一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层（1）、Buffer—缓冲层（2）、uGaN层（3）、nGaN层（4）、MQW发光层（5）以及pGaN层（6），所述uGaN层（3）包括成核层（31）、三维生长层（32）、二维生长层A（33）、低温uGaN层（34）、二维生长层B（35），本发明有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
【专利说明】—种设置有低温uGaN层的发光二极管外延片
【技术领域】
[0001]本发明涉及LED外延片【技术领域】，具体涉及一种设置有低温UGaN层的发光二极管外延片。
【背景技术】
[0002]目前，蓝绿光发光二极管的主流是在蓝宝石或碳化硅衬底上生长GaN材料，其中绝大部分米用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石衬底与GaN材料之间较大的晶格失配与热失配，导致GaN外延层内产生高密度的缺陷，例如穿透位错。实验证明这些缺陷是III族氮化物基发光二极管中反向漏电电流产生的一个重要途径。现有的外延片在uGaN层生产过程中，通常是在包括成核层、三维生长层(32)、二维生长层，但是这种生长顺序，不利于发光二极管的ESD抗静电能力。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种设置有低温UGaN层的发光二极管外延片，该技术方案有效解决传统外延片抗静电能力差，从而导致芯片击穿和发光效率低的问题。
[0004]本发明通过以下技术方案实现:
一种设置有低温UGaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层(I)、Buffer—缓冲层(2)、uGaN层(3)、nGaN层(4)、MQW发光层(5)以及pGaN层(6)，其特征在于:所述uGaN层(3)包括成核层(31)、三维生长层(32)、二维生长层A (33)、低温uGaN层(34)、二维生长层B (35)。
[0005]本发明进一步技术改进方案是:
所述低温uGaN层(34)的厚度为200nm。
[0006]本发明与现有技术相比，具有以下明显优点:本发明在传统外延片UGaN层的二维生长层生长完后继续生长一层低温UGaN层，可显著降低芯片瞬间放电产生的瞬间电流的密度，从而提高发光二极管ESD抗静电能力。
【专利附图】
【附图说明】
[0007]图1为本发明的结构示意图；
图1中I为蓝宝石衬底层、2为Buffer—缓冲层、3为uGaN层、4为nGaN、5为MQW发光层、6为pGaN层；
图2为本发明uGaN层结构示意图。
【具体实施方式】
[0008]如图1、2所示,本发明包括蓝宝石衬底层UBuffer—缓冲层2、uGaN层3、nGaN层
4、MQff发光层5以及pGaN层6，所述uGaN层3包括成核层31、三维生长层32、二维生长层A33、低温uGaN层34、二维生长层B35，所述低温uGaN层34的厚度为200nm。[0009]本发明未涉及部分均与现有技术相同或可采用现有技术加以实现。
【权利要求】
1.一种设置有低温UGaN层的发光二极管外延片，包括蓝宝石衬底层(I)、Buffer—缓冲层(2 )、UGaN层(3 )、nGaN层(4)、MQW发光层(5 )以及pGaN层(6 )，其特征在于:所述uGaN层(3)包括成核层(31)、三维生长层(32)、二维生长层A (33)、低温UGaN层(34)、二维生长层 B (35)。
2.根据权利要求1所述的一种设置有低温UGaN层的发光二极管外延片，其特征在于:所述低温uGaN层(34)的厚度为200nm。
【文档编号】H01L33/14GK103441200SQ201310351395
【公开日】2013年12月11日 申请日期:2013年8月14日 优先权日:2013年8月14日
【发明者】芦玲, 张向飞, 钱仁海, 刘坚 申请人:淮安澳洋顺昌光电技术有限公司