Ic载板、具有该ic载板的半导体器件及制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种IC载板，其包括中介板、防焊层及中介板载板。中介板载板包括依次接触的第五导电线路层、第四介电层、第四导电线路层、第一介电层及第一导电线路层。各导电线路通过对应介电层中的导电孔与相邻导电线路层电性连接。第四介电层导电孔成孔方向与第一介电层导电孔成孔方向相反。中介板内嵌于第一介电层，其相对两侧具有电性连接的第一电性接触垫及第二电性接触垫。第二电性接触垫靠近第一导电线路层。自第五导电线路层向第一介电层形成有一凹槽。凹槽贯穿第五导电线路层及第四介电层，露出中介板。多个第一电性接触垫从凹槽露出。本发明还涉及具有该IC载板的半导体器件及其制作方法。
【专利说明】1C载板、具有该1C载板的半导体器件及制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种1C载板、具有该1C载板的半导体器件及制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着芯片技术的日益发展，芯片内导线的线宽线距均越来越细。为使承载芯片的 承载基板的导线密度与芯片的线路间距相适应通常会使用中介板作为连接媒介，但由于中 介板及与其电连接的芯片突出所述承载基板，使得半导体器件的整体厚度增加，不利于实 现轻薄化。另外，中介板突出承载基板其电气特性易受外界影响。
【发明内容】
[0003] 有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的1C载板、具有该1C载板的半导体器件 及其制作方法。
[0004] 一种1C载板的制作方法，包括步骤：提供承载基板，所述承载基板包括依次设置 的第一导电线路层、第一介电层及第一铜箔层，自所述第一导电线路层向所述第一介电层 形成有第一凹槽，部分第一铜箔层从所述凹槽底部露出；在从所述第一凹槽露出的第一铜 箔层上粘贴一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个-对应电性连接的第一电性接触 垫及第二电性接触垫，所述第一电性接触垫靠近所述第一铜箔层；在所述第一导电线路层 及所述中介板表面压合第二介电层，在第二介电层表面形成第二导电线路层，并在所述第 二介电层中形成第三导电孔，所述第二导电线路层通过所述第三导电孔与所述第二电性接 触垫电性连接；将所述第一铜箔层制成第四导电线路层；在第四导电线路层上形成具有第 五导电孔的第四介电层，并在所述第四介电层表面形成第五导电线路层；以及自所述第五 导电线路层向所述第一介电层形成一个第二凹槽，露出所述中介板，所述多个第一电性接 触垫从所述第二凹槽露出。
[0005] -种1C载板的制作方法，包括步骤：提供一个基板，所述基板包括一个承载板、位 于所述承载板相对两侧的第一铜箔层及位于两个第一铜箔层远离承载板侧的第一介电层； 在第一介电层上均形成第一导电线路层；自所述第一导电线路层向所述第一介电层均形成 第一凹槽，部分第一铜箔层从所述凹槽底部露出；在从所述第一凹槽露出的第一铜箔层上 均粘贴一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个--对应电性连接的第一电性接触垫及 第二电性接触垫，所述第一电性接触垫靠近所述第一铜箔层；在所述第一导电线路层及所 述中介板均压合第二介电层，在第二介电层表面均形成第二导电线路层，并在所述第二介 电层中均形成第三导电孔，所述第二导电线路层通过所述第三导电孔与所述第二电性接触 垫电性连接；将所述第一铜箔层均与所述承载板分开；将所述第一铜箔层制成第四导电线 路层；在所述第四导电线路层上形成具有第五导电孔的第四介电层，并在所述第四介电层 表面形成第五导电线路层；以及自所述第五导电线路层向所述第一介电层形成一个第二凹 槽，露出所述中介板，所述多个第一电性接触垫从所述第二凹槽露出。
[0006] -种半导体器件的制作方法，其包括步骤：提供承载基板，所述承载基板包括依次 设置的第一导电线路层、第一介电层及第一铜箔层，自所述第一导电线路层向所述第一介 电层形成有第一凹槽，部分第一铜箔层从所述凹槽底部露出；在从所述第一凹槽露出的第 一铜箔层上粘贴一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个-对应电性连接的第一电性 接触垫及第二电性接触垫，所述第一电性接触垫靠近所述第一铜箔层；在所述第一导电线 路层及所述中介板表面压合第二介电层，在第二介电层表面形成第二导电线路层，并在所 述第二介电层中形成第三导电孔，所述第二导电线路层通过所述第三导电孔与所述第二电 性接触垫电性连接；将所述第一铜箔层制成第四导电线路层；在第四导电线路层上形成具 有第五导电孔的第四介电层，并在所述第四介电层表面形成第五导电线路层；自所述第五 导电线路层向所述第一介电层形成一个第二凹槽，露出所述中介板，所述多个第一电性接 触垫从所述第二凹槽露出；以及在所述凹槽中安装一个芯片，所述芯片一侧具有多个电极 垫，所述多个电极垫分别通过一个导电凸块所述第一电性接触垫电性连接，在厚度方向上， 所述芯片远离所述电极垫的表面未超出所述第四介电层远离所述第四导电线路层的表面。
