半导体封装件的制法
【专利摘要】一种半导体封装件的制法，包括：于一承载板上形成离型层及形成于该离型层上的粘着层，然后于该粘着层上设置多个半导体芯片，并形成封装胶体于该粘着层上，藉以包覆该等半导体芯片，之后于该封装胶体上设置基板，并从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板，最后将该粘着层移除。本发明的半导体封装件的制法可有效避免光线照射至半导体芯片。
【专利说明】半导体封装件的制法
【技术领域】
[0001]本发明关于一种半导体封装件的制法，尤指一种避免光线破坏半导体芯片的半导体封装件的制法。
【背景技术】
[0002]现今，随着科技发展的进步，电子产品的业者纷纷开发出各种不同实施例的半导体封装件，目前半导体芯片的尺寸趋于微小化，因此，须不断地改进与克服半导体封装件的工艺技术，以与微小化的半导体芯片配合，并符合现代科技产品轻薄短小的趋势。
[0003]请参阅图1A至图1E，其为现有第7202107号美国专利的半导体封装件的制法的剖面示意图。
[0004]如图1A所示，提供一承载板10，且该承载板10上设有例如热剥离胶带(ThermalRelease Tape)的粘着层 11。
[0005]如图1B所示，提供多个半导体芯片12粘贴于该粘着层11上。
[0006]如图1C所示，形成封装胶体13于该粘着层11上，以包覆该等半导体芯片12。
[0007]如图1D所示，加热以移除该承载板10与该粘着层11。
[0008]如图1E所示，于该封装胶体13的底面上形成电性连接该半导体芯片12的线路层14。
[0009]不过，前述现有的半导体封装件的制法的将半导体芯片粘贴于该热剥离胶带上时，容易因为该热剥离胶带的热膨胀系数与模压时经由模流的冲击而造成该半导体芯片偏移的问题，造成后续制作重布线路层时，因芯片偏移使得部份重布线路层因偏移而没有与芯片电性连接，进而造成产品的信赖度不佳，所以利用该热剥离胶带也将导致制造成本无法降低。
[0010]因此，如何克服现有技术的种种问题，实为一重要课题。
【发明内容】
[0011]为解决上述现有技术的种种问题，本发明揭露一种半导体封装件的制法，可有效避免光线照射至半导体芯片。
[0012]本发明的半导体封装件的制法包括:提供一承载板上形成离型层及形成于该离型层上的粘着层；于该粘着层上设置多个半导体芯片；形成封装胶体于该粘着层上，以包覆该等半导体芯片；以及从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板。
[0013]前述的半导体封装件的制法中，还包括于该离型层和该粘着层之间形成有金属层。
[0014]前述的半导体封装件的制法中，于移除该离型层之后，还包括移除该金属层。
[0015]前述的半导体封装件的制法中，该金属层的厚度为I微米。
[0016]前述的半导体封装件的制法中，还包括移除该粘着层，移除该金属层与粘着层的方式为蚀刻或化学方法，且该蚀刻为电浆蚀刻或化学蚀刻。[0017]前述的半导体封装件的制法中，还包括于照射该光线之前，于该封装胶体上设置基板，以令该封装胶体夹置于该基板和该粘着层之间。
[0018]前述的半导体封装件的制法中，该粘着层中还分布有多个金属粒子。
[0019]前述的半导体封装件的制法中，该承载板的材质为玻璃。
[0020]前述的半导体封装件的制法中，该基板的材质为玻璃或硅。
[0021]前述的半导体封装件的制法中，该离型层的材质为非晶硅(Amorphous Silicon)、聚对二甲苯基(Parylene)或非晶相_ 二氧化娃(a -SiO2)0
[0022]前述的半导体封装件的制法中，该光线为激光。
[0023]前述的半导体封装件的制法中，还包括移除该基板。
[0024]前述的半导体封装件的制法中，还包括于该封装胶体上形成电性连接该半导体芯片的增层结构。
[0025]前述的半导体封装件的制法中，各该金属粒子由氧化硅球体与形成于该氧化硅球体表面的金属涂布层所构成。
[0026]前述的半导体封装件的制法中，该激光的波长为532纳米。
[0027]前述的半导体封装件的制法中，该粘着层包括核心铜层与其两相对表面上的粘着膜。
[0028]依上所述，本`发明的半导体封装件的制法通过照射光线以破坏离型层，进而移除离型层与承载板，并且可再通过金属层、具有多个金属粒子的粘着层或具有核心铜层的粘着层来防止光线照射至半导体芯片与封装胶体，而可避免该封装胶体与半导体芯片被光线的能量破坏，达到保护该封装胶体与半导体芯片的效果，故可顺利的进行后续的工艺并增进广品良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0029]图1A至图1E为显示现有半导体封装件的制法的剖视示意图。
[0030]图2Α至图2Η为本发明的半导体封装件的制法的第一实施例的剖面示意图。
[0031]图3为本发明的半导体封装件的制法的第二实施例的剖面示意图。
[0032]图4为本发明的半导体封装件的制法的第三实施例的剖面示意图。
[0033]图5为本发明的半导体封装件的制法的第四实施例的剖面示意图。
[0034]图6为本发明的半导体封装件的制法的第五实施例的剖面示意图。
[0035]符号说明
[0036]10、20承载板
[0037]11、23、23，、43 粘着层
[0038]12、24半导体芯片
[0039]13、25封装胶体
[0040]14线路层
[0041]21,51离型层
[0042]22金属层
