一种异质结太阳能电池及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种异质结太阳能电池及其制备方法，异质结太阳能电池依次按照P层，本征层，N型硅基体，金字塔绒面，N+层和氧化硅层叠加制成，并且正面电极自背面贯穿到P层，背面电极贯穿氧化硅层，连接N+层和背面金属栅线。本发明还提供了一种制备异质结太阳能电池的方法，经过槽式制绒、PECVD镀膜、激光通孔、背面电极低温银浆印刷、200℃烘干。使用本发明的异质结电池，降低银浆遮挡面积，提高异质结太阳能电池效率，本发明所采用的制备方法简单易行，切于实用。
【专利说明】一种异质结太阳能电池及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种太阳能电池，特别是一种异质结太阳能电池及其制备方法。
【背景技术】
[0002]目前，中国晶硅太阳能电池行业面临着一个严峻的问题:效率低，异质结太阳能电池的转换效率是衡量晶硅太阳能电池质量的一个重要指标，而遮挡面积是影响效率的重要因素。如何在成本的可控范围内将效率提高上去，是大家一致很关注的问题。如何降低银浆对电池片的遮挡是大家急需解决的问题，有很多产线、实验室提出二次印刷，但是技术不成熟。所以降低银浆对异质结太阳能电池的遮挡面积是急需解决的一个问题。
【发明内容】
[0003]发明目的:本发明的目的在于解决现有技术晶硅太阳能电池银浆耗量过多，并且遮挡太阳能电池受光面积的问题。
[0004]技术方案:本发明提供以下技术方案:一种异质结太阳能电池，包括P层，本征层，N型硅基体，金字塔绒面，N+层和氧化硅层，正面电极自背面贯穿到P层，背面电极贯穿氧化硅层，连接N+层和背面主栅线。
[0005]同时，本发明提供一种制备异质结太阳能电池的方法，包括以下步骤:
(1)在N型单晶硅基体上制备金字塔绒面；
(2)采用等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅基片的正面制备本征层；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积技术在正面本征硅薄膜上沉积P层；
(4)采用等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅基片的背面制备本征层；
(5)采用等离子体增强化学气相沉积技术在背面本征硅薄膜上沉积N+层；
(6)用掩膜版在电池片的背面镀一层氧化娃层；
(7)采用磁控溅射技术在电池片的正、背面镀上透明导电膜；
(8)应用Nd/YAG激光源在电池片背面打孔；
(9)采用丝网印刷技术在N型单晶硅基片的背面分别印上正面主栅线和背面主栅线、背面细栅线，在N型单晶硅基片的正面印上正面细栅线，并进入烘箱进行200°C的烘干；
(10)激光划边和测试分选。
[0006]作为优化，所述异质结太阳能电池依次按照P层，本征层，金字塔绒面，N型硅基体，金字塔绒面，本征层，N+层和氧化硅层叠加。
[0007]作为优化，所述透明导电膜厚度为lOOnm。
[0008]作为优化，形成金字塔的平均高度在4?6um之间。
[0009]作为优化，制绒所用化学溶剂为氢氧化钠，TCS和去离子水，其体积比为:氢氧化钠:TCS:去离子水=2?10:10?20:120?200。
[0010]作为优化，所述正面主栅线和背面主栅线直径为0.5mm，正面细栅线和背面细栅线直径为0.1mm。
[0011]有益效果:本发明与现有技术相比:使用本发明的异质结电池，降低银浆遮挡面积，提高异质结太阳能电池效率，减少了银浆用量，降低了成本，并且本发明所采用的制备方法简单易行，切于实用。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本发明的截面结构示意图；
图2为本发明的正面平面结构示意图；
图3为本发明的背面平面结构示意图。
【具体实施方式】
[0013]如附图1和附图2所示一种异质结太阳能电池，包括P层1，本征层2，N型硅基体3，金字塔绒面4，N+层5和氧化硅层6，所述层面依次按照P层1，本征层2，金字塔绒面4，N型硅基体3，金字塔绒面4，本征层2，N+层5和氧化硅层6叠加，正面电极7自背面贯穿到P层I，背面电极8贯穿氧化硅层6，连接N+层5和背面主栅线9。
