专利名称：改善多晶硅结晶率的方法及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及多晶硅结晶技术，尤其涉及一种改善多晶硅结晶率的方法及装置。
背景技术：
多晶硅因其优于非晶硅的电气特性，以及低于单晶硅的成本优势，而在薄膜晶体管制造上广受重视，尤其是在薄膜晶体管驱动液晶显示器的应用上。目前在多晶硅薄膜的制作上，最为普遍使用的是准分子激光回火技术，如美国专利(公开号:US5529951)公开了一种使非晶娃转化为多晶娃的方法,具体为利用单一准分子激光照射于非晶硅表面，采用激光波长为308nm的激光，脉冲宽度为140ns 200ns，激光能量为280mJ/cm2 330mJ/cm2，使非晶硅转化为多晶硅，但是由于激光能量不能很快的达到融化温度，需要重复多次准分子激光照射才能将非晶硅转化为多晶硅，当使用较大峰值功率(峰值功率=激光能量/脉冲宽度)的激光时，极容易发生氢爆现象，而氢爆现象会导致多晶硅薄膜脱落，从而影响多晶硅的结晶率，且会污染光学镜组。中国专利(公开号:CN1822334A)公开了一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法，是在基板上形成非晶硅层之后，即对非晶硅层进行图案化，以形成硅岛图形，使提前定义出组件的主动区域。然后利用单发长脉冲激光束，采用脉冲宽度为100 200ns的激光束，以使非晶硅的加热时间大幅增加，进而延长非晶硅熔融结晶的时间，促使晶粒生长。上述发明虽然给出了促使晶粒生长的方法，但是仍然未能克服由于采用峰值功率较大的激光导致的氢爆现象的问题，从而也未能解决由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而影响多晶硅的结晶率的问题。美国专利(公开号:US7009140B2)公开了一种雷射薄膜多晶娃退火光学系统,使用4000Hz以上、中心波长约为3·51nm的脉冲XeF (氙氟)激光束作为光源，以扫描形式重复作用于非晶硅表面，使非晶硅转化成新晶体。上述发明虽然采用的激光脉冲宽度相对较长，但是其激光能量也是较大的，采用上述发明提供的方法的激光的峰值功率仍然较大，所以，上述发明未能克服由于采用峰值功率较大的激光导致的氢爆现象的问题，从而也未能解决由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而影响多晶硅的结晶率的问题。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明提供一种改善多晶硅结晶率的方法，以克服现有技术中由于采用峰值功率较大的激光导致的氢爆现象的问题，从而解决由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光学镜组的问题，进而提高多晶硅的结晶率。为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为:一种改善多晶硅结晶率的方法，应用于将非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，所述非晶硅层覆盖于一硬质衬底的上表面，其中，所述方法包括:将至少两脉冲激光束进行叠加，形成一叠加脉冲激光束；
利用所述叠加脉冲激光束照射所述非晶硅层，以使所述非晶硅层转化为多晶硅层；所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个所述脉冲激光束的脉冲宽度，且每个所述脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值，所述预设值为采用现有技术中的单一激光束进行非晶硅转化为多晶硅的工艺中发生氢爆现象时，该单一激光束的峰值功率值。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，所述叠加脉冲激光束的激光强度的范围为 250mJ/cm2 (毫焦每平方厘米) 320mJ/cm2,如 250mJ/cm2、270mJ/cm2、280mJ/cm2、300mJ/cm2 >320mJ/cm2 等。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度的范围为 150ns 300ns,如 150ns、200ns、230ns、260ns、300ns 等。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度间隔为20ns 80ns,如 20ns、40ns、55ns、60ns、80ns 等。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，每个所述脉冲激光束由一台或多台准分子激光源发射。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，每个所述脉冲激光束的频率均相同。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，相邻的两个脉冲激光束之间的相位差小于所述脉冲激光束的脉冲宽度。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，每个所述脉冲激光束的激光波长均为308nm，如采用氙氯激光。