[0043]26基板
[0044]30金属粒子[0045]30a氧化娃球体
[0046]30b金属涂布层
[0047]431核心铜层
[0048]432粘着膜
[0049]a光线。
【具体实施方式】
[0050]以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本发明的其它优点及功效。
[0051]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供本领域技术人员的了解与阅读，并非用以限定本发明可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本发明所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本发明所揭示的技术内容得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如「上」、「一」及「侧」等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本发明可 实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更技术内容下，当也视为本发明可实施的范畴。
[0052]第一实施例
[0053]以下将配合图2A至图2H以详细说明本发明的半导体封装件的制法的第一实施例的剖面示意图。
[0054]如图2A所示，提供一承载板20，且于该承载板20上形成有离型层21，而该承载板20的材质为玻璃,另外该离型层21的材质为非晶娃(Amorphous Silicon)、聚对二甲苯基(Parylene)或非晶相_ 二氧化娃(a -SiO2),该离型层21可通过化学气相沉积(ChemicalVapor Deposition, CVD)方式形成。
[0055]如图2B所示，于该离型层21上形成金属层22，且通过例如电浆辅助化学气相沉积(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition, PECVD)、化学气相沉积(Chemical VaporDeposition, CVD)、物理气相沉积(Physical Vapor Deposition, PVD)或无电电镀等方式形成金属层22，于本实施例中，该金属层22的厚度为I微米，另外，该金属层22的材质为任意金属。
[0056]要注意的是，本发明的实施也可省去该金属层22的形成，而不以本实施例为限。
[0057]如图2C所示，于该金属层22上形成粘着层23。
[0058]如图2D所示，将多个半导体芯片24设置于该粘着层23上，并利用该粘着层23可固定该等半导体芯片24的位置，另外，该等半导体芯片24可具有多个电性连接垫，该半导体芯片24为电性连接垫朝下粘贴至该粘着层23上。该承载板上更可具有定位记号，以提供半导体芯片24设置于粘着层23时，定位之用。
[0059]如图2E所示，通过模塑工艺(Molding),例如为压缩成型(compressionmolding)，形成封装胶体25于该粘着层23上，以包覆该等半导体芯片24，且通过该封装胶体25可保护该等半导体芯片24避免遭受环境污染、氧化或破坏。且于该封装胶体25包覆该半导体芯片24后，更有一烘烤程序，以烘烤该封装胶体以使其固化。
[0060]如图2F所示，于该封装胶体25上设置基板26，以令该封装胶体25夹置于该离型层21和该粘着层23之间，而该基板26的材质为玻璃或硅。
[0061]如图2G所示，从该承载板20的侧朝该离型层21照射例如激光的光线a，部分该光线a穿透该离型层21，但通过该金属层22阻挡该光线a接触该粘着层23、半导体芯片24与该封装胶体25，且该金属层22可反射部分该光线a，此外，该金属层22的厚度可随着光线a的功率而有所调整。
[0062]如图2H所示，该离型层21受到该光线a的影响而破坏，以移除该离型层21与该承载板20，再移除该金属层22与该粘着层23，而移除该金属层22与粘着层23的方式为蚀刻或化学方法，例如电浆蚀刻或化学蚀刻；最后，可依需要将该基板26移除，并可于该封装胶体25上形成电性连接该半导体芯片24的增层结构(未图标此情形)。
[0063]第二实施例
[0064]请参阅图3，其为本发明的半导体封装件的制法的第二实施例的剖面示意图。
[0065]本实施例大致上相同于前一实施例，其主要的不同之处在于本实施例不使用金属层22，而使用的粘着层23’中分布有多个金属粒子，并藉该等金属粒子阻挡该光线a穿过该粘着层23’，至于本实施例的其它步骤均类似于前一实施例，故不再赘述。
[0066]第三实施例
[0067]请参阅图4，其为本发明的半导体封装件的制法的第三实施例的剖面示意图。
[0068]本实施例大致上相同于第二实施例，其主要的不同之处在于本实施例的金属粒子30由氧化娃球体30a与形成于该氧化娃球体30a表面的金属涂布层30b所构成,该金属粒子30可阻挡该光线a穿过该粘着层23’，至于本实施例的其它步骤均类似于第二实施例，故不再赘述。
[0069]第四实施例
[0070]请参阅图5，其为本发明的半导体封装件的制法的第四实施例的剖面示意图。
[0071]本实施例大致上相同于第二实施例，其主要的不同之处在于本实施例的粘着层43(例如为铜胶带)包括核心铜层431与其两相对表面上的粘着膜432，并通过该核心铜层431阻挡该光线a穿过该粘着层43，至于本实施例的其它步骤均类似于第二实施例，故不再赘述。
