太阳能电池及其制造方法
【专利摘要】本发明提供一种太阳能电池及其制造方法，其中所述的制造方法包括以下步骤：在基板的第一表面上形成保护层；在基板的第二表面上形成钝化层；在钝化层上形成至少一第一型半导体图案以及至少一第二型半导体图案，其中第一型半导体图案与第二型半导体图案共平面且彼此邻接；在第一型半导体图案与第二型半导体图案的交界处形成沟渠，以使第一型半导体图案及第二型半导体图案彼此电性绝缘；在第一型半导体图案与第二型半导体图案上形成种子层，且种子层的导电率大于9×105S/m；在种子层上形成电极层。
【专利说明】太阳能电池及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明是有关于半导体技术，且特别是有关于一种太阳能电池及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 近年来，随着环保意识抬头以及全球面临能源危机、石化能源的污染与短缺等问 题，如何开发节能、环保且可持续使用的替代能源已成为各个先进国家的科技研发的首要 目标。在众多替代能源的方案之中，太阳能电池在再生能源新兴市场中的占有率达23%以 上，其为现阶段最主要的替代能源，也为十分具有前景的能源技术。
[0003] 目前在各种类型的太阳能电池中，主要以硅基太阳能电池为技术的主流。然而，目 前硅基太阳能电池的发展仍受到光电转换效率的限制，其中影响光电转换效率的膜层除了 抗反射层（anti-reflection layer)及钝化层外，窗户层（window layer)的良麻也是决定 光电转换效率的重要关键之一。
[0004] 图1是现有技术的一种硅基太阳能电池的示意图。请参照图1，硅基太阳能电池 100包括硅基材110、钝化层120a、120b、第一型半导体层130、第二型半导体层140、窗户层 150a、150b及电极160a、160b。第一型半导体层130及第二型半导体层140配置于硅基材 110的相对两侧，且钝化层120a配置于第一型半导体层130与硅基材110之间，而钝化层 120b配置于第二型半导体层140与娃基材110之间。窗户层150a、150b分别覆盖于第一型 半导体层130及第二型半导体层140上，而电极160a、160b则分别位于窗户层150a、150b 上。
[0005] 由于窗户层150a配置于硅基太阳能电池100的受光面（即面向外界光线），因 此，在光穿透率的考量下，硅基太阳能电池1〇〇主要以透明金属氧化物作为窗户层150a的 材料，其中透明金属氧化物又以铟锡氧化物（indium tin oxide, ΙΤ0)为主流。然而，铟 的价格昂贵且铟锡氧化物需要真空（vacuum)制程，因而导致制程成本及时间的增加，而降 低了产品的竞争力。此外，在铟锡氧化物的沉积过程中，物理气相沈积（physical vapor deposition)制程中的等离子体易损害娃基太阳能电池100中的膜层，进而影响娃基太阳 能电池100的元件特性。
【发明内容】
[0006] 本发明提供一种太阳能电池的制造方法，其具有相对低的制程成本及时间。
[0007] 本发明提供一种太阳能电池，其具有良好的元件特性。
[0008] 本发明的一种太阳能电池的制造方法，包括以下步骤。在基板的第一表面上形成 保护层；在基板的第二表面上形成钝化层；在钝化层上形成至少一第一型半导体图案以及 至少一第二型半导体图案，其中第一型半导体图案与第二型半导体图案共平面且彼此邻 接；在第一型半导体图案与第二型半导体图案的交界处形成沟渠，以使第一型半导体图案 及第二型半导体图案彼此电性绝缘；在第一型半导体图案与第二型半导体图案上形成种子 层，且种子层的导电率大于9 X 105S/m ;在种子层上形成电极层。
[0009] 在本发明的一实施例中，上述的第一表面相对于第二表面。
[0010] 在本发明的一实施例中，上述在形成保护层之前，还包括对第一表面进行表面织 构化制程。
[0011] 在本发明的一实施例中，上述的保护层的材料包括氮化硅、氧化硅及氧化铝其中 至少一个。
[0012] 在本发明的一实施例中，上述的形成保护层的方法包括等离子体增强化学气 相沈积（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition，PECVD)、常压化学气相沈积 (atmospheric pressure chemical vapor deposition, APCVD)或原子层沈积（atomic layer deposition, ALD)〇
