固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置制造方法
【专利摘要】本发明提供能够简化形成将光电变换元件间进行元件分离的元件分离区域和对被摄体光的一部分或全部进行遮光的遮光膜的制造工序的固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置。本发明的实施方式所涉及的固体拍摄装置的制造方法包括沟槽形成工序、凹部形成工序、覆盖工序、埋入工序。在沟槽形成工序中，在将多个光电变换元件间进行元件分离的位置形成沟槽。在凹部形成工序中，在要形成对向在拍摄图像的画质调整中使用的调整用光电变换元件入射的被摄体光的至少一部分进行遮光的遮光膜的位置形成凹部。在覆盖工序中，通过绝缘膜覆盖沟槽及凹部的内周面。在埋入工序中，向内周面通过绝缘膜覆盖了的沟槽及凹部的内部埋入遮光部件。
【专利说明】固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置
【技术领域】
[0001]本发明的实施方式涉及固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置。
【背景技术】
[0002]以往，有具备多个光电变换元件的固体拍摄装置，所述多个光电变换元件包含在图像的拍摄中使用的拍摄用光电变换元件和在拍摄图像的画质调整中使用的调整用光电变换元件。
[0003]在该固体拍摄装置中，在各光电变换兀件间设置DTI(Deep Trench Isolation,深沟槽隔离)和/或STI (Shallow Trench Isolation，浅沟槽隔离)，通过DTI和/或STI将各光电变换元件进行元件分离。另外，在调整用光电变换元件的入射被摄体光的一侧，设置对入射的被摄体光的一部分或全部进行遮光的遮光膜。
[0004]这里，设有对被摄体光的全部进行遮光的遮光膜的光电变换元件称为光学黑体，用于确定拍摄图像中的黑色的基准。另外，设有对被摄体光的一部分进行遮光的遮光膜的光电变换元件例如用于基于相位差检测方式的焦点调整。
[0005]通常，将这些光电变换元件间进行元件分离的DTI和/或STI等元件分离区域和对被摄体光的一部分或全部进行遮光的遮光膜分别通过单独的制造工序形成，存在该制造工序复杂的问题。
[0006]【专利文献】
[0007]【专利文献I】特开2012-33583号公报。`
【发明内容】
[0008]本发明所要解决的课题在于提供可以简化形成将光电变换元件间进行元件分离的元件分离区域和对被摄体光的一部分或全部进行遮光的遮光膜的制造工序的固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置。
[0009]实施方式的固体拍摄装置的制造方法包括:在将多个光电变换元件间进行元件分离的位置，形成沟槽，所述多个光电变换元件包含在图像的拍摄中使用的拍摄用光电变换元件和在拍摄图像的画质调整中使用的调整用光电变换元件；在要形成遮光膜的位置，形成凹部，所述遮光膜对向上述调整用光电变换元件入射的被摄体光的至少一部分进行遮光；通过绝缘膜覆盖上述沟槽及上述凹部的内周面；以及向内周面通过上述绝缘膜覆盖了的上述沟槽及上述凹部的内部埋入遮光部件。
[0010]另一实施方式的固体拍摄装置具备:多个光电变换元件，其包含在图像的拍摄中使用的拍摄用光电变换元件和在拍摄图像的画质调整中使用的调整用光电变换元件；沟槽，其设置于将上述多个光电变换元件间进行元件分离的位置；凹部，其设置于形成遮光膜的位置，所述遮光膜对向上述调整用光电变换元件入射的被摄体光的至少一部分进行遮光；绝缘膜，其覆盖上述沟槽及上述凹部的内周面；以及遮光部件，其埋入于内周面通过上述绝缘膜覆盖了的上述沟槽及上述凹部的内部。[0011]根据上述构成的固体拍摄装置的制造方法及固体拍摄装置，可以简化形成将光电变换元件间进行元件分离的元件分离区域和对被摄体光的一部分或全部进行遮光的遮光月吴的制造工序。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1是实施方式所涉及的CMOS传感器的俯视的说明图。
