射频ldmos器件的边缘隔离结构及制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种射频LDMOS器件边缘隔离优化结构，在大功率器件中，由于较大的栅宽导致的漏电，在边缘进行隔离时，将源极金属层向漏极金属层与隔离环区交界的区域延伸，利用源极金属层的接地，将漏极金属层与隔离环进行屏蔽，防止漏极金属中较高的电压导致隔离环区反型而产生漏电，方法简单易于实施且效果良好。本发明还公开了所述射频LDMOS器件边缘隔离优化结构的制造方法。
【专利说明】射频LDMOS器件的边缘隔离结构及制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是指一种射频LDMOS器件的边缘隔离结构，本发明还涉及所述射频LDMOS器件的边缘隔离结构的制造方法。
【背景技术】
[0002]高频率器件，要求器件本身有比较好的频率特性以满足频率要求，同时也要做大功率，N型大功率射频LDM0S，由多个栅极形成阵列以得到大电流，被广泛用于各种信号发射基站。大的阵列意味栅极总宽度很大，如何做好器件间隔离以保持低漏电是很大的挑战。因此对于漏电有较高的要求。
[0003]在现有的射频LDMOS器件中，其结构如图1所示，在P型隔离环下面有一段区域是在第二层金属的下面，第二层金属连接的是漏极，在工作状态下，漏极会连接很大的电压，在P型隔离环的上面也会有高电压，高压电场导致P型隔离环里面的掺杂区反型(图1中圆圈处所示)，或者掺杂浓度变低，导致漏电流增加。由于不太良好的器件隔离，造成较大的漏电，容易造成器件发热，最终导致器件性能降低或者失效。因此，做好器件隔离是一个良好的射频LDMOS器件的重要因素。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题在于提供一种射频LDMOS器件的边缘隔离结构。
[0005]本发明所要解决的另一技术问题在于提供所述射频LDMOS器件的边缘隔离结构的制造方法。
[0006]为解决上述问题，本发明所述的一种射频LDMOS器件的边缘隔离结构，是隔离环区环绕包围有源区，在有源区中，多个源区和漏区交替间隔排列，且源区和漏区之间的沟道区上具有多晶硅栅极，源区上覆盖第一金属层并通过接触孔相互连接，漏区上具有第二金属层并通过接触孔相互连接，第二金属层跨过隔离环区，将漏极引出隔离环区之外；
[0007]连接源区的第一金属层向第二金属层将漏极引出的引出方向上延伸，并位于隔离环区与第二金属层之间，且相邻的第一金属层连接在一起，将隔离环区与第二金属层隔离。
[0008]进一步地，所述的隔离环区为P型高掺杂隔离区，掺杂浓度为1x1014/CM_3以上。
[0009]进一步地，所述的连接源区的第一金属层接地，在第二金属层和隔离环区的交界区域形成隔离。
[0010]为解决上述问题，本发明所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，包含如下步骤:
[0011]第I步，定义场氧化区域；
[0012]第2步，定义隔离环区，在场氧化层内部定义一个隔离环区，包围整个有源区；
[0013]第3步，在隔离环区内的有源区分别注入形成源区及漏区，制作多晶硅栅极，形成器件；
[0014]第4步，制作第一金属层，并通过接触孔连接源区；第一金属层同时盖住后续第二金属层跨过隔离环区的交界区域，形成第二金属层与隔离环区之间的隔离；
[0015]第5步,淀积金属层间介质；
[0016]第6步，制作第二金属层，通过接触孔连接漏区，第二金属层将漏区引出隔离环区外。
[0017]进一步地，所述第I步中，实现半等平面的场氧化工艺，场氧的厚度为10000?15000A。
[0018]进一步地，所述第2步中，隔离环区的环宽度为3?5μπι，包围整个有源区；隔离环区采用硼离子注入，注入能量为300?500KeV，浓度为2X1014/CM_3以上。
[0019]进一步地，所述第4步中，第一金属层的厚度为8000?12000A。
[0020]进一步地，所述第5步中，金属层间介质的厚度为30000?35000A。
[0021]进一步地,所述第6步中,第二金属层的厚度为3?4μ m。
[0022]本发明所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构及制造方法，将连接源极的第一金属层往外延伸，利用其接地的特点，隔离环区和第二金属层之间形成隔离，避免了连接漏区的第二金属层由于电压过高，引起位于其下方的隔离环区反型而产生漏电的问题，工艺简单易于实施，降低成本。
【专利附图】
【附图说明】
[0023]图1是传统的射频LDMOS器件结构示意图；
[0024]图2?5是本发明工艺步骤示意图；
[0025]图6是隔离优化区域的剖面图；
[0026]图7是本发明工艺流程图；
[0027]附图标记说明
[0028]I是有源区，2是栅极，3是P型隔离环区，4是P型重掺杂区，5是源区，6是接触孔，7是第一金属层，8是第二金属层，9是P型沟槽掺杂，10是漏区。
【具体实施方式】
[0029]本发明所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构，如图5、6所示，适用于大功率器件应用领域，由多个栅极2并联形成，其总输出电流大于20安培，总栅极宽度大于30毫米，可达200毫米。有源区I中源区与漏区10是互相间隔交替排列，其间具有多晶硅栅极2，隔离环区3环绕包围有源区I。
