集成电路装置制造方法
【专利摘要】一种集成电路装置，包括：熔丝，其中连接至不同导电部件的一对端子部分设置在可切断部分的两侧上，如有需要通过激光照射来切断所述可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体形成。所述可切断部分可以比所述端子部分薄。
【专利说明】集成电路装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请基于并要求2013年3月I日提交的日本专利申请N0.2013-041288的优先权，在这里通过引用将其全部内容并入本申请。
【技术领域】
[0003]本发明的实施例总体上涉及集成电路装置。
【背景技术】
[0004]在集成电路装置中，有时提供熔丝，以在生产工艺期间或之后适当地隔离所选择的布线线路。为了隔离所选择的布线，需要通过激光照射来切断熔丝。然而，当通过激光切断熔丝时，有时候在其上形成有熔丝的基底绝缘膜中发生裂缝。这可能导致集成电路装置的误操作。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]图1A是示出了根据第一实施例的集成电路装置的平面图。图1B是图1A中的线A-A’处的截面图，并且图1C是图1A中的线B-B’处的截面图。
[0006]图2A是不出 了不例中激光照射位置的平面图。图2B是其截面图，并且图2C是不出了切断熔丝之后的状态的截面图。
[0007]图3A是示出了第二实施例的集成电路装置的平面图。图3B是图3A中的线C_C’处的截面图，并且图3C是图3A中线D-D’处的截面图。
[0008]图4A是示出了示例I的熔丝的平面图。图4B是沿着其长度方向的截面图。图4C是其切断部分的截面图；并且图4D是示出了层间电介质的截面图。
[0009]图5A是示出了示例2的熔丝的平面图。图5B是沿着其长度方向的截面图。图5C是其切断部分的截面图；并且图是示出了层间电介质的截面图。
[0010]图6A是示出了示例3的熔丝的平面图。图6B是沿着其长度方向的截面图。图6C是其切断部分的截面图；并且图6D是示出了层间电介质的截面图。
[0011]图7A是示出了比较例I的熔丝的平面图。图7B是沿着其长度方向的截面图。图7C是其切断部分的截面图；并且图7D是示出了层间电介质的截面图。
[0012]图8A是示出了比较例2的熔丝的平面图。图8B是沿着其长度方向的截面图。图8C是其切断部分的截面图；并且图8D是示出了层间电介质的截面图。
【具体实施方式】
[0013]实施例提供了集成电路装置，其中当通过激光照射切断其中的熔丝时，对下面或相邻的基底只会造成小的损害。
[0014]实施例的集成电路装置包括熔丝，其中在可切断部分的两侧上具有连接至不同导电部件的一对端子部分，如有需要，可以通过激光照射来切断可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体形成。所述可切断部分跨越在端子部分之间，其比端子部分更薄，至少在一个尺度上。
[0015]实施例的集成电路装置包括熔丝，其中在可切断部分的两侧上具有连接至不同的导电部件的一对端子部分，如有需要，可以通过激光照射来切断可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体。所述一对端子部分的总体积是所述切断部分体积的20倍或
更多倍。
[0016]在下文中，将参考附图来描述示范性实施例。
[0017]首先，将描述第一实施例。
[0018]图1A是示出了根据作为示例的实施例的集成电路装置的平面图。图1B是图1A中的线A-A’处的截面图，并且图1C是图1A中的线B-B’处的截面图。
[0019]如图1A到IC所示，在根据此实施例的集成电路装置中，例如在硅衬底(未示出)上设置由二氧化硅(SiO2)制成的层间电介质10，并且在层间电介质10中嵌入熔丝11结构。熔丝11是形成集成电路装置I的电路的一部分的布线部件，并且在集成电路装置I的生产过程或之后，当电路的连接状态必须改变时，熔丝11是布线电路的被激光有意切断的部分。熔丝11例如能够用在存储器的冗余电路、用于调整模拟电路特性的微调部分、或者现场可编程门阵列(FPGA)中。