[0013]图2是表示实施方式所涉及的像素部的一部分的说明图。
[0014]图3是表示实施方式所涉及的CMOS传感器的制造工序的剖面看的说明图。
[0015]图4是表示实施方式所涉及的CMOS传感器的制造工序的剖面看的说明图。
[0016]图5是表示实施方式所涉及的CMOS传感器的制造工序的剖面看的说明图。
[0017]图6是表示实施方式所涉及的CMOS传感器的制造工序的剖面看的说明图。
[0018]图7是表示实施方式的变形例所涉及的CMOS传感器的制造工序的说明图。
【具体实施方式】
[0019]以下参照附图，详细说明实施方式所涉及的固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法。另外，本发明并不由该实施方式所限定。
[0020]在本实施方式中，作为固体拍摄装置的一例，举例说明在对入射的被摄体光进行光电变换的光电变换元件的、与入射被摄体光的面相反的面侧形成布线层的背面照射型CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor,互补金属氧化物半导体)图像传感器。
[0021]另外，本实施方式所涉及的固体拍摄装置不限定于背面照射型CMOS图像传感器，也可以是表面照射型CMOS图像传感器和/或CXD (Charge Coupled Device,电荷耦合器件)图像传感器等任意的图像传感器。
[0022]图1是实施方式所涉及的背面照射型CMOS图像传感器(以下记载为“CMOS传感器I”)的俯视的说明图。如图1所示，CMOS传感器I具备像素部2和逻辑部3。
[0023]像素部2具备设置为俯视矩阵状的多个光电变换元件。这样的各光电变换元件将入射的被摄体光向与受光量(受光强度)相应的量的电荷进行光电变换，蓄积于电荷蓄积区域。
[0024]在这多个光电变换元件中，包含在图像的拍摄中使用的拍摄用光电变换元件和在拍摄图像的画质调整中使用的调整用光电变换元件。另外，关于光电变换元件的结构，将参照图2后述。
[0025]逻辑部3具备定时发生器31、垂直选择电路32、采样电路33、水平选择电路34、增益控制电路35、A/D (模拟/数字)变换电路36、放大电路37等。
[0026]定时发生器31是对像素部2、垂直选择电路32、采样电路33、水平选择电路34、增益控制电路35、A/D变换电路36、放大电路37等输出作为工作定时的基准的脉冲信号的处理部。
[0027]垂直选择电路32是从配置为矩阵状的多个光电变换元件中以行为单位依次选择读出电荷的光电变换元件的处理部。该垂直选择电路32使蓄积于以行为单位选择的各光电变换元件中的电荷作为表示各像素的辉度的像素信号，从光电变换元件向采样电路33输出。[0028]采样电路33是这样的处理部:从像素信号通过CDS (Correlated DoubleSampling:相关双重采样)除去噪声并暂时地保持，所述像素信号是自通过垂直选择电路32以行为单位选择的各光电变换元件输入的像素信号。
[0029]水平选择电路34是按每列依次选择并读出通过采样电路33保持的像素信号并向增益控制电路35输出的处理部。增益控制电路35是调整从水平选择电路34输入的像素信号的增益并向A/D变换电路36输出的处理部。
[0030]A/D变换电路36是将从增益控制电路35输入的模拟的像素信号变换为数字的像素信号并向放大电路37输出的处理部。放大电路37是对从A/D变换电路36输入的数字的像素信号进行放大并向预定的DSP (Digital Signal Processor,数字信号处理器(图示省略))输出的处理部。