上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，相邻的两个所述脉冲激光束中，一个脉冲激光束中的激光由S偏振光组成，另一个脉冲激光束中的激光由P偏振光组成。上述的改善多晶硅结晶率的方法，其中，所述硬质衬底为玻璃基板或塑料基板。一种改善多晶硅结晶率的激光装置，应用于将非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，其中，所述激光装置包括:一聚光透镜、至少两个激光源和与所述激光源--对应的反射镜；所述聚光透镜位于所述反射镜与所述非晶硅层之间；每个所述激光源均发射一激光束至与该激光源对应的反射镜上,且该反射镜反射该激光束至所述聚光透镜上，所述聚光透镜汇聚所有照射至该聚光透镜的激光束形成一叠加脉冲激光束，所述叠加脉冲激光束照射于所述非晶娃层的上表面。上述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其中，每个所述激光源发射的激光的波长均为308nm，如采用氙氯激光。上述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其中，每个所述激光源的发射频率均相同。上述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其中，所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个所述脉冲激光束的脉冲宽度。上述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其中，每个所述脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值；其中，所述预设值为采用一个激光束进行非晶硅转化为多晶硅的工艺中发生氢爆现象时，该激光束的峰值功率值。上述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其中，相邻的两个所述脉冲激光束中，一个脉冲激光束中的激光由S偏振光组成，另一个脉冲激光束中的激光由P偏振光组成。上述技术方案具有如下优点或者有益效果:本申请的技术方案中采用至少两个准分子激光源发射脉冲激光束，通过调制每个准分子激光源发射脉冲激光束的时间，将多个脉冲激光束进行叠加，以形成一叠加脉冲激光束，该叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于任意一个脉冲激光束，且该叠加脉冲激光束的脉冲宽度还大于现有技术中的单一准分子激光束的脉冲宽度；继续将叠加形成的该叠加脉冲激光束照射于非晶硅层表面，在将非晶硅层转化为多晶硅层的同时，还降低了照射于非晶硅层的叠加脉冲激光束的峰值功率，以减小氢爆现象的发生机率，从而克服了由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光镜组的问题，进而提高了多晶硅的结晶率。
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、夕卜形和优点将会变得更明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未刻意按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。图1是本发明实施例1提供的采用两个准分子激光源改善多晶硅结晶率的结构示意图；图2是采用现有技术中的准分子激光技术产生的激光能量与时间的关系示意图；图3是采用本发明实施例1提供的两个准分子激光源产生的第一脉冲激光束和第二脉冲激光束的激光能 量与时间的关系示意图；图4是采用本发明实施例1提供的采用两个准分子激光源产生的激光能量与时间的关系不意图；图5是本发明实施例1提供的采用两个准分子激光源与现有技术中单一准分子激光源产生的激光能量与时间的关系比较示意图；图6是本发明实施例2提供的采用三个准分子激光源改善多晶硅结晶率的结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。本发明提供的改善多晶硅结晶率的方法，应用于将非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，具体包括:首先，将至少两脉冲激光束进行叠加，形成一叠加脉冲激光束，而后利用该叠加脉冲激光束照射非晶硅层，以使非晶硅层转化为多晶硅层，且相邻的两个所述脉冲激光束中，一个脉冲激光束中的激光由S偏振光组成，另一个脉冲激光束中的激光由P偏振光组成。其中，该叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于任意一个脉冲激光束的脉冲宽度，该叠加脉冲激光束的脉冲宽度的范围为150ns 300ns，且该叠加脉冲激光束的激光强度的范围为250mJ/cm2 320mJ/cm2，另外，该叠加脉冲激光束的脉冲宽度间隔的范围为20ns 80ns,每个脉冲激光束的激光波长均为308nm，每个脉冲激光束的激光强度均小于现有技术中的单一准分子激光源发射的激光束的激光强度，每个脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值，该预设值为采用一个激光束进行非晶硅转化为多晶硅的工艺中发生氢爆现象时，该激光束的峰值功率值。