[0020]在熔丝11中，可切断部分12，以布线线路的形式，布置在位于可切断部分12长度方向上的任一侧的一对盘状端子部分13a和13b之间，并且与端子部分13a和13b物理和电气地相连接。可切断部分12是可能被激光照射以用于切断或“断开”熔丝11的部分，当利用激光照射时，可切断部分12蒸发使得其材料部分被物理去除。端子部分13a和13b沿着可切断部分12的长度方向各自连接到可切断部分12的相对末端中的相应一个。
[0021]可切断部分12、端子部分13a和端子部分13b具有基本上矩形的平行六面体的形状，即，它们的横截面大体上是矩形。在本实施例中，端子部分13a的形状和大小与端子部分13b的形状和大小相同。可切断部分12比端子部分13a和13b更薄。而且，端子部分13a和13b的宽度比可切断部分12的宽度大。因此，可切断部分12的横截面比任一个端子部分14的横截面更小。此外，端子部分13a和13b的总体积是可切断部分12的体积的20倍或更多倍。
[0022]可切断部分12和端子部分13a和13b —体形成。也就是说，在熔丝11中，设置例如由铜(Cu)制成的主体部分14，以及例如由氮化钨(WN)制成的阻挡金属层15，它们覆盖主体部分14的下表面和侧表面。在可切断部分12与端子部分13a和13b的边界(相互连接的位置)没有布置阻挡金属层15。
[0023]在集成电路装置I中，进一步设置一对过孔16a和16b以及布线线路17a和17b，并且将其嵌入层间电介质10中。过孔16a和16b紧邻布置在端子部分13a和13b的下方，过孔16a上端与端子部分13a的下表面连接，过孔16b上端与端子部分13b的下表面连接。另外，过孔16a下端与布线线路17a的上表面连接，过孔16b下端与布线线路17b的上表面连接。结果，端子部分13a经由过孔16a和布线线路17a而连接到集成电路装置I的其他部分，比如，电路中的一个节点，其决定熔丝11是需要保持导通还是需要被断开连接。并且端子部分13b经由过孔16b和布线线路17b而连接到相同电路中的其他节点。
[0024]同样在过孔16a和16b以及布线线路17a和17b中，设置例如由铜制成的主体部分18以及例如由氮化钨制成的阻挡金属层19，其覆盖主体部分18的下表面和侧表面。在熔丝11的主体部分14与过孔16a和16b之间，插入熔丝11的阻挡金属层15。因此，熔丝11与过孔16a和16b的边界能够利用作为其轮廓的指示器的阻挡金属层15来限定。然而，当过孔16a和16b与熔丝11由双大马士革制造工艺同时形成时，例如在熔丝11的主体部分14与过孔16a和16b之间没有插入阻挡金属层15。在这种情况下,熔丝11与过孔16a和16b的边界能够通过作为单个矩形平行六面体的端子部分13a和13b与可切断部分12的外表面来限定。
[0025]这种熔丝11能够由例如涉及两个光刻操作的大马士革工艺形成。也就是说，电介质层10、布线线路17a和17b、以及过孔16a和16b形成在硅衬底(未示出)上。接下来，通过第一光刻操作，在层间电介质10的上表面中形成用于形成端子部分13a和13b的相对深的沟槽。在这些沟槽的底表面上，暴露出过孔16a和16b的上表面。接下来，通过第二光刻操作，在层间电介质10的上表面中形成用于形成可切断部分12的相对浅的沟槽。该沟槽被制成与上述形成端子部分的沟槽连通。然后，在这些沟槽的内表面上形成阻挡金属层15。接下来，通过在其中沉积铜并对其上表面进行平坦化，形成熔丝11的主体部分14。通过这种方式，在其中形成的可切断部分12比端子部分13a和13b更薄的熔丝11，具有一体形成的导电材料，例如铜。
[0026]接下来，将描述本实施例中切断熔丝的方法。
[0027]图2A是示出了例如激光照射位置并且由虚线圆圈L表示的平面图。图2B是熔丝11的可切断部分12的截面图，并且图2C是示出了切断熔丝的可切断部分12之后的熔丝的状态的截面图。
[0028]图2A描述了图1A中所示熔丝11的相同视图，并且图2B和2C描述了图1C中的熔丝11的可切断部分12的放大截面图。
[0029]如图2A和2B所示，激光L穿过先前在此形成的叠置的层间电介质10照射(引导至)在可切断部分12上。结果，部分激光L穿过层间电介质10中紧邻位于可切断部分12上方区域的部分(在下文中称为“上层部分10a”)，并被可切断部分12吸收。此时，激光L的光束直径比可切断部分12的宽度大，比可切断部分12在其长度方向的长度小。在示例中，激光L的光束直径是2到3μπι(微米)，可切断部分12的宽度是0.6 μ m，并且可切断部分12的长度是9.6 μ m。