[0031]这样，在CMOS传感器I中，在像素部2配置的多个光电变换元件将入射的被摄体光向与受光量相应的量的电荷进行光电变换并蓄积，逻辑部3通过将蓄积于各光电变换元件的电荷作为像素信号读出而进行拍摄。
[0032]接着，参照图2，说明实施方式所涉及的像素部2的结构。图2是表示实施方式所涉及的像素部2的一部分的说明图。另外，在图2的(a)中示意地表示实施方式所涉及的像素部2的部分剖面，在图2的(b)中表示由图2 (a)所示的像素部2的A-A'线的示意剖面。
[0033]如图2 Ca)所示，像素部2例如设置于Si (硅)晶片等支持基板27上。该像素部2具备将入射的被摄体光向与受光量相应的电荷进行光电变换并蓄积的多个光电变换元件20a、20b。
[0034]各光电变换元件20a、20b是通过掺杂有例如B (硼)等P型杂质的P型Si (硅)区域21与掺杂有例如P (磷)等N型杂质的N型Si区域22的PN结而形成的光电二极管。
[0035]这里，光电变换元件20a是用于图像的拍摄的光电变换元件。在该光电变换元件20a的入射被摄体光的一侧的面(这里是上表面)，设置作为反射防止膜的SiN (氮化硅)膜28，在SiN膜28的上表面设置TEOS (四乙氧基硅烷)氧化膜29。
[0036]另一方面，光电变换元件20b是用于拍摄图像的画质调整的光电变换元件，例如，用于基于相位差检测方式的拍摄透镜(图示省略)的焦点的调整。在该光电变换元件20b的入射被摄体光的一侧的面(这里是上表面)也设置作为反射防止膜的SiN膜28。
[0037]并且，在该SiN膜28的上表面，在对向光电变换元件20b入射的被摄体光的至少一部分进行遮光的位置，设置遮光膜43，该遮光膜43通过四周面由绝缘膜42覆盖的遮光部件41形成。
[0038]如图2(b)所不,该遮光膜43设置为覆盖光电变换兀件20b的受光面的斜向一半。另外，在SiN膜28的上表面未设置遮光膜43的位置，设置TEOS氧化膜29。
[0039]这里，如图2的(b)所示，在像素部2设置受光面的一方的斜向一半被遮光的调整用光电变换元件20b和受光面的另一方的斜向一半被遮光的调整用光电变换元件20b。由此，向一方的斜向一半被遮光的光电变换元件20b和另一方的斜向一半被遮光的光电变换元件20b，从各自不同的斜方向，入射相位不同的被摄体光。
[0040]这样，在像素部2中，通过使从角度不同的斜方向入射的被摄体光由一方的斜向一半被遮光的光电变换元件20b和另一方的斜向一半被遮光的光电变换元件20b受光，对被摄体光进行瞳孔分割。然后，在CMOS传感器I中，使用瞳孔分割后的各被摄体光形成一对像，基于所形成的一对像的间隔，进行调整拍摄透镜(图示省略)的焦点偏离的控制。
[0041]另外，在TEOS氧化膜29及遮光膜43上，在与各光电变换元件20a、20b相对的位置，分别设置滤色器R、G、B的某一个，在滤色器R、G、B的上表面设置微透镜L。另外，滤色器R是使红色的入射光选择地透射的滤色器，滤色器G是使绿色的入射光选择地透射的滤色器，滤色器B是使蓝色的入射光选择地透射的滤色器。另外，微透镜L是使入射的被摄体光向对应的光电变换元件20a、20b会聚的平凸透镜。
[0042]这多个光电变换元件20a、20b的各N型Si区域22是蓄积光电变换后的电荷的电荷蓄积区域，在P型Si区域21的内部设置为俯视矩阵状。这各光电变换元件20a、20b通过元件分离区域40电学地及光学地元件分离。
[0043]元件分离区域40是四周面通过绝缘膜42覆盖的遮光部件41，如图2 (b)所示，以包围各光电变换元件20a、20b的周围的方式，设置为俯视格子状。根据该元件分离区域40，能够通过覆盖遮光部件41的四周面的绝缘膜42将各光电变换元件20a、20b间电学地元件分离，能够通过遮光部件41将各光电变换元件20a、20b间光学地元件分离。