[0013] 在本发明的一实施例中，上述在钝化层上形成第一型半导体图案以及第二型半导 体图案的方法包括以下步骤。在钝化层上设置第一遮罩，且第一遮罩曝露出钝化层的第一 区域；在第一区域上形成第一型半导体图案；在钝化层上设置第二遮罩，且第二遮罩遮蔽 第一型半导体图案并曝露出第一型半导体图案以外的第二区域；在第二区域上形成第二型 半导体图案。
[0014] 在本发明的一实施例中，上述的第一型半导体图案及第二型半导体图案其中一个 为N型半导体图案，且第一型半导体图案及第二型半导体图案其中另一个为P型半导体图 案。
[0015] 在本发明的一实施例中，上述的沟渠的制造方法包括以激光钻孔或湿式蚀刻移除 位于第一型半导体图案与第二型半导体图案的交界处的第一型半导体图案及第二型半导 体图案其中至少一个，且沟渠曝露出一部分的钝化层。
[0016] 在本发明的一实施例中，上述的沟渠是在种子层及电极层之前形成，且沟渠的深 度等于第一型半导体图案或第二型半导体图案的厚度，沟渠并曝露出一部分的钝化层。
[0017] 在本发明的一实施例中，上述形成种子层的方法或形成电极层的方法包括网版印 刷或电镀，且该种子层及该电极层曝露出该部分的该钝化层。
[0018] 在本发明的一实施例中，上述的沟渠是在电极层之后形成，且沟渠的深度等于第 一型半导体图案、种子层及电极层的厚度的总和，或等于第二型半导体图案、种子层及电极 层的厚度的总和，沟渠并曝露出一部分的钝化层。
[0019] 在本发明的一实施例中，上述形成种子层的方法包括以网版印刷、电镀或热蒸镀 的方式将种子层的材料全面地覆盖于第一型半导体图案与第二型半导体图案上，而形成电 极层的方法包括以网版印刷、电镀、热蒸镀、电解或化学气相沉积的方式将电极层的材料全 面地覆盖于种子层上。
[0020] 在本发明的一实施例中，上述的种子层的材料包括镍、钛、银、铝或钴。
[0021] 在本发明的一实施例中，上述的种子层的厚度小于20纳米。
[0022] 在本发明的一实施例中，上述的电极层的材料包括银、铝或铜。
[0023] 本发明的一种太阳能电池包括基板、保护层、钝化层、至少一第一型半导体图案、 至少一第二型半导体图案、种子层以及电极层；基板具有相对的第一表面与第二表面；保 护层配置于第一表面上；钝化层配置于第二表面上；第一型半导体图案以及第二型半导 体图案配置于钝化层上，其中第一型半导体图案与第二型半导体图案共平面且彼此电性 绝缘；种子层配置于第一型半导体图案与第二型半导体图案上，且种子层的导电率大于 9 X 105S/m ;电极层配置于种子层上。
[0024] 在本发明的一实施例中，上述的第一表面为织构化（textured)表面。
[0025] 在本发明的一实施例中，上述的保护层的材料包括氮化硅、氧化硅及氧化铝其中 至少一个。
[0026] 在本发明的一实施例中，上述的第一型半导体图案及第二型半导体图案其中一个 为N型半导体图案，且第一型半导体图案及第二型半导体图案其中另一个为P型半导体图 案。
[0027] 在本发明的一实施例中，上述的一部分的钝化层未被第一型半导体图案及第二型 半导体图案覆盖，且位于第一型半导体图案及第二型半导体图案上的种子层及电极层也曝 露出所述部分的钝化层。
[0028] 在本发明的一实施例中，上述的种子层的材料包括镍、钛、银、铝或钴。
[0029] 在本发明的一实施例中，上述的种子层的厚度小于20纳米。
[0030] 在本发明的一实施例中，上述的电极层的材料包括银、铝或铜。
[0031] 基于上述，本发明将第一型半导体图案及第二型半导体图案共同配置于基板的非 受光面上（即背对外界光线的第二表面）。如此一来，除了可将遮光的电极层制作在基板的 非受光面上还可免去在受光面上形成窗户层，进而有效提升受光面的光穿透率。此外，本发 明以导电率相对高的种子层取代现有技术以透明金属氧化物为材料的窗户层，因此，除了 可有效提升太阳能电池的光电转换效率及填充系数（fill factor)外，还可免去铟锡氧化 物的制作，进而有效地降低制程成本及时间，并可避免因制作透明金属氧化物而损害太阳 能电池中的其它膜层，进而使本发明的太阳能电池具有良好的元件特性。
[0032] 为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。
【专利附图】
【附图说明】
[0033] 图1是现有技术的一种娃基太阳能电池的不意图；
[0034] 图2A至图21是依照本发明一实施例的太阳能电池的制作流程的剖面示意图；
[0035] 图3A至图3C是依照本发明另一实施例的太阳能电池的制作流程的剖面示意图。
[0036] 附图标记说明：
[0037] 100:硅基太阳能电池；
[0038] 110:硅基材；
[0039] 120a、120b、230 :钝化层；
[0040] 130 :第一型半导体层；
[0041] 140 :第二型半导体层；