[0030]通过以上面描述的方式来设置可切断部分12的宽度，即使当激光L的照射位置沿着可切断部分12的宽度方向在给定的范围内波动时，整个可切断部分12位于激光L的照射区域中，从而可切断部分12能够被可靠地切断。另外，通过以上面描述的方式来设置可切断部分12的长度，即使当激光L的照射位置沿着可切断部分12的长度方向在给定的范围内波动时，防止了激光L进入端子部分13a和13b，从而可靠地防止了端子部分13a和13b收到激光L的损害。顺便提及，使得可切断部分12超出基于激光L的光束直径和照射位置的边缘所需的程度变得更薄或更长不是优选的，因为这样做会增大熔丝11的电阻和用于定位熔丝11所需的安置区域。另一方面，端子部分13a和13b的区域在一定程度上必须增大以与过孔16a和16b连接，从而确保端子部分13a和13b在设计和制造位置公差的范围内覆盖下面的过孔16a和16b。
[0031]如图2B和2C所示，作为激光L进入可切断部分12的结果，可切断部分12的被激光L照射的部分被加热。此时，由于可切断部分12被层间电介质10的上层部分IOa覆盖，因此热量被限制在这里并有效地加热可切断部分12。结果，可切断部分12被加热至它的蒸发温度，其蒸汽状态的膨胀体积引发其上的上层部分IOa产生裂缝并且与其上覆盖的电介质层的其余部分分离，释放熔丝的金属蒸汽，因此产生跨越熔丝11的可切断部分12的裂缝或断开。结果，熔丝11被切断，在层间电介质10中形成沟槽20。
[0032]另外，通过激光L流入可切断部分12的热量的部分，没有用于加热和蒸发可切断部分12和上层部分IOa的部分，从可切断部分12流入端子部分13a和13b并且通过过孔16a和16b以及经由在电介质10中与端子部分13a和13b接触的部分从端子部分13a和13b传导出去。因此，从可切断部分12流入电介质10的部分，流入与可切断部分12的下表面(在下文中称为“基底部分10b”)接触的部分的热量相对小。
[0033]接下来，将将描述本实施例的优点。
[0034]在本实施例中，由于可切断部分12被制造成比端子部分13a和13b更薄，这种情况与可切断部分12被制造成与端子部分13a和13b具有相同厚度的情况相比较而言，加热和蒸发可切断部分12所需的热量小。因此，即使当激光L的输出减小时，也能够可靠地切断可切断部分12。结果，从可切断部分12流入层间电介质10的基底部分IOb的热量减小，对周围电介质或“基底部分” IOb带来很小的诸如“裂缝”的损害。
[0035]另外，由于端子部分13a和13b与可切断部分12 —体形成，热从可切断部分12流向端子部分13a和13b的阻力小。此外，在本实施例中，由于端子部分13a和13b的总体积被设置为可切断部分12的体积的20倍或更多倍，所以端子部分13a和13b的热容量，SP，用作热沉的能力，很大。结果，端子部分13a和13b用作热沉并且容易地吸收可切断部分12的热。这同样减小了 流入基底部分IOb的热量并抑制了诸如造成基底部分IOb裂缝的损害。
[0036]顺便提及，本实施例涉及这样的示例:过孔16a和16b分别位于端子部分13a和13b下方，并且过孔16a和16b的上端分别连接到端子部分13a和13b的下表面，但是本实施例并不限于这种示例。比如，过孔可以位于端子部分的上方并且过孔的下端可以连接到端子部分的上表面。另外，连接至端子部分的导电部件不限于过孔，例如在下面将要描述的第二实施例中，布线线路作为导电部件进行连接。
[0037]接下来，将描述第二实施例。
[0038]图3A是示出了根据作为示例的本实施例的集成电路装置的平面图。图3B是图3A中的线C-C’处的截面图，并且图3C是图3A中的线D-D’处的截面图。
[0039]如图3A到3C中所示，根据本实施例的集成电路装置2与之前描述的根据第一实施例的集成电路装置I (参见图1A到1C)不同之处在于:熔丝21具有一致的厚度，即，端子部分23a和23b和可切断部分22沿着周围电介质材料IOa的深度方向大体上具有相同的厚度，熔丝21的端子部分23a和23b连接至布线线路27a、b，而不是过孔。
[0040]在集成电路装置2中，层间电介质10设置在硅衬底上(未示出)，熔丝21嵌入在层间电介质10中。在熔丝21中，布线线路形式的可切断部分22和布置在可切断部分22的两侧上的一对端子部分23a和23b —体形成。可切断部分22、端子部分23a和端子部分23b具有基本矩形平行六面体的形状。端子部分23a的形状和大小与端子部分23b的形状和大小相同。
