发光二极管元件的制造方法
【专利摘要】一种发光二极管元件的制造方法，包括步骤：提供一基板，在基板上表面凸伸形成凸出部；设置发光二极管芯片在所述凸出部上；提供模具覆盖所述基板，所述模具的底面与凸出部上表面边缘区域、凸出部侧面、及基板上表面之间形成浇道，所述模具的底面与凸出部的上表面中部区域之间形成与浇道连通的腔体；沿浇道向所述腔体内注塑透明流体材料并固化该透明流体材料以形成透镜结构，残留浇道内的流体材料固化形成透镜结构的密封部，所述密封部覆盖该凸出部上表面边缘区域并自该凸出部上表面边缘弯折延伸至基板上表面；以及移除模具，形成所述发光二极管元件。
【专利说明】发光二极管元件的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体结构，尤其涉及一种发光二极管元件的制造方法。
【背景技术】
[0002] 发光二极管（Light Emitting Diode, LED)是一种可将电流转换成特定波长范围 的光的半导体元件。凭借其发光效率高、体积小、重量轻、环保等优点，已被广泛地应用到当 前的各个领域当中。
[0003] 传统的具有透镜的发光二极管元件通常包括LED封装结构以及固定于LED封装结 构上的透镜。对于通过注塑成型的透镜而言，业界通常先通过与模具腔体贯通的浇道向模 具腔体内注射透明材料，待透明材料固化后移除模具并去除浇道处的残留透明材料形成该 透镜，该种透镜经由螺丝或卡榫连接固定在LED封装结构的基板上。然而，由于透镜与基板 之间容易存在间隙，使得发光二极管元件的密封性难以得到保证，进而导致发光二极管元 件的使用寿命受到影响。故，需进一步改进。
【发明内容】
[0004] 有鉴于此，有必要提供一种密封性好的发光二极管元件的制造方法。
[0005] -种发光二极管元件的制造方法，包括步骤：提供一基板，在基板上表面凸伸形成 凸出部；设置发光二极管芯片在所述凸出部上；提供模具覆盖所述基板，所述模具的底面 与凸出部上表面边缘区域、凸出部侧面、及基板上表面之间形成浇道，所述模具的底面与凸 出部的上表面中部区域之间形成与浇道连通的腔体；沿浇道向所述腔体内注塑透明流体材 料并固化该透明流体材料以形成透镜结构，残留浇道内的流体材料固化形成透镜结构的密 封部，所述密封部覆盖该凸出部上表面边缘区域并自该凸出部上表面边缘弯折延伸至基板 上表面；以及移除模具，形成所述发光二极管元件。
[0006] 与先前技术相比，本发明提供的发光二极管元件的制造方法，先自基板的上表面 形成一凸出部并形成高度差，在利用模具注塑形成透镜结构时保留固化于浇道的流体材 料，使得该透镜结构的密封部覆盖凸出部周缘区域并自凸出部周缘弯折延伸至该基板上表 面，从而基板与透镜结构之间的贴合路径较长且曲折延伸，从而外界水汽不易沿基板与透 镜结构的交接面进入至该发光二极管芯片，增强该发光二极管元件的气密性，进而保证发 光二极管兀件的使用寿命。
【专利附图】
【附图说明】
[0007] 图1至图4是本发明发光二极管元件的制造方法的中各步骤的示意图。
[0008] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种发光二极管元件的制造方法，包括步骤： 提供一基板，在基板上表面凸伸形成凸出部； 设置发光二极管芯片在所述凸出部上； 提供模具覆盖所述基板，所述模具的底面与凸出部上表面边缘区域、凸出部侧面、及基 板上表面之间形成浇道，所述模具的底面与凸出部的上表面中部区域之间形成与浇道连通 的腔体； 沿浇道向所述腔体内注塑透明流体材料并固化该透明流体材料以形成透镜结构，残留 浇道内的流体材料固化形成透镜结构的密封部，所述密封部覆盖该凸出部上表面边缘区域 并自该凸出部上表面边缘弯折延伸至基板上表面；以及 移除模具，形成所述发光二极管元件。
2. 如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述透镜结构包括 光学部，所述光学部贴设于凸出部上表面中部区域并覆盖所述发光二极管芯片，所述密封 部自光学部靠近基板的底端沿水平方向向外凸伸形成。
3. 如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述光学部靠近基 板侧的底面面积小于凸出部的表面面积。
4. 如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述模具包括形成 于底面的第一凹部和第二凹部，第一凹部与对应的凸出部上表面边缘区域、凸出部的侧面 以及基板的上表面相对间隔设置并形成所述浇道，所述第二凹部与对应凸出部上表面中部 区域间隔设置形成所述腔体。
5. 如权利要求4所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述第一凹部自模 具底面沿远离基板的方向凹陷形成，所述第一凹部的内径大于凸出部的外径。
6. 如权利要求4所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述第二凹部自第 一凹部的底面沿远离基板的方向进一步凹陷形成，所述第二凹部的内表面为凹曲面，所述 第二凹部的最大外径小于所述凸出部的外径。
7. 如权利要求4所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述光学部包括一 入光面及与该入光面相对的出光面，所述出光面的形状与第二凹部表面的形状相同。
8. 如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述凸出部通过蚀 刻基板形成。
9. 如权利要求1所述的发光二极管元件的制造方法，其特征在于：所述透镜结构中包 含有荧光粉。
【文档编号】H01L25/13GK104253188SQ201310262045
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2013年6月27日 优先权日:2013年6月27日
【发明者】张超雄, 陈滨全, 陈隆欣, 曾文良 申请人:展晶科技(深圳)有限公司, 荣创能源科技股份有限公司