[0014]同时，本发明提供一种制备异质结太阳能电池的方法，包括以下步骤:
(1)在N型硅基体3上制备金字塔绒面4结构；
(2)采用等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅基片3的正面制备本征层2；
(3)采用等离子体增强化学气相沉积技术在正面本征硅薄膜上沉积P层I;
(4)采用等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅基片的背面制备本征层2；
(5)采用等离子体增强化学气相沉积技术在背面本征硅薄膜上沉积N+层5;
(6)用掩膜版在电池片的背面镀一层氧化娃层6；
(7)采用磁控溅射技术在电池片的正、背面镀上透明导电膜10；
(8)应用Nd/YAG激光源在电池片背面打孔；
(9)采用丝网印刷技术在N型单晶硅基片的背面分别印上正面主栅线11和背面主栅线9、背面细栅线12，在N型单晶硅基片的正面印上正面细栅线13，并进入烘箱进行200°C的烘干；
(10)激光划边和测试分选。
[0015]所述透明导电膜厚度10为lOOnm。形成金字塔的平均高度在4?6um之间。制绒所用化学溶剂为氢氧化钠，TCS和去离子水，其体积比为:氢氧化钠:TCS:去离子水=2?10:1(Γ20:12(Γ200。所述正面主栅线11和背面主栅线9直径为0.5mm，正面细栅线13和背面细栅线12直径为0.1mm。
[0016]使用本发明的异质结电池，降低银浆遮挡面积，提高异质结太阳能电池效率，减少了银浆用量，降低了成本，并且本发明所采用的制备方法简单易行，切于实用。
【权利要求】
1.一种异质结太阳能电池，其特征在于:包括P层，本征层，N型硅基体，金字塔绒面，N+层和氧化硅层，正面电极自背面贯穿到P层，背面电极贯穿氧化硅层，连接N+层和背面主栅线。
2.一种制备权利要求1的产品的方法，其特征在于:包括以下步骤: (1)在N型单晶硅基体上制备金字塔绒面； (2)采用等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅基体的正面制备本征层； (3)采用等离子体增强化学气相沉积技术在正面本征硅薄膜上沉积P层； (4)采用等离子体增强化学气相沉积技术在N型单晶硅基片的背面制备本征层； (5)采用等离子体增强化学气相沉积技术在背面本征硅薄膜上沉积N+层； (6)用掩膜版在电池片的背面镀一层氧化娃层； (7)采用磁控溅射技术在电池片的正、背面镀上透明导电膜； (8)应用Nd/YAG激光源在电池片背面打孔； (9)采用丝网印刷技术在N型单晶硅基片的背面分别印上正面主栅线和背面主栅线、背面细栅线，在N型单晶硅基片的正面印上正面细栅线，并进入烘箱进行200°C的烘干； (10)激光划边和测试分选。
3.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于:所述异质结太阳能电池依次按照P层，本征层，金字塔绒面，N型硅基体，金字塔绒面，本征层，N+层和氧化硅层叠加。
4.根据权利要求2所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于:所述透明导电膜厚度为lOOnm。
5.根据权利要求4所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于:形成金字塔的平均高度在4?6um之间。
6.根据权利要求5所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于:制绒所用化学溶剂为氢氧化钠，TCS和去离子水，其体积比为:氢氧化钠:TCS:去离子水=2?10:1(Γ20:120?200。
7.根据权利要求6所述的制备异质结太阳能电池的方法，其特征在于:所述正面主栅线和背面主栅线直径为0.5mm，正面细栅线和背面细栅线直径为0.1mm。
【文档编号】H01L31/18GK104347734SQ201310312402
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2013年7月24日 优先权日:2013年7月24日
【发明者】张东升, 赵会娟 申请人:国电光伏有限公司