[0007] -种1C载板，其包括中介板、防焊层及中介板载板。所述中介板载板包括依次接 触的第五导电线路层、第四介电层、第四导电线路层、第一介电层及第一导电线路层。各导 电线路层均通过与其相邻的介电层中的导电孔与相邻导电线路层电性连接。所述第一介电 层中的导电孔成孔方向与所述第四介电层中的导电孔成孔方向相反。所述中介板内嵌于所 述第一介电层中。所述中介板相对两侧具有相互电性连接的第一电性接触垫及第二电性接 触垫。所述第二电性接触垫位于所述中介板靠近所述第一导电线路层的一侧。自所述第五 导电线路层向所述第一介电层形成有一凹槽。所述凹槽贯穿所述第五导电线路层及第四介 电层，露出所述中介板。所述多个第一电性接触垫从所述凹槽露出。
[0008] -种半导体器件，其包括1C载板及芯片，所述1C载板包括中介板、防焊层及中介 板载板。所述中介板载板包括依次接触的第五导电线路层、第四介电层、第四导电线路层、 第一介电层及第一导电线路层。各导电线路层均通过与其相邻的介电层中的导电孔与相邻 导电线路层电性连接。所述第一介电层中的导电孔成孔方向与所述第四介电层中的导电孔 成孔方向相反。所述中介板内嵌于所述第一介电层中。所述中介板相对两侧具有相互电性 连接的第一电性接触垫及第二电性接触垫。所述第二电性接触垫位于所述中介板靠近所述 第一导电线路层的一侧。自所述第五导电线路层向所述第一介电层形成有一凹槽。所述凹 槽贯穿所述第五导电线路层及第四介电层，露出所述中介板。所述多个第一电性接触垫从 所述凹槽露出。所述芯片一侧具有多个电极垫。所述多个电极垫分别通过一个导电凸块所 述第一电性接触垫电性连接。在厚度方向上，所述芯片远离所述电极垫的表面未超出所述 第四介电层远离所述第四导电线路层的表面。
[0009] 本发明将中介板内嵌在所述1C载板中，使中介板与1C载板成为一体结构，一方面 可减少安装芯片后整体的厚度，另一方面，由于中介板内嵌在1C载板中，使其与1C载板紧 密连接，受外界影响较小。
【专利附图】
【附图说明】
[0010] 图1是本发明实施例所提供的基板的剖视图。
[0011] 图2是在图1中的第一介电层上均形成第一导电线路层，并在第一介电层中均形 成多个第一导电孔后的剖视图。
[0012] 图3是自图2中的第一导电线路层向所述第一介电层内均形成第一凹槽后的剖视 图。
[0013] 图4是图3中所示承载基板的的第一凹槽中安装一个中介板后的剖视图。
[0014] 图5是在图4所示的承载基板的第一导电线路层形成第一覆铜材料后的剖视图。
[0015] 图6是在图5所示的第二介电层上形成第三导电孔及第二导电线路层后的剖视 图。
[0016] 图7是在图6所示的第二导电线路层上形成第三介电层及第三导电线路层，并在 所述第三介电层内形成第四导电孔后的剖视图。
[0017] 图8是将图7中所示第一铜箔层与承载板分开后的剖视图。
[0018] 图9是在图8所示的第一铜箔层上形成第四导电线路层后的剖视图。
[0019] 图10是在图9所示的第四导电线路层上形成第四介电层及第五导电线路层后的 首1J视图。
[0020] 图11是在图10所示的第三导电线路层形成第一防焊层，在所示第五导电线路层 上形成第二防焊层后的剖视图。
[0021] 图12是移除图11所示的与所述第一介电层对应的部分第四介电层及第二防焊层 后形成第二凹槽后得到的所述1C载板的剖视图。
[0022] 图13是在图12所示的第二凹槽中安装一个芯片后得到的所述半导体器件的剖视 图。
[0023] 主要元件符号说明
【权利要求】
1. 一种1C载板的制作方法，包括步骤： 提供承载基板，所述承载基板包括依次设置的第一导电线路层、第一介电层及第一铜 箔层，自所述第一导电线路层向所述第一介电层形成有第一凹槽，部分第一铜箔层从所述 凹槽底部露出； 在从所述第一凹槽露出的第一铜箔层上粘贴一个中介板，所述中介板相对两侧具有多 个一一对应电性连接的第一电性接触垫及第二电性接触垫，所述第一电性接触垫靠近所述 第一铜箔层； 在所述第一导电线路层及所述中介板表面压合第二介电层，在第二介电层表面形成第 二导电线路层，并在所述第二介电层中形成第三导电孔，所述第二导电线路层通过所述第 三导电孔与所述第二电性接触垫电性连接； 将所述第一铜箔层制成第四导电线路层； 在第四导电线路层上形成具有第五导电孔的第四介电层，并在所述第四介电层表面形 成第五导电线路层；以及 自所述第五导电线路层向所述第一介电层形成一个第二凹槽，露出所述中介板，所述 多个第一电性接触垫从所述第二凹槽露出。
