横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法
【专利摘要】本发明属于半导体器件【技术领域】，公开了一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，该方法通过研磨栅极上方的阻挡层，直至露出栅极的方式，可以直接在阻挡层上形成栅极所在区域的图案，使得在栅极上形成低电阻区时不需要对栅极所在的区域进行对准，也就不存在光刻工艺中的对准偏差问题，满足半导体工艺的更小线宽和最低能耗需求。
【专利说明】横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及半导体器件【技术领域】，特别涉及一种横向双扩散金属氧化物半导体晶 体管的制造方法。
【背景技术】
[0002] 射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（lateraldouble-diffusedM0S，简称 "LDMOS")应用于手机基站、广播电视和雷达等领域。不同于其它的功率MOS管，射频LDMOS 由于其射频特性，所以对栅电阻的要求极其高，要求栅电阻尽可能的小。为了减小栅电阻， 必须采用栅极低阻化工艺。一般都是通过在栅极所在区域的上方形成金属硅化物(栅电阻 为金属硅化物电阻与栅极电阻的并联电阻，而金属硅化物电阻率很低，约为7-10Ω· m)，来 达到降低栅电阻的目的。目前制作金属硅化物的比较可行的材料有Ti(钛)，Co(钴)，Ni (镍)，以Ti为例，结合图1所示，现有的涉及到栅极低阻化工艺的主要工艺步骤如下：
[0003] 第一步，在衬底1上形成绝缘层2 ;
[0004] 第二步，在绝缘层2上形成栅极3,栅极3 -般由多晶硅层制成；
[0005] 第三步，在栅极3沉积一层阻挡层，一般是用化学气相沉积方式沉积一层氧化层；
[0006] 第四步，用光刻和刻蚀工艺将栅极3所在区域上方的阻挡层刻蚀掉；
[0007] 第五步，沉积Ti金属层，通过快速退火工艺在栅极3上生成一层电阻较低的Ti-Si (钛-硅）化合物区6 ;
[0008] 第六步，去除剩余的金属Ti。
[0009] 第七步，通过快速热退火工艺使Ti-Si(钛-硅）化合物转相，形成电阻更低的 Ti-Si(钛-硅）化合物。
[0010] 上述的工艺方法中的第四步，由于需要通过光刻版在阻挡层上形成栅极所在区域 的图案，所以存在对准偏差的问题。在半导体工艺追求更小线宽和更低能耗的趋势下，这个 偏差会随着多晶硅栅线条的变窄而越来越不能忽视。
【发明内容】
[0011] 鉴于上述技术问题，本发明提供一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造 方法。
[0012] 本发明的技术方案是这样实现的：
[0013] 一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括在衬底上形成绝缘层 的步骤，还包括以下步骤：
[0014] 在所述绝缘层上形成栅极；
[0015] 在栅极上形成阻挡层；
[0016] 研磨所述阻挡层至露出栅极；
[0017] 在栅极上形成电阻区，所述电阻区位于栅极所在区域的上方，且所述电阻区的阻 值小于栅极的阻值；
[0018] 去除所述阻挡层。
[0019] 本发明提供的所述技术方案通过研磨栅极上方的阻挡层，直至露出栅极的方式， 可以直接在阻挡层上形成栅极所在区域的图案，使得在栅极上形成低电阻区时不需要对栅 极所在的区域进行对准，也就不存在通过光刻工艺在阻挡层上形成栅极所在区域的图案的 对准偏差问题，满足半导体工艺的更小线宽和最低能耗需求。
【专利附图】
【附图说明】
[0020] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。
[0021] 图1表示现有技术中LDMOS栅极的结构示意图；
[0022] 图2-图8表示本发明实施例中LDMOS栅极的制造流程图。
【具体实施方式】
[0023] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0024] 射频横向双扩散金属氧化物半导体晶体管（以下简称"LDM0S"）由于其射频特性， 对栅电阻的要求极高，要求栅电阻尽可能的小。为此，在LDMOS的制造过程中，通过在栅极 上形成低电阻区的方式，使得栅电阻为低电阻区电阻与栅极电阻的并联电阻，来达到降低 栅电阻的目的，用以满足LDMOS的射频特性要求。且栅极电阻一定的情况下，栅电阻与低电 阻区电阻呈正比，即：低电阻区的电阻越小，LDMOS的栅电阻越小。
[0025] 本发明即提供一种LDMOS的制造方法，用以在其栅极上形成低电阻区来降低栅电 阻。该制造方法包括在衬底1上形成绝缘层2的步骤。结合图2所示，具体可以通过化学 沉积、溅射或涂覆工艺在衬底1上形成绝缘层2。绝缘层2的材料通常为氧化物，如：二氧化 硅、氮氧化硅或两者的结合。衬底1作为LDMOS的基极，其采用P型或N型硅半导体材料。 该制造方法还包括以下步骤：
[0026] 步骤100、在绝缘层2上形成栅极3,如图2所示；
[0027] 步骤101、在栅极3上形成阻挡层4,如图3所示；
[0028] 步骤102、研磨阻挡层4至露出栅极3,如图4所示；
[0029] 步骤103、在栅极3上形成电阻区6,结合图5-图7所示，其中，电阻区6位于栅极 3所在区域的上方，且电阻区6的阻值小于栅极3的阻值；
[0030] 步骤104、去除阻挡层4,如图8所示。
[0031] 通过研磨栅极上方的阻挡层，直至露出栅极的方式，可以直接在阻挡层上形成栅 极所在区域的图案，使得在栅极上形成低电阻区时不需要对栅极所在的区域进行对准，也 就不存在通过光刻工艺在阻挡层上形成栅极所在区域的图案的对准偏差问题，满足半导体 工艺的更小线宽和最低能耗需求。
[0032] 本实施例中优选通过化学机械研磨工艺研磨阻挡层4至露出栅极3,因为化学机 械研磨工艺综合了化学研磨和机械研磨的优势，可以在保证材料去除效率的同时，获得较 完美的表面，得到的平整度比单纯使用这两种研磨工艺进行研磨得到的平整度要高出1-2 个数量级，并且可以实现纳米级到原子级的表面粗糙度。
