离子水中进行超声清洗，清洗 干净后依次用异丙醇，丙酮在超声波中处理20分钟，然后再用氮气吹干。
[0086] 步骤二、在真空镀膜系统中，在基板表面溅射制备一层厚度为lOOnm的IT0薄膜作 为阴极层。
[0087] 步骤三、在真空度为5Xl(T4Pa的真空镀膜系统中，在阴极表面依次制备厚度为 30nm的Bphen作为电子传输层、厚度为lnm的DCJTB:Alq3(DCJTB与Alq3的质量百分比为 1%)作为发光层、厚度为30nm的NPB作为空穴传输层。
[0088] 步骤四、利用热蒸发或者电子束蒸发技术在空穴传输层表面制备厚度为lOOnm的 Ag作为阳极层。
[0089] 表1是实施例1，2, 3,4和对比例1所制作的器件的发光性能数据，如下：
[0090] 表 1
[0091]
【权利要求】
1. 一种倒置型有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠设置的基板、阴极层、pn 结层、有机发光功能层以及阳极层，所述阴极层为透明导电氧化物薄膜，所述pn结层包括 靠近所述阴极层的P型层及设在所述P型层上的η型层，其中，所述p型层的材料为碘化亚 铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡掺杂在酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧f凡中形成的复合材料，所述 碘化亚铜、碘化锌、碘化铯或碘化亚锡占所述P型层的质量百分数为1?20% ;所述η型层 的材料为十六氟酞菁铜或十六氟酞菁锌；所述有机发光功能层中设有发光层。
2. 如权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述透明导电氧化物 薄膜为铟锡氧化物薄膜、铟锌氧化物薄膜、铝锌氧化物薄膜或镓锌氧化物薄膜。
3. 如权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述有机发光功能层 还包括设在所述发光层一侧的靠近所述阳极层的空穴传输层以及设在所述发光层另一侧 的靠近所述阴极层的电子传输层中的至少一种。
4. 如权利要求3所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材 料为4,4，，4"_三（2-萘基苯基氨基）三苯基胺、-二苯基-Ν，^Γ -二（1-萘 基）-1，广-联苯_4，f -二胺、4，f，4"_三（Ν-3-甲基苯基-Ν-苯基氨基）三苯胺、 N，N'-二苯基-N，N'-二（3-甲基苯基-联苯-4,4'-二胺或4,4'，4"_三 (咔唑-9-基）三苯胺。
5. 如权利要求3所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述电子传输层的材 料为2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基)苯基-1，3, 4-二唑、4, 7-二苯基-邻菲咯啉、1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯、2, 9-二甲基-4, 7-联苯-1，10-邻二氮杂菲或1，2, 4-三 唑衍生物。
6. 如权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为 磷光材料掺杂在主体材料中形成的复合材料，其中，所述磷光材料为4-(二腈甲基）-2- 丁 基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、双（4, 6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡 啶甲酰合铱、双（4, 6-二氟苯基吡啶)-四（1-吡唑基)硼酸合铱、二（2-甲基-二苯基[f，h] 喹喔啉）（乙酰丙酮）合铱、三（1-苯基-异喹啉）合铱及三（2-苯基吡啶）合铱中的至少一 种，所述主体材料为4, f -二（9-咔唑）联苯、8-羟基喹啉铝、1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯 并咪唑-2-基）苯或N，N'-二苯基-N，N'-二（1-萘基）-1，1'-联苯-4,4'-二胺 所述磷光材料与所述主体材料的质量百分比为1?10%。
7. 如权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述发光层的材料为 4, 4'-二（2, 2_二苯乙稀基）_1，1 '-联苯、4, 4'-双[4_(二对甲苯基氛基）苯乙稀 基]联苯或5, 6, 11，12-四苯基萘并萘。
8. 如权利要求1所述的倒置型有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极层的材料为 Ag、Al、Au及Pt中的至少一种。
9. 一种倒置型有机电致发光器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 在真空镀膜系统中，在基板的表面溅射一层透明导电氧化物薄膜作为阴极层； 在真空镀膜系统中，通过热蒸发技术，在所述阴极层表面蒸镀制备P型层并在所述P型 层的表面蒸镀制备η型层，形成pn结层，其中，所述p型层的材料为碘化亚铜、碘化锌、碘 化铯或碘化亚锡掺杂在酞菁铜、酞菁锌或酞菁氧钒中形成的复合材料，所述碘化亚铜、碘化 锌、碘化铯或碘化亚锡占所述P型层中的质量百分数的1?20%，所述η型层的材料为十六 氟酞菁铜或十六氟酞菁锌； 在真空镀膜系统中，在所述η型层上蒸镀制备包含发光层的有机发光功能层，并利用 热蒸发或者电子束蒸发技术在所述有机发光功能层上制备阳极层，得到所述倒置型有机电 致发光器件。
【文档编号】H01L51/56GK104051655SQ201310076821
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年3月11日 优先权日:2013年3月11日
【发明者】周明杰, 王平, 冯小明, 陈吉星 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司