本发明提供的改善多晶硅结晶率的激光装置，应用于将非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，具体包括:一聚光透镜、至少两个激光源和与激光源一一对应的反射镜，并且聚光透镜位于反射镜和非晶硅层之间，每个激光源均发射一激光束至与该激光源对应的反射镜上，且该反射镜反射该激光束至聚光透镜上，而后聚光透镜汇聚所有照射至该聚光透镜的激光束形成一叠加脉冲激光束，最后叠加脉冲激光束照射于非晶娃层的上表面。其中，每个激光源发射的激光束的频率均相同，且相邻的两个激光源发射的激光束的相位差小于每个激光源发射的激光束的脉冲宽度，同时相邻的两个所述脉冲激光束中，一个脉冲激光束中的激光由S偏振光组成，另一个脉冲激光束中的激光由P偏振光组成。另外，每个所述激光源发射的激光的波长均为308nm，每个脉冲激光束的激光强度均小于现有技术中的单一准分子激光源发射的激光束的激光强度，每个脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值，该预设值为采用现有技术中的一个激光束进行非晶硅转化为多晶硅的工艺中发生氢爆现象时，该激光束的峰值功率值。实施例1:图1是本发明实施例1提供的采用两个准分子激光源改善多晶硅结晶率的结构示意图；如图1所示，硬质衬底101上表面覆盖有非晶硅层102，第一准分子激光源103发射第一脉冲激光束至第一反射镜105，第二准分子激光源104发射第二脉冲激光束至第二反射镜106，反射的第一脉冲激光束和反射的第二脉冲激光束经过聚光透镜107汇聚成一叠加脉冲激光束，叠加脉冲激光束照射在非晶硅层102上，从而使非晶硅层结晶成为多晶硅层。其中，叠加脉冲激光束的脉冲宽度的范围为150ns 300ns，如150ns、200ns、230ns,260ns,300ns等，叠加脉冲激光束的激光强度的范围为250mJ/cm2 320mJ/cm2，如25OmJ/cm2>270mJ/cm2>28OmJ/cm2>3OOmJ/cm2>320mJ/cm2 等，且叠加脉冲激光束的脉冲宽度间隔的范围为20ns 80ns,如20ns、40ns、55ns、60ns、80ns等，另外,第一脉冲激光束和第二脉冲激光束的激光波长均为308nm,如米用氣氯激光,第一脉冲激光束和第二脉冲激光束的激光强度均小于现有技术中的单一准分子激光源发射的脉冲激光束的激光强度，第一、第二脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值，该预设值为采用一个激光束进行非晶硅转化为多晶硅的工艺中发生氢爆现象时，该激光束的峰值功率值，且硬质衬底可为但又不局限于玻璃基板。其中，第一脉冲激光束和第二脉冲激光束中的激光由P偏振光组成或由S偏振光组成，且当第一脉冲激光束中的激光由P偏振光组成时，第二脉冲激光束中的激光由S偏振光组成，而当第一脉冲激光束中的激光由S偏振光组成时，第二脉冲激光束中的激光由P偏振光组成。
图2是采用现有技术中的准分子激光技术产生的激光能量与时间的关系示意图；如图2所示，现有技术中均采用单一准分子激光束进行非晶硅转化多晶硅工艺，激光能量与时间的关系如图2所示，图中横向轴为时间轴，即脉冲宽度轴，纵向轴为能量轴，即激光能量轴，由于单一准分子激光束的脉冲宽度较短，而峰值功率=能量/脉冲宽度，所以单一准分子激光束的峰值功率较大，从而容易发生氢爆现象，氢爆现象会导致硅膜脱落，造成多晶硅结晶率降低，并且污染光学镜组。
图3是采用本发明实施例1提供的两个准分子激光源产生的第一脉冲激光束和第二脉冲激光束的激光能量与时间的关系示意图；如图3所示，图中横向轴为时间轴，即脉冲宽度轴，纵向轴为能量轴，即激光能量轴；分别控制第一准分子激光源和第二准分子激光源发射脉冲激光束的时间，使它们叠加形成的叠加脉冲激光束，叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于第一、第二脉冲激光束中任意一个脉冲激光束的脉冲宽度，且第一脉冲激光束中的激光由P偏振光组成，第二脉冲激光束中的激光由S偏振光组成。第一、第二脉冲激光束的峰值功率低于一预设值，该预设值为采用一个激光束进行非晶硅转化为多晶硅的工艺中发生氢爆现象时，该激光束的峰值功率值，从而避免氢爆现象的发生。图4是采用本发明实施例1提供的采用两个准分子激光源产生的激光能量与时间的关系示意图；如图4所示，图中横向轴为时间轴(即脉冲宽度轴)，纵向轴为能量轴(即激光能量轴)，实线波形表示叠加脉冲激光束的能量波形，且一个实线波形中的两虚线波形分别表不第一脉冲激光束和第二脉冲激光束的能量波形；其中，叠加脉冲激光束的脉冲宽度Tl 的范围为 150ns 300ns，如 150ns、165ns、195ns、235ns、265ns、300ns 等，且相邻两个叠加脉冲激光束的脉冲宽度间隔T2的范围为20ns 80ns,如20ns、35ns、55ns、65ns、75ns、80ns 等。具体的，采用实施例1提供的两个准分子激光源发射激光，第一脉冲激光束和第二脉冲激光束经过反射镜和聚光透镜后汇聚为一叠加脉冲激光束，由于光波的叠加性，第二脉冲激光束延后于第一脉冲激光束发射(具体延迟时间根据工艺需求计算决定)，从而使得照射到非晶硅层表面的叠加脉冲激光束的脉冲宽度较长，叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个脉冲激光束的脉冲宽度。