[0033] 其中，步骤100中的栅极3 -般由金属层或多晶硅层制成。具体的，结合图2所 示，首先，通过化学沉积、溅射或涂覆工艺在绝缘层2上形成金属层或多晶硅层（图中未示 出）；之后，在金属层或多晶硅层上旋转涂覆光刻胶，利用掩模版对光刻胶进行曝光，显影， 使得光刻胶形成保留区域和不保留区域，其中，光刻胶保留区域对应栅极3所在的区域；然 后，刻蚀掉光刻胶不保留区域下方的金属层或多晶硅层；最后，剥离剩余的光刻胶，形成栅 极3。
[0034] 如图3所示，步骤101中可以通过化学沉积方法在栅极3上沉积一层厚的阻挡层 4,其厚度为栅极3厚度的2-3倍为宜，保证栅极3所在区域的上方具有一定厚度的阻挡层 4,为后续阻挡层4的研磨提供足够的研磨余量，保证研磨表面的质量。其中，阻挡层4的材 质可以为氧化层。
[0035] 步骤103中，对于由多晶硅层制成的栅极，一般是通过在栅极上形成金属层，然后 再利用快速热退火工艺使金属与多晶硅反应生成金属硅化物的方式来形成低电阻区。目 前，通过快速热退火工艺使金属与多晶硅反应生成金属硅化物的比较可行的金属材料有钛 (Ti),钴（Co),镍（Ni)。下面以金属Ti为例来具体说明低电阻区的形成过程，具体包括以下 步骤：
[0036] 如图5所示，首先在栅极3上形成Ti金属层5,其中，Ti金属层5的厚度在 200-1000A之间，可以保证后续快速热退火工艺中金属Ti与多晶硅的充分反应；
[0037] 然后通过第一快速热退火工艺使金属Ti与多晶硅反应生成钛硅（Ti-Si)化合物， 形成低电阻区6,如图6所示。并控制第一快速热退火工艺的温度为650?750度，时间为 20?40秒，使得金属Ti可以与多晶硅充分反应，生成Ti-Si化合物。而在此温度范围内， 金属Ti又不至于和阻挡层4发生反应；
[0038] 最后，去除剩余的金属Ti,如图7所示。
[0039] 具体可以采用湿法清洗工艺去除剩余的金属Ti,其中，湿法清洗的药液可以选择 硫酸和双氧水的混合液或氨水和双氧水的混合液，只会溶解金属Ti,而不会溶解Ti-Si化 合物。需要说明的是，这里并不是对湿法清洗的药液进行限定，只是举例说明。
[0040] 当金属层5为其他金属时，其与多晶硅反应生金属硅化物的具体过程与金属Ti一 样，在此不再赘述。
[0041] 在栅极栅极3上形成电阻区6之后，为了便于后续制作工艺，需要去除阻挡层4,优 选通过干刻法刻蚀掉阻挡层4。
[0042] 进一步地，本实施例中还可以通过第二快速热退火工艺使金属硅化物转相，使电 阻区的电阻率更低，进一步降低栅电阻。并控制第二快速热退火工艺的温度为800-900度， 时间为20?40秒。
[0043] 本发明所提供的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法通过研磨栅极 上方的阻挡层，直至露出栅极的方式，可以直接在阻挡层上形成栅极所在区域的图案，使得 在栅极上形成低电阻区时不需要对栅极所在的区域进行对准，也就不存在通过光刻工艺在 阻挡层上形成栅极所在区域的对准偏差问题，满足半导体工艺的更小线宽和最低能耗需 求。
[0044] 本领域普通技术人员可以理解，以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用 以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包 含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 一种横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法，包括在衬底上形成绝缘层的 步骤，其特征在于，还包括以下步骤： 在所述绝缘层上形成栅极； 在栅极上形成阻挡层； 研磨所述阻挡层至露出栅极； 在栅极上形成电阻区，所述电阻区位于栅极所在区域的上方，且所述电阻区的阻值小 于栅极的阻值； 去除所述阻挡层。
2. 根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述栅极由多晶硅层制成； 所述在栅极上形成电阻区的步骤包括： 在栅极上形成金属层； 通过第一快速热退火工艺使金属与多晶硅反应生成金属硅化物，形成所述低电阻区； 去除剩余的金属。
3. 根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述第一快速热退火工艺的温度为 650?750度，时间为20?40秒。
4. 根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，通过湿法清洗工艺去除剩余的金属。
5. 根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，湿法清洗的药液可以选择硫酸和双 氧水的混合液或氨水和双氧水的混合液。
6. 根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，还包括： 通过第二快速热退火工艺使金属硅化物转相。
7. 根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述第二快速热退火工艺的温度为 800-900度，时间为20?40秒。
8. 根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度为200-1000
9. 根据权利要求1-8任一项所述的制造方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度为栅极 厚度的2-3倍。
10. 根据权利要求1-8任一项所述的制造方法，其特征在于，利用化学机械研磨工艺研 磨所述阻挡层至露出栅极。
【文档编号】H01L21/336GK104347373SQ201310325638
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2013年7月30日 优先权日:2013年7月30日
【发明者】闻正锋, 马万里, 赵文魁 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司