[0044]这里，元件分离区域40与遮光膜43通过双重镶嵌法同时形成。因此，在将相邻设置的调整用光电变换元件20b间元件分离的元件分离区域40及遮光膜43内部的遮光部件41没有边界，遮光部件41的四周面成为由无缝隙的绝缘膜42覆盖的状态。
[0045]这样，由于实施方式所涉及的元件分离区域40和遮光膜43可以通过双重镶嵌法同时形成，所以能够简化形成元件分离区域40和遮光膜43的制造工序。另外，关于通过该双重镶嵌法同时形成元件分离区域40和遮光膜43的制造工序，将参照图3?图6后述。
[0046]另外，像素部2在光电变换元件20a、20b的与入射被摄体光的一侧的面(这里是上表面)相反的面(这里是下表面)侧，具备用于从各N型Si区域22读出电荷的读出栅24。在各读出栅24的四周面，设置侧壁25。这些读出栅24及侧壁25埋设于层间绝缘膜23的内部。
[0047]在该层间绝缘膜23的内部，除了读出栅24以外，还埋设多层布线26等。该多层布线26例如用于光电变换后的电荷的读出和/或向CMOS传感器I所具备的未图示的其他电路元件的驱动信号的传送等。
[0048]接着，参照图3?图6，说明实施方式所涉及的CMOS传感器I的制造方法。另外，CMOS传感器I中的逻辑部3的制造方法与现有的一般的CMOS传感器同样。因而，以下说明CMOS传感器I中的像素部2的制造方法，关于逻辑部3的制造方法，省略其说明。
[0049]图3?图6是表示实施方式所涉及的CMOS传感器I的制造工序的剖面看的说明图。另外，在图3?图6中示意地表示像素部2中的3像素部分的制造工序。
[0050]在制造CMOS传感器I的情况下，首先，形成图3(a)所示的构造体。具体地，例如，准备形成有掺杂了 B等P型杂质的P型Si区域21的Si晶片等半导体基板。
[0051]然后，通过例如使P等N型杂质向P型Si区域21内部的预定位置扩散，形成多个N型Si区域22。此时，多个N型Si区域22以与拍摄图像的各像素对应的方式俯视形成为矩阵状。
[0052]由此，形成P型Si区域21与N型Si区域22的PN结，形成作为光电二极管的多个光电变换元件20a、20b。另外，N型Si区域22成为蓄积通过光电变换元件20a、20b光电变换后的电荷的电荷蓄积区域。
[0053]接着，在P型Si区域21的与入射被摄体光的一侧相反侧的面(这里是下表面)的预定位置，隔着栅氧化膜(图示省略)形成读出栅24及侧壁25，之后形成层间绝缘膜23。
[0054]接着，形成埋设于层间绝缘膜23的多层布线26。例如，通过反复进行使SiO膜等层间绝缘膜23成膜的工序、在层间绝缘膜23形成预定的布线图形的工序和在布线图形内埋入Cu等而形成布线的工序，来形成该多层布线26。
[0055]然后，通过使层间绝缘膜23与支持基板27粘贴，在通过支持基板27支持半导体基板的状态下研磨半导体基板，使P型Si区域21的入射被摄体光的面(这里是上表面)露出。
[0056]接着，在P型Si区域21的上表面进行作为反射防止膜的SiN膜28的成膜，之后在SiN膜28的上表面，进行作为硬掩模使用的TEOS氧化膜29的成膜。这些SiN膜28及TEOS氧化膜29例如通过CVD (Chemical Vapor Deposition,化学汽相沉积)形成。
[0057]然后，在TEOS氧化膜29的上表面涂敷抗蚀剂51，通过光刻选择地除去将各光电变换元件20a、20b进行元件分离的元件分离区域40 (参照图2的(a))的形成位置上的抗蚀剂51。由此,形成图3 (a)所示的构造体。
[0058]接着，通过进行将抗蚀剂51用作为软掩模的各向异性蚀刻，如图3 (b)所示，除去将各光电变换元件20a、20b进行元件分离的元件分离区域40的形成位置上的TEOS氧化膜29 及 SiN 膜 28。
[0059]然后，如图4 (a)所示，在将抗蚀剂51剥离后，通过进行将TEOS氧化膜29用作为硬掩模的各向异性蚀刻，如图4 (b)所示，在将各光电变换元件20a、20b进行元件分离的位置形成沟槽61。