[0042] 150a、150b :窗户层；
[0043] 160a、160b :电极；
[0044] 200、300 :太阳能电池；
[0045] 210 :基板；
[0046] 220 :保护层；
[0047] 230 :钝化层；
[0048] 240A :第一遮罩；
[0049] 240B :第二遮罩；
[0050] 250a、250b :第一型半导体图案；
[0051] 260a、260b :第二型半导体图案；
[0052] 270a、270b :种子层；
[0053] 280a、280b :电极层；
[0054] A1 :第一区域；
[0055] A2 :第二区域；
[0056] Sla、Sib :第一表面；
[0057] S2 :第二表面；
[0058] D1、D2:深度；
[0059] T :厚度；
[0060] WA、WB:开口；
[0061] TC1、TC2:沟渠；
[0062] II、12:岛状结构；
[0063] S100、S200 :等离子体增强化学气相沈积制程。
【具体实施方式】
[0064] 图2A至图21是依照本发明一实施例的太阳能电池的制作流程的剖面示意图。请 参照图2A，提供基板210,其中基板210具有相对的第一表面Sla与第二表面S2。第一表面 Sla例如是受光面，也即是，面向外界光线（未示出，例如太阳光）以吸收光子的表面，而第 二表面S2例如是非受光面，也即是背对外界光线的表面。基板210的材料包括硅。举例而 言，基板210例如是P型硅基板或N型硅基板。
[0065] 请参照图2B，为了提高吸收光子的能力，并降低外界光线的反射，本实施例可选择 性地对第一表面Sla (即受光面）进行表面织构化制程，而形成织构化表面（即织构化的第 一表面Sib)，如图2B中的锯齿状表面所示。表面织构化制程例如是，但不限于，使用氢氧化 钾（Κ0Η)溶液来进行。
[0066] 请参照图2C，在第一表面Sib上形成保护层220。在本实施例中，保护层 220可以是具有高能隙以减少载子在表面复合的机率的钝化层，其材料例如是非晶硅 (amorphous-s i 1 i con)，且例如是以等离子体增强化学气相沈积的方法制成。另一方面，保 护层220也可以是用以降低外界光线反射的抗反射层，其材料例如是氮化硅、氧化硅及氧 化铝其中至少一个，且例如是以等离子体增强化学气相沈积、常压化学气相沈积或原子层 沈积的方法制成。如此一来，保护层220除了可作为保护太阳能电池之用（例如是用来避 免太阳能电池刮伤或受潮等），还可兼具减少载子在表面复合的机率及/或降低外界光线 的反射的功效。
[0067] 请参照图2D，在基板210的第二表面S2上形成钝化层230。钝化层230的材料例 如是非晶硅，且钝化层230例如是以等离子体增强化学气相沈积的方法制成。
[0068] 请参照图2E，在钝化层230上设置第一遮罩240A，其中第一遮罩240A具有开口 WA 曝露出钝化层230的第一区域A1，且遮蔽第一区域A1以外的区域（即第二区域A2)。
[0069] 接着，在第一区域A1上形成第一型半导体图案250a，其中，第一型半导体图案 250a的材料例如是非晶硅，且形成第一型半导体图案250a进行等离子体增强化学气相沈 积制程S100。
[0070] 请参照图2F，在钝化层230上设置第二遮罩240B，其中第二遮罩240B遮蔽第一型 半导体图案250a所在的第一区域A1，且第二遮罩240B具有开口 WB曝露出第一型半导体图 案250a以外的第二区域A2。
[0071] 接着，在第二区域A2上形成第二型半导体图案260a，其中，第二型半导体图案 260a的材料例如是非晶硅，且形成第二型半导体图案260a的方法包括进行等离子体增强 化学气相沈积制程S200。
[0072] 第一型半导体图案250a及第二型半导体图案260a共平面且彼此邻接。此外，第 一型半导体图案250a及第二型半导体图案260a其中一个为N型半导体图案，且第一型半 导体图案250a及第二型半导体图案260a其中另一个为P型半导体图案。
[0073] 此处需说明的是，本实施例虽以2个第一型半导体图案250a及2个第二型半导体 图案260a彼此交替排列设置作为举例说明，但第一型半导体图案250a及第二型半导体图 案260a的数量或是设置关系当可视实际应用而定，因此本发明并不限于此。
[0074] 请参照图2G，在第一型半导体图案与第二型半导体图案的交界处（即第一区域A1 与第二区域A2的交界处）形成沟渠 TC1。详言之，沟渠 TC1的制造方法例如是以激光钻孔 或湿式蚀刻移除位于第一型半导体图案250a与第二型半导体图案260a的交界处的第一型 半导体图案250a及第二型半导体图案260a其中至少一个，而形成彼此分离的第一型半导 体图案250b及第二型半导体图案260b，其中沟渠 TC1曝露出一部分的钝化层230。此外， 在沟渠 TC1形成之后，第一型半导体图案250b及第二型半导体图案260b彼此电性绝缘。