[0072]第五实施例
[0073]请参阅图6，其为本发明的半导体封装件的制法的第五实施例的剖面示意图。
[0074]本实施例大致上相同于第二实施例，其主要的不同之处在于本实施例的离型层51的材质为非晶相-二氧化娃(a-SiO2),其可通过化学气相沉积(Chemical VaporDeposition, CVD)方式形成,且该光线a为532纳米的波长的激光,材质为非晶相-二氧化硅的离型层51经光线a照射后遂升华至气态，进而移除该离型层51与承载板20，至于本实施例的其它步骤均类似于第二实施例，故不再赘述。
[0075]另外，本实施例的粘着层23中也可不分布有多个金属粒子，即不藉该粘着层23中的该等金属粒子来阻挡该光线a穿过该粘着层23，而是调整该光线a的能量，使该离型层51能受到该光线a的影响而破坏，但使该光线a的能量不至于破坏该等半导体芯片24，以安全地移除该离型层51。
[0076]综上所述，本发明的半导体封装件的制法通过照射光线以破坏离型层，进而移除离型层与承载板，并且可再通过金属层、具有多个金属粒子的粘着层或具有核心铜层的粘着层来防止光线照射至半导体芯片与封装胶体，而可避免该封装胶体与半导体芯片被光线的能量破坏，达到保护该封装胶体与半导体芯片的效果，故可顺利的进行后续的工艺并增进广品良率。
[0077]上述该等实施例仅例示性说明本发明的功效，而非用于限制本发明，任何本领域技术人员均可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述该等实施例进行修饰与改变。此外，在上述该等实施例中的组件的数量仅为例示性说明，也非用于限制本发明。因此本发明的权利保护范围，应如权利要求书所列。
【权利要求】
1.一种半导体封装件的制法，包括: 提供一承载板，该承载板上形成有离型层及形成于该离型层上的粘着层； 于该粘着层上设置多个半导体芯片； 形成封装胶体于该粘着层上，以包覆该等半导体芯片；以及 从该承载板的侧朝该离型层照射光线，以移除该离型层与承载板。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该粘着层中还分布有多个金属粒子。
3.根据权利要求2所述的半导体封装件的制法，其特征在于，各该金属粒子是由氧化娃球体与形成于该氧化娃球体表面的金属涂布层所构成。
4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该离型层和该粘着层之间还形成有金属层。
5.根据权利要求4所述的半导体封装件的制法，其特征在于，于移除该离型层之后，还包括移除该金属层。
6.根据权利要求5所述的半导体封装件的制法，其特征在于，移除该金属层的方式为蚀刻或化学方法。
7.根据权利要求4所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该金属层的厚度为I微米。
8.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于照射该光线之前，于该封装胶体上设置基板，以令该封装胶体夹置于该基板和该粘着层之间。
9.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该基板的材质为玻璃或硅。
10.根据权利要求8所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括移除该基板。
11.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括移除该粘着层。
12.根据权利要求11所述的半导体封装件的制法，其特征在于，移除该粘着层的方式为蚀刻或化学方法。
13.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该承载板的材质为玻3? ο
14.根据权利要求6或12所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该蚀刻为电浆蚀刻或化学蚀刻。
15.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该离型层的材质为非晶硅、聚对二甲苯基或非晶相-二氧化硅。
16.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该光线为激光。
17.根据权利要求16所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该激光的波长为532纳米。
18.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该制法还包括于该封装胶体上形成电性连接该半导体芯片的增层结构。
19.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其特征在于，该粘着层包括核心铜层与其两相对表面上的粘着膜。
【文档编号】H01L21/56GK103811360SQ201310183340
【公开日】2014年5月21日 申请日期:2013年5月17日 优先权日:2012年11月13日
【发明者】纪杰元, 黄荣邦, 陈彦亨, 许习彰, 张江城, 邱世冠 申请人:矽品精密工业股份有限公司