[0060]此时，TEOS氧化膜29的上表面被蚀刻，其膜厚薄化。接着，如图4 (C)所示，例如，通过树脂等有机部件52将沟槽61暂时回埋，并且通过该有机部件52覆盖TEOS氧化膜29的上表面。
[0061]然后，在有机部件52的上表面涂敷抗蚀剂53。然后，如图5 (a)所示，通过光刻除去设置在调整用光电变换元件20b的受光面(P型Si区域21的上表面)侧的遮光膜43 (参照图2中的(a))的形成位置上的抗蚀剂53。另外，此时，关于沟槽61 (参照图4中的(b))的形成位置上的抗蚀剂53，也通过光刻除去。
[0062]接着，如图5 (b)所示，通过进行将抗蚀剂53用作为软掩模的各向异性蚀刻，在要形成遮光膜43 (参照图2中的(a))的位置形成凹部62。
[0063]具体地，在调整用光电变换元件20b的受光面侧，形成具有与调整用光电变换元件20b的受光面的至少一部分重叠的开口面的凹部62。此时，凹部62形成于开口面相对于调整用光电变换元件20b的受光面偏向预定方向的位置(参照图2中的(b))。
[0064]这样，通过在开口面相对于光电变换元件20b的受光面偏向预定方向的位置形成凹部62，可以通过随后向该凹部62埋入遮光部件41而形成基于相位差检测方式的焦点调整用光电变换元件20b。
[0065]另外，在这里的蚀刻中，以与调整用光电变换元件20b的受光面相比、凹部62的底面位于靠入射被摄体光的一侧的方式，形成凹部62。由此，能够防止调整用光电变换元件20b的一部分通过蚀刻被除去。另外,通过此时的蚀刻,沟槽61 (参照图4中的(b))的形成位置上的有机部件52也被除去。
[0066]然后，将抗蚀剂53及有机部件52灰化，如图5 (C)所示，从有机部件52的上表面除去抗蚀剂53，并且从TEOS氧化膜29的上表面及沟槽61的内部除去有机部件52。
[0067]接着，如图6 (a)所示,通过绝缘膜42覆盖沟槽61及凹部62的内周面。这里形成的绝缘膜42例如是通过ALD (Atomic Layer Deposition,原子层沉积)在沟槽61及凹部62的内周面成膜的SiO膜。
[0068]然后，如图6 (b)所示，向内周面由绝缘膜42覆盖了的沟槽61及凹部62的内部埋入遮光部件41。这里埋入的遮光部件41例如是Al (铝)、W (钨)、Cu (铜)等具有遮光性的金属。该具有遮光性的金属例如使用溅射法和/或电镀法，向沟槽61及凹部62的内部埋入。
[0069]接着，通过湿式蚀刻、干式蚀刻或CMP (Chemical Mechanical Polishing,化学机械抛光)，除去遮光部件41的不需要部分，如图6 (c)所示，使TEOS氧化膜29的上表面露出。这样，在实施方式所涉及的CMOS传感器I的制造方法中，通过双重镶嵌法，同时形成元件分离区域40和遮光膜43。
[0070]最后，在这样形成的构造体的上表面的预定位置，依次形成滤色器R、G、B及微透镜L，制造具备图2 Ca)所示的像素部2的CMOS传感器I。
[0071]这样，根据本实施方式，通过用图3 (a)所示的工序及图5 (a)所示的工序仅进行共计2次光刻，能够在元件分离区域40的形成位置形成沟槽61，在遮光膜43的形成位置形成凹部62。
[0072]并且，在本实施方式中，由绝缘膜42覆盖这样形成的沟槽61及凹部62的内周面，之后向沟槽61及凹部62的内部埋入遮光部件41，由此能够同时形成元件分离区域40和遮光膜43。根据该本实施方式，通过双重镶嵌法同时形成元件分离区域40及遮光膜43，由此能够简化形成元件分离区域40和遮光膜43的制造工序。
[0073]另外，上述CMOS传感器I及CMOS传感器I的制造方法为一例，可以进行各种变形。以下，参照图7，说明变形例所涉及的CMOS传感器的制造方法。