[0075] 进一步而言，本实施例的沟渠 TC1的深度D1例如约等于第一型半导体图案250b 或第二型半导体图案260b的厚度T。也即是，本实施例以激光钻孔或湿式蚀刻所移除的第 一型半导体图案250a及/或第二型半导体图案260a的深度约等于两者各自的厚度。
[0076] 请参照图2H，在第一型半导体图案250b与第二型半导体图案260上形成种子层 270a。在本实施例中，种子层270a例如是多个彼此分离且对应第一型半导体图案250b及 第二型半导体图案260b设置的岛状导电结构，且种子层270a也曝露出沟渠 TC1所曝露出 的部分的钝化层230。
[0077] 此外，种子层270a的材料例如是镍、钛、银、铝、钴或其迭层，且形成种子层270a的 方法可以是网版印刷或电镀。在本实施例中，种子层270a的厚度小于20纳米，而导电率大 于9 X 105S/m，且导电率较佳是介于106至108S/m之间。
[0078] 本实施例以导电率相对高的种子层270a取代现有技术以透明金属氧化物（导电 率小于5X10 5S/m)为材料的窗户层，因此，本实施例除了可有效提升太阳能电池的光电转 换效率及填充系数外，还可免去铟锡氧化物的制作，进而有效地降低制程成本及时间，并可 避免因制作透明金属氧化物而损害太阳能电池中的其它膜层，进而使本实施例的太阳能电 池具有良好的元件特性。
[0079] 请参照图21，在种子层270a上形成电极层280a。在此，则初步完成本实施例的太 阳能电池200的制作。在本实施例中，电极层280a例如是多个彼此分离且对应第一型半导 体图案250b及第二型半导体图案260b设置的岛状导电结构，且电极层280a也曝露出沟渠 TC1所曝露出的部分的钝化层230。
[0080] 此外，电极层280a的材料例如银、铝、铜或其迭层，且形成电极层280a的方法可以 是网版印刷或电镀。
[0081] 在本实施例中，第一型半导体图案250b及第二型半导体图案260b共同配置于基 板210的非受光面（即背对外界光线的第二表面S2)上。因此，本实施例除了可将遮光的 电极层280a制作在基板210的非受光面（即背对外界光线的第二表面S2)上，还可免去在 受光面（即第一表面Sib)上形成现有技术的窗户层（配置于基板与第一型半导体图案之 间或第二型半导体图案之间），进而有效提升受光面（即第一表面Sib)的光穿透率。
[0082] 在前述实施例中，沟渠 TC1 (用以使第一型半导体图案250b与第二型半导体图案 260b电性绝缘）是在种子层270a及电极层280a之前形成，但本发明不以此为限。
[0083] 在本发明的另一实施例中，沟渠也可以是在电极层之后形成。图3A至图3C是 依照本发明另一实施例的太阳能电池的制作流程的剖面示意图。本实施例的太阳能电池 300(参照图3C)与图21的太阳能电池200具有相似的结构以及相似的制作流程（太阳能 电池300的前段制作流程可参照图2A至图2F)。两者的差异处在于本实施例的太阳能电池 300在前述图2F的步骤后，在第一型半导体图案250a与第二型半导体图案260a上相继地 形成种子层270b (如图3A所示）及电极层280b (如图3B所示），而非制作沟渠 TC1 (参照 图 2G)。
[0084] 此外，本实施例形成种子层270b的方法是以网版印刷、电镀或热蒸镀的方式将种 子层270b的材料全面地覆盖于第一型半导体图案250a与第二型半导体图案260a上。另 夕卜，形成电极层280b的方法是以网版印刷、电镀、热蒸镀、电解或化学气相沉积的方式将电 极层280b的材料全面地覆盖于种子层270b上。
[0085] 在种子层270b及电极层280b形成之后，接着才在第一型半导体图案250a与第二 型半导体图案260a的交界处形成沟渠 TC2,以使第一型半导体图案250b与第二型半导体图 案260b彼此分离且电性绝缘。
[0086] 由于在形成沟渠 TC2之前，种子层270b及电极层280b已全面地覆盖于第一型半 导体图案250a与第二型半导体图案260a上，因此，本实施例以激光钻孔或湿式蚀刻移除位 于第一型半导体图案250a与第二型半导体图案260a的交界处的第一型半导体图案250a 及/或第二型半导体图案260a时，会同时移除位于其上的种子层270b及电极层280b，而形 成多个具有岛状结构的种子层270a及电极层280a，其中种子层270a及电极层280a会与第 一型半导体图案250a或第二型半导体图案260a具有相似的轮廓。