图5是本发明实施例1提供的采用两个准分子激光源与现有技术中单一准分子激光源产生的激光能量与时间的关系比较示意图；如图5所示，本发明实施例1中的叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于现有技术中的单一准分子激光束的脉冲宽度，且叠加脉冲激光束的激光能量的波峰相对于现有技术 中的激光束的激光能量的波峰比较平缓，如在T3 T4时间范围内，本发明实施例1中的叠加脉冲激光束的能量基本保持在E2 (波峰处的能量为E2)水平，而现有技术中采用单一准分子激光源产生的单一准分子激光束的激光能量则在El E2范围变化，尤其是在时间T3、T4处，现有技术中的激光源所发射的激光能量均为El,即其激光能量相对波峰处的激光能量值减少了 Ε2-Ε1 (Ε2 > El)，波形变化较大；由此可见，叠加脉冲激光束的激光能量的峰值相对于现有技术中的激光束的激光能量的峰值比较平缓。另外，由于叠加脉冲激光束的激光能量与现有技术中的激光束的激光能量相当(达到使非晶硅层转化为多晶硅层的能量)，而峰值功率=能量/脉冲宽度，所以采用实施例1提供的由两个准分子激光源发射的激光束汇聚的叠加脉冲激光束进行非晶硅转化为多晶硅工艺时，由于叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于现有技术中的单一准分子激光束的脉冲宽度，所以叠加脉冲激光束的峰值功率较低，从而克服了现有技术中由于采用峰值功率较大的激光导致的氢爆现象的问题，解决了由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光学镜组的问题，进而提闻了多晶娃的结晶率。实施例2:图6是本发明实施例2提供的采用三个准分子激光源改善多晶硅结晶率的结构示意图；如图6所示，硬质衬底201上表面覆盖有非晶硅层202，第一准分子激光源203发射第一脉冲激光束至第一反射镜206，第二准分子激光源204发射第二脉冲激光束至第二反射镜207，第三准分子激光源205发射第三脉冲激光束至第三反射镜208，反射的第一脉冲激光束、反射的第二脉冲激光束和反射的第三脉冲激光束经过聚光透镜209汇聚成一叠加脉冲激光束，叠加脉冲激光束照射在非晶硅层202上，从而使非晶硅层结晶成为多晶硅层。其中，经过聚光透镜209后汇聚的叠加脉冲激光束的脉冲宽度为150ns 300ns，如150ns、175ns、215ns、255ns、300ns等，叠加脉冲激光束的激光强度的范围为250mJ/cm2 320mJ/cm2,如 250mJ/cm2、275mj/cm2、285mj/cm2、305mj/cm2、320mj/cm2 等，且叠加脉冲激光束的脉冲宽度间隔的范围为20ns 80ns,如20ns、35ns、45ns、65ns、80ns等,第一脉冲激光束、第二脉冲激光束和第三脉冲激光束的激光波长均为308nm，如采用氙氯激光等，且硬质衬底可为但又不局限于玻璃基板。由于光波的叠加性，第二脉冲激光束延后于第一脉冲激光束发射，而第三脉冲激光束延后于第二脉冲激光束发射(具体延迟时间根据工艺需求决定)，从而使得第一脉冲激光束、第二脉冲激光束和第三脉冲激光束经过高反射镜和聚光透镜后汇聚成一叠加脉冲激光束，叠加脉冲激光束的脉冲宽度较长，叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个脉冲激光束的脉冲宽度，并且本发明实 施例2中的叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于现有技术中的单一准分子激光束的脉冲宽度，另外，由于叠加脉冲激光束的激光能量与现有技术中的激光束的激光能量相当，而峰值功率=能量/脉冲宽度，所以采用实施例2提供的由三个准分子激光源发射的激光束汇聚的叠加脉冲激光束进行非晶硅转化为多晶硅的工艺时，且由于叠加脉冲激光束的脉冲宽度比现有技术中的单一准分子激光束的脉冲宽度大，所以叠加脉冲激光束的峰值功率较低，克服了现有技术中由于采用峰值功率较大的激光导致的氢爆现象的问题，从而解决由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光学镜组的问题，进而提高多晶硅的结晶率。其中，上述激光束中的激光由P偏振光组成或由S偏振光组成，且当第一脉冲激光束中的激光由P偏振光组成时，第二脉冲激光束中的激光由S偏振光组成,第三脉冲激光束中的激光由P偏振光组成；而当第一脉冲激光束中的激光由S偏振光组成时,第二脉冲激光束中的激光由P偏振光组成，第三脉冲激光束中的激光由S偏振光组成。综上所述，本申请的技术方案中采用至少两个准分子激光源发射脉冲激光束，通过调制每个准分子激光源发射脉冲激光束的时间，将多个脉冲激光束进行叠加，以形成一叠加脉冲激光束，该叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于任意一个脉冲激光束，且该叠加脉冲激光束的脉冲宽度还大于现有技术中的单一准分子激光束的脉冲宽度；继续将叠加形成的该叠加脉冲激光束照射于非晶硅层表面，在将非晶硅层转化为多晶硅层的同时，还降低了照射于非晶硅层的叠加脉冲激光束的峰值功率，以减小氢爆现象的发生机率，从而克服了由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光镜组的问题，进而提高了多晶硅的结晶率。