[0030]源区5上覆盖第一金属层7并通过接触孔6相互连接，漏区10上具有第二金属层8并通过接触孔6相互连接，第二金属层8跨过隔离环区3，将漏极10引出隔离环区3之外。
[0031]第一金属层7和第二金属层8之间具有介质层(即图6中第一金属层7和第二金属层8之间的空白区域)，P型隔离环区3和第一金属层7之间具有场氧。
[0032]第二金属层8跨过隔离环区3，位于隔离环区3上方，由于第二金属层8连接漏极10，电压较高，高压电场容易引起位于其下方的隔离环区3反型而形成漏电，因此，本发明将连接源区5的第一金属层7往外延伸(即第二金属层7的引出方向)，使第一金属层7延伸的部分位于第二金属层8和隔离环区3之间，将第二金属层8与隔离环区3进行隔离。由于连接源区5的第一金属层7的电性属性为接地，因此第一金属层7延伸部分下方的隔离环区3具有了地线屏蔽的效果，阻止了第二金属层8的高压电场引起的隔离环区3反型，解决了器件漏电的问题。
[0033]本发明所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造工艺如下:
[0034]第I步，定义场氧化层区域，在工艺上实现半等平面的场氧化工艺。厚度在10000?15000A。
[0035]第2步，定义P型隔离环区域3，如图2所示，在场氧化层内部定义一个宽度在3?5um的隔离环带3，包围整个有源区1，工艺上用高能量300?500KeV，浓度在2xl014/CM_3以上注入B离子。
[0036]第3步，在隔离环区包围的有源区内分别注入形成源区5及漏区10，制作多晶硅栅极2，形成所述的LDMOS器件，如图3所示。
[0037]第4步，定义第一金属层，如图4所示，第一金属层为源极连接层，与衬底通过穿孔一起接地，在金属层定义的时候，让第一金属层走线盖住P型隔离环区将被第二金属层盖住的区域，保护P型隔离环。第一金属层厚度为8000?12000A。
[0038]第5步，形成厚度为30000?35000A的金属层间介质层。
[0039]第6步，定义制作第二金属层，如图5所示，厚度为3?4um。第二金属层通过接触孔连接漏极。即可形成射频LDMOS器件的边缘隔离。
[0040]以上仅为本发明的优选实施例，并不用于限定本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种射频LDMOS器件边缘隔离结构，P型掺杂隔离环区环绕包围有源区；在有源区中，多个源区和漏区交替间隔排列，且源区和漏区之间的沟道区上具有多晶硅栅极，源区上覆盖第一金属层并通过接触孔相互连接，漏区上具有第二金属层并通过接触孔相互连接，第二金属层跨过隔离环区，将漏极引出隔离环区之外，所述的边缘隔离结构，其特征在于: 连接源区的第一金属层向第二金属层将漏极引出的引出方向上延伸，并位于隔离环区与第二金属层之间，且相邻的第一金属层连接在一起，将隔离环区与第二金属层隔离。
2.如权利要求1所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构，其特征在于:所述的隔离环区为P型高掺杂隔离区，掺杂浓度为1x1014/CM_3以上。
3.如权利要求1所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构，其特征在于:所述的连接源区的第一金属层接地，在第二金属层和隔离环区的交界区域形成隔离。
4.如权利要求1所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于:包含: 第I步，定义场氧化区域； 第2步，定义隔离环区，在场氧化层内部定义一个隔离环区，包围整个有源区； 第3步，在隔离环区内的有源区分别注入形成源区及漏区，制作多晶硅栅极，形成器件； 第4步，制作第一金属层，并通过接触孔连接源区；第一金属层同时盖住后续第二金属层跨过隔离环区的交界区域，形成第二金属层与隔离环区之间的隔离； 第5步,淀积金属层间介质； 第6步，制作第二金属层，通过接触孔连接漏区，第二金属层将漏区引出隔离环区外。
5.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于:所述第I步中，实现半等平面的场氧化工艺，场氧的厚度为10000?15000A。
6.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于:所述第2步中，隔离环区的环宽度为3?5μπι，包围整个有源区；隔离环区采用硼离子注入，注入能量为300?500KeV，浓度为2xl014/Cr3以上。
7.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于:所述第4步中，第一金属层的厚度为《000?12000A。
8.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于:所述第5步中，金属层间介质的厚度为30000?35000A。
9.如权利要求4所述的射频LDMOS器件边缘隔离结构的制造方法，其特征在于:所述第6步中，第二金属层的厚度为3?4μπι。
【文档编号】H01L29/417GK104167432SQ201310187583
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2013年5月20日 优先权日:2013年5月20日
【发明者】马彪, 周正良, 遇寒 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司