[0041]与之前描述的第一实施例不同，可切断部分22与端子部分23a和23b具有相同的厚度。另一方面，正如之前描述的第一实施例，端子部分23a和23b的宽度比可切断部分22的宽度更大。另外，端子部分23a和23b的总体积是可切断部分22的总体积的20倍或更多倍。
[0042]另外，在集成电路装置2中，在与熔丝21同一层中设置和布置布线线路27a和27b。布线线路27a连接至端子部分23a，并且布线线路27b连接至端子部分23b。结果，端子部分23a经由布线线路27a而连接至电路的个节点(未示出)，端子部分23b经由布线线路27b而连接至电路的另一节点。
[0043]布线线路27a和27b与熔丝21 —体形成。更具体而言，例如由铜制成的主体部分24以及例如由氮化钨制成的阻挡金属层25形成熔丝21。阻挡金属层25覆盖主体部分24的侧表面的大部分以及主体部分24的全部底表面。另一方面，布线线路27a和27b均通过例如由铜制成的主体部分28以及例如由氮化钨制成的阻挡金属层29来形成。阻挡金属层29覆盖主体部分28的侧表面的大部分以及主体部分28的全部底表面。
[0044]此外，熔丝21的主体部分24和布线线路27a和27b的主体部分28 —体形成，并且在主体部分24和主体部分28之间，不插入阻挡金属层25和29。顺便提及，在熔丝21中，同样在可切断部分22与端子部分23a和23b之间，不插入阻挡金属层25。根据本实施例的集成电路装置2的操作的之前描述的第一实施例的操作相同。也就是说，利用激光照射熔丝21的可切断部分22，可切断部分22与层间电介质10的上层部分IOa—起被加热和蒸发。通过这种方式，熔丝21被切断。此时，通过激光进入可切断部分22的热从可切断部分22流向端子部分23a和23b，并通过布线线路27a和27b和层间电介质10消散。 [0045]接下来，将描述本实施例的优点。
[0046]同样在本实施例中，如之前描述的第一实施例的情况一样，由于端子部分23a和23b与可切断部分22 —体形成，并且端子部分23a和23b的总体积是可切断部分22的体积的20倍或更多倍，因此端子部分23a和23b用作热沉，并且进入可切断部分22的热能够有效地通过可切断部分22和位于熔丝2的激光切断位置周围的电介质IOa释放。结果，减少了从可切断部分22向层间电介质10的基底部分IOb流入的热量，并且能够抑制诸如在底部IOb中产生裂缝的损害。
[0047]顺便提及，如果熔丝的可切断部分的厚度比端子部分的厚度大，并且一对端子部分的总体积小于可切断部分的体积的20倍，则加热和蒸发可切断部分所需要的热量变大，并且用于切断可切断部分的热没有被有效地释放至端子部分中。结果，从可切断部分流至层间电介质的基底部分的热量增大，并且在基底部分(电介质IOa)中趋于发生裂缝。另一方面，如果为了防止在电介质IOa中产生裂缝，减小了施加至可切断部分的热量，那么可靠地切断熔丝将面对挑战。因此，能够用于切断熔丝且同时抑制在相邻电介质材料中产生裂缝的热量的适当范围变窄，并且激光的输出不容易被确定。在某些情况中，不能够确定适当的范围，使得一个激光照射操作不能够可靠地切断熔丝并且同时抑制熔丝切断操作中来自熔丝切断产生的裂缝。
[0048]接下来，将描述测试示例。
[0049]在本测试示例中，提供了具有不同形状和大小的熔丝的5个示例，通过激光照射来切断熔丝，并且进行评估以确定是否在相邻的层间电介质的基底部分产生裂缝。在下面的描述中，“体积比”是指一对端子部分的总体积与可切断部分的体积的比值。[0050](示例I)
[0051]图4A是示出了示例I的熔丝的平面图。图4B是图4A的熔丝沿着其长度方向的截面图。图4C是示出了图4A中的熔丝的切断位置的截面图，并且图4D是图4A中的熔丝的截面图，其示出了在切断熔丝I之后的层间电介质的状态。
[0052]图4A到4C描述了与图1A到IC中的平坦表面和截面相同的平坦表面和截面，并且示出了熔丝被激光切断或断开之前的状态。另外，图4A到4C包括熔丝的各个部分的具体尺寸。这些大小的单位是“μ m”。另一方面，图4D描述了与图4C的截面图相同的截面图，并且示出了切断熔丝之后的状态。此外，当可切断部分比端子部分更薄时，描述为“可切断部分的厚度:薄”;当可切断部分的厚度与端子部分的厚度相同时，描述为“可切断部分的厚度:相同”。相同的范例应用于随后描述的其他附图。
[0053]如图4A到4C所示，由于熔丝51的可切断部分52的厚度(沿着相邻电介质10的深度方向上的尺寸)是0.45 μ m，并且端子部分53a和53b的厚度是1.6 μ m，可切断部分52比端子部分53a和53b薄。另外，由于可切断部分52的体积是2.592ym3(=