本领域技术人员应该理解，本领域技术人员结合现有技术以及上述实施例可以实现所述变化例，在此不予赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技 术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种改善多晶硅结晶率的方法，应用于将非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，所述非晶硅层覆盖于一硬质衬底的上表面，其特征在于，所述方法包括: 将至少两脉冲激光束进行叠加,形成一叠加脉冲激光束； 利用所述叠加脉冲激光束照射所述非晶硅层，以使所述非晶硅层转化为多晶硅层； 所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个所述脉冲激光束的脉冲宽度，且每个所述脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值。
2.如权利要求1所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，所述叠加脉冲激光束的激光强度的范围为250mJ/cm2 320mJ/cm2。
3.如权利要求1所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度的范围为150ns 300ns。
4.如权利要求1所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度间隔的范围为20ns 80ns。
5.如权利要求1所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，每个所述脉冲激光束由一台或多台准分子激光源发射。
6.如权利要求1所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，每个所述脉冲激光束的频率均相同。
7.如权利要求1所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，相邻的两个脉冲激光束之间的相位差小于每个所述脉冲激光束的脉冲宽度。
8.如权利要求1所述的改善多`晶硅结晶率的方法，其特征在于，每个所述脉冲激光束的激光波长均为308nm。
9.如权利要求1-8中任意一项所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，相邻的两个所述脉冲激光束中，一个脉冲激光束中的激光由S偏振光组成，另一个脉冲激光束中的激光由P偏振光组成。
10.如权利要求9所述的改善多晶硅结晶率的方法，其特征在于，所述硬质衬底为玻璃基板或塑料基板。
11.一种改善多晶硅结晶率的激光装置，应用于将非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，其特征在于，所述激光装置包括: 一聚光透镜、至少两个激光源和与所述激光源一一对应的反射镜； 所述聚光透镜位于所述反射镜与所述非晶硅层之间； 每个所述激光源均发射一激光束至与该激光源对应的反射镜上，且该反射镜反射该激光束至所述聚光透镜上，所述聚光透镜汇聚所有照射至该聚光透镜的激光束形成一叠加脉冲激光束，所述叠加脉冲激光束照射于所述非晶娃层的上表面。
12.如权利要求11所述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其特征在于，每个所述激光源发射的激光的波长均为308nm。
13.如权利要求11所述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其特征在于，每个所述激光源的发射频率均相同。
14.如权利要求11所述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其特征在于，所述叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个所述脉冲激光束的脉冲宽度。
15.如权利要求11所述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其特征在于，每个所述脉冲激光束的峰值功率均低于一预设值。
16.如权利要求11-15中任意一项所述的改善多晶硅结晶率的激光装置，其特征在于，相邻的两个所述脉冲激光束中，一个脉冲激光束中的激光由S偏振光组成，另一个脉冲激光束中的激光 由P偏振光组成。
全文摘要
本发明公开了一种改善多晶硅结晶率的方法，应用于非晶硅层转化为多晶硅层的工艺中，具体为叠加至少两脉冲激光束形成叠加脉冲激光束，且叠加脉冲激光束的脉冲宽度大于每个脉冲激光束的脉冲宽度，利用该叠加脉冲激光束照射非晶硅层，以使非晶硅层转化为多晶硅层；通过使用至少两个准分子激光源，调制激光的脉冲宽度，形成一具有较长脉冲宽度的叠加脉冲激光束照射于非晶硅层表面，在将非晶硅层转化为多晶硅层的同时，还降低了激光的峰值功率，减小了氢爆现象的发生几率，从而克服了由氢爆现象导致的多晶硅薄膜脱落而污染光镜组的问题，进而提高了多晶硅的结晶率。
文档编号H01L21/02GK103236399SQ20131012832
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月12日 优先权日2013年4月12日
发明者钟尚骅, 叶昱均 申请人:上海和辉光电有限公司