[0074]图7是表示实施方式的变形例所涉及的CMOS传感器的制造工序的说明图。这里，在图7的(a)中，表示变形例I所涉及的CMOS传感器的制造工序，在图7的(b)中，表示变形例2所涉及的CMOS传感器的制造工序。
[0075]另外，在图7中，表示形成滤色器R、G、B及微透镜L之前的状态。以下，关于图7所示的构成要素之中具有与图2?图6所示的构成要素同一或同样的功能的构成要素，标注与图2?图6所示的符号相同的符号，并省略其说明。
[0076]如图7 (a)所示，在制造变形例I所涉及的CMOS传感器的情况下，形成沟槽61的工序与形成凹部62的工序同时实施。此时，凹部62形成为与沟槽61相等的深度。
[0077]具体地，在变形例I所涉及的制造方法中，在形成TEOS氧化膜29之后，在TEOS氧化膜29的上表面，设置将元件分离区域40的形成位置及遮光膜43的形成位置选择地除去的抗蚀剂51。然后，进行将该抗蚀剂51用作为掩模的各向异性蚀刻。
[0078]由此，在元件分离区域40的形成位置形成沟槽61，同时，在遮光膜43的形成位置形成与沟槽61相同深度的凹部62。接着，通过绝缘膜42覆盖以相同深度形成的沟槽61及凹部62的内周面，之后向沟槽61及凹部62的内部埋入遮光部件41，由此同时形成元件分离区域40和遮光膜44。
[0079]根据该制造方法，形成元件分离区域40及遮光膜44所需要的光刻，通过对在TEOS氧化膜29的上表面形成的抗蚀剂51进行图案形成时的一次即可完成。从而，根据变形例I所涉及的制造方法，能够进一步简化形成元件分离区域40及遮光膜44的制造工序。
[0080]接着，如图7 (b)所示，在变形例2所涉及的制造方法中，以遮光膜45的底面与调整用光电变换元件20b的受光面(上表面)隔着绝缘膜42接近的方式，形成遮光膜45。
[0081]在形成该遮光膜45的情况下，例如，在图5(b)所示的工序中，继续各向异性蚀刻，直到凹部62的底面到达TEOS氧化膜29的底面。接着，通过灰化除去沟槽61内部的有机部件52，之后通过绝缘膜42覆盖沟槽61及凹部62的内周面，然后，向沟槽61及凹部62的内部埋入遮光部件41。由此，图7的(b)所示的元件分离区域40与遮光膜45同时形成。
[0082]根据该制造方法，由于能够在调整用光电变换元件20b的受光面的正上方形成遮光膜45，所以能够形成使对调整用光电变换元件20b的遮光性进一步提高了的遮光膜45。
[0083]另外，在上述实施方式中，说明了调整用光电变换元件20b用于基于相位差检测方式的拍摄透镜的焦点调整的情况，但是也可以构成为作为光学黑体使用。
[0084]例如，通过使设置在调整用光电变换元件20b的受光面侧的遮光膜43、44、45所形成的遮光区域向光电变换元件20b的受光面全体扩展，可以将调整用光电变换元件20b作为光学黑体使用。
[0085]虽然说明了本发明的几个实施方式，但是这些实施方式是作为例子而提示的，并非要限定发明的范围。这些新实施方式可以通过其他各种形态实施，在不脱离发明的主旨的范围，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式和/或其变形包含于发明的范围和/或主旨，并且也包含于权利要求所记载的发明及其均等的范围。
【权利要求】
1.一种固体拍摄装置的制造方法，包括: 在将多个光电变换元件间进行元件分离的位置，形成沟槽，所述多个光电变换元件包含在图像的拍摄中使用的拍摄用光电变换元件和在拍摄图像的画质调整中使用的调整用光电变换元件； 在要形成遮光膜的位置，形成凹部，所述遮光膜对向上述调整用光电变换元件入射的被摄体光的至少一部分进行遮光； 通过绝缘膜覆盖上述沟槽及上述凹部的内周面；以及 向内周面通过上述绝缘膜覆盖了的上述沟槽及上述凹部的内部埋入遮光部件。
2.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 以与上述调整用光电变换元件的受光面相比、上述凹部的底面位于靠入射被摄体光的一侧的方式，形 成上述凹部。