[0087] 此外，由第一型半导体图案250b、种子层270a及电极层280a所构成的岛状结构 II以及由第二型半导体图案260b、种子层270a及电极层280a所构成的岛状结构12会曝 露出部分的钝化层230。换言之，沟渠 TC2的深度D2约等于第一型半导体图案250b、种子 层270a及电极层280a的厚度的总和（即岛状结构II的厚度）或等于第二型半导体图案 260b、种子层270a及电极层280a的厚度的总和（即岛状结构12的厚度）。
[0088] 与太阳能电池200相似地，本实施例的太阳能电池300将第一型半导体图案250b 及第二型半导体图案260b共同配置于基板210的非受光面上（即背对外界光线的第二表 面S2)。如此一来，除了可避免将遮光的电极层280a制作在基板210的受光面（即面向外 界光线的第一表面Sib)上之外，还可免去在受光面上形成现有技术的窗户层，进而有效提 升受光面的光穿透率。此外，本实施例的太阳能电池300也以导电率相对高的种子层270a 取代现有技术以透明金属氧化物为材料的窗户层，因此，除了可有效提升太阳能电池300 的光电转换效率及填充系数外，还可免去铟锡氧化物的制作，进而有效地降低制程成本及 时间，并可避免因制作透明金属氧化物而损害太阳能电池中的其它膜层，进而使本实施例 的太阳能电池300具有良好的元件特性。
[0089] 综上所述，本发明将第一型半导体图案及第二型半导体图案共同配置于基板的非 受光面上（即背对外界光线的第二表面）。如此一来，除了可将遮光的电极层制作在基板的 非受光面上还可免去在受光面上形成窗户层，进而有效提升受光面的光穿透率。此外，本发 明以导电率相对高的种子层取代现有技术以透明金属氧化物为材料的窗户层，因此，除了 可有效提升太阳能电池的光电转换效率及填充系数（fill factor)外，还可免去铟锡氧化 物的制作，进而有效地降低制程成本及时间，并可避免因制作透明金属氧化物而损害太阳 能电池中的其它膜层，进而使本发明的太阳能电池具有良好的元件特性。
[0090] 最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽 管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然 可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替 换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精 神和范围。
【权利要求】
1. 一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括： 在一基板的一第一表面上形成一保护层； 在该基板的一第二表面上形成一钝化层； 在该钝化层上形成至少一第一型半导体图案以及至少一第二型半导体图案，其中该第 一型半导体图案与该第二型半导体图案共平面且彼此邻接； 在该第一型半导体图案与该第二型半导体图案的交界处形成一沟渠，以使该第一型半 导体图案及该第二型半导体图案彼此电性绝缘； 在该第一型半导体图案与该第二型半导体图案上形成一种子层，且该种子层的导电率 大于9X105S/m;以及 在该种子层上形成一电极层。
2. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一表面相对于该 第二表面。
3. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在形成该保护层之前， 还包括： 对该第一表面进行一表面织构化制程。
4. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该保护层的材料包括 氮化娃、氧化娃及氧化错其中至少一个。
5. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该保护层的方法 包括等离子体增强化学气相沈积、常压化学气相沈积或原子层沈积。
6. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在该钝化层上形成该 第一型半导体图案以及该第二型半导体图案的方法包括： 在该钝化层上设置一第一遮罩，该第一遮罩曝露出该钝化层的一第一区域； 在该第一区域上形成该第一型半导体图案； 在该钝化层上设置一第二遮罩，该第二遮罩遮蔽该第一型半导体图案并曝露出该第一 型半导体图案以外的一第二区域；以及 在该第二区域上形成该第二型半导体图案。
7. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该第一型半导体图案 及该第二型半导体图案其中一个为N型半导体图案，且该第一型半导体图案及该第二型半 导体图案其中另一个为P型半导体图案。
8. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该沟渠的制造方法包 括： 以激光钻孔或湿式蚀刻移除位于该第一型半导体图案与该第二型半导体图案的交界 处的该第一型半导体图案及该第二型半导体图案其中至少一个，且该沟渠曝露出一部分的 该钝化层。
9. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该沟渠是在该种子层 及该电极层之前形成，且该沟渠的深度等于该第一型半导体图案或该第二型半导体图案的 厚度，该沟渠并曝露出一部分的该钝化层。
10. 根据权利要求9所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该种子层的方法 或形成该电极层的方法包括网版印刷或电镀，且该种子层及该电极层曝露出该部分的该钝 化层。
11. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该沟渠是在该电极层 之后形成，且该沟渠的深度等于该第一型半导体图案、该种子层及该电极层的厚度的总和， 或等于该第二型半导体图案、该种子层及该电极层的厚度的总和，该沟渠并曝露出一部分 的该钝化层。
12. 根据权利要求11所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，形成该种子层的方 法包括以网版印刷、电镀或热蒸镀的方式将该种子层的材料全面地覆盖于该第一型半导体 图案与该第二型半导体图案上，而形成该电极层的方法包括以网版印刷、电镀、热蒸镀、电 解或化学气相沉积的方式将该电极层的材料全面地覆盖于该种子层上。
13. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该种子层的材料包括 镇、钦、银、错或钻。
14. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该种子层的厚度小于 20纳米。
15. 根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，该电极层的材料包括 银、铝或铜。
16. -种太阳能电池，其特征在于，包括： 一基板，具有相对的一第一表面与一第二表面； 一保护层，配置于该第一表面上； 一钝化层，配置于该第二表面上； 至少一第一型半导体图案以及至少一第二型半导体图案配置于该钝化层上，其中该第 一型半导体图案与该第二型半导体图案共平面且彼此电性绝缘； 一种子层，配置于该第一型半导体图案与该第二型半导体图案上，且该种子层的导电 率大于9X105S/m;以及 一电极层，配置于该种子层上。
17. 根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该第一表面为一织构化的第一 表面。
18. 根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该保护层的材料包括氮化硅、氧 化硅及氧化铝其中至少一个。
19. 根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该第一型半导体图案及该第二 型半导体图案其中一个为N型半导体图案，且该第一型半导体图案及该第二型半导体图案 其中另一个为P型半导体图案。
20. 根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，一部分的该钝化层未被该第一 型半导体图案及该第二型半导体图案覆盖，且位于该第一型半导体图案及该第二型半导体 图案上的该种子层及该电极层也曝露出该部分的该钝化层。
21. 根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该种子层的材料包括镍、钛、银、 错或钴。
22. 根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该种子层的厚度小于20纳米。
23. 根据权利要求16所述的太阳能电池，其特征在于，该电极层的材料包括银、铝或 铜。
【文档编号】H01L31/0224GK104112789SQ201310133205
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2013年4月17日 优先权日:2013年4月17日
【发明者】林建宏, 高武羣, 程立伟, 蒋天福 申请人:联景光电股份有限公司