0.6 μ mX 9.6 μ mX 0.45 μ m)，并且端子部分53a和53b的总体积是53.76 μ m3 (=
2.4 μ mX 7.0 μ mX 1.6 μ mX 2)，因此体积比大约是 20.7 ( = 53.76 μ m3 / 2.592 μ m3)。如图4D所示，在熔丝51被激光切断之后，在层间电介质10中形成沟槽20，但在基底部分IOb中没有产生裂缝。
[0054](示例2)
[0055]图5A是示出了示例2的熔丝的平面图。图5B是图5A的熔丝沿其长度方向的截面图。图5C是图5A中的熔丝的可切断部分的截面图，并且图是图5A中的熔丝的截面图，其示出了在切断图5A中的熔丝之后层间电介质的状态。
[0056]如图5A到5C所示，由于熔丝61的可切断部分62的厚度是1.6 μ m，并且端子部分63a和63b的厚度也是1.6 μ m，所以可切断部分62的厚度与端子部分63a和63b的厚度相同。此外，由于可切断部分62的体积是7.68μπι3( = 0.5μπιΧ9.6μπιΧ1.6μπι)，并且端子部分63a和63b的总体积是156.8 μ m3 ( = 7.0 μ mX 7.0 μ mX 1.6 μ mX 2),因此体积比大约是20.4( = 156.8 μ m3 / 7.68 μ m3) 0如图所示，在熔丝61被激光切断之后，在层间电介质10中形成沟槽20，但基底部分IOb中没有出现裂缝。
[0057](示例3)
[0058]图6A是示出了示例3的熔丝的平面图。图6B是图6A中的熔丝沿其长度方向的截面图。图6C是图6A中的熔丝的可切断部分的截面图，并且图6D是图6A中的熔丝的截面图，其示出了在切断图6A中的熔丝之后的层间电介质的状态。
[0059]如图6A到6C所示，由于熔丝71的可切断部分72的厚度是0.3 μ m，并且端子部分73a和73b的厚度也是0.3 μ m，所以可切断部分72的厚度与端子部分73a和73b的厚度相同。此外，由于可切断部分72的体积是1.44 μ m3( = 0.5 μ mX9.6 μ mX0.3 μ m),并且端子部分73a和73b的总体积是30 μ m3 ( = 5.0 μ mX 10.0 μ mX 0.3 μ mX2)，因此体积比大约是
20.8( = 30 μ m3 / 1.44 μ m3) ο如图6D所示，在熔丝71被激光切断之后，在层间电介质10中形成沟槽20，但基底部分IOb中没有出现裂缝。
[0060](比较例I)
[0061]图7A是示出了比较例I的熔丝的平面图。图7B是沿着图7A的熔丝的长度方向的截面图。图7C是图7A中的熔丝的可切断部分的截面图，并且图7D是截面图，其示出了在切断图7A中的熔丝之后层间电介质的状态。
[0062]如图7A到7C所示，由于熔丝81的可切断部分82的厚度是1.6 μ m，并且端子部分83a和83b的厚度也是1.6 μ m，所以可切断部分82的厚度与端子部分83a和83b的厚度相同。此外，由于可切断部分82的体积是7.68μπι3( = 0.5μπιΧ9.6μπιΧ1.6μπι)，并且端子部分83a和83b的总体积是26.88 μ m3 ( = 1.2 μ mX 7.0 μ mX 1.6 μ mX 2),因此体积比大约是3.5( = 26.88 μ m3 / 7.68 μ m3) 0如图7D所示，在熔丝81被激光切断之后，在层间电介质10中形成沟槽20，并且在靠近沟槽20的底表面的基底部分IOb中出现裂缝50。
[0063](比较例2)
[0064]图8A是示出了比较例2的熔丝 的平面图。图8B是沿着图8A的熔丝的长度方向的截面图。图8C是图8A中的熔丝的可切断部分的截面图，并且图8D截面图，其示出了在切断图8A中的熔丝之后层间电介质的状态。
[0065]如图8A到8C所示，由于熔丝91的可切断部分92的厚度是0.3 μ m，并且端子部分93a和93b的厚度也是0.3 μ m，所以可切断部分92的厚度与端子部分93a和93b的厚度相同。此外，由于可切断部分92的体积是1.728μπι3( = 0.6μπιΧ9.6μπιΧ0.3μπι)，并且端子部分93a和93b的总体积是7.638 μ m3 ( = 1.9 μ mX 6.7 μ mX 0.3 μ mX2)，因此体积比大约是4.4( = 7.638 μ m3 / 1.728 μ m3) ο如图8D所示，在熔丝91被激光切断之后，在层间电介质10中形成沟槽20，并且在靠近沟槽20的底表面的基底部分IOb中出现裂缝50。