2. 如权利要求1所述的1C载板的制作方法，其特征在于，在所述第一导电线路层及中 介板上形成第二介电层及第二导电线路层之后，将所述第一铜箔层制成第四导电线路层之 前，所述1C载板的制作方法还包括在所述第二导电线路层上形成具有第四导电孔的第三 介电层，并在所述第三介电层表面形成第三导电线路层，所述第三导电线路层与所述第二 导电线路层通过所述第四导电孔电性连接。
3. 如权利要求2所述的1C载板的制作方法，其特征在于，在所述第四导电线路层上形 成第四介电层，并在所述第四介电层表面形成第五导电线路层之后，自所述第五导电线路 层向所述第一介电层形成一个第二凹槽之前，所述1C载板的制作方法还包括：在所述第三 导电线路层及从所述第三导电线路层露出的第三介电层上形成具有第一开口的第一防焊 层，从第一开口露出部分所述第三导电线路层形成第一焊垫；在所述第五导电线路层及从 所述第五导电线路层露出的第四介电层上形成具有第二开口的第二防焊层，从第二开口露 出部分所述第五导电线路层形成第二焊垫。
4. 如权利要求1所述的1C载板的制作方法，其特征在于，所述承载基板包括中央区与 周边区，所述第四导电线路层及第五导电线路层均形成于所述周边区。
5. 如权利要求4所述的1C载板的制作方法，其特征在于，自所述第五导电线路层向所 述第一介电层沿所述中央区与周边区的边界形成一个开口，去除所述开口内第四介电层， 得到所述第二凹槽。
6. -种1C载板的制作方法，包括步骤： 提供一个基板，所述基板包括一个承载板、位于所述承载板相对两侧的第一铜箔层及 位于两个第一铜箔层远离承载板侧的第一介电层； 在第一介电层上均形成第一导电线路层； 自所述第一导电线路层向所述第一介电层均形成第一凹槽，部分第一铜箔层从所述凹 槽底部露出； 在从所述第一凹槽露出的第一铜箔层上均粘贴一个中介板，所述中介板相对两侧具有 多个一一对应电性连接的第一电性接触垫及第二电性接触垫，所述第一电性接触垫靠近所 述第一铜箔层； 在所述第一导电线路层及所述中介板均压合第二介电层，在第二介电层表面均形成第 二导电线路层，并在所述第二介电层中均形成第三导电孔，所述第二导电线路层通过所述 第三导电孔与所述第二电性接触垫电性连接； 将所述第一铜箔层均与所述承载板分开； 将所述第一铜箔层制成第四导电线路层； 在所述第四导电线路层上形成具有第五导电孔的第四介电层，并在所述第四介电层表 面形成第五导电线路层；以及 自所述第五导电线路层向所述第一介电层形成一个第二凹槽，露出所述中介板，所述 多个第一电性接触垫从所述第二凹槽露出。
7. -种1C载板，其包括中介板、防焊层及中介板载板，所述中介板载板包括依次接触 的第五导电线路层、第四介电层、第四导电线路层、第一介电层及第一导电线路层，各导电 线路层均通过与其相邻的介电层中的导电孔与相邻导电线路层电性连接，所述第一介电层 中的导电孔成孔方向与所述第四介电层中的导电孔成孔方向相反，所述中介板内嵌于所述 第一介电层中，所述中介板相对两侧具有相互电性连接的第一电性接触垫及第二电性接触 垫，所述第二电性接触垫位于所述中介板靠近所述第一导电线路层的一侧，自所述第五导 电线路层向所述第一介电层形成有一凹槽，所述凹槽贯穿所述第五导电线路层及第四介电 层，露出所述中介板，所述多个第一电性接触垫从所述凹槽露出。
8. 如权利要求7所述的1C载板，其特征在于，所述中介板载板还包括具有导电孔的第 二介电层及第二导电线路层，所述第二介电层压合于所述第一导电线路层及第二电性接触 垫上，所述第二导电线路层形成于所述第二介电层的表面，并通过所述第二介电层中的导 电孔与所述第一导电线路层及所述第二电性接触垫电性连接。
9. 一种半导体器件的制作方法，其包括提供一个如权利要求7或8所述1C载板及在所 述凹槽中安装一个芯片，所述芯片一侧具有多个电极垫，所述多个电极垫分别通过一个导 电凸块所述第一电性接触垫电性连接，在厚度方向上，所述芯片远离所述电极垫的表面未 超出所述第四介电层远离所述第四导电线路层的表面。
10. -种半导体器件，其包括如权利要求7或8所述1C载板及芯片，所述芯片安装于所 述凹槽中，所述芯片一侧具有多个电极垫，所述多个电极垫分别通过一个导电凸块所述第 一电性接触垫电性连接，在厚度方向上，所述芯片远离所述电极垫的表面未超出所述第四 介电层远离所述第四导电线路层的表面。
【文档编号】H01L21/48GK104377187SQ201310357713
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2013年8月16日 优先权日:2013年8月16日
【发明者】苏威硕 申请人:宏启胜精密电子(秦皇岛)有限公司, 臻鼎科技股份有限公司