3.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 将上述沟槽及上述凹部同时形成而设为相等的深度。
4.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 形成开口面相对于在基于相位差检测方式的焦点调整中使用的上述调整用光电变换元件的受光面偏向预定方向的上述凹部。
5.权利要求4所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 在要形成对上述调整用光电变换元件的受光面的斜向一半进行遮光的遮光膜的位置，形成上述凹部。
6.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 使用ALD (Atomic Layer Deposition,原子层沉积)法形成上述绝缘膜。
7.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 上述遮光部件是Al (铝)、W (钨)及Cu (铜)之中的任意一种。
8.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 以上述凹部的底面到达上述调整用光电变换元件的受光面的方式，形成上述凹部。
9.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 在要形成对作为光学黑体而使用的上述调整用光电变换元件的受光面全体进行遮光的遮光膜的位置，形成上述凹部。
10.权利要求1所述的固体拍摄装置的制造方法，其中， 上述固体拍摄装置是背面照射型的图像传感器。
11.一种固体拍摄装置，具备: 多个光电变换元件，其包含在图像的拍摄中使用的拍摄用光电变换元件和在拍摄图像的画质调整中使用的调整用光电变换元件； 沟槽，其设置于将上述多个光电变换元件间进行元件分离的位置； 凹部，其设置于形成遮光膜的位置，所述遮光膜对向上述调整用光电变换元件入射的被摄体光的至少一部分进行遮光； 绝缘膜，其覆盖上述沟槽及上述凹部的内周面；以及 遮光部件，其埋入于内周面通过上述绝缘膜覆盖了的上述沟槽及上述凹部的内部。
12.权利要求11所述的固体拍摄装置，其中，上述凹部与上述调整用光电变换元件的受光面相比，底面位于靠入射被摄体光的一侧。
13.权利要求11所述的固体拍摄装置，其中， 上述沟槽及上述凹部的深度相等。
14.权利要求11所述的固体拍摄装置，其中， 上述调整用光电变换元件是在基于相位差检测方式的焦点调整中使用的光电变换元件， 上述凹部设置于开口面相对于上述调整用光电变换元件的受光面偏向预定方向的位置。
15.权利要求14所述的固体拍摄装置，其中， 在形成对上述调整用光电变换元件的受光面的斜向一半进行遮光的遮光膜的位置，具有上述凹部。
16.权利要求11所 述的固体拍摄装置，其中， 具有使用ALD (Atomic Layer Deposition,原子层沉积)法成膜的上述绝缘膜。
17.权利要求11所述的固体拍摄装置，其中， 具有通过Al (铝)、W (钨)及Cu (铜)之中的任意一种形成的上述遮光部件。
18.权利要求11所述的固体拍摄装置，其中， 上述凹部的底面到达上述调整用光电变换元件的受光面。
19.权利要求11所述的固体拍摄装置，其中， 在形成对作为光学黑体而使用的上述调整用光电变换元件的受光面全体进行遮光的遮光膜的位置，具有上述凹部。
20.权利要求11所述的固体拍摄装置，其中， 上述固体拍摄装置是背面照射型的图像传感器。
【文档编号】H01L27/148GK103779364SQ201310203158
【公开日】2014年5月7日 申请日期:2013年5月28日 优先权日:2012年10月23日
【发明者】北村阳介, 相川恒, 笕和宪 申请人:株式会社 东芝