[0066]表1示出了上述测试示例的结果。
[0067]如表1中所示，在示例I中，可切断部分比端子部分薄并且体积比是20或更多，并且示例2和示例3中体积比是20或更多，在切断熔丝之后，层间电介质10的基底部分IOb中没有出现裂缝。另一方面，在比较例I和比较例2中，可切断部分的厚度与端子部分的厚度相同并且体积比小于20，在基底部分IOb中出现裂缝50。
[0068]表1
[0069]
【权利要求】
1.一种集成电路装置，包括: 互连电路，其具有第一导体和第二导体；以及 熔丝，其在所述第一导体和所述第二导体之间延伸并切选择性地电互连所述第一导体和所述第二导体，其中所述熔丝包括 与所述第一导体电且物理接触的第一端子部分； 与所述第二导体电且物理接触的第二端子部分；以及 在所述第一端子部分和所述第二端子部分之间延伸的可切断部分， 其中所述可切断部分的体积至少比所述第一端子部分和所述第二端子部分的总体积小20倍。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述可切断部分、所述第一端子部分和所述第二端子部分由能够被激光消融的连续导电材料形成。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述可切断部分、第端子部分和第二端子部分嵌入在电介质材料中。
4.根据权利要求3所述的集成电路装置，其中阻挡层位于所述可切断部分、所述第一端子部分和所述第二端子部分与所述电介质材料之间。
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中所述阻挡层不覆盖所述可切断部分的上表面。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述可切断部分、所述第一端子部分、所述第二端子部分与所述第一导体和所述第二导体由连续导电性材料形成。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置，进一步包括至少布置在所述第一导体和所述第一端子部分之间的中间材料。
8.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述第一导体和所述第二导体中的至少一个是延伸至所述集成电路中的布线层的过孔。
9.根据权利要求8所述的集成电路装置，其中所述过孔、所述端子部分和所述可切断部分形成为双大马士革结构。
10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述可切断部分横跨的所述第一端子部分与所述第二端子部分之间的距离比用于使所述可切断部分的所述材料蒸发的激光点的尺寸大。
11.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中所述可切断部分比所述端子部分薄。
12.根据权利要求所述I的集成电路装置，其中所述端子部分的宽度大于所述可切断部分的宽度。
13.一种集成电路装置，包括: 熔丝，其具有一对端子部分，所述端子部分设置在可切断部分的两侧上，如有需要通过激光照射来切断所述可切断部分，所述可切断部分和所述一对端子部分一体形成，其中 所述端子部分的宽度大于所述可切断部分的宽度，并且 所述一对端子部分的总体积是所述可切断部分的体积的20倍或更多倍。
14.根据权利要求13所述的集成电路装置，其中所述可切断部分比所述端子部分薄。
15.根据权利要求13所述的集成电路装置，其中所述可切断部分和所述端子部分具有相同的厚度。
16.根据权利要求13所述的集成电路装置，进一步包括连接至所述端子部分的布线线路，并且所述布线线路和所述熔丝一体形成。
17.根据权利要求16所述的集成电路装置，其中所述布线线路和所述熔丝由连续导电性材料形成。
18.根据权利要求13所述的集成电路装置，其中所述熔丝包括由铜制成的主体层以及覆盖所述主体层的 下表面和侧表面的阻挡金属层。
19.根据权利要求18所述的集成电路装置，其中所述阻挡金属层不覆盖所述可切断部分的上表面。
【文档编号】H01L23/525GK104022099SQ201310485976
【公开日】2014年9月3日 申请日期:2013年9月6日 优先权日:2013年3月1日
【发明者】山田兼慈, 君岛秀树 申请人:株式会社东芝